1.一种水蒸气输送膜，包括基底和被涂覆在所述基底的第一表面上的不透气的选择性层，其中所述选择性层包含以在约7:3至约2:3的范围内的sPEEK:CA(wt.:wt.)比率的sPEEK和CA。
2.根据权利要求1所述的水蒸气输送膜，其中所述sPEEK:CA(wt.:wt.)比率是约1:1。
3.根据权利要求1或2所述的水蒸气输送膜，其中所述sPEEK包括呈阳离子形式的sPEEK。
4.根据权利要求3所述的水蒸气输送膜，其中所述sPEEK包括呈钠离子形式的sPEEK。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述CA的乙酰基含量是约
20％至约62％。
6.根据权利要求5所述的水蒸气输送膜，其中所述CA的乙酰基含量是约40％。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述CA的数均分子量是约
50,000。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述sPEEK的磺化度是约
23％至约100％。
9.根据权利要求8所述的水蒸气输送膜，其中所述sPEEK的磺化度是约60％至约70％。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述sPEEK的数均分子量在约20,000至约180,000的范围内。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述选择性层由涂覆溶液或分散体配制，所述涂覆溶液或分散体包含在约2.5％至约10％的范围内的sPEEK和CA的固含量。
12.根据权利要求11所述的水蒸气输送膜，其中所述固含量是约5％。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述涂覆溶液或分散体还包含丙酮/水、丙酮/水/乙醇、THF、THF/水、NMP、NMP/水、DMF、DMF/水、DMSO、或DMSO/水。
14.根据权利要求13所述的水蒸气输送膜，其中所述涂覆溶液或分散体包含丙酮/水。
15.根据权利要求13所述的水蒸气输送膜，其中所述涂覆溶液或分散体包含丙酮/水/乙醇。
16.根据权利要求14所述的水蒸气输送膜，其中所述涂覆溶液或分散体包含约70/30(wt./wt.)至约80/20(wt./wt.)的丙酮/水。
17.根据权利要求15所述的水蒸气输送膜，其中所述涂覆溶液或分散体包含约58:22:
20(wt./wt./wt.)至约65:25:10(wt./wt./wt.)的丙酮/水/乙醇。
18.根据权利要求1至17中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述选择性层在所述基底上的涂覆负载在约0.5g/m2至约2.5g/m2的范围内。
19.根据权利要求1至17中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述选择性层在所述基底上的涂覆负载小于约5g/m2。
20.根据权利要求1至19中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述选择性层的厚度是约
0.5微米至约2微米。
21.根据权利要求1至19中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述选择性层的厚度小于约5微米。
22.根据权利要求1至21中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述选择性层在所述基底的第一表面上形成大体上连续的并且致密的薄膜。
23.根据权利要求22所述的水蒸气输送膜，其中所述选择性层在与所述第一表面相对的所述基底的第二表面上形成大体上连续的并且致密的薄膜。
24.根据权利要求1至23中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述选择性层是足够地柔性的以允许所述膜的操作、打褶和加工。
25.根据权利要求1至24中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述膜的水蒸气透过率是至少6,000GPU。
26.根据权利要求25所述的水蒸气输送膜，其中所述膜的水蒸气透过率在约25℃至约
50℃的范围内的温度下是至少6,000GPU。
27.根据权利要求26所述的水蒸气输送膜，其中所述膜的水蒸气透过率在约25℃至约
50℃的范围内的温度和大于约30％相对湿度下是至少6,000GPU。
28.根据权利要求1至24中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述膜的水蒸气透过率是至少9,000。
