专利汇可以提供用于集成器件的衬底级组件、其制造工艺及相关集成器件专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且在衬底级组件(22)中, 半导体 材料的器件衬底(20)具有顶面(20a)并包封第一集成器件(1;16),特别地第一集成器件具有形成于器件衬底(20)之内的埋藏腔(3)以及在顶面(20a)附近悬置于埋藏腔(3)上方的膜(4)。在顶面(20a)上方将帽盖衬底(21)耦合到器件衬底(20)以便 覆盖 第一集成器件(1;16),从而在膜(4)上提供第一空白空间(25)。电 接触 元件(28a,28b)将集成器件(1;16)与衬底级组件(22)的外部电连接。在一个 实施例 中,该器件衬底(20)集成至少一个具有相应膜(4′)的其他集成器件(1′,10);并且在所述其他集成器件(1′,10)的相应膜(4′)上方提供与第一空白空间(25) 流体 隔离的其他空白空间(25′)。,下面是用于集成器件的衬底级组件、其制造工艺及相关集成器件专利的具体信息内容。
1.一种衬底级组件(22),其特征在于包括:
-半导体材料的器件衬底(20),其具有顶面(20a)并包封第一集 成器件(1;16),所述第一集成器件在所述顶面(20a)附近具备有效 面积(4);
-帽盖衬底(21),其在所述顶面(20a)上方耦合到所述器件衬底 (20)以便覆盖所述第一集成器件(1;16),所述耦合使得在对应于 所述有效面积(4)的位置提供第一空白空间(25);以及
-电接触元件(28a,28b),其用于将所述第一集成器件(1;16) 与所述衬底级组件(22)外部电连接。
2.根据权利要求1所述的组件,其中所述第一集成器件(1;16) 具备形成于所述器件衬底(20)之内的埋藏腔(3)以及在所述有效面 积处悬置于所述埋藏腔(3)上方的膜(4);所述第一空白空间(25) 提供在对应于所述膜(4)的位置。
3.根据权利要求1或2所述的组件,其中在所述帽盖衬底(21) 之内提供第一进出通道(26),所述第一进出通道(26)流体连接到所 述第一空白空间(25)和所述衬底级组件(22)外部。
4.根据前述权利要求的任一项所述的组件,其中所述帽盖衬底(21) 在所述第一集成器件(1;16)的有效面积(4)上方具有第一传感器腔 (24),所述第一传感器腔(24)至少部分地形成所述第一空白空间(25); 特别地,所述第一传感器腔(24)的深度在10μm和400μm之间。
5.根据前述权利要求的任一项所述的组件,还包括键合区域(23), 其设置于所述器件衬底(20)和所述帽盖衬底(21)之间以确保其接合, 并被放置为与所述顶面(20a)接触,从而包围所述第一集成器件(1; 16)的有效面积(4)而不叠置其上;所述第一空白空间(25)至少部 分由所述键合区域(23)划界。
6.当权利要求5不从属于权利要求4时根据权利要求5所述的组 件,其中所述帽盖衬底(21)平坦且未构图,所述键合区域(23)的厚 度介于6和100μm之间;所述第一空白空间(25)整个地由所述键合区 域(23)界定。
7.根据权利要求5或6所述的组件,其中所述帽盖衬底(21)包 括半导体材料、玻璃、陶瓷和聚合物材料之一;且其中所述键合区域(23) 包括玻璃料或者金属或聚合物材料。
8.根据权利要求5-7的任一项所述的组件,其中所述帽盖衬底(21) 和键合区域(23)中的至少一个由导电材料制成,以便为所述第一集成 器件提供静电屏蔽;特别地,所述第一集成器件为麦克风(16)。
