1.一种热传感器，具有提供在第一衬底中的第一辐射感应元件，所述第一辐射感应元件提供指示该感应元件上的入射辐射强度的输出，所述传感器还包括位于第一辐射感应元件和共同位于相同的第一衬底上的热源之间的热阻挡体，所述热阻挡体包括至少一组沟槽，每组具有至少第一和第二沟槽，每组的各沟槽由排空的腔彼此隔开，所述热阻挡体与第一辐射感应元件和所述热源中的每个物理隔离。
2.如权利要求1中的传感器，其中所述热阻挡体的尺寸被形成为使得其在实质上与衬底的表面垂直的平面内垂直延伸进入所述衬底。
3.如权利要求1中的传感器，其中所述腔由除了空气之外的气体填充。
4.如权利要求1中的传感器，其中所述腔的尺寸被形成为使得其在第一辐射感应元件下方延伸。
5.如权利要求4中的传感器，其中在第一辐射感应元件周围环状地布置沟槽并且所述腔在该感应元件下方完全地延伸。
6.如权利要求1中的传感器，其中所述衬底由绝缘体上硅晶片形成并且所述热阻挡体向下延伸以到达所述晶片的绝缘体部分。
7.如权利要求1中的传感器，还包括形成在第一衬底中的第二辐射感应元件和形成在第二衬底中的第一和第二盖，第一和第二衬底彼此相对布置以使得第一和第二辐射感应元件的每个具有提供于其上方的相应的盖，其中用于第一辐射感应元件的盖允许通过该盖并到达该辐射感应元件上的入射辐射的传导，用于第二辐射感应元件的盖改变通过该盖并到达第二辐射感应元件上的辐射的传导，所述热阻挡体在第二辐射感应元件和共同位于第一衬底上的热源之间提供附加的热绝缘。
8.如权利要求7中的传感器，其中用于第一辐射感应元件的盖包括构造用于提供入射辐射到第一辐射感应元件上的聚焦的光学元件。
9.如权利要求7中的传感器，其中用于第二辐射感应元件的盖包括反射该盖上入射的辐射的反射涂层。
10.如权利要求7中的传感器，其中用于第二辐射感应元件的盖包括光学不透明涂层，从而防止通过该盖并到达第二辐射感应元件上的辐射的传导。
11.如权利要求7中的传感器，其中第一和第二衬底彼此相对的布置在每个盖和它们相应的辐射感应元件之间限定腔。
12.如权利要求11中的传感器，其中用于第一和第二辐射感应元件的各腔彼此成流体连通。
13.如权利要求11中的传感器，其中用于第一和第二辐射感应元件的每个腔与用于第一和第二辐射感应元件的另外的腔隔离。
14.如权利要求7中的传感器，其中第一和第二衬底由硅提供。
15.如权利要求7中的传感器，其中第一和第二辐射感应元件为红外线传感器元件。
16.如权利要求8中的传感器，其中至少一个光学元件为衍射光学元件。
17.如权利要求8中的传感器，其中至少一个光学元件为折射光学元件。
18.如权利要求11中的传感器，其中所述腔内的环境条件和成分能够被指定。
19.如权利要求18中的传感器，其中所述腔设置在低于周围压力的压力下。
20.如权利要求18中的传感器，其中所述腔填有为了传感器要被使用的应用而选择的气体成分。
21.如权利要求20中的传感器，其中所述气体成分包括具有比氮气的热导率低的热导率的气体。
22.如权利要求8中的传感器，其中所述光学元件形成在所述盖的内表面中、邻近所述辐射感应元件。
23.如权利要求8中的传感器，其中所述光学元件形成在所述盖的外表面中、远离所述辐射感应元件。
24.如权利要求8中的传感器，其中，在用于第一辐射感应元件的盖的内表面和外表面中都形成有光学元件，所述光学元件的组合形成复合透镜。
25.如权利要求8中的传感器，其中形成有多个辐射感应元件并且所述光学元件构造成选择性地引导特定波长的辐射到所述多个辐射感应元件的预先选定的辐射感应元件。
