一种用于STT-MRAM的磁性隧道结
专利汇可以提供一种用于STT-MRAM的磁性隧道结专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及磁 电阻 随机 存储器 ，尤其涉及一种用于自旋转移 扭矩 磁电阻随机存储器的含有高阻尼系数亚 铁 磁固定层的 磁性 隧道结，包括： 铁磁性 的自由层、势垒层、含有 亚铁磁性 的固定层，势垒层由非磁性物质构成并位于铁磁性的自由层和含有亚铁磁性的固定层之间，含有亚铁磁性的固定层的 角 动量 补偿 温度 与STT-MRAM的 工作温度 匹配，所述角动量补偿温度下含有亚铁磁性的固定层具有高阻尼系数。本发明的有益效果在于：将亚铁磁材料用于STT-MRAM中MTJ的固定层，从而增加固定层的阻尼系数，降低STT写 电流 对固定层的扰动，提高STT-MRAM的可靠性。，下面是一种用于STT-MRAM的磁性隧道结专利的具体信息内容。
1.一种用于STT-MRAM的磁性隧道结，其特征在于包括：铁磁性的自由层、势垒层、含有亚铁磁性的固定层，势垒层由非磁性物质构成并位于铁磁性的自由层和含有亚铁磁性的固定层之间，含有亚铁磁性的固定层的角动量补偿温度与STT-MRAM的工作温度匹配，所述角动量补偿温度下含有亚铁磁性的固定层具有高阻尼系数。
2.根据权利要求1所述的一种用于STT-MRAM的磁性隧道结，其特征在于，所述含有亚铁磁性的固定层包含有SAF结构。
3.根据权利要求1所述的一种用于STT-MRAM的磁性隧道结，其特征在于，所述含有亚铁磁性的固定层位于势垒层下方，铁磁性的自由层位于势垒层上方。
4.根据权利要求1所述的一种用于STT-MRAM的磁性隧道结，其特征在于，所述含有亚铁磁性的固定层位于势垒层上方，铁磁性的自由层位于势垒层下方。
5.根据权利要求1所述的一种用于STT-MRAM的磁性隧道结，其特征在于，所述含有亚铁磁性的固定层和铁磁性的自由层的磁化方向在膜层面内或垂直于膜层。
6.根据权利要求1所述的一种用于STT-MRAM的磁性隧道结，其特征在于，所述亚铁磁性的固定层材料包括钴钆合金、铁钆合金、钴铁钆合金、钴铽合金、铁铽合金、钴铁铽合金，或钴-钆多层膜、铁-钆多层膜、钴铁-钆多层膜、钴-铽多层膜、铁-铽多层膜、钴铁-铽多层膜中的一种或几种组合。
7.根据权利要求1所述的一种用于STT-MRAM的磁性隧道结，其特征在于，所述铁磁性的自由层的材料为：含有铁、钴、铁钴合金，以及上述元素或合金与硼、锆、铪、钽、钛、钒、铬、钨、钼、铌组成的合金，以及上述元素或合金与硼、锆、铪、钽、钛、钒、铬、钨、钼、铌组成的多层膜。
8.根据权利要求1所述的一种用于STT-MRAM的磁性隧道结，其特征在于，所述势垒层的材料含有氧化镁、氧化铝、氧化铝镁、氧化锌、氧化锌镁或氮化硼中的一种或几种组合。
9.根据权利要求1所述的一种用于STT-MRAM的磁性隧道结，其特征在于，所述含有亚铁磁性的固定层和势垒层之间含有一层铁磁性的界面层；铁磁性的界面层的材料为：含有铁、钴、铁钴合金，以及上述元素或合金与硼、锆、铪、钽、钛、钒、铬、钨、钼、铌组成的合金，以及上述元素或合金与硼、锆、铪、钽、钛、钒、铬、钨、钼、铌组成的多层膜。
10.根据权利要求1所述的一种用于STT-MRAM的磁性隧道结，其特征在于，所述界面层的磁化方向在膜层面内或垂直于膜层。
一种用于STT-MRAM的磁性隧道结
技术领域
背景技术
非磁性的势垒层分开。在MTJ正常工作时自由层的磁化方向可以改变，而固定层的磁化方向保持不变。MTJ的电阻与自由层和固定层的相对磁化方向有关。当自由层的磁化方向相对于固定层的磁化方向发生改变时，MTJ的电阻值相应改变，对应于不同的存储信息(如0或1)。电阻值发生变化的幅度称为磁电阻。
发明内容
附图说明
具体实施方式
钴、铁、镍、铂、钯、硼、铪、锆、钽、铌、钒、钛、钼、铬、钨以及包含上述 元素的合金，以及由上述元素及合金组成的多层膜结构。
120包含但不仅限于以下材料中的一种或几种组合：氧化镁、氧化铝、氧化铝镁(MgAl2O4)、氧化钽、氧化钛、氧化钆、氧化铪、氧化锆、氧化镓、氧化钪、氧化钒、氧化锌、氧化镁锌、氧化铁、氧化钴、氧化镍、氮化硼或氮化铝。自由层130包含但不仅限于以下材料和结构中的一种或几种组合：钴、铁、镍、铂、钯、硼、铪、锆、钽、铌、钒、钛、钼、铬、钨以及包含上述元素的合金，以及由上述元素及合金组成的多层膜结构。
