专利汇可以提供高击穿电压的高电子迁移率晶体管专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种高击穿 电压 的高 电子 迁移率晶体管,包括:一 缓冲层 ,用来抑制衬底杂质的扩散和吸收衬底 缺陷 ;一空穴收集层,制作在缓冲层上,用于收集离化的空穴;一二维电子气 量子阱 ,制作在空穴收集层上,用于提供高浓度高迁移率的电子;一隔离层,制作在二维电子气量子阱上,用于隔离中二维电子气量子阱的电子和其上掺杂层中的杂质的库仑相互作用;一面掺杂层,制作在隔离层上,用于提供电子,并有效提高势垒 击穿电压 ;一势垒层,制作在面掺杂层上,用于调节 阈值 电压;一重掺杂盖层,制作在势垒层上,用于欧姆 接触 ;源、栅、漏和侧向 电极 制作在重掺杂盖层上;侧向电极制作在本结构的一侧并与空穴收集层连接,用于将空穴 抽取 出晶体管。,下面是高击穿电压的高电子迁移率晶体管专利的具体信息内容。
1、一种高击穿电压的高电子迁移率晶体管,其特征在于,包括:
一缓冲层,用来抑制衬底杂质的扩散和吸收衬底缺陷;
一空穴收集层,该空穴收集层制作在缓冲层上,用于收集离化的空 穴;
一二维电子气量子阱,该二维电子气量子阱制作在空穴收集层上, 用于提供高浓度高迁移率的电子;
一隔离层,该隔离层制作在二维电子气量子阱上,用于隔离中二维 电子气量子阱的电子和其上掺杂层中的杂质的库仑相互作用;
一面掺杂层,该面掺杂层制作在隔离层上,用于提供电子,并有效 提高势垒击穿电压;
一势垒层,该势垒层制作在面掺杂层上,用于调节阈值电压;
一重掺杂盖层,该重掺杂盖层制作在势垒层上,用于欧姆接触;
源、栅、漏和侧向电极,该源、栅、漏电极制作在重掺杂盖层上; 侧向电极制作在本结构的一侧并与空穴收集层连接,用于将空穴抽取出 晶体管。
2、按照权利要求1所述的高击穿电压的高电子迁移率晶体管,其 特征在于,其中该缓冲层包括砷化镓薄层与砷化铝/砷化镓超晶格。
3、按照权利要求1所述的高击穿电压的高电子迁移率晶体管,其 特征在于,其中该空穴收集层采用10nm的镓砷锑作为空穴收集层,以 降低击穿电压。
4、按照权利要求1所述的高击穿电压的高电子迁移率晶体管,其 特征在于,其中该二维电子气量子阱的材料是铟镓砷。
5、按照权利要求1所述的高击穿电压的高电子迁移率晶体管,其 特征在于,其中该隔离层的材料是铝镓砷。
6、按照权利要求1所述的高击穿电压的高电子迁移率晶体管,其 特征在于,其中该面掺杂层的材料是铝镓砷。
7、按照权利要求1所述的高击穿电压的高电子迁移率晶体管,其 特征在于,其中该势垒层的材料是铝镓砷。
8、按照权利要求1所述的高击穿电压的高电子迁移率晶体管,其 特征在于,其中该重掺杂盖层的材料是砷化镓。
本发明属于半导体技术领域,特别是指一种应用于微波通讯领域的 高击穿电压的高电子迁移率晶体管。
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