各向异性导电膜
阅读：831发布：2020-05-11
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1.一种各向异性导电膜，具有在绝缘粘接剂中导电粒子以既定分散状态分散的导电粒子分散层，该各向异性导电膜具备不良部位提示单元，该不良部位提示单元提示导电粒子的分散状态的不良部位的位置信息。
2.如权利要求1所述的各向异性导电膜，其中，作为所述不良部位提示单元，在各向异性导电膜设置有标记。
3.如权利要求2所述的各向异性导电膜，其中，所述标记设置在与不良部位相距既定距离。
4.如权利要求1或2所述的各向异性导电膜，其中，所述标记与不良部位在各向异性导电膜的长边方向的距离为5mm以内。
5.如权利要求2～4的任一项所述的各向异性导电膜，其中，所述标记设置在各向异性导电膜的长边方向的侧缘附近。
6.如权利要求2～5的任一项所述的各向异性导电膜，其中，所述标记设置在导电粒子分散层。
7.如权利要求2～5的任一项所述的各向异性导电膜，其中，各向异性导电膜具有基体材料膜，在该基体材料膜设置有所述标记。
8.如权利要求2～7的任一项所述的各向异性导电膜，其中，所述标记为激光照射痕迹。
9.如权利要求1所述的各向异性导电膜，其中，作为不良部位提示单元，具备在记录介质记录不良部位的位置信息的不良部位信息保持单元。
10.如权利要求9所述的各向异性导电膜，其中，作为不良部位信息保持单元，记录有不良部位信息的记录介质附带于各向异性导电膜。
11.如权利要求9所述的各向异性导电膜，其中，作为不良部位信息保持单元，具备各向异性导电膜的管理用运算装置，并在各向异性导电膜设置有能够从该运算装置取得不良部位信息的识别标记。
12.一种粘贴权利要求1～11的任一项所述的各向异性导电膜和电子部件的粘贴方法，基于从不良部位提示单元取得的不良部位的位置信息，将各向异性导电膜的非不良部位粘贴到各向异性导电连接的电子部件的端子或端子列的存在区域。
13.如权利要求12所述的粘贴方法，其中，在各向异性导电膜具有基体材料膜的情况下，基于不良部位的位置信息，从导电粒子分散层除去包含不良部位的既定区域，将剩下的非不良部位与电子部件粘贴。
14.如权利要求12所述的粘贴方法，其中，基于不良部位的位置信息，以排出包含不良部位的既定区域的方式送出，并将剩下的非不良部位与电子部件粘贴。
15.如权利要求12所述的粘贴方法，其中，基于不良部位的位置信息，切除各向异性导电膜的包含不良部位的既定区域，并将剩下的非不良部位与电子部件粘贴。
16.如权利要求12～15的任一项所述的粘贴方法，其中，通过向管理用运算装置发送识别标记的信息，从管理用运算装置取得不良部位信息，并使用该不良部位信息。
17.一种粘贴权利要求1～11的任一项所述的各向异性导电膜和电子部件的粘贴装置，具有：对位单元，基于从不良部位提示单元取得的不良部位的位置信息，以各向异性导电膜的非不良部位和电子部件的端子进行连接的方式将各向异性导电膜和电子部件进行对位；
以及按压单元，粘贴各向异性导电膜和电子部件。
18.如权利要求17所述的粘贴装置，其中，该粘贴装置是权利要求2～8的任一项所述的各向异性导电膜用的粘贴装置，且具有标记检测装置。
各向异性导电膜
技术领域
[0001] 本发明涉及各向异性导电膜、各向异性导电膜的粘贴方法及各向异性导电膜的粘贴装置。
背景技术
[0002] 各向异性导电膜广泛使用于将IC芯片等的电子部件安装到基板时。近年来，在便携电话、笔记本电脑等的小型电子设备中要求布线高密度化，作为使各向异性导电膜对应该高密度化的方法，使导电粒子规则排队配置被各种探讨。已知例如在延伸膜上铺满导电粒子，将该膜二轴延伸，从而使导电粒子以单层排队配置的技术（专利文献1、2），或使导电粒子保持在基体材料，并将该导电粒子转印到粘着性的膜而使导电粒子成为既定排列的技术（专利文献3、4、5）等。
[0003] 现有技术文献专利文献
专利文献1：日本特许5147048号公报；
专利文献2：日本特许5147049号公报；
专利文献3：日本特开2007－165056；
专利文献4：日本特开2005－209454；