9.根据前述权利要求的任一项所述的组件,其中所述电接触元件 (28a,28b)包括如下元件中的至少一个:通过所述器件衬底(20)制 造的通孔(28a);以及形成于所述器件衬底(20)未被所述帽盖衬底 (21)覆盖的所述顶面(20a)的一部分上的电连接焊盘(28b);且其 中所述第一集成器件(1;16)还包括形成于所述器件衬底(20)中的 埋藏腔(3)以及悬置于所述埋藏腔(3)上方的膜(4),以及换能元 件(5),所述换能元件被构造成将所述膜(4)的形变转换成电信号, 且所述电接触元件(28a,28b)连接到所述换能元件(5)。
10.根据前述权利要求的任一项所述的组件,其中所述第一集成器 件(1;16)还包括形成于所述器件衬底(20)之内的埋藏腔(3)以及 悬置于所述埋藏腔(3)上方的膜(4);并且在所述帽盖衬底(21)之 内提供第一进出通道(26),所述第一进出通道流体连接到所述第一空 白空间(25)和所述衬底级组件(22)的外部;并且在所述器件衬底(20) 内部提供第二进出通道(30),所述第二进出通道与所述集成器件(1) 的所述埋藏腔(3)和所述衬底级组件(22)的外部流体相通。
11.根据前述权利要求的任一项所述的组件,其中第一进出通道 (26)和多个其他进出通道(26)被提供在所述帽盖衬底(21)之内并 流体连接到所述第一空白空间(25)和所述衬底级组件(22)的外部; 特别地,所述第一和其他进出通道(26)尺寸不同和/或其间提供不同的 间距。
12.根据前述权利要求的任一项所述的组件,其中所述器件衬底 (20)包封至少一个其他集成器件(1′;10),该其他集成器件拥有相 应的有效面积(4′);且其中在对应于所述其他集成器件(1′;10)的相 应有效面积(4′)的位置提供其他空白空间(25′);所述其他空白空间 (25′)与所述第一空白空间(25)流体隔离。
13.根据权利要求12所述的组件,其中所述帽盖衬底(21)具有 至少一个其他传感器腔(24′),所述其他传感器腔设置于所述其他集成 器件(1′;10)的相应有效面积(4′)上方,并至少部分地形成所述其他 空白空间(25′);所述第一空白空间(25)和其他空白空间(25′)至少 部分地由设置于所述第一空白空间(25)和其他空白空间(25′)之间的 所述帽盖衬底(21)的分隔部分(32)以流体密闭的方式隔开。
14.根据权利要求12或13所述的组件,还包括键合区域(23), 其设置于所述器件衬底(20)和所述帽盖衬底(21)之间,并与所述器 件衬底(20)的所述顶面(20a)接触,从而包围所述第一集成器件(1; 16)的有效面积(4)和所述其他集成器件(1′;10)的相应有效面积(4′) 而不叠置其上;所述第一空白空间(25)和所述其他空白空间(25′)至 少部分由所述键合区域(23)划界。
15.根据权利要求10-14的任一项所述的组件,其中所述第一集成 器件(1;16)还包括形成于所述器件衬底(20)之内的埋藏腔(3)以 及悬置于所述埋藏腔(3)上方的膜(4),且所述其他集成器件包括形 成于所述器件衬底(20)之内的相应埋藏腔(3′)以及悬置于所述相应 埋藏腔(3′)上方的相应膜(4′);且其中所述第一集成器件为压力传感 器(1),且所述其他集成器件为惯性传感器(10),所述惯性传感器 (10)包括在所述其他空白空间(25′)之内设置于相应膜(4′)上的惯 性质量(11)。
16.根据权利要求15所述的组件,其中所述惯性质量(11)包括 直接淀积于所述相应膜(4′)上的金属材料;所述金属材料是从包括银、 锡、铜、铅和金的组中选择的,且优选地具有大于7000kg/m3的密度。
17.根据权利要求12-14的任一项所述的组件,其中所述第一集成 器件为压力传感器(1),且所述其他集成器件为对应所述压力传感器 (1)的基准压力传感器(1′)。
18.根据前述权利要求的任一项所述的组件,其中所述第一集成器 件(1;16)还包括形成于所述器件衬底(20)之内的埋藏腔(3)以及 悬置于所述埋藏腔(3)上方的膜(4);所述第一集成器件为麦克风传 感器(16),其具有被感测隔片(17)与所述埋藏腔(3)隔开的后室 (18),所述感测隔片被构造成根据抵达所述埋藏腔(3)的声波施加 到其上的压力而运动。