29.根据权利要求28所述的水蒸气输送膜，其中所述膜的水蒸气透过率在约25℃至约
50℃的范围内的温度下是至少9,000GPU。
30.根据权利要求29所述的水蒸气输送膜，其中所述膜的水蒸气透过率在约25℃至约
50℃的范围内的温度和大于约30％相对湿度下是至少9,000GPU。
31.根据权利要求1至30中任一项所述的水蒸气输送膜，其中在约25℃和约90％相对湿度下，穿过所述膜的乙酸跨越小于约10％。
32.根据权利要求31所述的水蒸气输送膜，其中在约25℃和约90％相对湿度下，穿过所述膜的乙酸跨越小于约6％。
33.根据权利要求1至30中任一项所述的水蒸气输送膜，其中在约25℃和约50％相对湿度下，穿过所述膜的乙酸跨越小于约1％。
34.根据权利要求1至30中任一项所述的水蒸气输送膜，其中在约25℃和约90％相对湿度下，穿过所述膜的乙醇跨越小于约3％。
35.根据权利要求1至30中任一项所述的水蒸气输送膜，其中在约25℃和约50％相对湿度下，与乙酸相比，对于水蒸气的膜选择性大于约50。
36.根据权利要求1至30中任一项所述的水蒸气输送膜，其中在约25℃和约70％相对湿度下，与乙酸相比，对于水蒸气的膜选择性大于约20。
37.根据权利要求1至30中任一项所述的水蒸气输送膜，其中在约25℃和约90％相对湿度下，与乙酸相比，对于水蒸气的膜选择性大于约5。
38.根据权利要求1至30中任一项所述的水蒸气输送膜，其中在约25℃和约90％相对湿度下，与乙醇相比，对于水蒸气的膜选择性大于约15。
39.根据权利要求1至38中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述膜对水蒸气输送是选择性的。
40.根据权利要求1至39中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述膜对水蒸气比其对VOC和其他气体更有渗透性。
41.根据权利要求1至40中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述基底是微孔性的。
42.根据权利要求41所述的水蒸气输送膜，其中所述基底是聚烯烃。
43.根据权利要求42所述的水蒸气输送膜，其中所述聚烯烃是单轴地或双轴地拉伸的。
44.根据权利要求42所述的水蒸气输送膜，其中所述聚烯烃是干法加工的。
45.根据权利要求42所述的水蒸气输送膜，其中所述聚烯烃是湿法加工的。
46.根据权利要求42、44或45中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述聚烯烃包括聚乙烯或聚丙烯。
47.根据权利要求1至41中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述基底包括纳米纤维层。
48.根据权利要求47所述的水蒸气输送膜，其中所述纳米纤维层是静电纺丝的。
49.根据权利要求1至48中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述基底的孔隙度大于约
30％。
50.根据权利要求49所述的水蒸气输送膜，其中所述基底的孔隙度在约30％至约80％的范围内。
51.根据权利要求1至50中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述基底具有小于约250微米的厚度。
52.根据权利要求51所述的水蒸气输送膜，其中所述基底具有约4微米至约150微米的厚度。
53.根据权利要求52所述的水蒸气输送膜，其中所述基底具有约5微米至约40微米的厚度。
54.根据权利要求1至53中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述基底的平均孔径在约
0.01微米至约1微米的范围内。
55.根据权利要求54所述的水蒸气输送膜，其中所述基底的平均孔径在约0.01微米至约0.1微米的范围内。
56.根据权利要求1至55中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述基底是阻燃性的。
57.一种水蒸气输送膜，包括基底和被涂覆在所述基底的第一表面上的不透气的选择性层，其中所述选择性层包含至少一种纤维素衍生物和阳离子形式的至少一种磺化的聚芳醚酮。
58.根据权利要求57所述的水蒸气输送膜，其中所述选择性层包含以在约7:3至约2:3的范围内的磺化的聚芳醚酮/纤维素衍生物(wt.:wt.)比率的所述磺化的聚芳醚酮和所述纤维素衍生物。
59.根据权利要求58所述的水蒸气输送膜，其中所述磺化的聚芳醚酮/纤维素衍生物(wt.:wt.)比率是约1:1。
60.根据权利要求57至59中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述阳离子形式包括钠离子形式。