26.如权利要求7中的传感器，其中用于第一和第二辐射感应元件的盖形成在相同的第二衬底中，所述传感器附加地包括形成在第三衬底中的外盖，第三衬底位于第二衬底之上，形成在第三衬底中的盖包括光学元件。
27.如权利要求7中的传感器，其中在布置第一和第二衬底的每个与另一个彼此相对时，每个盖利用侧壁形成，所述侧壁从第一衬底向上延伸并支撑其间的顶部，该顶部位于实质上平行于各辐射感应元件的平面中。
28.如权利要求27中的传感器，其中第一和第二辐射感应元件的每个与另一个彼此相邻，提供在其上方的各盖共享从所述顶部向下延伸的共用中心柱，从而限定用于第一和第二辐射感应元件各自的室。
29.如权利要求28中的传感器，其中用于第二辐射感应元件的室被处理，以防止穿过盖并到达第二辐射感应元件上的辐射的传导。
30.如权利要求29中的传感器，其中所述处理包括所述室的侧壁的掺杂。
31.如权利要求29中的传感器，其中所述处理包括在用于第二辐射感应元件的盖的顶部上施加反射涂层。
32.如权利要求28中的传感器，其中所述中心柱不完全地从所述顶部向第一衬底延伸，从而在所述柱的下表面和第一衬底的上表面之间限定缝隙。
33.如权利要求32中的传感器，其中所述缝隙的宽度可与被感应的入射辐射的波长相比。
34.如权利要求32中的传感器，其中所述缝隙的供给允许用于第一和第二辐射感应元件的室之间压力均衡。
35.如权利要求7中的传感器，其中第一和第二辐射感应元件的每个提供为热辐射测量仪。
36.如权利要求7中的传感器，其中第一和第二辐射感应元件中一个的至少一部分悬置在被限定在第一衬底中的腔的上方，所述腔提供了第一衬底和提供于其上方的辐射感应元件之间的热绝缘。
37.如权利要求26中的传感器，其中第一和第二辐射感应元件布置成惠斯通电桥结构。
38.如权利要求37中的传感器，其中惠斯通电桥结构由具有第一对电阻器的第一辐射感应元件和具有第二对电阻器元件的第二辐射感应元件提供，来自每对的电阻器定义惠斯通电桥的相对的臂。
39.如权利要求38中的传感器，其中在惠斯通电桥的相对的臂上的各电阻器共同位于热绝缘台上。
40.如权利要求39中的传感器，其中所述热绝缘台使用微电子机械技术制造。
41.如权利要求1中的传感器，其中形成所述热阻挡体的沟槽每个由热绝缘材料填充。
42.如权利要求1中的传感器，还包括多个芯片温度传感器，所述多个芯片温度传感器的每个都提供指示该芯片温度传感器所在芯片的温度的输出。
43.如权利要求42中的传感器，其中所述多个芯片温度传感器在所述芯片周围布置，以便给出多个输出测量值，每个输出测量值与该芯片温度传感器的位置处的温度有关。
44.如权利要求43中的传感器，其中所述多个芯片传感器的至少一部分位于所述热阻挡体的相对的侧，以便给出指示在所述热阻挡体的每侧的芯片温度的输出测量值。
45.一种传感器阵列，包括多个传感器，每个所述传感器都具有工作传感器元件和参考传感器元件，所述工作传感器元件形成在第一衬底中且具有形成在第二衬底中的光学元件，第一和第二衬底构造成彼此相对以使得第二衬底形成在所述传感器元件之上的盖，所述光学元件构造成把在所述盖上的入射辐射引导到所述工作传感器元件，所述参考传感器元件也形成在第一衬底中且具有形成在第二衬底中的盖，第一和第二衬底构造成彼此相对以使得所述盖位于所述参考传感器元件之上，该盖用于使所述参考传感器元件从在该盖上的入射辐射的至少一部分被屏蔽，其中衬底包括至少一个附加的热源，通过提供从衬底的上表面向下延伸并进入衬底内以及位于所述热源和所述多个传感器之间的热阻挡体使得所述热源与所述多个传感器热隔离，所述热阻挡体包括至少一组沟槽，每组沟槽具有由排空的腔彼此隔开的至少第一和第二沟槽，所述热阻挡体与所述多个传感器和所述热源中的每个物理隔离。
