一种透明导电薄膜制作方法
专利汇可以提供一种透明导电薄膜制作方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种透明导电 薄膜 制作方法，光导体鼓的上方设有充电 电极 ，下方放置有网版，网版的下方设置有 光源 ，其步骤如下：在封闭遮光的黑暗环境下充电电极给光导体鼓表面充上均匀的电荷；光源通过网版对光导体鼓表面进行曝光；显影装置将带有与光导体鼓表面电荷相反的纳米 银 粉状颗粒带到光导体鼓附近，纳米银粉状颗粒 吸附 于光导体鼓表面； 基板 被送到光导体鼓下方，基板下方加0.3库仑电荷，使光导体鼓表面的纳米银粉状颗粒吸附到基板上；将表面吸附有纳米银粉状颗粒的基板进行 热处理 固化 ，并形成薄膜线路。本发明成本低、良率高，制作的透明导电薄膜阻抗低、线宽线距可做到0.01mm以下。，下面是一种透明导电薄膜制作方法专利的具体信息内容。
1.一种透明导电薄膜制作方法，光导体鼓的上方设有充电电极，下方放置有网版，网版的下方设置有光源，其特征在于，其步骤如下：
1）在封闭遮光的黑暗环境下充电电极给光导体鼓表面充上均匀的电荷；
2）光源通过网版对光导体鼓表面进行曝光；
3）显影装置将带有与光导体鼓表面电荷相反的纳米银粉状颗粒带到光导体鼓附近，纳米银粉状颗粒吸附于光导体鼓表面；
4）基板被送到光导体鼓下方，基板下方加0.3库仑电荷，使光导体鼓表面的纳米银粉状颗粒吸附到基板上；
5）将表面吸附有纳米银粉状颗粒的基板进行热处理固化，并形成薄膜线路。
2.根据权利要求1所述的透明导电薄膜制作技术，其特征在于，所述显影装置为圆筒状。
3.根据权利要求1所述的透明导电薄膜制作方法，其特征在于，所述热处理的温度为
70℃±5℃，时间为5s。
4.根据权利要求1所述的透明导电薄膜制作方法，其特征在于，所述网版上按照1:1的比例印有所需产品的线路图形。
5.根据权利要求1所述的透明导电薄膜制作方法，其特征在于，所述基板是玻璃或膜材。
一种透明导电薄膜制作方法
技术领域
背景技术
发明内容
2）光源通过网版对光导体鼓表面进行曝光；
3）显影装置将带有与光导体鼓表面电荷相反的纳米银粉状颗粒带到光导体鼓附近，纳米银粉状颗粒吸附于光导体鼓表面；
4）基板被送到光导体鼓下方，基板下方加0.3库仑电荷，使光导体鼓表面的纳米银粉状颗粒吸附到基板上；
5）将表面吸附有纳米银粉状颗粒的基板进行热处理固化，并形成薄膜线路。
具体实施方式
2）光源4通过网版3对光导体鼓2表面进行曝光；
3）显影装置5将带有与光导体鼓2表面电荷相反的纳米银粉状颗粒8带到光导体鼓附近，纳米银粉状颗粒8吸附于光导体鼓表面；
4）基板6被送到光导体鼓2下方，基板6下方加0.3库仑电荷，使光导体鼓2表面的纳米银粉状颗粒8吸附到基板6上；
5）将表面吸附有纳米银粉状颗粒8的基板进行热处理固化，并形成薄膜线路。
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