专利汇可以提供使用气体团簇离子束形成存储器单元的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 揭示一种可变 电阻 存储器 单元结构及一种形成所述可变电阻存储器单元结构的方法。所述方法包含:形成第一 电极 、在所述第一电极上方形成绝缘材料、在所述绝缘材料中形成通孔以暴露所述第一电极的表面、使用 气体团簇离子束 在所述通孔内形成加热器材料、在所述通孔内形成可变电阻材料及形成第二电极,使得所述加热器材料及可变电阻材料提供于所述第一与第二电极之间。,下面是使用气体团簇离子束形成存储器单元的方法专利的具体信息内容。
1.一种形成存储器单元的方法,所述方法包括:
形成第一电极;
在所述第一电极上形成绝缘材料;
在所述绝缘材料中形成通孔以暴露所述第一电极的表面;
使用气体团簇离子束在所述通孔内形成加热器材料;
在所述通孔内形成可变电阻材料;及
在所述可变电阻材料及加热器材料上形成第二电极。
2.根据权利要求1所述的方法,其中在所述第一电极的所述表面上形成所述加热器材料,且在所述加热器材料上形成所述可变电阻材料。
3.根据权利要求2所述的方法,其中移除所述加热器材料的在所述绝缘材料上的一部分。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述可变电阻材料为相变材料。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述相变材料为GexTey、GaSb、SbxTey、InSb、InSe、InxSbyTez、SnxSbyTez、GaxSeyTez、InSbGe、AgInSbTe、GeSnSbTe、TexGeySbzSk及GeSbSeTe中的一者。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述相变材料具有O、F、N或C中的至少一者作为杂质原子。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述可变电阻材料为NiO、TiO、CuS及SrTiO中的一者。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述加热器材料具有Ge作为初级原子且具有N、Sb、F、O或Te中的至少一者作为杂质原子。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述杂质原子为所述加热器材料的从约0.5原子百分比到约15原子百分比。
10.根据权利要求8所述的方法,其中所述杂质原子为所述加热器材料的从约5原子百分比到约10原子百分比。
11.根据权利要求8所述的方法,其中所述加热器材料包含氮杂质原子,其在整个材料厚度上具有梯度氮水平。
12.根据权利要求8所述的方法,其中使用氮气来控制所述加热器材料内的氮浓度分布。
13.根据权利要求1所述的方法,其中使用GeH4、N2与He、Ar、O2、F2、N2O、甲醇盐及乙醇盐气体中的一者或一者以上来形成所述加热器材料。
14.根据权利要求13所述的方法,其中由在从约1500PSI到约3000PSI的范围内的压力下经离子化的气体形成所述加热器材料。
15.根据权利要求14所述的方法,其中在真空下离子化所述气体。
16.一种形成相变材料存储器单元的方法,所述方法包括:
形成第一电极;
在所述第一电极上形成绝缘材料;
在所述绝缘材料中形成通孔以暴露所述第一电极的表面;
使用气体团簇离子束在所述通孔内形成包括GeN的加热器材料;
在所述通孔内形成相变材料;及
在所述相变材料及加热器材料上形成第二电极。
17.根据权利要求16所述的方法,其中在所述第一电极的所述表面上形成所述加热器材料,且在所述加热器材料上形成所述相变材料。
18.根据权利要求16所述的方法,其中使用GeH4、N2与He、Ar、O2、F2、N2O、甲醇盐及乙醇盐气体中的一者或一者以上来形成所述加热器材料。
19.根据权利要求18所述的方法,其进一步包括使气体以通过组合扫描过所述通孔,所述通过组合包括GeH4、N2与He、Ar、O2、F2、N2O、甲醇盐或乙醇盐气体中的一者或一者以上的混合。
20.根据权利要求16所述的方法,其中所述相变材料为GexTey、GaSb、SbxTey、InSb、InSe、InxSbyTez、SnxSbyTez、GaxSeyTez、InSbGe、AgInSbTe、GeSnSbTe、TexGeySbzSk及GeSbSeTe中的一者。
21.根据权利要求20所述的方法,其中所述相变材料具有O、F、N或C中的至少一者作为杂质原子。
22.一种形成相变材料存储器单元的方法,所述方法包括:
形成第一电极;
在所述第一电极上形成包括GeN的加热器材料;
在所述加热器材料上形成绝缘材料;
在所述绝缘材料中形成通孔以暴露所述加热器材料的表面;
在所述通孔内形成相变材料;及
在所述相变材料及加热器材料上形成第二电极。
23.一种可变电阻材料存储器单元,其包括:
第一电极;
绝缘材料,其在所述第一电极上;
通孔,其在所述绝缘材料中,暴露所述第一电极的表面;
气体团簇离子束形成的包括GeN的材料,其在所述通孔内;
可变电阻材料,其在所述通孔内;及
第二电极,其在所述可变电阻材料及包括GeN的材料上。
24.根据权利要求23所述的存储器单元,其中所述可变电阻材料为相变材料。
25.根据权利要求24所述的存储器单元,其中所述相变材料为GexTey、GaSb、SbxTey、InSb、InSe、InxSbyTez、SnxSbyTez、GaxSeyTez、InSbGe、AgInSbTe、GeSnSbTe、TexGeySbzSk 及GeSbSeTe中的一者。
26.根据权利要求25所述的方法,其中所述相变材料具有O、F、N或C中的至少一者作为杂质原子。
27.根据权利要求23所述的存储器单元,其中所述可变电阻材料为NiO、TiO、CuS及SrTiO中的一者。
28.根据权利要求23所述的存储器单元,其中所述包括GeN的材料位于所述第一电极的所述表面上,且所述可变电阻材料位于所述包括GeN的材料上。
29.根据权利要求23所述的存储器单元,其中所述氮为所述包括GeN的材料的从约
0.5原子百分比到约15原子百分比。
30.根据权利要求23所述的存储器单元,其中所述氮为所述包括GeN的材料的从约5原子百分比到约10原子百分比。
31.根据权利要求23所述的存储器单元,其中所述氮在所述包括GeN的材料内呈氮梯度水平的形式。
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