专利文献5：日本特开2004－335663。
专利文献1：日本特许5147048号公报；
专利文献2：日本特许5147049号公报；
专利文献3：日本特开2007－165056；
专利文献4：日本特开2005－209454；
专利文献5：日本特开2004－335663。
发明内容
[0004] 发明要解决的课题然而，即便使用专利文献1、2、3、4、5等中记载的使导电粒子排队配置的技术来制造各向异性导电膜，也难以完全消除导电粒子的缺漏或凝聚。另一方面，在将各向异性导电膜使用于电子部件的连接时，导电粒子的缺漏或凝聚会成为导通不良或短路的原因。
[0005] 针对于此，可考虑在各向异性导电膜发货前检查导电粒子的分散状态，将有缺漏或凝聚的作废。然而，在该方法中各向异性导电膜的成品率下降，会增加各向异性导电膜的制造成本。
[0006] 因此本发明以针对导电粒子的既定分散状态，在将有缺漏或凝聚的各向异性导电膜使用于电子部件的连接的情况下，也不会引起导通不良或短路为课题。
[0007] 用于解决课题的方案本发明人发现了如果在检查各向异性导电膜的导电粒子的分散状态，并对于在既定格子排列、既定并排配置、既定粒子密度下的均等分散等的既定分散状态发现了导电粒子的缺漏或凝聚这一分散状态的不良的情况下，先使该不良部位清楚，以使得在使用各向异性导电膜来连接电子部件时能够回避不良部位，则能够解决上述课题，从而想到了本发明。
[0008] 即，本发明提供各向异性导电膜，具有在绝缘粘接剂中导电粒子以既定分散状态分散的导电粒子分散层，该各向异性导电膜具备不良部位提示单元，该不良部位提示单元提示导电粒子的分散状态的不良部位的位置信息。
[0009] 特别是，提供作为不良部位的位置信息的提示单元，在各向异性导电膜设置有标记的方式、或在各向异性导电膜具备在记录介质记录有不良部位的位置信息的不良部位信息保持单元的方式。
[0010] 另外，本发明提供粘贴上述各向异性导电膜和电子部件的粘贴方法，基于从不良部位提示单元取得的不良部位的位置信息，将各向异性导电膜的非不良部位粘贴到各向异性导电连接的电子部件的端子或端子列的存在区域。
[0011] 进而，本发明提供粘贴上述各向异性导电膜和电子部件的粘贴装置，其具有：对位单元，基于从不良部位提示单元取得的不良部位的位置信息，以各向异性导电膜的非不良部位和电子部件的端子连接的方式将各向异性导电膜和电子部件进行对位；以及按压单元，粘贴各向异性导电膜和电子部件。
[0012] 发明效果本发明的各向异性导电膜具备提示导电粒子的分散状态的不良部位的位置信息的不良部位提示单元，因此，依据使用本发明的各向异性导电膜的本发明的粘贴方法及本发明的粘贴装置，基于从不良部位提示单元取得的不良部位的位置信息，只使各向异性导电膜的非不良部位、即各向异性导电膜的不包括不良部位的区域与进行各向异性导电连接的电子部件的端子或端子列的存在区域粘贴，从而能够只将各向异性导电膜的非不良部位使用于电子部件的端子的连接。因而，不会降低各向异性导电膜的成品率而能够提高使用各向异性导电膜的连接的可靠性。
附图说明
附图说明
[0013] [图1]图1是作为不良部位提示单元具有标记的实施例的各向异性导电膜1A的示意平面图。
[0014] [图2]图2是作为不良部位提示单元具有标记的实施例的各向异性导电膜1B的示意平面图。
[0015] [图3]图3是作为不良部位提示单元具有标记的实施例的各向异性导电膜1C的示意平面图。
[0016] [图4]图4是作为不良部位提示单元具有标记的实施例的各向异性导电膜1D的示意平面图。
[0017] [图5A]图5A是将具有标记的各向异性导电膜与电子部件粘贴的方法的工序说明图。
[0018] [图5B]图5B是将具有标记的各向异性导电膜与电子部件粘贴的方法的工序说明图。
[0019] [图5C]图5C是将具有标记的各向异性导电膜与电子部件粘贴的方法的工序说明图。
[0020] [图5D]图5D是将具有标记的各向异性导电膜与电子部件粘贴的方法的工序说明图。
[0021] [图5E]图5E是将具有标记的各向异性导电膜与电子部件粘贴的方法的工序说明图。
[0022] [图5F]图5F是将具有标记的各向异性导电膜与电子部件粘贴的方法的工序说明图。
