多层陶瓷基板及电子装置
阅读：1发布：2020-10-21
专利汇可以提供多层陶瓷基板及电子装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 的多层陶瓷 基板 具有由位于表面的表层部与位于比上述表层部靠内侧的内层部构成的层叠构造，在上述表层部的表面设置有表层 电极 ，其特征在于，上述表层部包括与上述内层部相邻的第一层，上述内层部包括与上述第一层相邻的第二层，上述第一层的 热膨胀 系数小于上述第二层的 热膨胀系数 ，构成上述第一层及上述第二层的材料均包括：包含40重量％以上且65重量％以下的MO(其中，MO是从由CaO、MgO、SrO及BaO构成的组中选择的至少一种)的玻璃； 氧 化 铝 ；以及从由CuO及Ag2O构成的组中选择的至少一种金属氧化物，上述氧化铝的含有量相对于上述玻璃及上述氧化铝的合计重量为35重量％以上且60重量％以下，上述金属氧化物的含有量相对于上述玻璃及上述氧化铝的合计重量为1重量％以上且10重量％以下。，下面是多层陶瓷基板及电子装置专利的具体信息内容。
1.一种多层陶瓷基板，具有由位于表面的表层部与位于比所述表层部靠内侧的内层部构成的层叠构造，在所述表层部的表面设置有表层电极，所述多层陶瓷基板的特征在于，所述表层部包括与所述内层部相邻的第一层，所述内层部包括与所述第一层相邻的第二层，
所述第一层的热膨胀系数小于所述第二层的热膨胀系数，
构成所述第一层及所述第二层的材料均包括：包含40重量％以上且65重量％以下的MO的玻璃；氧化铝；以及从由CuO及Ag2O构成的组中选择的至少一种金属氧化物，其中，MO是从由CaO、MgO、SrO及BaO构成的组中选择的至少一种，
所述氧化铝的含有量相对于所述玻璃及所述氧化铝的合计重量为35重量％以上且60重量％以下，
所述金属氧化物的含有量相对于所述玻璃及所述氧化铝的合计重量为1重量％以上且
10重量％以下。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷基板，其特征在于，
所述第一层中的所述金属氧化物的所述含有量比所述第二层中的所述金属氧化物的所述含有量多。
3.根据权利要求1或2所述的多层陶瓷基板，其特征在于，
在将所述第一层的热膨胀系数设为α1[ppmK-1]、将所述第二层的热膨胀系数设为α2[ppmK-1]时，0.3≤α2-α1≤1.5。
4.根据权利要求3所述的多层陶瓷基板，其特征在于，
0.4≤α2-α1≤1.4。
5.根据权利要求4所述的多层陶瓷基板，其特征在于，
0.5≤α2-α1≤1.3。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的多层陶瓷基板，其特征在于，
所述第一层的热膨胀系数α1[ppmK-1]为5.0≤α1≤8.0。
7.根据权利要求6所述的多层陶瓷基板，其特征在于，
所述第一层的热膨胀系数α1为5.3≤α1≤7.7。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的多层陶瓷基板，其特征在于，
所述第二层的热膨胀系数α2[ppmK-1]为5.5≤α2≤8.5。
9.根据权利要求8所述的多层陶瓷基板，其特征在于，
所述第二层的热膨胀系数α2为5.7≤α2≤8.0。
10.一种电子装置，其特征在于，
所述电子装置具备权利要求1至9中任一项所述的多层陶瓷基板。
多层陶瓷基板及电子装置
技术领域
[0001] 本发明涉及多层陶瓷基板及电子装置。
背景技术
