制冰方法
阅读：847发布：2023-03-02
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1.一种制冰方法，包括：
制冰起始操作S100，在S100中通过冰形成单元来形成冰；
冰释放时间确定操作S200，在S200中，借助探测信号和制冰推移时间来确定冰被释放的时间点，所述探测信号来自用于探测冰形成物是否达到期望水平的探测单元，而所述制冰推移时间则是在冰形成物被所述冰形成单元起始之后推移的时间；以及冰释放操作S300，在S300中，当在所述冰释放时间确定操作中确定了冰被释放的时间点时，将所形成的冰释放。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述冰释放时间确定操作中，当所述制冰推移时间与预设最大制冰时间相等时，即使并未由所述探测单元确定所述冰形成物已达到所述期望水平，仍将所述最大制冰时间确定为冰释放时间。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述冰释放时间确定操作中，即使在由所述探测单元确定所述冰形成物已达到所述期望水平时、所述制冰推移时间小于预设最小制冰时间，可确定仍需在所述最小制冰时间届满时将冰释放。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述最小制冰时间是预先设定的最大制冰时间的80％至90％。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述最大制冰时间或所述最小制冰时间根据室外温度而改变。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在将水供给至盘构件之后，所述冰形成单元在其中具有水的盘构件中形成冰，且所述探测单元探测在所述盘构件中的所述冰形成物是否达到期望水平。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述探测单元包括回转构件和传感器，所述回转构件设置成在所述盘构件中回转，而所述传感器与所述回转构件相关联，并且所述探测单元探测在浸渍构件上的所述冰形成物是否已达到期望水平。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述冰形成单元包括一个或多个浸渍构件，所述一个或多个浸渍构件浸在所述盘构件中的水内，并且制冷剂在所述浸渍构件中流动。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述制冰操作S100中，将水供给至所述盘构件，使得所述一个或多个浸渍构件浸在所述浸渍构件中，并且将冷的制冷剂供给至所述一个或多个浸渍构件以在所述浸渍构件上形成冰，在所述冰释放时间确定操作S200中，将所述冷的制冷剂供给至所述浸渍构件的时间点是冰开始形成的时间点，而在所述冰释放操作S300中，将形成在所述一个或多个浸渍构件上的冰释放。
10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述冰释放操作S300中，将热的制冷剂供给至所述一个或多个浸渍构件中，以将形成在所述一个或多个浸渍构件上的冰释放。
11.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述冰形成单元包括：
