专利汇可以提供一种采用环形栅结构的PMOS剂量计专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及 半导体 辐照实验测试技术领域,公开了一种采用环形栅结构的PMOS 剂量计 ,包括:形成于半导体衬底1上表面中心 位置 的圆形漏 电极 11;环绕圆形漏电极11周围的环形栅电极9;以及环绕环形栅电极9周围的环形源电极4。本发明实现了PMOS管 阈值 电压 漂移与 辐射 总剂量之间的高度线性单调对应关系,从而使得 辐射剂量 的测量更加准确。,下面是一种采用环形栅结构的PMOS剂量计专利的具体信息内容。
1.一种采用环形栅结构的PMOS剂量计,其特征在于,包括:
形成于半导体衬底(1)上表面中心位置的圆形漏电极(11);
环绕圆形漏电极(11)周围的环形栅电极(9);以及
环绕环形栅电极(9)周围的环形源电极(4)。
2.根据权利要求1所述的采用环形栅结构的PMOS剂量计,其特征在于,所述圆形漏电极(11)形成于半导体衬底(1)上表面中心位置的圆形硅化物层(10)之上,圆形硅化物层(10)之下与圆形硅化物层(10)紧邻的是通过离子注入半导体衬底(1)中心位置而形成的漏区(6),漏区(6)的横截面为圆形。
3.根据权利要求1所述的采用环形栅结构的PMOS剂量计,其特征在于,所述环形栅电极(9)形成于多晶硅层(8)之上,多晶硅层(8)形成于栅氧层(7)之上,栅氧层(7)形成于半导体衬底(1)之上,且栅氧层(7)环绕于硅化物层(10)和漏电极(11)周围。
4.根据权利要求1所述的采用环形栅结构的PMOS剂量计,其特征在于,所述环形源电极(4)形成于硅化物层(3)之上,硅化物层(3)形成于体接触区(2)和源区(5)之上,且源电极(4)和硅化物层(3)环绕于栅氧层(7)周围。
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