[0003] 专利文献1公开了一种多层陶瓷基板，该多层陶瓷基板具有由内层部和位于沿层叠方向夹着该内层部的表层部构成的层叠构造，其中，在将表层部的热膨胀系数设为α1[ppmK-1]、将内层部的热膨胀系数设为α2[ppmK-1]时，为0.3≤α2-α1≤1.5，并且，在内层部析出有针状晶体。另外，专利文献2公开了一种多层陶瓷基板，该多层陶瓷基板具有由表层部和内层部构成的层叠构造，表层部的热膨胀系数小于内层部的热膨胀系数，并且，表层部的热膨胀系数与内层部的热膨胀系数之差为1.0ppmK-1以上，在构成表层部的材料与构成内层部的材料之间共同的成分的重量比率为75重量％以上。
[0004] 根据专利文献1及2所记载的多层陶瓷基板，通过使表层部的热膨胀系数小于内层部的热膨胀系数，从而在烧成后的冷却过程中，在表背的最外层产生压缩应力，因此，能够提高多层陶瓷基板的抗弯强度。
[0005] 在先技术文献
[0006] 专利文献
[0007] 专利文献1：日本特开2007-73728号公报
[0008] 专利文献2：国际公开第2007/142112号
发明内容
[0009] 发明要解决的课题
[0010] 近年来，由于电子装置的小型化，因而多层陶瓷基板的薄型化及布线的细线化不断进展。在专利文献1及2所记载的多层陶瓷基板中，通过将热膨胀系数比内层部小的层设置于表层部，从而抗弯强度提高，能够实现多层陶瓷基板的薄型化。但是，在专利文献1及2所记载的多层陶瓷基板中，明确了存在如下情况，即，在表层部及内层部产生孔(空隙)，在设置于表层部的表面的表层电极发生断线的情况。今后，为了使多层陶瓷基板的薄型化及布线的细线化得以进展，需要抑制这种表层电极的断线。
[0011] 本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于，提供一种抑制了表层电极的断线的多层陶瓷基板及具备该多层陶瓷基板的电子装置。
[0012] 用于解决课题的手段
[0013] 为了实现上述目的，本发明的多层陶瓷基板具有由位于表面的表层部与位于比上述表层部靠内侧的内层部构成的层叠构造，在上述表层部的表面设置有表层电极，其特征在于，上述表层部包括与上述内层部相邻的第一层，上述内层部包括与上述第一层相邻的第二层，上述第一层的热膨胀系数小于上述第二层的热膨胀系数，构成上述第一层及上述第二层的材料均包括：包含40重量％以上且65重量％以下的MO的玻璃；氧化铝；以及从由CuO及Ag2O构成的组中选择的至少一种金属氧化物，其中，MO是从由CaO、MgO、SrO及BaO构成的组中选择的至少一种，上述氧化铝的含有量相对于上述玻璃及上述氧化铝的合计重量为35重量％以上且60重量％以下，上述金属氧化物的含有量相对于上述玻璃及上述氧化铝的合计重量为1重量％以上且10重量％以下。
[0014] 在本发明的多层陶瓷基板中，通过使构成表层部中的第一层的材料及构成内层部中的第二层的材料含有规定量的从由CuO及Ag2O构成的组中选择的至少一种金属氧化物，从而促进了第一层中的玻璃化，能够使第一层变得致密。其结果是，能够抑制在第一层中产生孔，因此，能够抑制表层电极的断线。
[0015] 在本发明的多层陶瓷基板中优选的是，上述第一层中的上述金属氧化物的上述含有量比上述第二层中的上述金属氧化物的上述含有量多。
[0016] 当第二层中的金属氧化物的含有量过多时，第二层中的玻璃化过度地进展，因此，无法在烧成时充分地分解有机成分，容易在第二层产生孔。在该情况下，虽然能够抑制表层电极的断线，但内层部的绝缘性可能降低。因此，通过使第一层中的金属氧化物的含有量比第二层中的金属氧化物的含有量多，从而能够抑制表层电极的断线，并且能够确保内层部的绝缘性。