一个或多个浸渍构件，所述一个或多个浸渍构件浸在所述盘构件的水中；以及热电模块，所述热电模块连接于所述一个或多个浸渍构件。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，在所述制冰操作S100中，供给水以使得所述一个或多个浸渍构件能浸在所述盘构件中，并驱动所述热电模块以在所述浸渍构件上形成冰，在所述冰释放时间确定操作S200中，驱动所述热电模块的时间点是冰开始形成的时间点，而在所述冰释放操作S300中，将形成在所述一个或多个浸渍构件上的冰释放。
13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，在所述冰释放操作S300中，逆向驱动所述热电模块，以将形成在所述一个或多个浸渍构件上的冰释放。
14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述冰形成单元包括：
一个或多个制冰销，制冷剂在所述一个或多个制冰销中流动，
喷射外壳，所述喷射外壳包括一个或多个制冰销插入孔，所述一个或多个制冰销插入到所述制冰销插入孔中，并且所述制冰销插入孔允许将水注入其中；
一个或多个注射器，所述一个或多个注射器形成在所述制冰销插入孔中，以使得水能通过所述注射器喷射至所述制冰销以形成冰；以及
存储箱，所述存储箱用于收集在喷注至所述制冰销时未冷冻的水以保持存储水，并且所述存储箱连接于所述喷射外壳以将水供给至所述喷射外壳。
15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述冰形成单元包括：
制冰板，所述制冰板包括制冷剂在其中流动的蒸发器并且具有一个或多个单元；以及喷嘴，所述喷嘴连接于供水源并且将水喷注至每个单元以形成冰。
制冰方法
技术领域
背景技术
[0002] 制冰器IM设计成制作冰I，并且此种制冰器IM设置在净水器、冰箱等等装置中。
[0003] 如图1所示，制冰器IM包括蒸发器E，其中冷的制冷剂或热的制冷剂在制冷循环中流动（图未示出）。此外，一个或多个浸渍构件D连接于蒸发器E，且冷的制冷剂或热的制冷剂可在浸渍构件D中流动。盘构件T也设置在制冰器IM中。水保持在盘构件T中，且多个浸渍构件D浸在盘构件T的水中。因此，在一个或多个浸渍构件D浸在盘构件T内的情形下，在冷的制冷剂在浸渍构件D中流动时，冰I形成在浸渍构件D中。冰I形成在浸渍构件D上之后，当热的制冷剂在浸渍构件D中流动时，形成在浸渍构件D上的冰I会从浸渍构件D中分离出。即，冰I被释放。
[0004] 同时，为了使制冰器IM能制作具有期望尺寸的冰I，可探测（或者确定）冰I的尺寸，并且在冰形成物已达到期望水平时，可将冰I释放。在此种情形中，为了探测冰I的形成物是否已到达期望水平，如图1所示，可采用回转构件C和传感器S，该回转构件设置成在盘构件T中回转，而传感器与回转构件C相关联。
[0005] 如图1所示，回转构件C可包括接触构件Ca和电磁波反射构件Cb，而传感器S则可包括电磁波发射构件S1和电磁波接收构件S2。当冰I的形成物并未达到期望水平时，根据回转构件C的回转，从电磁波发射构件S 1发出的电磁波会由回转构件C的电磁波反射构件Cb反射，并由电磁波接收构件S2接收。
[0006] 同时，在冰形成物已到达期望水平时，根据回转构件C的回转，回转构件C的接触构件Ca与冰I接触，使得从电磁波发射构件S1发出的电磁波不会由电磁波接收构件S2接收。然后，在确定冰I的形成物已到达期望水平时，将冰I释放。