[0023] [图6A]图6A是将具有标记的各向异性导电膜与电子部件粘贴的方法的工序说明图。
[0024] [图6B]图6B是将具有标记的各向异性导电膜与电子部件粘贴的方法的工序说明图。
[0025] [图6C]图6C是将具有标记的各向异性导电膜与电子部件粘贴的方法的工序说明图。
[0026] [图7A]图7A是将具有标记的各向异性导电膜与电子部件粘贴的方法的工序说明图。
[0027] [图7B]图7B是将具有标记的各向异性导电膜与电子部件粘贴的方法的工序说明图。
[0028] [图8]图8是记录在不良部位信息保持单元的不良部位的位置信息的说明图。
[0029] [图9]图9是将具备不良部位信息保持单元的各向异性导电膜与电子部件粘贴的粘贴装置的概略结构图。
具体实施方式
[0030] 以下，一边参照附图，一边详细说明本发明。此外，各图中，同一标号表示同一或同等的结构要素。
[0031] ＜具有标记的各向异性导电膜＞图1是使用于FOG或COG的本发明的一实施例的各向异性导电膜1A的示意平面图。该各向异性导电膜1A具有层叠了在绝缘粘接剂2以既定分散状态分散有导电粒子3的导电粒子分散层4和基体材料膜5的层结构。更具体而言，导电粒子分散层4中导电粒子3以正方格子排列，并位于图中以虚线表示的格子线彼此的交点即格子点。
[0032] 此外，本发明中，导电粒子以既定分散状态分散是指导电粒子具有既定规则性而存在即可。导电粒子不限于正方格子排列，也可以按长方格子、斜方格子、六方格子等排列。另外，在格子点不仅配置单独的粒子，也可以使既定数的导电粒子成群地配置。导电粒子可以按既定粒子间距离并排排队，也可以一边维持既定粒子间距离一边随机分散。用于使导电粒子以既定分散状态分散的方法上也没有特别限制，例如，可以为在专利文献1、2中记载的那样利用铺满导电粒子的膜的二轴延伸的方法，也可以为在专利文献3、4、5中记载的那样使保持在基体材料的导电粒子转印到膜的方法，也可以为使用其它公知的转印模的方法。作为一个例子，能举出日本特开2009－152160、日本特开2010－33793等。
[0033] 无论是导电粒子本身的结构或个数密度，还是绝缘粘接剂本身的组成都没有特别限制，可以设为与公知的各向异性导电膜同样。
[0034] 即便想要制造导电粒子以既定分散状态分散的各向异性导电膜，也有在实际制造的各向异性导电膜中存在导电粒子没有成为既定分散状态的不良部位的情况。作为该不良部位，能够举出在打算以格子状排列导电粒子的情况下，在格子点上缺漏导电粒子的部位、在格子点上或其以外的位置导电粒子凝聚的部位、在与有无格子状排列无关而使导电粒子以既定配置密度均等地分散的各向异性导电膜或将导电粒子比较高密度配置的COG用的各向异性导电膜等中导电粒子局部密集或凝聚的部位、在导电粒子为金属的情况下因磁性而发生凝聚的部位等。图1中，示出作为不良部位的一个例子，在打算以正方格子排列导电粒子的各向异性导电膜1A中，存在在格子点导电粒子3缺漏的不良部位P的方式。
[0035] 可以通过组合使用摄像装置和图像解析处理系统（例如三谷商事（株）、WinROOF等）而检查各向异性导电膜1A中的导电粒子的分散状态来发现不良部位P，并能特别指定其位置。此外，作为摄像装置，作为一个例子能够适用最大输出像素数（H）×（V）为648×494、帧速率为30～60fps的装置。
[0036] 本实施例的各向异性导电膜1A的特征在于：作为提示不良部位P的不良部位提示单元，具有标记Q。该标记Q是通过从各向异性导电膜1A的导电粒子分散层4侧照射激光，从而使构成导电粒子分散层4的树脂的表面状态发生变化或改性（热固化）而因此形成的直径0.3～1.0mm的照射痕迹。各向异性导电膜1A为了防止异物混入，在导电粒子分散层4上具有透明的盖膜的情况下，也可以经由盖膜而对导电粒子分散层4进行激光的照射。
[0037] 形成这样的照射痕迹的激光的照射条件，也要根据照射激光的各向异性导电膜1A的表面的材质，但是例如在由PET等的热固化性树脂形成的情况下，能够使用YAG激光或YVO4激光。作为一个例子，在导电粒子分散层4上层叠由透明PET构成的盖膜的情况下，通过从该盖膜上以波长1064nm、输出1.3～10W且100～1000毫秒照射激光，能够仅在形成导电粒子分散层4的树脂形成标记Q。这样的盖膜的厚度在实用上可以设为10～50μm。