61.根据权利要求57至60中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述纤维素衍生物的乙酰基含量是约20％至约62％。
62.根据权利要求61所述的水蒸气输送膜，其中所述纤维素衍生物的乙酰基含量是约
40％。
63.根据权利要求57至62中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述纤维素衍生物的数均分子量是约50,000。
64.根据权利要求57至63中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述磺化的聚芳醚酮的数均分子量在约20,000至约180,000的范围内。
65.根据权利要求57至64中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述磺化的聚芳醚酮的磺化度是约23％至约100％。
66.根据权利要求65所述的水蒸气输送膜，其中所述磺化的聚芳醚酮的磺化度是约
60％至约70％。
67.根据权利要求57至66中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述选择性层由涂覆溶液或分散体配制，所述涂覆溶液或分散体包含在约2.5％至约10％的范围内的所述磺化的聚芳醚酮和所述纤维素衍生物的固含量。
68.根据权利要求67所述的水蒸气输送膜，其中所述固含量是约5％。
69.根据权利要求67或68所述的水蒸气输送膜，其中所述涂覆溶液或分散体还包含丙酮/水、丙酮/水/乙醇、THF、THF/水、NMP、NMP/水、DMF、DMF/水、DMSO、或DMSO/水。
70.根据权利要求69所述的水蒸气输送膜，其中所述涂覆溶液或分散体包含丙酮/水。
71.根据权利要求69所述的水蒸气输送膜，其中所述涂覆溶液或分散体包含丙酮/水/乙醇。
72.根据权利要求70所述的水蒸气输送膜，其中所述涂覆溶液或分散体包含约70/30(wt./wt.)至约80/20(wt./wt.)的丙酮/水。
73.根据权利要求71所述的水蒸气输送膜，其中所述涂覆溶液或分散体包含约58:22:
20(wt./wt./wt.)至约65:25:10(wt./wt./wt.)的丙酮/水/乙醇。
74.根据权利要求57至73中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述选择性层在所述基底上的涂覆负载在约0.5g/m2至约2.5g/m2的范围内。
75.根据权利要求57至73中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述选择性层在所述基底上的涂覆负载小于约5g/m2。
76.根据权利要求57至75中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述选择性层的厚度是约0.5微米至约2微米。
77.根据权利要求57至75中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述选择性层的厚度小于约5微米。
78.根据权利要求57至77中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述选择性层在所述基底的第一表面上形成大体上连续的并且致密的薄膜。
79.根据权利要求78所述的水蒸气输送膜，其中所述选择性层在与所述第一表面相对的所述基底的第二表面上形成大体上连续的并且致密的薄膜。
80.根据权利要求57至79中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述选择性层是足够地柔性的以允许所述膜的操作、打褶和加工。
81.根据权利要求57至80中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述膜的水蒸气透过率是至少6,000GPU。
82.根据权利要求81所述的水蒸气输送膜，其中所述膜的水蒸气透过率在约25℃至约
50℃的范围内的温度下是至少6,000GPU。
83.根据权利要求82所述的水蒸气输送膜，其中所述膜的水蒸气透过率在约25℃至约
50℃的范围内的温度和大于约30％相对湿度下是至少6,000GPU。
84.根据权利要求57至80中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述膜的水蒸气透过率是至少9,000。
85.根据权利要求84所述的水蒸气输送膜，其中所述膜的水蒸气透过率在约25℃至约
50℃的范围内的温度下是至少9,000GPU。
86.根据权利要求85所述的水蒸气输送膜，其中所述膜的水蒸气透过率在约25℃至约