[0007] 在该制冰方法中，如果外来物体（即，碎片）之类附连至传感器S时，即使冰I的形成物已达到期望水平，由电磁波发射构件S1所发出的电磁波仍会由电磁波接收构件S2接收，从而可能持续地确定冰I的形成物并未达到期望的水平。此外，如果外来物体之类由回转构件C捕获，即使冰I的形成物并未达到期望水平，但由于从电磁波发射构件S1所发出的电磁波仍不会由电磁波接收构件S2接收，从而会探测（或确定）冰I的形成物已达到期望的水平。
[0008] 也就是说，诸如回转构件C、传感器S之类冰（I）尺寸探测单元发生故障会导致无法制作具有期望尺寸的冰I。
[0009] 同时，在上述描述中，将浸渍型制冰器作为示例，其中制冷剂在浸渍型制冰器中流动且该浸渍型制冰器包括浸在盘构件D的水中的浸渍构件D，然而在任何其它类型的制冰器中也会产生相同的问题。例如，水流型制冰器或喷注型（或喷射式）制冰器也会具有相同的问题，在水流型制冰器中，水喷射至制冰销，且制冷剂在制冰销中流动以在制冰销上形成冰，而在喷注型制冰器中，水喷射至制冰板，该制冰板提供制冷剂在其中流动的蒸发器并且包括一个或多个单元以在一个或多个单元中制冰。
发明内容
[0010] 技术问题
[0011] 在认识到如上所述相关领域制冰方法产生的至少一个需求或导致的问题之后得到本发明。
[0012] 本发明的一个方面是提供一种制冰方法，该制冰方法能够甚至在用于探测冰形成物是否达到期望水平的探测单元发生故障的情形下、在经过特定时间段后将冰释放。
[0013] 本发明的另一方面是提供一种制冰方法，该制冰方法能够甚至在用于探测冰形成物是否达到期望水平的探测单元发生故障的情形下、制作具有期望尺寸的冰。
[0014] 技术方案
[0015] 与用于实现至少一个前述目的的实施例相关的制冰方法可具有以下特征。
[0016] 本发明实现甚至在用于探测冰形成物是否达到期望水平的探测单元发生故障的情形下、能够在经过特定时间段后将冰释放。
[0017] 根据本发明的一个方面，提供一种制冰方法，该方法包括：制冰起始步骤，在该制冰起始步骤中，通过冰形成单元来形成冰；冰释放时间确定步骤，在该冰释放时间确定步骤中，借助探测信号和制冰流逝时间来确定冰被释放的时间点，探测信号来自用于探测冰形成物是否达到期望水平的探测单元，而制冰推移时间是在冰形成物被冰形成单元起始之后流逝的时间；以及冰释放步骤，在该冰释放步骤中，在冰释放时间确定步骤中确定了冰被释放的时间点后，将所形成的冰I释放。
[0018] 在该冰释放时间确定步骤中，在制冰推移时间与预设最大制冰时间相等时，即使并未由探测单元探测到（或确定）冰形成物已达到期望水平，仍将最大制冰时间确定为冰释放时间。
[0019] 在冰释放时间确定步骤中，即使在由探测单元探测到（或确定）冰形成物已达到期望水平时、制冰推移时间小于预设最小制冰时间，但可确定仍在最小制冰时间届满时将冰释放。
[0020] 最小制冰时间可以是预先设定的最大制冰时间的80％至90％。
[0021] 最大制冰时间和最小制冰时间可根据室外温度而改变。
[0022] 在将水供给至盘构件之后，冰形成单元可在其中具有水的盘构件中形成冰，且该探测单元可探测到在盘构件中的冰形成物是否达到期望水平。
[0023] 该探测单元可包括回转构件和传感器，该回转构件设置成在盘构件中回转，而该传感器与回转构件相关联，并且探测单元探测浸渍构件上的冰形成物是否已达到期望水平。
[0024] 冰形成单元可包括一个或多个浸渍构件，该一个或多个浸渍构件浸在盘构件的水中，并且制冷剂在浸渍构件中流动。
[0025] 在制冰步骤中，可将水供给至盘构件，使得一个或多个浸渍构件浸在浸渍构件中，并且将冷的制冷剂供给至一个或多个浸渍构件以在浸渍构件上形成冰，在冰释放时间确定步骤中，将冷的制冷剂供给至浸渍构件的时间点是冰开始形成的时间点，而在冰释放步骤中，可将形成在一个或多个浸渍构件上的冰释放。