19.根据权利要求18所述的组件,其中所述第一集成器件(1;16) 还包括形成于所述器件衬底(20)之内的埋藏腔(3)以及悬置于所述 埋藏腔(3)上方的膜(4);所述第一集成器件为气体传感器,且所述 膜(4)包括探测材料,所述探测材料被构造成允许探测气态材料的存 在;所述膜(4)与所述器件衬底(20)热解耦。
20.根据前述权利要求的任一项所述的组件,其中所述帽盖衬底 (21)包括生长于所述器件衬底(20)上的层,尤其是通过电镀或外延 步骤生长的层;所述帽盖衬底(21)与所述器件衬底(20)集成为一体。
21.一种电子器件,其特征在于包括:根据前述权利要求的任一项 所述的衬底级组件(22),以及包封并机械保护所述衬底级组件(22) 的封装(40);其中所述封装(40)包括机械支撑所述衬底级组件(22) 的基底主体(42)和被构造成横向涂布所述衬底级组件(22)的涂层区 域(44)。
22.根据权利要求21所述的器件,其中所述涂层区域(44)保持 不被覆盖,并可以从界定所述封装(40)的第一外表面(40a)的一部 分的所述帽盖衬底(21)的顶面(21b)外部触及所述涂层区域(44), 并且特别地,通过所述第一进出通道(26)触及所述涂层区域。
23.根据权利要求21或22所述的器件,其中所述封装(40)为LGA、 SO、QFN或BGA型,且具有由所述基底主体(42)的表面承载的接触 焊盘(46),所述表面不接触所述衬底级组件(22)并界定所述封装的 第二外表面(40b)。
24.根据权利要求21-23的任一项所述的器件,还包括电耦合到所 述衬底级组件(22)并被所述封装(40)包封的电路管芯(50);其中 所述器件衬底(20)和电路管芯(50)通过相应的粘附层(41,51)机 械耦合到所述基底主体(42)并并排设置。
25.根据权利要求21-23的任一项所述的器件,还包括电耦合到所 述衬底级组件(22)并被所述封装(40)包封的电路管芯(50);其中 所述电路管芯(50)机械耦合到所述基底主体(42),且所述器件衬底 (20)以叠置方式机械耦合到所述电路管芯(50)。
26.根据权利要求21-25的任一项所述的器件,还包括进出通道 (30),其通过所述基底主体(42)延伸并在所述衬底级组件与所述顶 面(20a)相对的表面到达所述衬底级组件。
27.根据权利要求21-26的任一项所述的器件,其中所述电子器件 是轮胎压力监测系统(TPMS)、血压监测系统(BPMS)、喷墨系统或 移动电话之一。
28.一种用于制造衬底级组件(22)的工艺,其特征在于包括:
-提供半导体材料的器件衬底(20),所述器件衬底具有顶面(20a);
-在所述器件衬底(20)之内形成第一集成器件(1;16),所述第 一集成器件(1;16)在所述所述顶面(20a)附近具备有效面积(4);
-在所述顶面(20a)上方将帽盖衬底(21)耦合到所述器件衬底(20) 以便覆盖所述第一集成器件(1;16),所述耦合包括在对应于所述有 效面积(4)的位置形成第一空白空间(25);以及
-形成电接触元件(28a,28b),所述电接触元件用于将所述第一 集成器件(1;16)与所述衬底级组件(22)的外部电连接。
29.根据权利要求28所述的工艺,其中形成第一集成器件还包括 形成所述器件衬底(20)之内的埋藏腔(3)以及悬置于所述埋藏腔(3) 上方的膜(4),且所述第一空白空间(25)形成于对应于所述膜(4) 的位置。
30.根据权利要求28或29所述的工艺,还包括在所述帽盖衬底(21) 中形成流体连接到所述第一空白空间(25)和所述衬底级组件(22)外 部的第一进出通道(26)。