[0017] 在本发明的多层陶瓷基板中，在将上述第一层的热膨胀系数设为α1[ppmK-1]、将上述第二层的热膨胀系数设为α2[ppmK-1]时，优选为0.3≤α2-α1≤1.5，更优选为0.4≤α2-α1≤1.4，进一步优选为0.5≤α2-α1≤1.3。
[0018] 通过将热膨胀系数之差α2-α1设为0.3以上，能够提高多层陶瓷基板的抗弯强度。另外，通过将热膨胀系数之差α2-α1设为1.5以下，从而抑制了第一层与第二层的界面处的应力的增加，能够抑制界面部分处产生剥离。
[0019] 在本发明的多层陶瓷基板中，上述第一层的热膨胀系数α1[ppmK-1]优选为5.0≤α1≤8.0，更优选为5.3≤α1≤7.7。
[0020] 在本发明的多层陶瓷基板中，上述第二层的热膨胀系数α2[ppmK-1]优选为5.5≤α2≤8.5，更优选为5.7≤α2≤8.0。
[0021] 本发明的电子装置的特征在于，具备上述多层陶瓷基板。
[0022] 发明效果
[0024] 图1是示意性地示出具备本发明的一实施方式的多层陶瓷基板的电子装置的剖视图。
[0025] 图2是示意性地示出在图1所示的多层陶瓷基板的制造中途制作的复合层叠体的剖视图。
[0026] 图3是示意性地示出评价用的多层陶瓷基板的剖视图。
具体实施方式
[0027] 以下，对本发明的多层陶瓷基板及电子装置进行说明。
[0028] 然而，本发明不局限于以下的结构，在不变更本发明的主旨的范围内能够适当变更来应用。需要说明的是，将以下所记载的本发明的各个优选结构组合两个以上而得到的结构也属于本发明。
[0029] 图1是示意性地示出具备本发明的一实施方式的多层陶瓷基板的电子装置的剖视图。
[0030] 多层陶瓷基板1具有由内层部10、以及位于沿层叠方向夹着内层部10的第一表层部20及第二表层部30构成的层叠构造。
[0031] 内层部10、第一表层部20及第二表层部30分别由至少一层的陶瓷层构成。第一表层部20包括与内层部10相邻的第一层21，第二表层部30包括与内层部10相邻的第一层31。另外，内层部10包括与第一表层部20中的第一层21相邻的第二层22以及与第二表层部30中的第一层31相邻的第二层32。
[0032] 多层陶瓷基板1具备布线导体。布线导体用于构成例如电容器或电感器这样的无源元件，或者进行元件间的电连接这样的连接布线，并且典型地是如图所示，由表层电极41及42、内部导体43、以及通孔导体44构成。这些布线导体优选以Ag、Cu、Au、Ag-Pd合金或Ag-Pt合金作为主成分，更优选以Ag作为主成分。
[0033] 表层电极41及42分别形成在多层陶瓷基板1的一方主面上及另一方主面上。内部导体43形成在多层陶瓷基板1的内部，且设置在陶瓷层之间。通孔导体44与表层电极41及42以及内部导体43中的任一个电连接，并且设置为沿厚度方向贯穿陶瓷层。
[0034] 在多层陶瓷基板1的一方主面上，在与表层电极41电连接的状态下搭载芯片状的电子部件即层叠陶瓷电容器45及半导体部件46。由此，构成具备多层陶瓷基板1的电子装置A。形成于多层陶瓷基板1的另一方主面上的表层电极42被用作将该电子装置A安装于未图示的母板上时的电连接单元。
[0035] 在本发明的多层陶瓷基板中，第一层的热膨胀系数小于第二层的热膨胀系数。这里，在将第一层的热膨胀系数设为α1[ppmK-1]、将第二层的热膨胀系数设为α2[ppmK-1]时，优选为0.3≤α2-α1≤1.5。热膨胀系数之差α2-α1的更优选的下限值为0.4，进一步优选的下限值为0.5，尤其优选的下限值为0.6，更优选的上限值为1.4，进一步优选的上限值为1.3。