50℃的范围内的温度和大于约30％相对湿度下是至少9,000GPU。
87.根据权利要求57至86中任一项所述的水蒸气输送膜，其中在约25℃和约90％相对湿度下，穿过所述膜的乙酸跨越小于约10％。
88.根据权利要求87所述的水蒸气输送膜，其中在约25℃和约90％相对湿度下，穿过所述膜的乙酸跨越小于约6％。
89.根据权利要求57至86中任一项所述的水蒸气输送膜，其中在约25℃和约50％相对湿度下，穿过所述膜的乙酸跨越小于约1％。
90.根据权利要求57至86中任一项所述的水蒸气输送膜，其中在约25℃和约90％相对湿度下，穿过所述膜的乙醇跨越小于约3％。
91.根据权利要求57至86中任一项所述的水蒸气输送膜，其中在约25℃和约50％相对湿度下，与乙酸相比，对于水蒸气的膜选择性大于约50。
92.根据权利要求57至86中任一项所述的水蒸气输送膜，其中在约25℃和约70％相对湿度下，与乙酸相比，对于水蒸气的膜选择性大于约20。
93.根据权利要求57至86中任一项所述的水蒸气输送膜，其中在约25℃和约90％相对湿度下，与乙酸相比，对于水蒸气的膜选择性大于约5。
94.根据权利要求57至86中任一项所述的水蒸气输送膜，其中在约25℃和约90％相对湿度下，与乙醇相比，对于水蒸气的膜选择性大于约15。
95.根据权利要求57至94中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述膜对水蒸气输送是选择性的。
96.根据权利要求57至95中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述膜对水蒸气比其对VOC和其他气体更有渗透性。
97.根据权利要求57至96中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述基底是微孔性的。
98.根据权利要求97所述的水蒸气输送膜，其中所述基底是聚烯烃。
99.根据权利要求98所述的水蒸气输送膜，其中所述聚烯烃是单轴地或双轴地拉伸的。
100.根据权利要求98所述的水蒸气输送膜，其中所述聚烯烃是干法加工的。
101.根据权利要求98所述的水蒸气输送膜，其中所述聚烯烃是湿法加工的。
102.根据权利要求98、100或101中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述聚烯烃包括聚乙烯或聚丙烯。
103.根据权利要求57至97中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述基底包括纳米纤维层。
104.根据权利要求103所述的水蒸气输送膜，其中所述纳米纤维层是静电纺丝的。
105.根据权利要求57至104中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述基底的孔隙度大于约30％。
106.根据权利要求105所述的水蒸气输送膜，其中所述基底的孔隙度在约30％至约
80％的范围内。
107.根据权利要求57至106中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述基底具有小于约
250微米的厚度。
108.根据权利要求107所述的水蒸气输送膜，其中所述基底具有约4微米至约150微米的厚度。
109.根据权利要求108所述的水蒸气输送膜，其中所述基底具有约5微米至约40微米的厚度。
110.根据权利要求57至109中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述基底的平均孔径在约0.01微米至约1微米的范围内。
111.根据权利要求110所述的水蒸气输送膜，其中所述基底的平均孔径在约0.01微米至约0.1微米的范围内。
112.根据权利要求57至111中任一项所述的水蒸气输送膜，其中所述基底是阻燃性的。
113.一种用于制造水蒸气输送膜的方法，所述方法包括：
将包含sPEEK和CA的涂覆溶液或分散体应用于基底的第一表面并且允许所述涂覆溶液或分散体干燥以在所述基底的所述第一表面上形成不透气的选择性层，
其中所述涂覆溶液或分散体包含在约7:3至约2:3的范围内的sPEEK:CA(wt.:wt.)比率。
114.根据权利要求113所述的方法，其中所述涂覆溶液或分散体包含在约1:1的范围内的sPEEK:CA(wt.:wt.)比率。
115.根据权利要求113或114所述的方法，其中所述sPEEK包括呈阳离子形式的sPEEK。
116.根据权利要求115所述的方法，其中所述sPEEK包括呈钠离子形式的sPEEK。
117.根据权利要求113至116中任一项所述的方法，其中所述CA的乙酰基含量是约20％至约62％。
118.根据权利要求117所述的方法，其中所述CA的乙酰基含量是约40％。
