专利汇可以提供虚拟离子阱专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种使用电聚焦场代替通常包围俘获体积的加工金属 电极 的虚拟 离子阱 ,其中两个相对面包括多个独特设计涂覆电极,并且其中可以使用与现有加工技术相比允许更高容差的平版技术将电极布置在两个相对面上。,下面是虚拟离子阱专利的具体信息内容。
1.一种提供通往虚拟离子阱中至少一个俘获体积的更多通路的 方法,所述方法包括步骤:
(1)提供具有大约相同尺寸的至少两个基本平行面,它们被取 向为具有相对面;
(2)将多个电极布置到该两个基本平行面的相对面上;以及
(3)使用该多个电极产生多个电聚焦场从而将离子俘获到相对 面之间的至少一个俘获体积中,其中由于该两个基本平行面之间的电 极或其他结构的不存在,通往该至少一个俘获体积的更多通路变得可 能。
2.根据权利要求1的方法,其中该方法还包括使用涂镀技术将 多个电极布置到两个基本平行平板上的步骤,从而在形成多个电极时 获得高的精确度。
3.根据权利要求2的方法,其中涂镀技术选自光刻构成的涂镀 技术、用于导电材料的涂镀技术、用于绝缘材料的涂镀技术,以及用 于半导体材料的涂镀技术。
4.根据权利要求1的方法,其中通过从包括施加选定电压到多 个电极上、修改多个电极的数目、修改多个电极的取向、修改多个电 极的形状、修改多个电极的性质的一组方法以及上述方法的任意组合 中选择一种方法来执行产生多个电聚焦场的步骤。
5.根据权利要求1的方法,其中该方法还包括在两个基本平行 平板之间形成多个俘获体积的步骤。
6.根据权利要求5的方法,其中通过从包括施加选定电压到多 个电极上、修改多个电极的数目、修改多个电极的取向、修改多个电 极的形状、修改多个电极的性质的一组方法以及上述方法的任意组合 中选择一种方法来执行形成多个俘获体积的步骤。
7.根据权利要求1的方法,其中该方法还包括通过用导电材料、 绝缘材料或半导体材料涂覆该至少两个平行面将多个电极布置到该至 少两个基本平行面上的步骤。
8.根据权利要求1的方法,其中提供布置有多个电极的两个基 本平行面的步骤还包括产生虚拟电势面从而代替物理面的步骤。
9.根据权利要求1的方法,其中提供两个基本平行面的步骤还 包括提供关于公共点、线或面至少部分弓形的两个基本平行平板的步 骤。
10.根据权利要求1的方法,其中提供两个基本平行面的步骤还 包括步骤:
(1)提供两个相对圆盘作为该至少两个基本平行面,其中两个 相对圆盘的每个具有从中穿过的孔径,孔径关于圆盘的中心轴居中, 并且其中一个圆柱连接每个圆盘并且关于中心轴同轴居中,并且其中 每个孔径的边缘与每个圆柱的边缘在连接缝处相接;
(2)将第一圆形电极布置到两个相对圆盘的每个上并与连接缝 相邻;以及
(3)将第二圆形电极布置到两个圆柱的每个上并与连接缝相邻, 其中第一电极和第二电极彼此电隔离。
11.根据权利要求1的方法,其中该方法还包括步骤:
(1)提供两个基本平行面为两个相同四边形,其中第一平直电 极布置成彼此相对并与两个相同四边形的第一边缘相邻;以及
(2)其中第二平直电极布置成彼此相对并与两个相同四边形的 第二边缘相邻。
12.根据权利要求11的方法,其中该方法还包括使用平行四边 形作为四边形的步骤。
13.根据权利要求12的方法,其中该方法还包括从包括正方形 和矩形的一组平行四边形中选择两个相同平行四边形的步骤。
14.根据权利要求1的方法,其中该方法还包括将多个垫补电极 布置到两个基本平行平板上的步骤,其中垫补电极布置到上面以修改 虚拟离子阱的电势场线。
15.根据权利要求14的方法,其中该方法还包括将多个垫补电 极布置成与两个基本平行平板的边缘相邻的步骤。
16.根据权利要求14的方法,其中该方法还包括将多个垫补电 极布置成与用作第一平直电极的电极平行。
17.根据权利要求14的方法,其中该方法还包括用导电或半导 体材料形成垫补电极的步骤。
18.根据权利要求1的方法,其中该方法还包括步骤:
(1)提供两个基本平行面为两个相同且同轴排列的圆盘,
(2)其中第一电极布置成彼此相对,与中心轴相邻并关于中心 轴居中;以及
(3)其中第二电极彼此相对,与两个基本平行圆盘的外圆周相 邻并关于外圆周居中。
19.根据权利要求18的方法,其中该方法还包括布置穿过两个 基本平行面的中心轴的孔径的步骤。
20.根据权利要求1的方法,其中该方法还包括步骤:
(1)提供两个相对半圆盘作为基本平行平板,其中两个相对盘 的的每一个从中切割有关于半圆盘的旋转轴居中的半圆槽,并且其中 半圆柱连接每个盘并关于旋转轴同轴居中,并且其中每个半圆槽的边 缘与每个半圆柱的边缘在连接点处相接;
(2)将第一半圆电极布置到两个相对半圆盘的每个上并与连接 点相邻;以及
(3)将第二半圆电极布置到两个半圆柱的每个上并与连接点相 邻,其中第一电极和第二电极彼此电隔离。
21.根据权利要求1的方法,其中该方法还包括步骤:
(1)将多个图案布置到相对面上,其中多个圆形图案具有电阻 性涂料;
(2)布置穿过多个图案中每个的中心轴的孔径;以及
(3)在不存在多个图案的地方用导电材料涂覆相对面,但使相 对面与孔径电隔离。
22.根据权利要求21的方法,其中该方法还包括从包括圆形和 正方形的一组图案中选择图案的步骤。
23.根据权利要求21的方法,其中该方法还包括将孔径电连接 到两个基本平行面中每个的导电背面的步骤。
24.根据权利要求1的方法,其中该方法还包括提供四组基本平 行相对面的步骤,其中该四组基本平行相对面接合以便形成正方形的 四个角落,其中相邻相对面在与其垂直的接缝处接合。
25.一种减小质谱仪中离子阱的尺寸的方法,所述方法包括步骤:
(1)提供至少两个基本平行面;以及
(2)使用涂镀技术将多个电极布置到该至少两个基本平行面上, 从而在多个电极的物理特性上获得比加工技术可获得的更精确的控 制。
26.根据权利要求25的方法,其中该方法还包括使用该多个电 极产生多个电聚焦场从而将离子俘获到至少一个俘获体积中的步骤, 其中由于该两个基本平行面之间的电极或其他结构的不存在,通往至 少一个俘获体积的更多通路变得可能。
27.一种虚拟离子阱,提供通往它的至少一个俘获体积的更多通 路,所述系统包括:
具有大约相同尺寸的至少两个基本平行面,它们被取向为具有相 对面;
布置到该至少两个基本平行面上的多个电极,其中该多个电极产 生多个电聚焦场从而将离子俘获到至少一个俘获体积中,并且其中由 于该至少两个基本平行面之间的电极或其他结构的不存在,通往该至 少一个俘获体积的更多通路变得可能。
28.根据权利要求27的虚拟离子阱,其中虚拟离子阱还包括用 于产生多个电聚焦场的工具,其中电聚焦场产生工具能够施加选定电 压到多个电极上从而建立至少一个俘获体积。
29.根据权利要求27的虚拟离子阱,其中虚拟离子阱还包括布 置在至少两个基本平行面之间的多个俘获体积。
30.根据权利要求29的虚拟离子阱,其中通过修改虚拟离子阱 的物理特性形成多个俘获体积,其中物理特性选自包括多个电极的总 数、多个电极的取向、多个电极的性质、多个电极的形状的可修改特 性以及上述可修改特性的任意组合。
31.根据权利要求27的虚拟离子阱,其中虚拟离子阱还包括布 置到该至少两个基本平行面上的涂料,其中涂料是导电材料、绝缘材 料或半导体材料。
32.根据权利要求27的虚拟离子阱,其中虚拟离子阱还包括虚 拟电势面,其中虚拟电势面代替物理面。
33.根据权利要求27的虚拟离子阱,其中虚拟离子阱还包括关 于公共点、线或面至少部分弓形的两个基本平行平板。
34.根据权利要求27的虚拟离子阱,其中虚拟离子阱还包括:
作为该至少两个基本平行面的两个相对圆盘,其中两个相对圆盘 的每个布置有从中穿过的孔径,孔径关于圆盘的中心轴居中,并且其 中圆柱连接到每个圆盘并关于中心轴同轴居中,并且其中每个孔径的 边缘与每个圆柱的边缘在连接缝处相接;
布置到两个相对圆盘的每个上并与连接缝相邻的第一圆形电极; 以及
布置到两个圆柱的每个上并与连接缝相邻的第二圆形电极,其中 第一和第二电极彼此电隔离。