31.根据权利要求28-30的任一项所述的工艺,其中形成第一空白 空间(25)包括在所述帽盖衬底(21)中形成所述第一集成器件(1; 16)的有效面积(4)上方的第一传感器腔(24)。
32.根据权利要求28-31的任一项所述的工艺,其中所述机械耦合 包括:形成键合区域(23),其设置于所述器件衬底(20)和所述帽盖 衬底(21)之间并与所述器件衬底(20)的顶面(20a)接触,从而包 围所述第一集成器件(1;16)的有效面积(4)而不叠置其上;以及经 由所述键合区域(23)连接所述器件衬底(20)和所述帽盖衬底(21); 并且其中所述第一空白空间(25)至少部分地由所述键合区域(23)划 界。
33.根据权利要求28-32的任一项所述的工艺,其中形成第一集成 器件(1;16)还包括形成所述器件衬底(20)之内的埋藏腔(3)以及 悬置于所述埋藏腔(3)上方的膜(4),以及形成换能元件(5),所 述换能元件被构造成将所述膜(4)的形变转换成电信号,并且形成所 述电接触元件(28a,28b)包括形成如下元件中的至少一种:通过所述 器件衬底(20)的通孔(28a);以及位于所述器件衬底(20)未被所 述帽盖衬底(21)覆盖的所述顶面(20a)的一部分上的电连接焊盘(28b); 以及将所述通孔(28a)或所述电连接焊盘(28b)连接到所述换能元件 (5)。
34.根据权利要求28-33的任一项所述的工艺,其中形成第一集成 器件(1;16)还包括形成所述器件衬底(20)之内的埋藏腔(3)以及 悬置于所述埋藏腔(3)上方的膜(4);还包括在所述帽盖衬底(21) 中形成第一进出通道(26),所述第一进出通道流体连接到所述第一空 白空间(25)和所述衬底级组件(22)的外部,以及在所述器件衬底(20) 中形成第二进出通道(30),所述第二进出通道与所述集成器件(1) 的所述埋藏腔(3)和所述衬底级组件(22)的外部流体相通。
35.根据权利要求28-34的任一项所述的工艺,还包括在所述帽盖 衬底(21)之内形成第一进出通道(26)和多个其他进出通道(26), 其流体连接到所述第一空白空间(25)和所述衬底级组件(22)的外部; 特别地,所述第一和其他进出通道(26)尺寸不同和/或其间提供不同的 间距。
36.根据权利要求28-35的任一项所述的工艺,还包括:在所述器 件衬底(20)中形成至少一个其他集成器件(1′;10),所述其他集成 器件拥有相应的有效面积(4′);所述耦合进一步包括在对应于所述其 他集成器件(1′;10)的相应有效面积(4′)的位置形成其他空白空间(25′); 所述其他空白空间(25′)与所述第一空白空间(25)流体隔离。
37.根据权利要求36所述的工艺,其中形成其他空白空间(25′) 包括在所述帽盖衬底(21)中在所述其他集成器件(1′,10)的所述相应 有效面积(4)上方形成至少一个其他传感器腔(24′);所述形成至少 一个其他传感器腔(24′)包括通过所述帽盖衬底(21)的分隔部分(32) 分隔所述第一空白空间(25)和所述其他空白空间(25′)。
38.根据权利要求36或37所述的工艺,其中所述耦合包括形成键 合区域(23),其设置于所述器件衬底(20)和所述帽盖衬底(21)之 间,并与所述顶面(20a)接触,从而包围所述第一集成器件(1;16) 的有效面积(4)和所述其他集成器件(1′;10)的相应有效面积(4′) 而不叠置其上;所述第一空白空间(25)和所述其他空白空间(25′)至 少部分地由所述键合区域(23)划界。