46.权利要求45的传感器阵列，其中所述传感器阵列的输出限定了图象面。
47.权利要求45的传感器阵列，其中所述热阻挡体包括至少一个沟槽组，所述沟槽组具有由腔彼此隔开的至少第一和第二沟槽。
48.一种识别传感器，构造成提供对发热体进行感应的信号，所述传感器包括第一传感器元件和第二传感器元件，所述第一传感器元件构造成提供感应离所述传感器第一距离的发热体的信号，所述第二传感器元件构造成提供感应离所述传感器第二距离的对象的信号，第一和第二传感器元件每个都包括形成在第一衬底中的至少一个感应元件以及形成在第二衬底中的至少一个光学元件，第一和第二衬底构造成彼此相对以使得第二衬底形成在所述至少一个感应元件之上的盖，所述至少一个光学元件构造成把在所述盖上的入射辐射引导到所述至少一个感应元件，所述传感器还包括位于各传感器元件与共同位于相同的第一衬底上的衬底提供的热源之间的热阻挡体，所述热阻挡体包括至少一个沟槽组，每个沟槽组具有由排空的腔彼此隔开的至少第一和第二沟槽，所述热阻挡体与所述至少一个感应元件和所述热源物理隔离。
49.权利要求48的识别传感器，其中第一和第二传感器元件各自的所述至少一个感应元件形成在相同的衬底中。
50.权利要求48的识别传感器，其中所述对象为人的躯干。
51.一种气体分析仪，包括形成在第一衬底中的至少一个传感器元件和形成在第二衬底中的至少一个光学元件，第一和第二衬底构造成彼此相对以使得第二衬底形成在所述至少一个传感器元件之上的盖，所述至少一个光学元件构造成把在所述盖上的入射辐射引导到所述至少一个传感器元件，被引导的入射辐射具有指示特定气体存在的波长，所述气体分析仪包括形成在第一衬底中的至少一个参考传感器元件并且具有形成在第二衬底中的用于所述至少一个参考传感器元件的盖，该盖用于使参考传感器元件从该盖上的入射辐射被屏蔽，以使得参考传感器元件提供独立于入射辐射强度的输出，其中通过在所述分析仪和共同位于第一衬底上的热源之间提供热阻挡体，使得所述分析仪热绝缘于所述热源，所述热阻挡体包括从第一衬底的上表面向下垂直延伸到第一衬底内的至少一对沟槽，所述沟槽通过排空的腔彼此隔开，使得所述热阻挡体与所述至少一个传感器元件，所述至少一个参考传感器元件和所述热源中的每个物理隔离。
52.权利要求51的气体分析仪，包括多个传感器元件和多个相关的光学元件，组合的传感器元件和光学元件的每个被构造用于特定波长分析，以使得所述多个传感器元件的输出可用来提供气体波长特征谱。
53.一种形成传感器的方法，该方法包括步骤：
在第一衬底中形成至少一个传感器元件和至少一个参考传感器元件，
形成围绕各传感器元件的热阻挡体，该热阻挡体包括从衬底的上表面向下延伸到衬底内并通过排空的腔彼此隔开的沟槽对，所述热阻挡体使各传感器元件热绝缘于共同位于第一衬底上的其他热源，所述热阻挡体与所述至少一个传感器元件，所述至少一个参考传感器元件和所述其他热源中的每个物理隔离，
在第二衬底中形成光学元件和屏蔽盖，
将第一和第二衬底接合到一起以使得第二衬底提供在所述传感器元件之上的所述光学元件，所述光学元件构造成引导入射辐射到达所述传感器元件上，并且第二衬底提供在所述参考传感器之上的所述屏蔽盖，所述屏蔽盖用于防止在该盖上的入射辐射的至少一部分传导到所述参考传感器元件上。