[0038] 标记Q也可以形成在基体材料膜5。从以短时间形成的方面来说，优选使形成导电粒子分散层4的固化性树脂改性而形成标记Q，从对使用于各向异性导电连接的树脂不会施加不必要的能量的方面来说，优选形成在基体材料膜5。此外，在通过激光的照射来在各向异性导电膜1A形成标记Q的情况下，使得不会产生对使用各向异性导电膜1A的连接上引起障碍的异物的生成或飞散。
[0039] 在本实施例的各向异性导电膜1A中，在使用该各向异性导电膜1A进行连接操作时将比标记Q更靠上游的既定范围作为不在电子部件的连接中使用的区域，从这一方面来说，标记Q比不良部位P更靠连接操作时的各向异性导电膜1A的流动方向a的下游设置。此外，在使用各向异性导电膜的连接工序中发现了标记Q的情况下，使处于其附近的不良部位P不被使用于连接即可，因此对应在连接工序中使用的装置结构，标记Q也可以比不良部位P更靠各向异性导电膜1A的流动方向a的上游形成。即，在形成各向异性导电膜后检测不良部位P，并形成标记Q的工序，可以用形成各向异性导电膜后的任一个工序进行，标记Q也可以在不良部位P的上游、下游的任一方设置。
[0040] 从各向异性导电膜的生产性、和减少因存在不良部位P而不会使用于连接的各向异性导电膜的方面来说，各向异性导电膜1A的长边方向上的标记Q与不良部位P的距离L1被设定为既定距离。即，若该距离L1过短，则在各向异性导电膜的制造工序中需要在形成标记Q后减慢各向异性导电膜的卷收速度，生产性会下降，因此优选为1mm以上，更优选为2mm以上，进一步优选为3mm以上。另一方面，若距离L1过长，则能够使用于各向异性导电膜的连接的区域变得过窄，因此并不优选。因此，距离L1优选为各个电子部件的连接所需要的各向异性导电膜的一半长度以下。因而，距离L1的优选长度随着连接的电子部件的长度而变化，但是例如在使用于COG的情况下使距离L1优选为15mm以下，更优选为10mm以下，进一步优选为5mm以下。
[0041] 另外，各向异性导电膜1A的短边方向（宽度方向）上的不良部位P和标记Q的中心的距离L2，如图示那样可为零，或者也可以与不良部位P的位置无关地设为各向异性导电膜1A的长边方向的侧缘附近。在后者的情况下，能够在连接各向异性导电膜和电子部件之际将检测标记Q的区域限定在各向异性导电膜的侧缘附近。另外，根据各向异性导电膜的膜宽度和电子部件的大小而各向异性导电膜的长边方向的侧缘附近原来未能使用于电子部件的连接的情况下，通过将标记Q设置在各向异性导电膜的长边方向的侧缘附近，能够减少因具有标记Q而无法使用于电子部件的连接的区域。
[0042] 此外，标记Q的形成方法除了利用激光照射来形成为照射痕迹之外，也可以先向基体材料膜5分散通过既定波长的光照射来显色或变色的物质，并通过照射该波长的光而作为有色部位形成，另外，可以通过印刷来形成，也可以通过密封件的粘贴来形成。
[0043] 图2所示的各向异性导电膜1B在上述各向异性导电膜1A中，对于在一个格子点凝聚了多个导电粒子的不良部位P设置了标记Q。在该情况下，对于标记Q的形成位置，关于各向异性导电膜1B的长边方向，使不良部位P中本应有导电粒子的格子点与标记Q的中心的距离为既定距离L1，而关于各向异性导电膜的短边方向，设于各向异性导电膜1B的长边方向的侧缘附近。
[0044] 图3是COG用的实施例的各向异性导电膜1C的示意平面图。COG用的各向异性导电膜1C中优选在图中以虚线表示的电子部件（芯片）的粘贴位置6与各向异性导电膜1C的侧边之间的区域7形成与不良部位P对应的标记Q。因为在该区域7有标记Q，所以能够减少无法使用于电子部件（芯片）的连接的区域。
[0045] 另外，如图4所示的COG用的实施例的各向异性导电膜1D那样，也可以将与不良部位P对应的标记Q形成在周期性地存在于各向异性导电膜的长边方向的电子部件（芯片）的非粘贴区域8。