[0026] 在冰释放步骤中，可将热的制冷剂供给至一个或多个浸渍构件中，以将形成在一个或多个浸渍构件上的冰释放。
[0027] 冰形成单元可包括：一个或多个浸渍构件，该一个或多个浸渍构件浸在盘构件的水中；以及热电模块，该热电模块连接于一个或多个浸渍构件。
[0028] 在制冰步骤中，可供给水以使得一个或多个浸渍构件能浸在盘构件中，并驱动热电模块以在浸渍构件上形成冰，在冰释放时间确定步骤中，驱动热电模块的时间点是冰开始形成的时间点，而在冰释放步骤中，可将形成在一个或多个浸渍构件上的冰释放。
[0029] 在冰释放步骤中，可逆向驱动热电模块，以将形成在一个或多个浸渍构件上的冰释放。
[0030] 冰形成单元可包括：一个或多个制冰销，制冷剂在一个或多个制冰销中流动；喷射外壳，该喷射外壳包括一个或多个制冰销插入孔，一个或多个制冰销插入到制冰销插入孔中，并且制冰销插入孔允许将水注入其中；一个或多个注射器，该一个或多个注射器形成在制冰销插入孔中，以使得水能通过注射器喷射至制冰销以形成冰；以及存储箱，该存储箱用于收集在喷射至制冰销时未冷冻的水以保持存储水，并且存储箱连接于喷射外壳以将水供给至喷射外壳。
[0032] 有利效果
[0033] 根据本发明的示例实施例，实现甚至在用于探测冰形成物是否达到期望水平的探测单元发生故障的情形下，能够在经过特定时间段后将冰释放。
[0035] 图1示出了可应用本发明一实施例的制冰方法的制冰器的示例；
[0036] 图2和图3示出了图1所示制冰器如何探测冰形成物是否达到期望水平并将冰释放；
[0037] 图4是说明根据本发明一实施例的制冰方法的过程的流程图；
[0038] 图5示出了可应用本发明一实施例的示例的制冰方法的制冰器的另一示例。
具体实施方式
[0039] 下文将详细描述根据本发明一实施例的制冰方法，以助于理解本发明的特征。
[0040] 现将参照附图详细描述本发明的示例性实施例。然而，本发明可具体实施成许多不同形式，而不应理解成对这里所述的实施例进行限制。提供这些实施例使得本发明将是详尽和完整的，且将对于本领域的技术人员来说完全传递本发明的范围。在附图中，为了清楚起见，构件的形状和尺寸可放大，且相同的附图标记在全文中将用于指代相同或类似的部件。
[0041] 本发明的各实施例实现甚至在用于探测冰形成物是否达到期望水平的探测单元发生故障的情形下、在经过特定时间段后将冰释放。
[0042] 图1和5示出了根据本发明实施例的制冰器IM的两个示例，根据本发明实施例的制冰方法可应用于该制冰器。如图所示，可应用根据本发明实施例的制冰方法的制冰器IM可设有主体B。
[0043] 如图1所示，制冰器IM可包括蒸发器E，该蒸发器包括在制冷循环（图未示出）中。冷的制冷剂或热的制冷剂可在蒸发器E中流动。此外，如图所示，一个或多个浸渍构件D可连接于蒸发器E。因此，冷的制冷器或热的制冷剂也可在一个或多个浸渍构件D中流动。
[0044] 此外，如图5所示，热电模块可设置在制冰器IM中。如图所示，一个或多个浸渍构件D可连接于热电模块。因此，在热电模块被驱动时，可对一个或多个浸渍构件D进行冷却，而在热电模块被逆向驱动时，可将一个或多个浸渍构件D进行加热。