54.一种以半导体工艺制造的电磁传感器，所述传感器包括形成在第一衬底中的第一和第二感应元件，第一和第二感应元件的每个具有限定于其上方的相应的盖，各盖形成在第二衬底中并且可安装到第一衬底上，其中形成在第一感应元件之上的盖允许通过该盖到达该感应元件上的辐射的传导，形成在第二感应元件之上的盖过滤通过该盖到达该感应元件上的辐射的传导，以使得相对于入射到第一感应元件上的辐射来减小入射到第二感应元件上的辐射，并且所述传感器提供在第一衬底上的热隔离区内，通过在所述传感器和共同位于第一衬底上的热源之间设置至少一对沟槽来提供隔离，沟槽对的各沟槽通过排空的腔彼此隔开，使得热阻挡体与所述传感器和热源中的每个物理隔离。
55.一种热传感器，具有设置在第一衬底中的第一辐射感应元件，所述辐射感应元件构造成提供指示该感应元件上的入射辐射强度的输出，所述传感器还包括位于第一辐射感应元件和共同位于相同的第一衬底中的热源之间的热阻挡体，所述热阻挡体包括至少一组沟槽，每组具有由排空的腔彼此隔开的至少第一和第二沟槽，所述腔提供了衬底材料在所述感应元件与所述热源之间的断开，所述热阻挡体与所述辐射感应元件和所述热源中的每个物理隔离。
56.一种热传感器，具有设置在第一衬底中的第一辐射感应元件，所述辐射感应元件构造成提供指示该感应元件上的入射辐射强度的输出，所述传感器还包括位于第一辐射感应元件和共同位于相同的第一衬底上的热源之间的热阻挡体，所述热阻挡体包括至少一组沟槽，每组具有由排空的腔彼此隔开的至少第一和第二沟槽，所述腔的尺寸被形成为使得其在第一辐射感应元件下方延伸，其中在第一辐射感应元件周围环状地布置沟槽并且所述腔在所述感应元件下方完全地延伸，所述热阻挡体与所述辐射感应元件和所述热源中的每个物理隔离。
57.一种热传感器，具有设置在第一衬底中的第一辐射感应元件，所述辐射感应元件构造成提供指示该感应元件上的入射辐射强度的输出，所述传感器还包括完全位于衬底内并位于第一辐射感应元件与共同位于相同的第一衬底上的热源之间的热阻挡体，所述热阻挡体包括至少一组沟槽，每组具有由排空的腔彼此隔开的至少第一和第二沟槽，其中衬底由绝缘体上硅晶片形成，并且所述热阻挡体从衬底的上表面向下延伸以到达晶片的绝缘体部分，所述热阻挡体与第一辐射感应元件和所述热源物理隔离。
58.一种热传感器，具有设置在第一衬底中的第一辐射感应元件，所述辐射感应元件提供指示该感应元件上的入射辐射强度的输出，所述传感器还包括位于第一辐射感应元件与共同位于相同的第一衬底上的热源之间的热阻挡体，所述热阻挡体包括至少一组沟槽，每组具有由排空的腔彼此隔开的至少第一和第二沟槽，所述传感器还包括形成在第一衬底中的第二辐射感应元件及形成在第二衬底中的第一和第二盖，第一和第二衬底彼此相对布置以使得第一和第二辐射感应元件的每个具有提供于其上方的相应的盖，其中用于第一辐射感应元件的盖允许通过该盖并到达该辐射感应元件上的入射辐射的传导，用于第二辐射感应元件的盖改变通过该盖并到达第二辐射感应元件上的辐射的传导，所述热阻挡体在第二辐射感应元件和共同位于第一衬底上的热源之间提供附加的热绝缘，以及其中在布置第一和第二衬底的每个与另一个彼此相对时，每个盖利用侧壁形成，所述侧壁从第一衬底向上延伸并支撑其间的顶部，该顶部位于实质上平行于各辐射感应元件的平面中，各盖共享从所述顶部向下延伸的共用中心柱，从而限定用于第一和第二辐射感应元件各自的室。