专利汇可以提供一种用于物联网加速器的等离激元谐振腔陀螺芯片专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 物联网 用 加速 器的等离激元 谐振腔 陀螺芯片,包括用于传导光 信号 并稳定其偏振态的两组轴对称设置的第一埋入式保偏光纤与第二埋入式保偏光纤,以及第一埋入式弯曲保偏光纤与第二埋入式弯曲保偏光纤、用于调谐谐振腔耦合比并实现 光信号 在谐振腔中单偏振传输的第一可调谐表面等离激元 耦合器 和第二可调谐表面等离激元耦合器。本发明的物联网用加速器的等离激元谐振腔陀螺芯片,通过可调谐表面等离激元耦合器与保偏光纤对接集成实现了陀螺谐振腔芯片,有效降低了光 信号传输 过程中的损耗,提高了谐振腔的清晰度,第一埋入式保偏光纤与第二埋入式保偏光纤轴对称的设计加强了调谐过程中的 稳定性 ,并彻底的去除没有偏振噪声。,下面是一种用于物联网加速器的等离激元谐振腔陀螺芯片专利的具体信息内容。
1.一种物联网用加速器的等离激元谐振腔陀螺芯片,其特征在于:包括用于传导光信号并稳定其偏振态的两组轴对称设置的第一埋入式保偏光纤与第二埋入式保偏光纤,以及第一埋入式弯曲保偏光纤与第二埋入式弯曲保偏光纤、用于调谐谐振腔耦合比并实现光信号在谐振腔中单偏振传输的第一可调谐表面等离激元耦合器和第二可调谐表面等离激元耦合器,所述第一埋入式弯曲保偏光纤、第二埋入式弯曲保偏光纤,与第一可调谐表面等离激元耦合器、第二可调谐表面等离激元耦合器形成谐振腔,所述第一可调谐表面等离激元耦合器和第二可调谐表面等离激元耦合器均为表面等离激元波导耦合器,所述第一埋入式保偏光纤、第二埋入式保偏光纤、第一埋入式弯曲保偏光纤和第二埋入式弯曲保偏光纤均埋设于第一可调谐表面等离激元耦合器和第二可调谐表面等离激元耦合器的外围层中,并与第一可调谐表面等离激元耦合器和第二可调谐表面等离激元耦合器对接集成。
2.根据权利要求1所述的物联网用加速器的等离激元谐振腔陀螺芯片,其特征在于:所述第一可调谐表面等离子体激元耦合器包括第一定向耦合器和第二定向耦合器,以及第一传输臂、第二传输臂、第三传输臂、第四传输臂,所述第一定向耦合器的第一端连通于第一传输臂,所述第一定向耦合器的第二端留有间隙的对接于第三传输臂的第一端,所述第二定向耦合器的第一端连通于第二传输臂,所述第二定向耦合器的第二端留有间隙的对接于第三传输臂的第二端,所述第一埋入式保偏光纤与第二埋入式保偏光纤还通过第四传输臂留有间隙的对接,所述第三传输臂一端通过电极引线与第一电极触点连接,所述第三传输臂另一端通过电极引线与第二电极触点连接,所述第四传输臂一端通过电极引线与第三电极触点连接,所述第四传输臂另一端通过电极引线与第四电极触点连接。
3.根据权利要求2所述的物联网用加速器的等离激元谐振腔陀螺芯片,其特征在于:所述第二可调谐表面等离子体激元耦合器包括第三定向耦合器,所述第三定向耦合器包括第五传输臂、第六传输臂、第七传输臂、第八传输臂,所述第一传输臂与第五传输臂通过第六传输臂留有间隙的对接,所述第二传输臂与第七传输臂通过第八传输臂留有间隙的对接,所述第六传输臂一端通过电极引线与第五电极触点连接,所述第六传输臂另一端通过电极引线与第六电极触点连接,所述第八传输臂一端通过电极引线与第七电极触点连接,所述第八传输臂另一端通过电极引线与第八电极触点连接,所述第六传输臂与第八传输臂之间设有半导体连接桥。
4.根据权利要求3所述的物联网用加速器的等离激元谐振腔陀螺芯片,其特征在于:所述间隙为2~4.5μm。
5.根据权利要求4所述的物联网用加速器的等离激元谐振腔陀螺芯片,其特征在于:所述第一埋入式保偏光纤、第二埋入式保偏光纤、第一埋入式弯曲保偏光纤、第二埋入式弯曲保偏光纤均埋设于第一可调谐表面等离激元耦合器和第二可调谐表面等离激元耦合器的外围层内,所述外围层内设有用于埋覆第一埋入式保偏光纤、第二埋入式保偏光纤的第一通道。
6.根据权利要求4所述的物联网用加速器的等离激元谐振腔陀螺芯片,其特征在于:所述第一埋入式保偏光纤、第二埋入式保偏光纤、第一埋入式弯曲保偏光纤和第二埋入式弯曲保偏光纤均埋设于第一可调谐表面等离激元耦合器和第二可调谐表面等离激元耦合器的外围层内,所述外围层内设有用于埋覆第一埋入式弯曲保偏光纤和第二埋入式弯曲保偏光纤的第二通道。
7.根据权利要求4所述的物联网用加速器的等离激元谐振腔陀螺芯片,其特征在于:所述表面等离激元波导包括依次堆叠成型的衬底、下包层、中层、芯层、上包层和覆盖层,所述芯层为半导体芯层,所述中层、上包层、芯层和覆盖层均为同种材料,所述中层的厚度与芯层与下包层的总厚度相等,所述下包层厚度为10~35μm,所述上包层厚度为10~25μm、宽度为15~20μm。
8.根据权利要求5至7任一所述的物联网用加速器的等离激元谐振腔陀螺芯片,其特征在于:所述第一通道、第二通道设于芯层中,所述第一通道、第二通道均为圆型槽,所述第一通道、第二通道外周设有金属保护层,所述金属保护层介于中层、芯层、和上包层中。
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