[0046] ＜具有标记的各向异性导电膜的粘贴方法＞若将具有标记Q的各向异性导电膜使用于电子部件的连接，则基于由标记Q引导的不良部位的位置信息，能够只使各向异性导电膜的非不良部位与各向异性导电连接的电子部件的端子或端子列的存在区域粘贴。本发明包含这样的粘贴方法。该粘贴方法包含以下两种方式：仅将各向异性导电膜的非不良部位与电子部件粘贴的方式；以及不仅仅是非不良部位，还将不良部位P和标记Q与电子部件粘贴，但是使不良部位P和标记Q的粘贴位置为对电子部件彼此的各向异性导电连接不会带来障碍的位置的方式。在后者的方式中，确认不良部位P和标记Q的粘贴位置是否为对电子部件彼此的各向异性导电连接带来障碍的位置，在成为带来障碍的位置的情况下，进行各向异性导电膜和电子部件的对位的调整、各向异性导电膜的送出或收回的调整、粘贴时使用的热压接头的大小的调整等。以下，对前者的方式（仅将各向异性导电膜的非不良部位与电子部件粘贴的方式）详细地进行说明。
[0047] （第1粘贴方法）图5A～图5F是这样的粘贴方法的一种方式，是将各向异性导电膜1与例如FPC、刚性基板、陶瓷基板、塑料基板、玻璃基板等的第1电子部件粘贴的方法的工序说明图。该粘贴方法中，如以下说明的那样，从各向异性导电膜1除去包含不良部位P的既定区域11，将剩下的非不良部位与电子部件粘贴。
[0048] 此外，在此所使用的各向异性导电膜1，作为一个例子，具有导电粒子分散层4和基体材料膜5的层叠构造，标记Q设置在与不良部位P相距该膜的流动方向下游的既定距离。
[0049] 首先，如图5A所示，使卷绕在卷筒的各向异性导电膜1放卷，通过使用CCD等的标记检测装置10来检测标记Q。作为标记检测装置10，能够使用CCD或色度传感器、利用激光的装置等，例如，还能利用对准标记的检测装置。
[0050] 接着，为了除去由标记Q引导的包含不良部位P的既定区域，首先，利用半切线（half cut）形成单元在划该区域11的线形成半切线12。该半切线12优选形成为从各向异性导电膜1的导电粒子分散层4侧达到基体材料膜5（图5B）。
[0051] 接着，在包括不良部位P的应该除去的区域11上粘贴粘着带13（图5C），剥离该粘着带13，从而使区域11的导电粒子分散层4转贴到粘着带13（图5D）。
[0052] 这样在除去区域11的导电粒子分散层4之后以使用CCD等的边缘检测装置15检测残留在各向异性导电膜1的导电粒子分散层4的边缘部分14（图5E），用对位单元（未图示）以边缘14为基准将各向异性导电膜1和FPC、刚性基板、陶瓷基板、塑料基板、玻璃基板等的第1电子部件100进行对位，作为按压单元使用热压接装置16而临时压接各向异性导电膜1和第1电子部件100（图5F）。
[0053] 然后，用常用方法来将基体材料膜5从与第1电子部件100临时压接的各向异性导电膜1剥离除去，与IC芯片、IC模块、FPC等的第2电子部件重叠，并进行正式压接。另外，也可以对IC芯片或IC模块同样地粘贴，并通过叠加（stack）这些来使第2电子部件彼此各向异性导电连接。
[0054] 这样，即便是具有不良部位P的各向异性导电膜1也能仅使用没有不良部位P的区域而连接电子部件。本发明还包含这样基于由标记Q引导的不良部位P的位置信息，只将各向异性导电膜的没有不良部位P的区域和电子部件粘贴的粘贴装置。
[0055] （第2粘贴方法）作为基于由标记Q引导的不良部位的位置信息，只使各向异性导电膜的不包含不良部位P的区域与电子部件粘贴的方法，也可以依旧在基体材料膜5上残留包含不良部位的既定区域11，并使得其区域11不会被使用于与电子部件的连接而排出。
[0056] 例如，如图6A所示，若从由卷筒放出的各向异性导电膜1检测到标记Q，则在从标记Q起向比不良部位P更靠上游方向、与标记中心有既定距离L3的位置形成半切线17a，进而在比该半切线17a更靠上游划电子部件的粘贴位置的位置也形成半切线17b。接着，如图6B所示，以使被半切线17a、17b夹着的区域与电子部件100粘贴的方式用对位单元进行对位，并以热压接装置16进行临时压接。由此，如图6C所示，与电子部件100粘贴的导电粒子分散层4从基体材料膜5剥离，不良部位P依旧残留在基体材料膜5并被排出。