[0036] 需要说明的是，热膨胀系数是作为通过热机械分析(TMA)以5℃/min的升温速度从室温升温至500℃测定出的值而得到的。
[0037] 第一层的热膨胀系数α1的优选的下限值为5.0ppmK-1，更优选的下限值为5.3ppmK-1，优选的上限值为8.0ppmK-1，更优选的上限值为7.7ppmK-1。另外，第二层的热膨胀系数α2-1 -1 -1的优选的下限值为5.5ppmK ，更优选的下限值为5.7ppmK ，优选的上限值为8.5ppmK ，更优选的上限值为8.0ppmK-1。
[0038] 如后所述，作为构成表层部的表层部陶瓷层及构成内层部的内层部陶瓷层的各材料，使用玻璃、氧化铝以及金属氧化物的混合物。通过变更玻璃、氧化铝以及金属氧化物的比率、或者变更玻璃的种类及/或金属氧化物的种类，能够分别调整第一层的热膨胀系数及第二层的热膨胀系数。
[0039] 构成第一层及第二层的材料均包含玻璃。具体而言，构成第一层及第二层的玻璃均包含相对于玻璃整体的重量而为40重量％以上且65重量％以下的MO(其中，MO是从由CaO、MgO、SrO及BaO构成的组中选择的至少一种)。
[0040] 构成第一层及第二层的玻璃均优选还包含Al2O3、B2O3及SiO2。
[0041] 通过对构成第一层及第二层的材料所含的玻璃的组成及各成分的含有量进行调整，能够调整第一层的热膨胀系数及第二层的热膨胀系数。
[0042] 构成第一层的玻璃所含的成分的含有量的优选比例为以下所述。
[0043] MO(优选为CaO)：40重量％以上且55重量％以下，更优选为41重量％以上且50重量％以下
[0044] Al2O3：0重量％以上且10重量％以下，更优选为3重量％以上且8.5重量％以下[0045] B2O3：0重量％以上且20重量％以下，更优选为3重量％以上且15重量％以下[0046] SiO2：25重量％以上且70重量％以下，更优选为30重量％以上且60重量％以下[0047] 构成第二层的玻璃所含的成分的含有量的优选比例为以下所述。
[0048] MO(优选为CaO)：40重量％以上且55重量％以下，更优选为41重量％以上且50重量％以下
[0049] Al2O3：0重量％以上且10重量％以下，更优选为3重量％以上且8.5重量％以下[0050] B2O3：0重量％以上且20重量％以下，更优选为3重量％以上且15重量％以下[0051] SiO2：25重量％以上且70重量％以下，更优选为30重量％以上且60重量％以下[0052] 在构成第一层及第二层的玻璃中也可以包含其他的杂质，包含杂质时的优选的含有量小于5重量％。
[0053] 构成第一层及第二层的材料均包含氧化铝(Al2O3)作为陶瓷填料。Al2O3填料有助于提高机械强度。
[0054] 在构成第一层及第二层的材料中，氧化铝的含有量相对于玻璃及氧化铝的合计重量为35重量％以上且60重量％以下。
[0055] 构成第一层的材料优选相对于玻璃及氧化铝的合计重量而包含48重量％以上且60重量％以下的氧化铝。另外，构成第二层的材料优选相对于玻璃及氧化铝的合计重量而包含48重量％以上且60重量％以下的氧化铝。
[0056] 此外，构成第一层及第二层的材料均包含从由CuO及Ag2O构成的组中选择的至少一种金属氧化物。构成第一层及第二层的材料均优选包含CuO及Ag2O中的任一方。在该情况下，也可以是构成第一层及第二层的材料中的一方包含CuO，另一方包含Ag2O，但优选两方都包含相同的金属氧化物。另外，CuO及Ag2O具有与构成布线导体的金属元素共同的金属元素(Cu及Ag)，但构成第一层及第二层的材料也可以不包含具有与构成布线导体的金属元素相同的金属元素的金属氧化物。例如，也可以是，在布线导体以Ag为主成分的情况下，构成第一层及第二层的材料包含CuO。