119.根据权利要求113至118中任一项所述的方法，其中所述CA的数均分子量是约50,
000。
120.根据权利要求113至119中任一项所述的方法，其中所述sPEEK的数均分子量在约
20,000至约180,000的范围内。
121.根据权利要求113至120中任一项所述的方法，其中所述sPEEK的磺化度是约23％至约100％。
122.根据权利要求121所述的方法，其中所述sPEEK的磺化度是约60％至约70％。
123.根据权利要求113至122中任一项所述的方法，其中所述涂覆溶液或分散体的固含量在约2.5％至约10％的范围内。
124.根据权利要求123所述的方法，其中所述涂覆溶液或分散体的固含量是约5％。
125.根据权利要求113至124中任一项所述的方法，其中所述涂覆溶液或分散体还包含丙酮/水、丙酮/水/乙醇、THF、THF/水、NMP、NMP/水、DMF、DMF/水、DMSO、或DMSO/水。
126.根据权利要求125所述的方法，其中所述涂覆溶液或分散体包含丙酮/水。
127.根据权利要求125所述的方法，其中所述涂覆溶液或分散体包含丙酮/水/乙醇。
128.根据权利要求126所述的方法，其中所述涂覆溶液或分散体包含约70/30(wt./wt.)至约80/20(wt./wt.)的丙酮/水。
129.根据权利要求127所述的方法，其中所述涂覆溶液或分散体包含约58/22/20(wt./wt.)至约65/25/10(wt./wt.)的丙酮/水/乙醇。
130.根据权利要求113至129中任一项所述的方法，其中所述选择性层在所述基底上的涂覆负载在约0.5g/m2至约2.5g/m2的范围内。
131.根据权利要求113至129中任一项所述的方法，其中所述选择性层在所述基底上的涂覆负载小于约5g/m2。
132.根据权利要求113至131中任一项所述的方法，其中所述选择性层的厚度是约0.5微米至约2微米。
133.根据权利要求113至131中任一项所述的方法，其中所述选择性层的厚度小于约5微米。
134.根据权利要求113至133中任一项所述的方法，其中所述选择性层在所述基底的所述第一表面上形成大体上连续的并且致密的薄膜。
135.根据权利要求113至134中任一项所述的方法，还包括将所述涂覆溶液或分散体应用于所述基底的第二表面并且允许所述涂覆溶液或分散体干燥以在所述基底的所述第二表面上形成不透气的选择性层。
136.根据权利要求113至135中任一项所述的方法，其中所述选择性层是足够地柔性的以允许所述膜的操作、打褶和加工。
137.根据权利要求113至136中任一项所述的方法，其中所述膜的水蒸气透过率是至少
6,000GPU。
138.根据权利要求137所述的方法，其中所述膜的水蒸气透过率在约25℃至约50℃的范围内的温度下是至少6,000GPU。
139.根据权利要求138所述的方法，其中所述膜的水蒸气透过率在约25℃至约50℃的范围内的温度和大于约30％相对湿度下是至少6,000GPU。
140.根据权利要求113至136中任一项所述的方法，其中所述膜的水蒸气透过率是至少
9,000GPU。
141.根据权利要求140中任一项所述的方法，其中所述膜的水蒸气透过率在约25℃至约50℃的范围内的温度下是至少9,000GPU。
142.根据权利要求141所述的方法，其中所述膜的水蒸气透过率在约25℃至约50℃的范围内的温度和大于约30％相对湿度下是至少9,000GPU。
143.根据权利要求113至142中任一项所述的方法，其中在约25℃和约90％相对湿度下，穿过所述膜的乙酸跨越小于约10％。
144.根据权利要求143所述的方法，其中在约25℃和约90％相对湿度下，穿过所述膜的乙酸跨越小于约6％。
145.根据权利要求113至142中任一项所述的方法，其中在约25℃和约50％相对湿度下，穿过所述膜的乙酸跨越小于约1％。
146.根据权利要求113至142中任一项所述的方法，其中在约25℃和约90％相对湿度下，穿过所述膜的乙醇跨越小于约3％。
147.根据权利要求113至142中任一项所述的方法，其中在约25℃和约50％相对湿度下，与乙酸相比，对于水蒸气的膜选择性大于约50。
148.根据权利要求113至142中任一项所述的方法，其中在约25℃和约70％相对湿度下，与乙酸相比，对于水蒸气的膜选择性大于约20。
149.根据权利要求113至142中任一项所述的方法，其中在约25℃和约90％相对湿度下，与乙酸相比，对于水蒸气的膜选择性大于约5。
150.根据权利要求113至142中任一项所述的方法，其中在约25℃和约90％相对湿度下，与乙醇相比，对于水的膜选择性大于约15。
151.根据权利要求113至150中任一项所述的方法，其中所述膜对水蒸气输送是选择性的。
152.根据权利要求113至151中任一项所述的方法，其中所述膜对水蒸气比其对VOC和其他气体更有渗透性。