[0057] 此外，这样使不良部位P以残留在基体材料膜5的状态排出的情况下，也可以省略半切线17a、17b，将半切线17a的形成位置设定为在从该位置向上游粘贴电子部件这样的粘贴位置的基准位置。
[0058] （第3粘贴方法）作为基于由标记Q引导的不良部位的位置信息，只使各向异性导电膜的不包含不良部位P的区域与电子部件粘贴的方法，也可以从各向异性导电膜切除包含不良部位P的既定区域11，并将剩下的不包含不良部位的区域使用于与电子部件的连接。
[0059] 例如，如图7A所示，若从由卷筒放出的各向异性导电膜1检测到标记Q，则在从标记Q起向比不良部位P更靠上游方向、与标记中心为既定距离L3的位置切断各向异性导电膜1。图中，标号18示出该切断线。而且，将切除包含不良部位P的既定区域11后的剩下的各向异性导电膜1（图7B）与电子部件进行对位并粘贴。
[0060] ＜具备记录有不良部位信息的记录介质的各向异性导电膜＞在本发明的各向异性导电膜中，作为提示不良部位P的位置信息的不良部位提示单元，也可以取代上述标记Q而具备将不良部位的位置信息记录在记录介质的不良部位信息保持单元。在此，作为不良部位的位置信息，例如如图8所示，将各向异性导电膜1的既定位置作为以各向异性导电膜的短边方向和长边方向为坐标轴的xy坐标系的原点O，以该xy坐标表示不良部位P1、P2、…的位置。将该不良部位的位置信息记录在存储卡20中，并在各向异性导电膜1的制品附带存储卡20。
[0061] 在粘贴各向异性导电膜1和电子部件100的粘贴装置中，基于从该存储卡20读出的不良部位信息，进行上述第1、第2或第3粘贴方法。
[0062] 本发明中，将不良部位的位置信息记录在记录介质的不良部位信息保持单元，除了存储卡20之外，能够使用USB存储器等的公知的信息记录介质等来构成。另外，也可以在小型的IC芯片记录位置信息，并将它安装在诸如膜包装袋或卷筒等而附带在各向异性导电膜，利用NFC等的近距离无线通信技术来读出位置信息。
[0063] 另外，如图9所示，也可以向进行各向异性导电膜的质量管理、制品管理等的管理用运算装置30装入将不良部位的位置信息记录在记录介质的不良部位信息保持单元。在该情况下，例如，先在各向异性导电膜1的制品外装等设置可以从运算装置30取得不良部位信息的识别标记31。该识别标记31能够由字符、数字、记号或它们的组合等构成。识别标记31也可以由二维码（QR码（注册商标）、条形码等）表示。另外，也可以基于各向异性导电膜1的制品批号，从运算装置30取出不良部位信息，另行通过电子邮件等送达。
[0064] 此外，也可以使得在记录了不良部位的位置信息的运算装置30中，使用该位置信息而写入与实际使用电子部件时的连接良否相关的信息。通过将它向各向异性导电膜的发货目的地送回，能够期待谋求质量管理的提高和其对应的效率化的效果。
[0065] 作为具有识别标记31的各向异性导电膜1和电子部件100的粘贴方法，例如，使用于该粘贴的粘贴装置，如图9所示具有：基于不良部位的位置信息在各向异性导电膜形成半切线的半切线形成单元32；使包含不良部位P的既定区域转贴的粘着带的粘贴单元33；除去包含不良部位P的既定区域后的各向异性导电膜1的边缘检测单元34；边缘检测的各向异性导电膜与电子部件的对位单元；将各向异性导电膜与电子部件粘贴的热压接装置35；以及控制它们的动作的控制器36，在控制器36和各向异性导电膜的制品管理用的运算装置30通过通信线路连接的情况下，识别标记31的信息从控制器36发送到运算装置30，并从运算装置30向控制器36发送与该识别标记31对应的不良部位的位置信息。由此，控制器36基于不良部位的位置信息，能够将各向异性导电膜1的非不良部位与电子部件粘贴。
[0066] 依据该方法，具备识别标记31的各向异性导电膜1固有的不良部位的位置信息被从运算装置30提供，因此还能进行制品管理的正规的各向异性导电膜制品、和仿照该各向异性导电膜而非正规地制造的各向异性导电膜制品的识别。实施例
[0067] 以下，通过实施例具体说明本发明。
[0068] （1）各向异性导电膜的作成（1－1）在导电粒子的排列上有缺漏的各向异性导电膜的制作
如下作成导电粒子以4方格子排列，但是在一部分的格子点缺漏导电粒子的各向异性导电膜。