[0045] 如图1和5所示，盘构件T能可转动地设置在制冰器IM中，将水置入该盘构件中并且该盘构件使得一个或多个浸渍构件D能浸在其中。盘构件T可包括主要盘构件T1和辅助盘构件T2，水置于该主要盘构件中以使得浸渍构件D能浸在其中，并且该主要盘构件设置在主体B中，从而可通过以转动轴A1为中心而绕转动轴A1转动，辅助盘构件T2连接于主要盘构件T1。然而，盘构件T并不局限于所示出的盘构件，并且能使用任何盘构件，只要盘构件能保持水即可，而一个或多个浸渍构件D浸在水中。同时，水能通过供水管P供给至盘构件T、尤其是主要盘构件T1，该供水管连接于净水箱（图未示出）、冷水箱（图未示出）等等。
[0046] 如图1和5所示，回转构件C设置成通过在盘构件T、尤其是主要盘构件T1中、以转动轴A2为中心而绕该转动轴A2回转。于是，如图1和5所示，诸如永磁体之类的磁性物质M可设置在回转构件C上。诸如电磁体之类的磁力产生构件Me可设置在主体B中。采用此种构造，如图1和5所示，在由磁力产生构件Me周期性产生的磁力所具有的方向与由磁性物质M所产生的方向相同或相反时，回转构件C能通过在盘构件T、尤其是在主要盘构件T内以转动轴A2为中心而绕转动轴A2周期性地回转。
[0047] 因此，如图1和5所示，在盘构件T、尤其是在主要盘构件T1内的水中会产生波。由于如此产生的波，在冷的制冷剂在浸渍构件D中流动的同时或者在热电模块被驱动的同时形成冰I的情形下，能防止在冰I中产生泡沫层。因此，能在浸渍构件D上形成高透冰I。
然而，回转构件C的周期回转构造并不局限于图1和5所示的磁性物质M和磁力产生构件Me，并且能使用包括如下构造的任何构造：在其中一种构造中，如图1和5所示，回转构件C在盘构件T、尤其是在主要盘构件T1中周期性地回转，而在其中另一种构造中，回转构件C由驱动电机（未示出）周期性地回转。
然而，回转构件C的周期回转构造并不局限于图1和5所示的磁性物质M和磁力产生构件Me，并且能使用包括如下构造的任何构造：在其中一种构造中，如图1和5所示，回转构件C在盘构件T、尤其是在主要盘构件T1中周期性地回转，而在其中另一种构造中，回转构件C由驱动电机（未示出）周期性地回转。
[0048] 同时，为了探测冰I的形成物是否达到期望水平，如图1和5所示，传感器S设置在主体B中。与回转构件C相关联的传感器S能够探测冰形成物是否达到期望水平。于是，如图1和5所示，传感器S可包括用于发射电磁波的电磁波发射构件S1和用于接收电磁波的电磁波接收构件S2。回转构件C可包括接触构件Ca和电磁波反射构件Cb。
[0049] 采用此种构件，在冰I的形成物并未达到图2（c）所示的期望水平时，由于回转构件C的回转，从电磁波发射构件S1发出的电磁波会由回转构件C的电磁波反射构件Cb反射并且由电磁波接收构件S2所接收。由于回转构件C的周期性回转，能够周期性地执行从电磁波发射构件S1的电磁波发射、通过电磁波反射构件Cb进行的电磁波反射以及通过电磁波接收构件S2进行的电磁波接收。
[0050] 同时，在冰形成物已到达期望水平时，回转构件C的接触构件Ca与冰I接触。然后，并不执行如上所述从电磁波发射构件S1的电磁波发射、通过电磁波反射构件Cb进行的电磁波反射以及通过电磁波接收构件S2进行的电磁波接收。因此，能探测到（或确定）冰形成物已达到期望水平，由此将冰I释放。
[0051] 然而，用于探测冰I的形成物是否达到期望水平的探测单元的构造并不局限于如图1和5所示的电磁波发射构件S1、电磁波接收构件S2、接触构件Ca、电磁波反射构件Cb等等的构造，而是能够实施任何构造，只要该构件能探测到冰I的形成物是否已达到期望水平即可。例如，探测单元可包括传感器（图未示出）、探测构件（图未示出）或电磁波发射构件（图未示出）和电磁波接收构件（图未示出），该传感器设置在盘构件T中，使得在冰I的形成物已达到期望水平时，传感器与冰I接触，而探测构件设置在盘构件T中，使得在冰I的形成物已达到期望水平时，回转构件回转，而在冰I的形成物已达到期望水平时，电磁波发射构件和电磁波接收构件用于将电磁波路径切断。