[0057] 在构成第一层及第二层的材料中，金属氧化物的含有量相对于玻璃及氧化铝的合计重量均为1重量％以上且10重量％以下。第一层中的金属氧化物的上述含有量优选比第二层中的金属氧化物的上述含有量多。
[0058] 构成第一层的材料优选相对于玻璃及氧化铝的合计重量而包含3重量％以上且5重量％以下的金属氧化物。另外，构成第二层的材料优选相对于玻璃及氧化铝的合计重量而包含1重量％以上且2重量％以下的金属氧化物。
[0059] 尤其是构成第一层的材料优选相对于玻璃及氧化铝的合计重量而包含48重量％以上且60重量％以下的氧化铝，且包含3重量％以上且5重量％以下的金属氧化物。另外，构成第二层的材料优选相对于玻璃及氧化铝的合计重量而包含48重量％以上且60重量％以下的氧化铝，且包含1重量％以上且2重量％以下的金属氧化物。
[0060] 在构成第一层及第二层的材料中，除了Al2O3、CuO及Ag2O以外，也可以包含例如ZrO2等其他的陶瓷填料。
[0061] 在表层部包含第一层以外的陶瓷层的情况下，第一层以外的陶瓷层可以由与第一层不同的材料构成，但优选至少最表层由与第一层相同的材料构成，更优选所有的陶瓷层由与第一层相同的材料构成。另外，在内层部包含第二层以外的陶瓷层的情况下，第二层以外的陶瓷层可以由与第二层不同的材料构成，但优选所有的陶瓷层由与第二层相同的材料构成。
[0062] 在图1所示的多层陶瓷基板1中，在第一表层部20及第二表层部30这两方的表面分别设置有表层电极41及42，第一表层部20及第二表层部30分别具有第一层21及31，但在本发明的多层陶瓷基板中，在至少一方的表层部的表面设置表层电极、且设置有表层电极的表层部具有上述的第一层即可。
[0063] 图1所示的多层陶瓷基板1优选如以下那样制造。
[0064] 图2是示意性地示出在图1所示的多层陶瓷基板的制造中途制作的复合层叠体的剖视图。
[0065] 复合层叠体100具备要成为多层陶瓷基板1中的内层部10的内层用陶瓷生片110、以及要成为多层陶瓷基板1中的表层部20及30的表层用陶瓷生片120及130，并且，具备约束用陶瓷生片151及152。另外，在内层用陶瓷生片110以及表层用陶瓷生片120及130设置有作为多层陶瓷基板1所具备的布线导体的表层电极41及42、内部导体43以及通孔导体44。这些布线导体在该阶段由未烧结的导体浆料构成。
[0066] 为了制作这样的复合层叠体100，首先，分别准备内层用陶瓷生片110、表层用陶瓷生片120及130、以及约束用陶瓷生片151及152。
[0067] 选择这些陶瓷生片110、120及130的各组成，使得要成为第一层的表层用陶瓷生片120及130的烧结体的热膨胀系数小于要成为第二层的内层用陶瓷生片110的烧结体的热膨胀系数，并且使得构成要成为第一层的表层用陶瓷生片120及130以及要成为第二层的内层用陶瓷生片110的材料均包括：包含40重量％以上且65重量％以下的MO(其中，MO是从由CaO、MgO、SrO及BaO构成的组中选择的至少一种)的玻璃；氧化铝；以及从由CuO及Ag2O构成的组中选择的至少一种金属氧化物，氧化铝的含有量相对于玻璃及氧化铝的合计重量为35重量％以上且60重量％以下，金属氧化物的含有量相对于玻璃及氧化铝的合计重量为1重量％以上且10重量％以下。