如下作成导电粒子以4方格子排列，但是在一部分的格子点缺漏导电粒子的各向异性导电膜。
[0069] 准备厚度2mm的镍板，以4方格子图案形成圆柱状的凹部（内径5μm、深度6μm），并作为转印体原版（邻接凹部中心间距离为8μm、凹部的密度为16000个/mm2）。但是，在4方格子图案的一部分的格子点有意地不形成凹部，从而在凹部的格子排列形成了缺陷。（设计值14400个/mm2）
在所得到的转印体原版上，以使干燥厚度成为30μm的方式在PET膜上涂敷含有苯氧基树脂（YP－50、新日铁住金化学（株））60质量份、丙烯酸酯树脂（M208、东亚合成（株））29质量份、光聚合引发剂（IRGACURE184、日本BASF（株））2质量份的光聚合性树脂组合物，在80℃干燥5分钟后，用高压水银灯进行1000mJ光照射，从而作成了转印体。
在所得到的转印体原版上，以使干燥厚度成为30μm的方式在PET膜上涂敷含有苯氧基树脂（YP－50、新日铁住金化学（株））60质量份、丙烯酸酯树脂（M208、东亚合成（株））29质量份、光聚合引发剂（IRGACURE184、日本BASF（株））2质量份的光聚合性树脂组合物，在80℃干燥5分钟后，用高压水银灯进行1000mJ光照射，从而作成了转印体。
[0070] 从原版剥下转印体，以使凸部成为外侧的方式缠绕在直径20cm的不锈钢制滚筒，一边使该滚筒旋转一边使含有环氧树脂（jER828、三菱化学（株））70质量份和苯氧基树脂（YP－50、新日铁住金化学（株））30质量份的微粘着剂组合物与浸渍在无纺布的粘着片接触，使微粘着剂组合物附着到凸部的顶面，形成厚度1μm的微粘着层而得到转印体。
[0071] 在该转印体的表面散布平均粒径4μm的导电粒子（镀镍树脂粒子（AUL704、积水化学工业（株）））后，通过豉风来除去没有附着在微粘着层的导电粒子。适当调整该豉风次数，以有意地发生导电粒子的缺漏。
[0072] 将附着有导电粒子的转印体，从该导电粒子附着面，对绝缘性粘接基底层即厚度5μm的片状的热固化型绝缘性粘接膜（由含有苯氧基树脂（YP－50、新日铁住金化学（株））60质量份、环氧树脂（jER828、三菱化学（株））40质量份、阳离子类固化剂（SI－60L、三新化学工业（株））2质量份、及硅石微粒子（AEROSIL RY200、日本AEROSIL （株））20质量份的绝缘性粘接组合物形成的膜），在温度50℃、压力0.5MPa下进行按压，从而使导电粒子转印到绝缘性粘接基底层。
[0073] 在所得到的绝缘性粘接基底层的导电粒子转贴面，作为透明的绝缘性粘接盖层重叠厚度15μm的片状的其它绝缘性粘接膜（由含有苯氧基树脂（YP－50、新日铁住金化学（株））60质量份、环氧树脂（jER828、三菱化学（株））40质量份、及阳离子类固化剂（SI－60L、三新化学工业（株））2质量份的绝缘性粘接组合物形成的膜），在温度60℃、压力2MPa下进行层叠。由此得到各向异性导电膜。
[0074] （1－2）在导电粒子的排列上有导电粒子的凝聚的各向异性导电膜的制作使转印体原版的凹部的深度为4.4μm、凹部的内径为4.8μm、邻接凹部中心间距离为5.6μm，并使凹部的密度增加到32000个/mm2，从而作为容易引起导电粒子的凝聚的转印体原版。但是，没有有意地在凹部的格子排列形成缺陷。
[0075] 使用该转印体原版，除了使豉风次数比（1－1）少以外反复进行（1－1），从而得到了各向异性导电膜。
[0076] （2）标记的形成用光学显微镜（MX50、OLYMPUS（株））从绝缘性粘接盖层侧观察以（1－1）、（1－2）制作的各向异性导电膜中的导电粒子的排列状态，则在（1－1）的各向异性导电膜中在全部格子点的32％能观察到缺漏，而在（1－2）的各向异性导电膜中在全部格子点的26％能观察到凝聚。在本实施例中，将在邻接的10个以上的格子点不存在导电粒子的部位评价为“缺漏”，并将4个以上的导电粒子接触而存在的部位评价为“凝聚”。
[0077] 在观察到缺漏或凝聚这样的不良部位P的情况下，作为不良部位提示单元将由激光照射痕迹构成的标记形成在各向异性导电膜。
