专利汇可以提供用于芯片实验室的声表面波微流体驱动器及其制造方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种微 机电系统 技术领域的用于 芯片实验室 的声表面波微 流体 驱动器 及其制造方法。本 发明 驱动器包括:基底、 叉指换能器 和微流体 沟道 ,基底是128°Y-X的铌酸锂单晶体,其上是相互交叉的叉指 电极 形成的IDT,微流体沟道与基底结合,本发明采用浮动电极型单向换能器结构设计来实现微流体的单方向驱动。方法步骤:①浮动电极型单向换能器的加工;②微流体沟道的微加工;③基底与微流体沟道的结合。本发明整个加工过程完全可以通过基于 半导体 材料微制造方法来制作,由于其本身无活动微部件, 对流 体介质无损伤等特点,使其具有工作可靠、稳定、寿命长等优点。,下面是用于芯片实验室的声表面波微流体驱动器及其制造方法专利的具体信息内容。
1.一种用于芯片实验室的声表面波微流体驱动器,其特征在于,包括:基底、 叉指换能器和微流体沟道,其中,基底是128°Y-X的铌酸锂单晶体,其上是相 互交叉的叉指电极形成的叉指换能器,微流体沟道与基底结合。
2.根据权利要求1所述的用于芯片实验室的声表面波微流体驱动器,其特征 是,所述叉指换能器为浮动电极型单向换能器,即在现有叉指换能器正负电极 之间设置条型和U型浮动电极构成。
3.根据权利要求1或2所述的用于芯片实验室的声表面波微流体驱动器,其 特征是,所述条型和U型浮动电极,它们的具体位置关系是:每个电极周期包 含了一个U型浮动电极,两个条型电极和一对正负电极,其中,一个条型电极 和一个负电极位于一个U型浮动电极的U型区域内,另外一个条型电极位于U 型区域之外。
4.根据权利要求1所述的用于芯片实验室的声表面波微流体驱动器,其特征 是,所述微流体沟道,其材料为聚二甲基硅氧烷。
5.一种用于芯片实验室的声表面波微流体驱动器的制造方法,其特征在于, 包括如下步骤:
①浮动电极型单向换能器的加工;
②微流体沟道的微加工;
③基底与微流体沟道的结合;
所述的浮动电极型单向换能器的加工,具体为:
首先,在铌酸锂基底上溅射一层Al,其次,在Al层上涂敷光刻胶,进行光刻 形成光刻胶图形,
然后,对Al进行刻蚀,
最后去除光刻胶得到浮动电极型单向换能器结构,该结构是在正负电极之 间,配置了浮动电极;
所述的微流体沟道的微加工,具体为:
首先,在Si基底上溅射一层Al,
其次,用Al形成Si的感应耦合反应离子刻蚀的掩模图案,
接着,对Si进行感应耦合反应离子刻蚀和对Al进行刻蚀得到微流体沟道的互 补模型,
最后用聚二甲基硅氧烷涂敷模型得到聚二甲基硅氧烷微流体沟道。
6.根据权利要求5所述的用于芯片实验室的声表面波微流体驱动器的制造方 法,其特征是,所述的涂敷光刻胶,在铌酸锂基底上溅射一层Al,工艺条件是 在0.6Pa的Ar气条件下溅射40分钟,溅射功率为600W,在Al层上涂敷光刻胶。
7.根据权利要求5所述的用于芯片实验室的声表面波微流体驱动器的制造方 法,其特征是,所述的涂敷光刻胶,在铌酸锂基底上溅射一层Al,工艺条件是 在1000rpm下转5秒,在Al层上涂敷光刻胶。
8.根据权利要求5所述的用于芯片实验室的声表面波微流体驱动器的制造方 法,其特征是,所述的涂敷光刻胶,在铌酸锂基底上溅射一层Al,工艺条件是 在3500rpm下转25秒的条件下,在Al层上涂敷光刻胶。
9.根据权利要求5-8中的任一项所述的用于芯片实验室的声表面波微流体 驱动器的制造方法,其特征是,所述的涂敷光刻胶,在曝光量为35mJ/cm2的条件 下进行光刻形成光刻胶图形。
10.根据权利要求5所述的用于芯片实验室的声表面波微流体驱动器的制造 方法,其特征是,所述的基底与微流体沟道的结合通过粘合剂实现。
本发明涉及一种微机电系统技术领域的驱动器及其制造方法,具体是一种用 于芯片实验室的声表面波微流体驱动器及其制造方法。
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