39.根据权利要求36-38的任一项所述的工艺,其中形成第一集成 器件(1;16)包括形成所述器件衬底(20)之内的埋藏腔(3)以及悬 置于所述埋藏腔(3)上方的膜(4),且形成其他集成器件(1′;10) 包括形成所述器件衬底(20)之内的相应埋藏腔(3′)以及悬置于所述 相应埋藏腔(3′)上方的相应膜(4′);且其中形成第一集成器件包括形 成压力传感器(1),且形成至少一个其他集成器件包括形成惯性传感 器(10);形成惯性传感器(10)包括在所述相应膜(4′)上且在所述 其他空白空间(25′)之内形成惯性质量(11)。
40.根据权利要求39所述的工艺,其中形成惯性质量(11)包括 直接在所述相应膜(4′)上淀积金属材料,所述金属材料是从包括银、 锡、铜、铅和金的组中选择的,且优选地具有高于7000kg/m3的密度。
41.根据权利要求36-38的任一项所述的工艺,其中形成第一集成 器件包括形成压力传感器(1),且形成至少一个其他集成器件包括形 成对应于所述压力传感器(1)的基准压力传感器(1′)。
42.根据权利要求28-38的任一项所述的工艺,其中形成第一集成 器件包括形成麦克风传感器(16),尤其是形成所述器件衬底(20)之 内的埋藏腔(3)以及悬置于所述埋藏腔(3)上方的膜(4),以及被 感测隔片(17)与所述埋藏腔(3)隔开的后室(18),所述感测隔片 被构造成根据抵达所述埋藏腔(3)的声波施加到其上的压力而运动。
43.根据权利要求28-42的任一项所述的工艺,其中形成第一集成 器件包括形成气体传感器,尤其是形成所述器件衬底(20)之内的埋藏 腔(3)以及悬置于所述埋藏腔(3)上方的膜(4);形成所述膜(4) 包括形成探测材料,所述探测材料被构造成允许探测气态材料的存在; 所述膜(4)与所述器件衬底(20)热解耦。
44.根据权利要求28-43的任一项所述的工艺,其中耦合所述帽盖 衬底(21)包括在所述器件衬底(20)上生长材料层,尤其是通过电镀 或外延步骤生长层;所述帽盖衬底(21)与所述器件衬底(20)集成为 一体。
45.一种制造电子器件的工艺,其特征在于包括:根据权利要求 28-44的任一项所述形成衬底级组件(22);以及在封装(40)中包封 所述衬底级组件(22),以便涂覆并机械保护所述衬底级组件(22); 其中所述包封包括提供基底主体(42)以支撑所述衬底级组件(22), 以及用涂层区域(44)横向涂布所述衬底级组件(22)。
46.根据权利要求45所述的工艺,其中将所述涂层区域(44)构 造成保持不被覆盖,并可以从界定所述封装(40)的第一外表面(40a) 的一部分的所述帽盖衬底(21)的顶面(21b)外部触及所述涂层区域 (44),尤其是通过所述第一进出通道(26)触及所述涂层区域。
47.根据权利要求45或46所述的工艺,包括在所述基底主体(42) 不接触所述衬底级组件(22)并界定所述封装(40)的第二外表面(40b) 的表面形成接触焊盘(46)。
48.根据权利要求45-47的任一项所述的工艺,还包括将电路管芯 (50)电耦合到所述封装(40)之内的所述衬底级组件(22);且其中 所述包封还包括通过相应的粘附层(41,51)将所述器件衬底(20)和 电路管芯(50)并排地机械耦合到所述基底主体(42)。
49.根据权利要求45-47的任一项所述的工艺,还包括将电路管芯 (50)电耦合到所述封装(40)之内的所述衬底级组件(22);且其中 所述包封还包括将所述电路管芯(50)机械耦合到所述基底主体(42), 并以堆叠方式将所述器件衬底(20)机械耦合到所述电路管芯(50)。
50.根据权利要求45-49的任一项所述的工艺,还包括形成进出通 道(30),其通过所述基底主体(42)延伸并在所述衬底级组件与所述 顶面(20a)相对的表面到达所述衬底级组件。
本发明涉及集成器件,尤其是传感器件的衬底级组件(通常称为“晶 片级封装”),涉及相应的制造工艺和相关集成器件。
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