35.根据权利要求27的虚拟离子阱,其中虚拟离子阱还包括:
作为该至少两个基本平行面的两个相同平行四边形,其中第一平 直电极布置成彼此相对并与两个相同平行四边形的第一边缘相邻;以 及
布置成彼此相对并与两个相同平行四边形的第二边缘相邻的第 二平直电极,其中每个平行四边形的第一边缘和第二边缘彼此相对并 平行。
36.根据权利要求35的虚拟离子阱,其中两个相同平行四边形 选自包括正方形和矩形的平行四边形。
37.根据权利要求27的虚拟离子阱,其中虚拟离子阱还包括布 置到该至少两个基本平行面上的多个垫补电极,其中垫补电极布置到 上面以修改虚拟离子阱的电势场线。
38.根据权利要求37的虚拟离子阱,其中多个垫补电极布置成 与该至少两个基本平行面的边缘相邻。
39.根据权利要求27的虚拟离子阱,其中虚拟离子阱还包括:
两个相同且同轴排列的圆盘,每个布置有穿过其中心轴的孔径;
布置成彼此相对、与孔径相邻并关于孔径居中的两个第一电极;
布置成彼此相对、与两个基本平行圆盘的外圆周相邻并关于外圆 周居中的两个第二电极。
40.根据权利要求27的虚拟离子阱,其中虚拟离子阱还包括:
作为两个基本平行平板的两个相对半圆盘,其中两个相对盘的每 个从中切割有关于半圆盘的旋转轴居中的半圆槽,并且其中半圆柱连 接每个盘并关于旋转轴同轴居中,并且其中每个半圆槽的边缘与每个 半圆柱的边缘在连接点处相接;
布置到两个相对半圆盘的每个上并与连接点相邻的第一半圆电 极;
布置到两个半圆柱的每个上并与连接点相邻的第二半圆电极,其 中第一电极和第二电极彼此电隔离;以及
至少两个端盖,从而控制电聚焦场。
41.一种供质谱仪使用的虚拟离子阱,所述虚拟离子阱包括:
具有相对面的至少两个基本平行面;以及
布置到该两个相对面上的多个电极,其中使用涂镀技术从而在多 个电极的物理特性上获得比加工技术可获得的更精确的控制。
42.根据权利要求41的虚拟离子阱,其中虚拟离子阱还包括多 个电极,多个电极产生多个电聚焦场从而将离子俘获到相对面之间的 至少一个俘获体积中,其中由于该两个基本平行面之间的电极或其他 结构的不存在,通往该至少一个俘获体积的更多通路变得可能。
43.一种制造虚拟离子阱的方法,该虚拟离子阱提供通往布置于 其中的至少一个俘获体积的更多通路,所述方法包括步骤:
(1)提供具有大约相同尺寸的至少两个基本平行面,它们被取 向为以便具有相对面;以及
(2)使用允许在多个电极的定位和厚度上利用高精度的光刻技 术,将多个电极布置到该两个基本平行面的相对面上。
44.根据权利要求43的方法,其中该方法还包括使用该多个电 极产生多个电聚焦场从而将离子俘获到相对面之间的至少一个俘获体 积中的步骤,其中由于该两个基本平行面之间的电极或其他结构的不 存在,通往该至少一个俘获体积的更多通路变得可能。
45.根据权利要求44的方法,其中通过从包括施加选定电压到 多个电极上、修改多个电极的数目、修改多个电极的取向、修改多个 电极的性质、修改多个电极的形状的一组方法以及上述方法的任意组 合中选择一种方法来执行产生多个电聚焦场的步骤。
46.根据权利要求43的方法,其中该方法还包括在两个基本平 行面之间形成多个俘获体积的步骤。
47.根据权利要求46的方法,其中通过从包括施加选定电压到 多个电极上、修改多个电极的数目、修改多个电极的取向、修改多个 电极的性质、修改多个电极的形状的一组方法以及上述方法的任意组 合中选择一种方法来执行形成多个俘获体积的步骤。
48.根据权利要求43的方法,其中提供其上布置有多个电极的 两个基本平行面的步骤还包括产生虚拟电势面从而代替物理面的步 骤。
本发明一般地涉及根据带电粒子的质荷比进行离子的储存、分离 和分析,并且带电粒子来自原子、分子、粒子、亚原子粒子和离子。 更特别地,本发明是一种使用虚拟离子阱执行质谱测量的设备,其中 虚拟的方面关于电极的消除从而去除物理障碍,这导致通往俘获体积 的更开放的通路。
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