[0068] 约束用陶瓷生片151及152成为以在内层用陶瓷生片110以及表层用陶瓷生片120及130烧结的温度下不烧结的无机材料(Al2O3等)为主成分的组成。
[0069] 接着，将表层用陶瓷生片120及130分别配置为沿层叠方向夹着至少一个内层用陶瓷生片110，进而，在表层用陶瓷生片120及130的外侧分别配置约束用陶瓷生片151及152，由此，制作图2所示那样的复合层叠体100。
[0070] 接着，复合层叠体100在表层用陶瓷生片120及130以及内层用陶瓷生片110烧结而约束用陶瓷生片151及152不烧结的温度下进行烧成。其结果是，得到如下的烧成后的复合层叠体100：来源于表层用陶瓷生片120及130的第一层21及31(参照图1)的热膨胀系数小于来源于内层用陶瓷生片110的第二层22及32(参照图1)的热膨胀系数，构成第一层21及31以及第二层22及32(参照图1)的材料均包括：包含40重量％以上且65重量％以下的MO(其中，MO是从由CaO、MgO、SrO及BaO构成的组中选择的至少一种)的玻璃；氧化铝；以及从由CuO及Ag2O构成的组中选择的至少一种金属氧化物，氧化铝的含有量相对于玻璃及氧化铝的合计重量为35重量％以上且60重量％以下，金属氧化物的含有量相对于玻璃及氧化铝的合计重量为1重量％以上且10重量％以下。
[0071] 之后，在烧成后的复合层叠体100中，去除来源于约束用陶瓷生片151及152的部分。由此，得到多层陶瓷基板1。
[0072] 根据上述的制造方法，由于对在两个主面上配置有约束用陶瓷生片的复合层叠体进行烧成，因此，能够抑制表层用陶瓷生片及内层用陶瓷生片在烧成时沿各主面方向的收缩。因此，不仅能够抑制多层陶瓷基板的不希望的变形、提高尺寸精度，还能够使烧成时的表层部与内层部之间难以产生剥离。
[0073] 另一方面，在对在两个主面上配置有约束用陶瓷生片的复合层叠体进行烧成的情况下，通常，表层用陶瓷生片所含的玻璃成分容易被约束用陶瓷生片吸收，因此，在表层部可能会产生孔。与此相对，在本发明中，在要成为第一层的表层用陶瓷生片及要成为第二层的内层用陶瓷生片含有规定量的从由CuO及Ag2O构成的组中选择的至少一种金属氧化物，因此，促进了第一层中的玻璃化，能够使第一层变得致密。其结果是，能够抑制在第一层中产生孔，因此，能够抑制表层电极的断线。
[0074] 需要说明的是，在制造多层陶瓷基板1时，也可以不使用上述那样的约束用陶瓷生片151及152而对不存在约束用陶瓷生片的状态下的层叠体进行烧成。在该情况下，也能够抑制表层电极的断线。
[0075] 实施例
[0076] 以下，示出更具体地公开了本发明的多层陶瓷基板的实施例。需要说明的是，本发明不仅仅局限于这些实施例。
[0077] (多层陶瓷基板的制作)
[0078] 首先，准备了具有表1所示的组成的SiO2-CaO-B2O3-Al2O3系玻璃粉末。
[0079] [表1]
[0080]
[0081] 接着，分别制作出表层用陶瓷生片及内层用陶瓷生片，使得得到表2所示的各试料。
[0082] 为了得到表2所示的各试料，在包含玻璃粉末、氧化铝(Al2O3)粉末、以及CuO或Ag2O的金属氧化物粉末的混合粉末掺合溶剂、分散剂、粘合剂及增塑剂并进行混合，由此得到料浆。将得到的料浆涂敷在PET膜上，由此制作出表层用陶瓷生片及内层用陶瓷生片。
[0083] 表2示出表层用陶瓷生片及内层用陶瓷生片所含的玻璃粉末的种类及含有量、Al2O3粉末的含有量、以及金属氧化物粉末的含有量。在表2中，玻璃的种类中记载的“G1”～“G3”的记号对应于表1的“玻璃记号”。如表2所示，玻璃粉末与Al2O3粉末的重量比调整为46∶54～60∶40。另外，调整了表层用陶瓷生片及内层用陶瓷生片的各厚度，使得在烧成后分别得到表2所示的第一层(表层)的厚度及第二层(内层)的厚度。