[0052] 此外，可应用根据本发明的制冰方法的制冰器IM并不局限于图1和5所示的实施例，而是能实施任何制冰器IM，只要该制冰器能探测到冰I的形成物是否达到期望水平并且将冰I释放即可。
[0053] 如图4所示，本发明一实施例的制冰方法可包括制冰起始步骤S100、冰释放时间确定步骤S200以及冰释放步骤S300。
[0054] 在制冰起始步骤S100中，冰I可通过冰形成单元来形成。在将水供给至盘构件T之后，冰形成单元可在其中具有水的盘构件T中形成冰I。在图1和5所示的实施例中，供给水使得一个或多个浸渍构件D能如图4所示浸在水中。在该状态中，通过与盘构件T相关联的冰形成单元在盘构件T中形成冰I。
[0055] 冰形成单元可包括一个或多个浸渍构件D，该一个或多个浸渍构件浸在盘构件T中的水内，并且制冷剂在这些浸渍构件中流动。根据图5所示实施例的制冰器IM中的冰形成单元可包括一个或多个浸渍构件D和热电模块TH，该一个或多个浸渍构件D浸在盘构件T中的水内，而热电模块TH连接于一个或多个浸渍构件D。热电模块TH可包括热电构件。此外，如图所示，热电模块TH的一端可借助冷却散热器CS连接于浸渍构件D。热电模块TH的另一端可连接于散热器HS，且风扇F可如图所示连接于散热器HS。
[0056] 因此，在图1所示的实施例中，将冷的制冷剂供给至一个或多个浸渍构件D中，以在一个或多个浸渍构件D上形成冰I。此外，在图5所示的实施例中，驱动热电模块TH，以使得冰I能在一个或多个浸渍构件D1上形成。
[0057] 虽然并未示出除了图1和5所示实施例中冰形成单元以外的冰形成单元，但冰形成单元也可包括一个或多个制冰销、喷射外壳、一个或多个注射器以及存储箱。
[0058] 制冷剂可在一个或多个制冰销的每个制冰销中流动。于是，一个或多个制冰销可连接于蒸发器，且制冷剂如上所述在该蒸发器中流动。一个或多个制冰销插入孔可形成在喷射外壳上，且多个制冰销中的一个制冰销分别插入到这些制冰销插入孔中。此外，喷射外壳可构造成使得水能注入到该喷射外壳中。
[0059] 一个或多个注射器可形成在喷射外壳的制冰销插入孔中。因此，注入喷射外壳的水可通过注射器喷射到制冰销中。因此，在水以上述方式喷射时，在冷的制冷剂在制冰销中流动的同时，冰能够形成在制冰销上。
[0060] 同时，在喷射至制冰销的情形下未被冷冻的水可收集在存储箱中并且保持在其中。存储箱可连接于喷射外壳，以将水供给至喷射外壳。因此，由于水在循环的同时喷射至制冰销，形成在制冰销上的冰会变大。
[0061] 此外，冰形成单元可包括制冰板和喷嘴。
[0062] 制冰板可包括制冷器在其中流动的蒸发器。因此，在冷的制冷剂在蒸发器中流动时，制冰板可被冷却。此外，制冰板可包括一个或多个单元。喷嘴可连接于诸如存储箱之类的供水源。因此，水可通过喷嘴喷射到制冰板的每个单元中。因此，在冷的制冷剂在蒸发器中流动以如上所述冷却制冰板的状态下、水喷射到制冰板的每个单元中时，可在制冰板的每个单元中形成冰。此外，在喷射至制冰销的情形下未被冷冻的水可收集到前述供水源中并且保持存储。因此，由于水在循环的同时喷射至制冰板的每个单元，形成在每个单元上的冰会变大。
[0063] 在冰释放时间确定步骤S200中，可以借助探测信号和制冰推移时间来确定冰被释放的时间点，该探测信号来自用于探测冰I的形成物是否达到期望水平的探测单元，而制冰推移时间是在冰I的形成物被冰形成单元起始之后流逝的时间。此外，探测单元可探测盘构件T上的冰I形成物是否达到期望水平。
