微型功率晶体管
专利汇可以提供微型功率晶体管专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型涉及一种微型功率晶体管，低掺杂N型 硅 的集电区上设有高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的发射区，所述发射区为若干等距离间隔排列的方形柱状发射区，每个所述方形柱状发射区上设有发射区引线孔，发射区引线由发射极 金属化 电极 条连接至发射极电极；每个所述方形柱状发射区四 角 基区上设有基区引线孔，基极引线由基极金属化电极条连接至基极电极；基极金属化电极条和发射极金属化电极条之间通过绝缘槽分隔开；集电区上，基区外围处设有保护环结构，集电区、保护环、发射区、基区上设有 碳 纳米层；碳纳米层、发射区、基区上沉积 阳极 金属；集电区背面沉积 阴极 金属。本实用新型的高反压功率晶体管VCBO高，集电极 电流 IC较大，尺寸小。，下面是微型功率晶体管专利的具体信息内容。
1.一种微型功率晶体管，硅晶片尺寸为2.45mm×2.45mm，低掺杂N型硅的集电区上设有高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的发射区，其特征在于，所述发射区为若干等距离间隔排列的方形柱状发射区，每个所述方形柱状发射区上设有发射区引线孔，发射区引线由发射极金属化电极条连接至发射极电极；每个所述方形柱状发射区四角基区上设有基区引线孔，基极引线由基极金属化电极条连接至基极电极；基极金属化电极条和发射极金属化电极条之间通过绝缘槽分隔开；所述低掺杂N型硅的集电区上，高掺杂的P型基区外围处设有保护环结构，所述低掺杂N型硅的集电区、保护环、高掺杂N型硅的发射区、高掺杂P型硅的基区上设有碳纳米层；所述碳纳米层、高掺杂N型硅的发射区、高掺杂P型硅的基区上沉积阳极金属；低掺杂N型硅的集电区背面沉积阴极金属；所述低掺杂N型硅的集电区上，高掺杂的P型基区外围处设有三个保护环结构，最外围为高掺杂N型硅保护环，高掺杂N型硅保护环和高掺杂的P型基区之间设有两个高掺杂P型硅保护环，三个保护环结构从外到内依次为高掺杂N型硅的第一保护环、高掺杂P型硅的第二保护环和高掺杂P型硅的第三保护环。
2.根据权利要求1所述的微型功率晶体管，其特征在于，所述保护环结构宽度为254μm，高掺杂P型硅的保护环宽度为12μm，深度150μm，高掺杂N型硅保护环宽度为35μm；第一保护环、第二保护环、第三保护环和高掺杂的P型硅基区的横向距离依次为90μm、55μm、50μm。
3.根据权利要求1所述的微型功率晶体管，其特征在于，所述发射区为若干等距离间隔排列的方形柱状发射区，方形柱状发射区所属晶格单元尺寸为158μm×110μm，硅晶片内晶格单元总数为166个。
4.根据权利要求1所述的微型功率晶体管，其特征在于，所述发射区引线孔为尺寸为54μm×64μm的方形孔，发射区金属化电极条宽度为64μm；所述基区引线孔为尺寸为30μm×60μm的方形孔，基区金属化电极条宽度为74μm。
5.根据权利要求1所述的微型功率晶体管，其特征在于，所述绝缘槽的宽度为15μm。
6.根据权利要求1所述的微型功率晶体管，其特征在于，所述低掺杂N型硅的集电区电阻率为100Ω·cm。
7.根据权利要求1所述的微型功率晶体管，其特征在于，所述碳纳米层、高掺杂N型硅的发射区、高掺杂P型硅的基区上沉积金属Al作为阳极，低掺杂N型硅的集电区背面沉积金属Ag作为阴极；阳极金属和阴极金属外设有保护膜。
微型功率晶体管
技术领域
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具体实施方式
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