专利汇可以提供通过无源射频吸收提供能量的剂量计专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种用于确定 辐射 量的系统包括: 剂量计 ,配置为接收辐射量,所述剂量计包括具有谐振 频率 的 电路 ,使得所述电路的谐振频率根据所述剂量计接收的辐射量而改变,所述剂量计还配置为在所述电路的谐振频率吸收RF 能量 ;射频(RF)发射器,配置为在所述谐振频率发射RF能量给所述剂量计;以及接收器,配置为基于吸收的RF能量确定所述剂量计的谐振频率,其中基于谐振频率确定辐射量。,下面是通过无源射频吸收提供能量的剂量计专利的具体信息内容。
1.一种用于确定辐射量的方法,所述方法包括:
通过剂量计接收辐射量,所述剂量计包括电路,所述电路具有配置为根据所述剂量计接收的辐射量而改变的谐振频率,所述电路包括变容二极管,所述变容二极管包括:
基底;
位于基底顶部的电介质层,其中,所述辐射量使得在电介质层中捕获负电荷,并在基底形成耗尽区,耗尽区根据电介质中捕获的电荷量生长,所述变容二极管的电容随着耗尽区生长而减少;
在所述电路的谐振频率通过所述剂量计从射频RF发射器吸收射频能量;
基于吸收的RF能量确定所述电路的谐振频率;
基于所确定的谐振频率确定所述变容二极管的电容;以及
基于所述变容二极管的电容确定辐射量。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述RF能量是跨越包括谐振频率的频率范围扫描的RF场的部分。
3.如权利要求1到2的任一所述的方法,其中所述电路包括电感器和天线。
4.如权利要求3所述的方法,其中接收的辐射量改变所述变容二极管的电容,并且所述电路的谐振频率由所述变容二极管的电容确定。
5.如权利要求3所述的方法,其中所述变容二极管包括金属氧化物半导体电容器。
6.如权利要求1到2的任一所述的方法,其中确定辐射量包括确定质子、中子、α粒子、离子、伽马射线或x射线的剂量。
7.如权利要求1到2的任一所述的方法,其中基于吸收的RF能量确定所述电路的谐振频率包括:通过接收器在谐振频率确定RF场的接收强度的下限。
8.如权利要求1到2的任一所述的方法,其中基于吸收的RF能量确定所述电路的谐振频率包括:在谐振频率接收来自剂量计的振荡。
9.一种用于确定辐射量的系统,包括:
剂量计,配置为接收辐射量,所述剂量计包括具有谐振频率的电路,使得所述电路的谐振频率根据所述剂量计接收的辐射量而改变,所述剂量计还配置为在所述电路的谐振频率吸收射频RF能量,所述电路包括变容二极管,所述变容二极管包括:
基底;
位于基底顶部的电介质层,其中,所述辐射量使得在电介质层中捕获负电荷,并在基底形成耗尽区,耗尽区根据电介质中捕获的电荷量生长,所述变容二极管的电容随着耗尽区生长而减少;
射频RF发射器,配置为在所述谐振频率发射RF能量给所述剂量计;以及接收器,配置为基于吸收的RF能量确定所述剂量计的谐振频率,其中基于所确定的谐振频率确定所述变容二极管的电容,以及基于所述变容二极管的电容确定辐射量。
10.如权利要求9所述的系统,其中所述RF能量是跨越包括谐振频率的频率范围扫描的RF场的部分。
11.如权利要求9或权利要求10所述的系统,其中所述电路包括电感器和天线。
12.如权利要求9到10的任一所述的系统,其中接收的辐射量改变所述变容二极管的电容,并且所述电路的谐振频率由所述电容器的电容确定。
13.如权利要求11所述的系统,其中所述变容二极管包括金属氧化物半导体电容器。
14.如权利要求9到10的任一所述的系统,其中辐射量包括质子、离子、中子、α粒子、离子、伽马射线或x射线的剂量。
15.如权利要求9到10的任一所述的系统,其中所述剂量计包括多个电路,所述多个电路的每个具有不同的谐振频率。
16.如权利要求9到10的任一所述的系统,其中所述接收器配置为通过确定由接收器在谐振频率的RF场的接收强度的下限,基于吸收的RF能量确定所述电路的谐振频率。
17.如权利要求9到10的任一所述的系统,其中所述接收器配置为通过在谐振频率接收来自剂量计的振荡,基于吸收的RF能量确定所述电路的谐振频率。
18.一种用于确定辐射量的设备,包括:
电路,所述电路具有谐振频率,所述电路包括:
变容二极管,所述变容二极管包括:
基底;
位于基底顶部的电介质层,其中,所述辐射量使得在电介质层中捕获负电荷,并在基底形成耗尽区,耗尽区根据电介质中捕获的电荷量生长,所述变容二极管的电容随着耗尽区生长而减少,并且所述谐振频率根据电容改变;
电感器;以及
天线,配置为在谐振频率吸收射频RF能量,使得基于吸收的RF能量确定辐射量。
19.如权利要求18所述的设备,其中所述电容器包括金属氧化物半导体电容器。
20.如权利要求18或权利要求19所述的设备,其中所述用于确定辐射量的设备包括多个电路,所述多个电路的每个具有不同的谐振频率。
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