[0064] 在图1和5所示的实施例中，如图4所示，可以借助探测信号和制冰推移时间来确定冰被释放的时间点，该探测信号来自用于探测浸渍构件D上的冰I形成物是否达到期望水平的探测单元，而制冰推移时间是在冰I的形成物被冰形成单元起始之后流逝的时间。于是，在根据图1所示实施例的制冰器IM中，可将冷的制冷剂被供给至浸渍构件D的时间点确定为冰I开始形成的时间点。此外，在根据图5所示实施例的制冰器IM中，可将驱动热电模块TH的时间点确定为冰I开始形成的时间点。同时，冰I被释放的时间点可通过设置在制冰器IM中的控制器（图未示出）来确定。
[0065] 探测浸渍构件D上的冰I形成物是否达到期望水平的探测单元可包括回转构件C和传感器S，该回转构件设置成在盘构件T中回转，而该传感器与回转构件C相关联。然而，探测单元并不局限于此，且可使用任何探测单元，只要该探测单元能够探测到浸渍构件D上的冰I形成物是否达到期望水平即可。
[0066] 为了借助探测信号和制冰推移时间来确定冰被释放的时间点，如图4所示可事先设定最大制冰时间（或持续时间）或者最小制冰时间（或持续时间），其中该探测信号来自于探测单元，且制冰推移时间是在浸渍构件D上的冰I形成物被冰形成单元起始之后推移的时间。
[0067] 在制冰推移时间与最大制冰时间相等时，即使由探测单元探测到（或确定）冰I的形成物并未达到期望水平，仍可将该制冰推移时间确定为冰被释放的时间点。例如，在图1所示的制冰器IM中，如果传感器S被外来物体（即，碎片）之类覆盖，则即使冰I的形成物已达到期望水平，由电磁波发射构件S1所发出的电磁波仍会由电磁波接收构件S2所接收，从而会持续地探测到（或确定）冰I的形成物并未达到期望的水平。然后，在该情形中，即使直到制冰推移时间与最大制冰时间相等的时间为止，并未探测到（或确定）冰I的形成物已达到期望水平，仍可将该最大制冰时间确定为冰被释放的时间点。因此，即使如果探测单元由于发生故障而无法探测到冰I的形成物已达到期望水平，可确定冰被释放的时间点。
[0068] 此外，即使在由探测单元探测到（或确定）冰I的形成物已达到期望水平时，制冰推移时间小于最小制冰时间，但仍可确定在最小制冰时间届满时将冰释放。例如在图1和5所示的制冰器IM中，虽然最小制冰时间并未届满，但如果外来物体之类由回转构件C所捕获，则由电磁波发射构件S 1所发出的电磁波不会由电磁波接收构件S2接收，从而会探测到（或确定）冰I的形成物已达到期望的水平。然后，在该情形中，即使在制冰时间与最小制冰时间相等之前、就探测到（或确定）冰I的形成物已达到期望水平，该制冰时间仍不可确定为冰被释放的时间点，而是确定为在最小制冰时间届满时将冰释放。因此，可防止发生如下现象：由于探测单元发生故障，使得即使冰I的形成物并未达到期望的水平，仍由探测单元探测到（或确定）冰I的形成物已达到期望水平并由此将冰释放。
[0069] 可将最大制冰时间设定成冰I的形成物已达到期望水平的持续时间。最大制冰时间可由使用者任意地设定或者可通过实验来获得。
[0070] 同时，最小制冰时间可以是预先设定的最大制冰时间的80％至90％。如果最小制冰时间小于最大制冰时间的80％，则即使冰I的形成物并未达到期望水平，但由于探测到冰I的形成物已达到期望水平且在最小制冰时间届满之后将冰释放时，冰I的尺寸会比期望尺寸小得多。如果最小制冰时间超过最大制冰时间的90％，则由于最大制冰时间和最小制冰时间之间的间隔过短，会无法直接探测到冰I的形成物是否达到期望水平就将冰I释放，并且这与在最小制冰时间届满使将冰I释放不具有明显的差别。因此，较佳的是，实现如下条件的最小制冰时间是最大制冰时间的80％至90％：所释放的冰I的尺寸接近期望水平，并且直接探测到（或确定）冰I的形成物是否达到期望水平。