[0078] 该激光照射痕迹是通过使用（株）AMADA MIYACHI制激光刻印机（laser marker）（ML－7111A）对绝缘性粘接盖层照射激光来形成的（照射条件：7W）。另外，激光照射痕迹的形成位置为各向异性导电膜的长边方向的侧缘部，使激光照射痕迹的中心与能观察到缺漏或凝聚的不良部位P的各向异性导电膜长边方向的距离为2mm的位置。
[0079] 照射痕迹的大小为直径约350μm。
[0080] 使用红外分光光度计（日本分光（株）制、产品编号FT/IR－4100）在从照射痕迹的中心起距离300μm的位置计测安装前和安装后的IR光谱，并算出环氧环的吸收波长的衰减量（％）或、不饱和基的吸收波长的衰减量（％），从而求出绝缘性粘接盖层中的树脂的反应率为40％，而同样地求出从照射痕迹的中心起距离700μm的位置上的反应率为0％。由此，能够确认当从照射痕迹的中心起距离700μm以上时，该各向异性导电膜的粘贴性能不会下降，并且不会对连接性能带来障碍。
[0081] （3）具有标记的各向异性导电膜和电子部件的连接分别使用由（1）制造的两种各向异性导电膜，使用白黑相机模块（索尼（株）制、XC－HR50）和机器视觉透镜（（株）MORITEX制、MML1－ST65）检测标记，以避开由标记引导的不良部位P的方式将各向异性导电膜与基板（设有布线宽度15μm、布线间空间15μm的布线的玻璃基板）粘贴，进而将该基板与芯片（具有大小15×100μm、高度15μm、凸点间空间15μm的金凸点的IC芯片）在180℃、60MPa、5秒这样的条件下进行各向异性导电连接。
[0083] （a）初始导通电阻使用电阻测定器（数字万用表7565、横河电机（株））来测定连接构造体的初始导通电阻。如果初始导通电阻为0.5Ω以下则可以评价为良好。两种连接构造体的初始导通电阻均为0.5Ω以下。
[0084] （b）导通可靠性将使用于初始导通电阻的测定的连接构造体，放入设定为温度85℃、湿度85％的老化实验器中，与初始导通电阻同样地测定放置500小时后的导通电阻。期望该老化实验后的导通电阻为5Ω以下。两种连接构造体的老化实验后的导通电阻均为5Ω以下，导通可靠性优异。
[0085] （c）短路发生率对于与（3）同样地得到的两种连接构造体，调查了有没有发生邻接的布线间的短路。期望短路发生率为50ppm以下。两种连接构造体的短路发生率均为50ppm以下。
[0086] 通过以上方式，确认了没有导电粒子的缺漏造成的导通不良、或导电粒子的凝聚造成的短路的发生。
[0087] 标号说明1、1A、1B、1C、1D 各向异性导电膜；2 绝缘粘接剂；3 导电粒子；4 导电粒子分散层；5 基体材料膜；6 芯片的粘贴位置；7 芯片的粘贴位置与各向异性导电膜的侧边之间的区域；
8 芯片的非粘贴区域；10 标记检测装置；11 除去的区域；12 半切线；13 粘着带；14 边缘部分；15 边缘检测装置；16 热压接装置；17a、17b 半切线；18 切断线；20 存储卡；30 运算装置；31 识别标记；32 半切线形成单元；33 粘着带的粘贴单元；34 边缘检测单元；35 热压接装置；36 控制器；100 电子部件；P、P1、P2 不良部位；Q 标记；a 各向异性导电膜连接时的流动方向；L1 各向异性导电膜的长边方向上的不良部位与标记中心的距离；L2 各向异性导电膜的短边方向上的不良部位与标记中心的距离；L3 粘合的基准位置与标记中心的距离。
8 芯片的非粘贴区域；10 标记检测装置；11 除去的区域；12 半切线；13 粘着带；14 边缘部分；15 边缘检测装置；16 热压接装置；17a、17b 半切线；18 切断线；20 存储卡；30 运算装置；31 识别标记；32 半切线形成单元；33 粘着带的粘贴单元；34 边缘检测单元；35 热压接装置；36 控制器；100 电子部件；P、P1、P2 不良部位；Q 标记；a 各向异性导电膜连接时的流动方向；L1 各向异性导电膜的长边方向上的不良部位与标记中心的距离；L2 各向异性导电膜的短边方向上的不良部位与标记中心的距离；L3 粘合的基准位置与标记中心的距离。
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