或垂直于膜面。固定层210包含但不仅限于以下材料和结构中的一种或几种组合：钴、铁、镍、铕、钆、铽、钐、镝、钬、铂、钯、锰、硼、铪、锆、钽、铌、钒、钛、钼、铬、钨以及由上述 元素组成的合金，以及由上述元素及合金组成的多层膜结构。势垒层220由一层或多层绝缘层组
成。势垒层220包含但不仅限于以下材料中的一种或几种组合：氧化镁、氧化铝、氧化铝镁(MgAl2O4)、氧化钽、氧化钛、氧化钆、氧化铪、氧化锆、氧化镓、氧化钪、氧化钒、氧化锌、氧化镁锌、氧化铁、氧化钴、氧化镍、氮化硼或氮化铝。自由层230和界面层240包含但不仅限于以下材料和结构中的一种或几种组合：钴、铁、镍、铂、钯、硼、铪、锆、钽、铌、钒、钛、钼、铬、钨以及包含上述材料的合金，以及由上述元素及合金组成的多层膜结构。
组成SAF结构。固定层1(312)、固定层2(316)和自由层330的磁化方向在膜层面内或垂直
于膜面。固定层1(312)和固定层2(316)包含但不仅限于以下材料和结构中的一种或几种
组合：钴、铁、镍、铕、钆、铽、钐、镝、钬、铂、钯、锰、硼、铪、锆、钽、铌、钒、钛、钼、铬、钨及由上述元素组成的合金，以及由上述元素及合金组成的多层膜结构。反铁磁耦合层314包含但不仅限于以下材料中的一种或几种组合：钌、铑、铼、铱、铜、银、金及包含上述元素的合金。
势垒层320由一层或多层绝缘层组成。势垒层320包含但不仅限于以下材料中的一种或几
种组合：氧化镁、氧化铝、氧化铝镁(MgAl2O4)、氧化钽、氧化钛、氧化钆、氧化铪、氧化锆、氧化镓、氧化钪、氧化钒、氧化锌、氧化镁锌、氧化铁、氧化钴、氧化镍、氮化硼或氮化铝。自由层330包含但不仅限于以下材料和结构中的一种或几种组合：钴、铁、镍、铂、钯、硼、铪、锆、钽、铌、钒、钛、钼、铬、钨以及包含上述元素的合金，以及由上述元素及合金组成的多层膜结构。
及位于两者之间的反铁磁耦合层414。固定层1(412)、固定层2(416)和反铁磁耦合层414
组成SAF结构。界面层440、固定层1(412)、固定层2(416)和自由层430的磁化方向在膜
层面内或垂直于膜面。固定层1(412)和固定层2(416)包含但不仅限于以下材料和结构中
的一种或几种组合：钴、铁、镍、铕、钆、铽、钐、镝、钬、铂、钯、锰、硼、铪、锆、钽、铌、钒、钛、钼、铬、钨及由上述元素组成的合金，以及由上述元素及合金组成的多层膜结构。反铁磁耦合层
414包含但不仅限于以下材料中的一种或几种组合：钌、铑、铼、铱、铜、银、金及包含上述材料的合金。势垒层420由一层或多层绝缘层组成。势垒层420包含但不仅限于以下材料中
的一种或几种组合：氧化镁、氧化铝、氧化铝镁(MgAl2O4)、氧化钽、氧化钛、氧化钆、氧化铪、氧化锆、氧化镓、氧化钪、氧化钒、氧化锌、氧化镁锌、氧化铁、氧化钴、氧化镍、氮化硼或氮化铝。界面层440和自由层430包含但不仅限于以下材料和结构中的一种或几种组合：钴、铁、镍、铂、钯、硼、铪、锆、钽、铌、钒、钛、钼、铬、钨以及包含上述元素的合金，以及由上述元素及合金组成的多层膜结构。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 亚铁磁性半金属NaCu3Fe2Os2O12及其制备方法 | 2020-05-11 | 858 |
| 一种用于MRAM的磁性存储器件 | 2020-05-14 | 595 |
| 核磁共振断层扫描成像用造影剂的制备方法 | 2020-05-13 | 226 |
| 检测铁磁性、亚铁磁性、顺磁性或抗磁性材料磁化响应的方法和设备 | 2020-05-11 | 208 |
| 一种用于STT-MRAM的磁性隧道结 | 2020-05-13 | 67 |
| 纳米磁性载基因热控释脂质体的制备工艺 | 2020-05-17 | 512 |
| 纳米级超顺磁性聚（甲基）丙烯酸酯聚合物 | 2020-05-13 | 1030 |
| 一种亚铁磁性纳米材料及在磁粒子成像中的应用 | 2020-05-11 | 534 |
| 具有亚铁磁性的材料及其制备方法 | 2020-05-11 | 207 |
| 使用非晶亚铁磁性合金、由自旋极化电流写入的磁存储器、及其写入方法 | 2020-05-12 | 203 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