[0084] [表2]
[0085]
[0086] 另外，在Al2O3粉末掺合溶剂、分散剂、粘合剂及增塑剂并进行混合，由此得到料浆。将得到的料浆涂敷在PET膜上，由此制作出厚度为50μm的约束用陶瓷生片。
[0088] 接着，使用激光打孔器对特定的表层用陶瓷生片及内层用陶瓷生片实施通孔加工之后，通过填充Ag浆料而形成了成为通孔导体的浆料体。另外，通过丝网印刷向特定的表层用陶瓷生片及内层用陶瓷生片印刷Ag浆料，由此形成了成为表层电极及内部导体的浆料图案。将这些表层用陶瓷生片及内层用陶瓷生片层叠多片，在其上下配置约束用陶瓷生片，然后进行压接，制作出复合层叠体。
[0089] 对制作出的复合层叠体在表层用陶瓷生片、内层用陶瓷生片及Ag浆料烧结而约束用陶瓷生片不烧结的温度下进行了烧成。在烧成后，去除来源于约束用陶瓷生片的未烧结部分，制作出评价用的多层陶瓷基板。
[0090] 图3是示意性地示出评价用的多层陶瓷基板的剖视图。
[0091] 评价用的多层陶瓷基板2成为在位于内层部10的表面的第二层22粘贴了表层部20的第一层21且在位于内层部10的背面的第二层32粘贴了表层部30的第一层31的层叠构造。在基板内形成有两个通孔导体44a及44b。通孔导体44a与形成于基板表侧的第一层21的表层电极41及形成在构成内层部10的层间的内部导体43a连接，通孔导体44b与形成于基板背侧的第一层31的表层电极42及形成在构成内层部10的层间的内部导体43b连接。从与通孔导体44a连接的内部导体43a到与通孔导体44b连接的内部导体43b为止，以构成内层部10的陶瓷层的一层厚度量的间隔分开。
[0092] (多层陶瓷基板的评价)
[0093] 关于评价用的多层陶瓷基板，针对“热膨胀系数之差”、“内层部的绝缘性”、“表层电极的断线”、“抗弯强度”及“脱层”的各项目进行了评价。表3示出各评价结果。
[0094] “热膨胀系数之差”根据评价用的多层陶瓷基板的第一层的热膨胀系数α1及第二层的热膨胀系数α2而求出。
[0096] 测定气氛：氮(300mL/min)
[0097] 测定载荷：10gf
[0098] 关于“内层部的绝缘性”，将评价用的多层陶瓷基板的表背的表层电极作为端子而进行了绝缘性试验。在高压加速老化寿命试验(pressure cooker test)中施加50V的直流电压，对200小时后的绝缘电阻进行了确认。试验条件为121℃-85％RH。对向高压加速老化寿命试验后的样本施加了60秒钟的50V的直流电压之后的漏电流进行测定，将示出LogIR≥10的样本评价为○(良)，将示出LogIR＜10的样本评价为×(不良)。需要说明的是，由用于测定绝缘电阻的内部导体夹着的陶瓷层的厚度如表2所示，在不存在内部导体的情况下，按照烧成后的厚度来算为11.0μm。
[0099] 关于“表层电极的断线”，通过使用测试器来确认评价用的多层陶瓷基板的表侧的表层电极的两端有无导通，从而进行了评价，将导通的情况评价为○(良)，将未导通的情况评价为×(不良)。
[0100] 关于“抗弯强度”，通过三点弯曲法而测定了评价用的多层陶瓷基板的抗弯强度。另外，制作仅由表层部构成的试料及仅由内层部构成的试料，通过三点弯曲法而测定了各试料的抗弯强度。通过以上，针对表层部、内层部及基板(烧结体整体)分别测定了抗弯强度。将基板的抗弯强度与内层部的抗弯强度相同或者高于内层部的抗弯强度的情况评价为○(良)，将基板的抗弯强度低于内层部的抗弯强度的情况评价为×(不良)。