153.根据权利要求113至152中任一项所述的方法，其中所述基底是微孔性的。
154.根据权利要求153所述的方法，其中所述基底是聚烯烃。
155.根据权利要求154所述的方法，其中所述聚烯烃是单轴地或双轴地拉伸的。
156.根据权利要求154所述的方法，其中所述聚烯烃是干法加工的。
157.根据权利要求154所述的方法，其中所述聚烯烃是湿法加工的。
158.根据权利要求154、156或157中任一项所述的方法，其中所述聚烯烃包括聚乙烯或聚丙烯。
159.根据权利要求113至153中任一项所述的方法，其中所述基底包括纳米纤维层。
160.根据权利要求159所述的方法，其中所述纳米纤维层是静电纺丝的。
161.根据权利要求113至160中任一项所述的方法，其中所述基底的孔隙度大于约
30％。
162.根据权利要求161所述的方法，其中所述基底的孔隙度在约30％至约80％的范围内。
163.根据权利要求113至162中任一项所述的方法，其中所述基底具有小于约250微米的厚度。
164.根据权利要求163所述的方法，其中所述基底具有约4微米至约150微米的厚度。
165.根据权利要求164所述的方法，其中所述基底具有约5微米至约40微米的厚度。
166.根据权利要求113至165中任一项所述的方法，其中所述基底的平均孔径在约0.01微米至约1.0微米的范围内。
167.根据权利要求166所述的方法，其中所述基底的平均孔径在约0.01微米至约0.1微米的范围内。
168.根据权利要求113至167中任一项所述的方法，其中所述基底是阻燃性的。
169.一种用于制造水蒸气输送膜的方法，所述方法包括：
将涂覆溶液或分散体应用于基底的第一表面并且允许所述涂覆溶液或分散体干燥以在所述基底上形成不透气的选择性层，
其中所述涂覆溶液或分散体包含至少一种纤维素衍生物和阳离子形式的至少一种磺化的聚芳醚酮。
170.根据权利要求169所述的方法，包括用阳离子交换所述磺化的聚芳醚酮的磺酸基团上的质子。
171.根据权利要求169或170所述的方法，其中所述涂覆溶液或分散体包含在约7:3至约2:3的范围内的磺化的聚芳醚酮:纤维素衍生物(wt.:wt.)比率。
172.根据权利要求171所述的方法，其中所述磺化的聚芳醚酮:纤维素衍生物(wt.:
wt.)比率是约1:1。
173.根据权利要求169至172中任一项所述的方法，其中所述盐离子形式是钠离子形式。
174.根据权利要求169至173中任一项所述的方法，其中所述纤维素衍生物的乙酰基含量是约20％至约62％。
175.根据权利要求174所述的方法，其中所述纤维素衍生物的乙酰基含量是约40％。
176.根据权利要求169至175中任一项所述的方法，其中所述纤维素衍生物的数均分子量是约50,000。
177.根据权利要求169至176中任一项所述的方法，其中所述磺化的聚芳醚酮的数均分子量在约20,000至约180,000的范围内。
178.根据权利要求169至177中任一项所述的方法，其中所述磺化的聚芳醚酮的磺化度是约23％至约100％。
179.根据权利要求178所述的方法，其中所述磺化的聚芳醚酮的磺化度是约60％至约
70％。
180.根据权利要求169至179中任一项所述的方法，其中所述涂覆溶液或分散体的固含量在约2.5％至约10％的范围内。
181.根据权利要求180所述的方法，其中所述涂覆溶液或分散体的固含量是约5％。
182.根据权利要求169至181中任一项所述的方法，其中所述涂覆溶液或分散体还包含丙酮/水、丙酮/水/乙醇、THF、THF/水、NMP、NMP/水、DMF、DMF/水、DMSO或DMSO/水。
183.根据权利要求182所述的方法，其中所述涂覆溶液或分散体包含丙酮/水。
184.根据权利要求182所述的方法，其中所述涂覆溶液或分散体包含丙酮/水/乙醇。
185.根据权利要求183所述的方法，其中所述涂覆溶液或分散体包含约70/30(wt./wt.)至约80/20(wt./wt.)的丙酮/水。
186.根据权利要求184所述的方法，其中所述涂覆溶液或分散体包含约58:22:20(wt./wt./wt.)至约65:25:10(wt./wt./wt.)的丙酮/水/乙醇。
187.根据权利要求169至186中任一项所述的方法，其中所述选择性层在所述基底上的涂覆负载在约0.5g/m2至约2.5g/m2的范围内。
188.根据权利要求169至186中任一项所述的方法，其中所述选择性层在所述基底上的
2
涂覆负载小于约5g/m。
189.根据权利要求169至188中任一项所述的方法，其中所述选择性层的厚度是约0.5微米至约2微米。
190.根据权利要求169至188中任一项所述的方法，其中所述选择性层的厚度小于约5微米。
191.根据权利要求169至190中任一项所述的方法，其中所述选择性层在所述基底的第一表面上形成大体上连续的并且致密的薄膜。