[0071] 此外，最大制冰时间和最小制冰时间可根据室外温度而改变。这是由于冰I的形成物达到期望水平的持续时间改变。例如，冬季的最大制冰时间可以是8分钟，因此最小制冰时间可以是6.5分钟。例如，夏季的最大制冰时间可以是15分钟，因此最小制冰时间可以是12.5分钟。
[0072] 在冰释放步骤S300中，如上所述在冰释放时间确定步骤S200中确定了冰被释放的时间点时，可将所形成的冰I释放。例如，可将在盘构件T中产生的冰I释放。在根据图1和5所示实施例的制冰器IM中，可将形成在如图4所示一个或多个盘构件D上的冰I释放。
[0073] 于是，在根据图1所示实施例的制冰器IM中，在冰释放步骤S300中，可将热的制冷剂供给至一个或多个浸渍构件D，以释放形成在一个或多个浸渍构件D上的冰I。即，在将热的制冷剂供给至一个或多个浸渍构件D时，冰I附连于浸渍构件D的一部分会融化，并且冰I会与浸渍构件D分离开。与浸渍构件D分离开的冰I由于自重（即，冰I自身的重量）而下降。因此，冰I能被释放。此外，在根据图5所示实施例的制冰器IM中，在冰释放步骤S300中，可逆向驱动热电模块TH，以将形成在一个或多个浸渍构件D上的冰I释放。然而，用于将形成在一个或多个浸渍构件D上的冰I释放的方法并不局限于如上所述的方法；可实施诸如使用加热器之类的任何方法，只要该方法能够将产生在一个或多个浸渍构件D上的冰I释放即可。
[0074] 现在将参见附图2至4详细地描述使用图1所示制冰器IM的根据本发明一实施例的制冰方法。
[0075] 首先，将盘构件T转动至图2（a）所示的位置。通过供水管P将水供给至盘构件T、即主要盘构件T1。
[0076] 之后，如图2（b）所示，将冷的制冷剂供给至浸渍构件D。因此，冰I形成在浸渍构件D上。
[0077] 如图2（b）所示，驱动回转构件C。如图所示，在从磁力产生构件Me周期性地产生磁力时，回转构件C在盘构件T、即在主要盘构件T1中周期性地回转。此外，从传感器S的电磁波发射构件S1发出电磁波。由于回转构件C的回转，所发出的电磁波被电磁波反射构件Cb反射并且由电磁波接收构件S2所接收。因此，可以认识到冰I的形成物并未达到期望水平。
[0078] 在最大制冰时间和最小制冰时间之间、探测到（或确定）冰I的形成物已达到如图3（d）所示的期望水平时，也就是在由电磁波发射构件S1所发出的电磁波并不被电磁波接收构件S2所接收时，将热的制冷剂供给至浸渍构件D。并且如图3（e）所示，盘构件T转动，且冰I与浸渍构件D分离开从而释放。
[0079] 同时，在最小制冰时间届满之前探测到（或确定）冰I的形成物已达到期望水平时，冰I并不被释放。在最小制冰时间届满之后，如图3（e）所示将冰I释放。
[0080] 同时，直到最大制冰时间届满为止都未探测到（或确定）冰I的形成物已达到期望水平的情形下，在最大制冰时间届满时，如图3（e）所示将冰I释放。
[0081] 于是，在使用根据本发明实施例的制冰方法时，即使用于探测冰I的形成物是否达到期望水平的探测单元发生故障，但在经过特定的时间段之后，都能将冰释放，因此，即使用于探测冰I的形成物是否达到期望水平的探测单元发生故障，仍能获得具有期望尺寸的冰。
[0082] 前述制冰方法并不被认为局限于前述实施例的构造，而是相应实施例的全部或一部分可选择性地进行组合并且构造成实施各种变型。
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