专利汇可以提供高导电纳米薄膜式探针卡的制造方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且高导电纳米 薄膜 式探针卡的制造方法,是先于一 基板 的一面上布设多数 纳米管 或 纳米线 ,使该等纳米管或纳米线直立于该基板上;以具有预定黏稠度的高分子 树脂 材料填充于该等纳米管或纳米线间并 固化 形成一高导电纳米薄膜,该薄膜具有一连结于该基板上的第一端、及一位于第一端的相对端的 位置 上的第二端;除去该薄膜第二端处的部分高分子材料;移除该基板,同时准备一陶瓷基板,该基板一面具有多数导接点,另一面则具有多数金属 凸 块 ;将该薄膜组装于该陶瓷基板上,使该其第一端处的预定纳米管或纳米线 接触 于该陶瓷基板上的导接点上;以蚀刻技术在该薄膜的第二端相对于各该金属凸块位置处分别形成凹洞,并于各该凹洞上分别填设一金属凸块。,下面是高导电纳米薄膜式探针卡的制造方法专利的具体信息内容。
1.一种高导电纳米薄膜的制造方法,其特征在于,包含有下列步 骤:
准备一基板:
于该基板的一面上,布设多数具良好导电性的纳米管或纳米线,使 该等纳米管或纳米线直立于该基板上;
以具有预定黏稠度的高分子树脂材料填充于该等纳米管或纳米线间 并固化之,以连结该等纳米管或纳米线而形成一高导电纳米薄膜,该薄 膜具有一连结于该基板上的第一端、及一位于第一端的相对端的位置上 的第二端;
除去该薄膜第二端处的部份高分子材料,使该第二端的纳米管或纳 米线露出。
2.依权利要求1所述的高导电纳米薄膜的制造方法,其特征在于, 其中,该基板是由非导磁材料所制成;而使该等纳米管或纳米线直立于 该基板上的方法,是先将该基板置于一磁铁平板上,在该基板上洒上该 等纳米管或纳米线,再以蒸镀、溅镀或电镀技术在该等纳米管或纳米线 上被覆导磁材料,如铁、镍等,使该等纳米管或纳米线具有导磁性,受 该磁铁平板的磁场作用而分别直立于该基板上。
3.依权利要求1所述的高导电纳米薄膜的制造方法,其特征在于, 其中,该等纳米管或纳米线是为纳米碳管或纳米碳线。
4.依权利要求1所述的高导电纳米薄膜的制造方法,其特征在于, 其中,该基板是以硅制成,而在该基板上布设直立于该基板上的纳米管 的方法,是预先于该基板上设置多数呈预定排列形态分布的触媒点;再 将该基板置于一化学气相沉积管中,并在适当的温度下导入含碳成分气 体,使该等触媒上长成有多数直立的纳米管。
5.依权利要求4所述的高导电纳米薄膜的制造方法,其特征在于, 其中,该等触媒点的形成方法,是先利用蒸镀、溅镀或电镀方式于该基 板的一面上形成一层触媒,如铁或镍等,再以HF高频浸渍或NH3预处 理蚀刻该层触媒,使该层触媒形成依预定排列形态分布的触媒点。
6.依权利要求1所述的高导电纳米薄膜的制造方法,其特征在于, 其中,该高分子树脂材料是为环氧树脂。
7.一种高导电纳米薄膜式探针卡的制造方法,其特征在于,包含 有下列步骤:
准备一基板;
于该基板的一面上,布设多数具良好导电性的纳米管或纳米线,使 该等纳米管或纳米线直立于该基板上;
以具有预定黏稠度的高分子树脂材料填充于该等纳米管或纳米线间 并固化,以连结该等纳米管或纳米线而形成一高导电纳米薄膜,该薄膜 具有一连结于该基板上的第一端、及一位于第一端的相对端的位置上的 第二端;
除去该薄膜第二端处的部份高分子材料,使该第二端的纳米管或纳 米线露出;
移除该基板,同时准备一陶瓷基板,该基板一面具有多数导接点, 另一面则具有多数金属凸块,且该等金属凸块是分别与该等导接点导通;
将该薄膜组装于该陶瓷基板上,使该其第一端处的预定纳米管或纳 米线接触于该陶瓷基板上的导接点上;
以蚀刻技术在该薄膜的第二端相对于各该导接点位置处分别形成凹 洞,并于各该凹洞上分别填设一金属凸块。
8.依权利要求7所述的高导电纳米薄膜式探针卡的制造方法,其 特征在于,其中,是以研磨的方式除去该薄膜第二端处的部份高分子材 料。
9.依权利要求7所述的高导电纳米薄膜式探针卡的制造方法,其 特征在于,其中,是以蚀刻的方式除去该薄膜第二端处的部份高分子材 料。
10.依权利要求7所述的高导电纳米薄膜式探针卡的制造方法, 其特征在于,其中,该陶瓷基板上的金属凸块分别位于所在面上相对于 该等导接点的位置上。
11.依权利要求10所述的高导电纳米薄膜式探针卡的制造方法, 其特征在于,其中,该陶瓷基板上的各导接点与各金属凸块间是分别以 一镀通孔连通。
12.一种高导电纳米薄膜式探针卡,其特征在于,其包含有:
一陶瓷基板,该基板一面上具有多数导接点,另一面则设有多数金 属凸块,且各该导接点导通各该金属凸块;
一高导电纳米薄膜,包含有多数呈预定间距相隔且大致上相互平行 的多数纳米管或纳米线;该薄膜是一端接设于该基板上具有该等导接点 的一面上,且该端处的预定纳米管纳米线端部是导接于该等导接点上;
多数探针,是为结合于该薄膜的另一端上相对应于该等导接点位置 上的多数金属凸柱。
13.依权利要求12所述的高导电纳米薄膜式探针卡,其特征在 于,其中,该等金属凸块分别位于所在面上相对于该等导接点的位置上。
14.依权利要求12所述的高导电纳米薄膜式探针卡,其特征在 于,其中,各该导接点与各该金属凸块间各由一镀通孔导通。
本发明是与针测电子元件用的探针卡的制造方法有关,特别是指一 种高导电纳米薄膜式探针卡的制造方法。
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