192.根据权利要求169至191中任一项所述的方法，还包括将所述涂覆溶液或分散体应用于所述基底的第二表面并且允许所述涂覆溶液或分散体干燥以在所述基底的所述第二表面上形成不透气的选择性层。
193.根据权利要求169至192中任一项所述的方法，其中所述选择性层是足够地柔性的以允许所述膜的操作、打褶和加工。
194.根据权利要求169至193中任一项所述的方法，其中所述膜的水蒸气透过率是至少
6,000GPU。
195.根据权利要求194所述的方法，其中所述膜的水蒸气透过率在约25℃至约50℃的范围内的温度下是至少6,000GPU。
196.根据权利要求195所述的方法，其中所述膜的水蒸气透过率在约25℃至约50℃的范围内的温度和大于约30％相对湿度下是至少6,000GPU。
197.根据权利要求169至193中任一项所述的方法，其中所述膜的水蒸气透过率是至少
9,000。
198.根据权利要求197所述的方法，其中所述膜的水蒸气透过率在约25℃至约50℃的范围内的温度下是至少9,000GPU。
199.根据权利要求198所述的方法，其中所述膜的水蒸气透过率在约25℃至约50℃的范围内的温度和大于约30％相对湿度下是至少9,000GPU。
200.根据权利要求169至199中任一项所述的方法，其中在约25℃和约90％相对湿度下，穿过所述膜的乙酸跨越小于约10％。
201.根据权利要求200所述的方法，其中在约25℃和约90％相对湿度下，穿过所述膜的乙酸跨越小于约6％。
202.根据权利要求169至199中任一项所述的方法，其中在约25℃和约50％相对湿度下，穿过所述膜的乙酸跨越小于约1％。
203.根据权利要求169至199中任一项所述的方法，其中在约25℃和约90％相对湿度下，穿过所述膜的乙醇跨越小于约3％。
204.根据权利要求169至199中任一项所述的方法，其中在约25℃和约50％相对湿度下，与乙酸相比，对于水蒸气的膜选择性大于约50。
205.根据权利要求169至199中任一项所述的方法，其中在约25℃和约70％相对湿度下，与乙酸相比，对于水蒸气的膜选择性大于约20。
206.根据权利要求169至199中任一项所述的方法，其中在约25℃和约90％相对湿度下，与乙酸相比，对于水蒸气的膜选择性大于约5。
207.根据权利要求169至199中任一项所述的方法，其中在约25℃和约90％相对湿度下，与乙醇相比，对于水蒸气的膜选择性大于约15。
208.根据权利要求169至207中任一项所述的方法，其中所述膜对水蒸气输送是选择性的。
209.根据权利要求169至208中任一项所述的方法，其中所述膜对水蒸气比其对VOC和其他气体更有渗透性。
210.根据权利要求169至209中任一项所述的方法，其中所述基底是微孔性的。
211.根据权利要求210所述的方法，其中所述基底是聚烯烃。
212.根据权利要求211所述的方法，其中所述聚烯烃是单轴地或双轴地拉伸的。
213.根据权利要求211所述的方法，其中所述聚烯烃是干法加工的。
214.根据权利要求211所述的方法，其中所述聚烯烃是湿法加工的。
215.根据权利要求211、213或214中任一项所述的方法，其中所述聚烯烃包括聚乙烯或聚丙烯。
216.根据权利要求169至210中任一项所述的方法，其中所述基底包括纳米纤维层。
217.根据权利要求216所述的方法，其中所述纳米纤维层是静电纺丝的。
218.根据权利要求169至217中任一项所述的方法，其中所述基底的孔隙度大于约
30％。
219.根据权利要求218所述的方法，其中所述基底的孔隙度在约30％至约80％的范围内。
220.根据权利要求169至219中任一项所述的方法，其中所述基底具有小于约250微米的厚度。
221.根据权利要求220所述的方法，其中所述基底具有约4微米至约150微米的厚度。
222.根据权利要求221所述的方法，其中所述基底具有约5微米至约40微米的厚度。
223.根据权利要求169至222中任一项所述的方法，其中所述基底的平均孔径在约0.01微米至约1微米的范围内。
224.根据权利要求223所述的方法，其中所述基底的平均孔径在约0.01微米至约0.1微米的范围内。
225.根据权利要求169至224中任一项所述的方法，其中所述基底是阻燃性的。
226.一种ERV芯，包括打褶的膜柱体，所述膜柱体包括根据权利要求1至112中任一项所述的水蒸气输送膜与在相邻的膜层之间的气体流动通道的交替的层。
227.一种ERV系统，包括ERV芯，所述ERV芯包括打褶的膜柱体，其中所述膜柱体包括根据权利要求1至112中任一项所述的水蒸气输送膜与在相邻的膜层之间的气体流动通道的交替的层。
228.装置，具有依照此处描述的任何新的且有创造性的特征、特征的组合或特征的亚组合。
229.方法，具有依照此处描述的任何新的且有创造性的步骤、行动、步骤和/或行动的组合、或步骤和/或行动的亚组合。