[0101] 关于“脱层”，通过使用了200倍的金属显微镜的观察而评价了在评价用的多层陶瓷基板的剖面是否存在层间剥离。针对各100个试料，将未确认到脱层的情况评价为○(良)，将确认到至少一个脱层的情况评价为×(不良)。
[0102] [表3]
[0103]
[0104] 如表2及表3所示，在构成第一层及第二层的材料包含作为金属氧化物的CuO、且CuO的含有量相对于玻璃及氧化铝的合计重量为1重量％以上且10重量％以下的实施例1～16中，未发生表层电极的断线。根据实施例1～16的结果可知，即便变更了玻璃的组成比、氧化铝或金属氧化物的含有量，也得到能够抑制表层电极的断线的效果。
[0105] 尤其是在实施例1、2、4～9及12～16中，能够确保内层部的绝缘性，基板的抗弯强度高于内层部的抗弯强度，也未发生脱层。
[0106] 在第一层中的CuO的含有量比第二层中的CuO的含有量少的实施例3中，虽然未发生表层电极的断线，但是内层部的绝缘性降低。
[0107] 在第一层及第二层的热膨胀系数之差α2-α1为0.1的实施例10中，虽然未发生表层电极的断线，但是基板的抗弯强度低于内层部的抗弯强度。
[0108] 在第一层及第二层的热膨胀系数之差α2-α1为1.8的实施例11中，虽然未发生表层电极的断线，但是发生了脱层。
[0109] 与此相对，在构成第一层及第二层的材料不包含作为金属氧化物的CuO及Ag2O的比较例1中，发生了表层电极的断线，内层部的绝缘性也降低。另外，在虽然构成第一层的材料包含作为金属氧化物的CuO、但构成第二层的材料不包含金属氧化物的比较例2中，未充分地促进玻璃化，因此，发生了表层电极的断线，内层部的绝缘性也降低。此外，在第一层中的CuO的含有量为11重量％的比较例3中，发生了表层电极的断线。
[0110] 另外，在构成第一层及第二层的材料包含作为金属氧化物的Ag2O、且Ag2O的含有量相对于玻璃及氧化铝的合计重量为1重量％以上且10重量％以下的实施例17～20中，未发生表层电极的断线。根据实施例17～20的结果可知，即便在使用了Ag2O作为金属氧化物的情况下，也与使用了CuO的情况同样地，得到能够抑制表层电极的断线的效果。
[0111] 尤其是在实施例17、18及20中，能够确保内层部的绝缘性，基板的抗弯强度高于内层部的抗弯强度，也未发生脱层。
[0112] 在第二层中的Ag2O的含有量为4重量％的实施例19中，内层部的绝缘性降低。
[0113] 与此相对，在虽然构成第一层的材料包含作为金属氧化物的Ag2O、但构成第二层的材料不包含金属氧化物的比较例4中，未充分地促进玻璃化，因此，发生了表层电极的断线，内层部的绝缘性也降低。另外，在第一层中的Ag2O的含有量为11重量％的比较例5中，发生了表层电极的断线。
[0114] 附图标记说明：
[0115] A 电子装置；
[0116] 1、2 多层陶瓷基板；
[0117] 10 内层部；
[0118] 20、30 表层部；
[0119] 21、31 第一层；
[0120] 22、32 第二层；
[0121] 41、42 表层电极；
[0122] 43、43a、43b 内部导体；
[0123] 44、44a、44b 通孔导体；
[0124] 100 复合层叠体；
[0125] 110 内层用陶瓷生片；
[0126] 120、130 表层用陶瓷生片；
[0127] 151、152 约束用陶瓷生片。
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