专利汇可以提供存储器的电容器下电极板的制造方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种 存储器 电容器下 电极 板的制造方法,在 半导体 基底表面形成主动区与外围 电路 区,依序形成垫层与遮蔽层后将其部分移除以于主动区与外围电路区形成第一深沟槽与第二深沟槽,再在第一、第二深沟槽内壁与垫层表面形成掺杂质 氧 化层,接着涂布光阻于掺杂质绝缘层表面并填满第一、第二深沟槽内部。实施曝光工艺,将一 光源 以特定的 角 度对光阻进行曝光,然后去除掺杂质绝缘层表面的光阻以及第一、第二深沟槽内的部分光阻,再依序去除高于光阻顶部表面的掺杂质氧化层,去除残留的光阻后实施驱入工艺。,下面是存储器的电容器下电极板的制造方法专利的具体信息内容。
1.一种存储器的电容器下电极板的制造方法,其特征在于包括下列步骤:提供一半导体基底;在该半导体基底表面定义主动区与外围电路区;在该半导体基底表面形成垫层;在该垫层表面形成遮蔽层;移除部分的该遮蔽层、垫层与基底,在该主动区形成第一深沟槽以及在该外围电路区形成第二深沟槽,其中,该主动区中的该第一深沟槽的数量多于该外围电路区中的该第二深沟槽的数量;形成掺杂质气化层覆盖该垫层表面并覆盖该第一深沟槽与该第二深沟槽的侧壁与底部;涂布光阻于该掺杂质氧化层表面并填满该第一深沟槽与该第二深沟槽内部;实施曝光工艺,将光源以特定的角度对该绝缘层表面的该光阻进行曝光,但不使该光源照射该第一深沟槽与该第二深沟槽内的该光阻;去除部分的光阻,其中,该掺杂质氧化层表面的该光阻因被曝光而被去除,该第一深沟槽与第二深沟槽内的残留该光阻则因未被曝光而被保留;去除该第一深沟槽与该第二深沟槽内的部分该光阻;依序去除该第一深沟槽与该第二深沟槽内高于前述光阻顶部表面的该掺杂质气化层,曝露出该第一深沟槽与该第二深沟槽内壁的部分该半导体基底表面;去除该第一深沟槽与该第三深沟槽内残留的该光阻;形成气化层覆盖该垫层表面、该第一深沟槽与该第二深沟槽的侧壁、残留的该掺杂质气化层的表面;实施驱入工艺,将该掺杂质氧化层内的杂质驱入该半导体基底内以形成电容器下电极板;以及去除前述的气化层、该掺杂质气化层与该垫层。
2.如权利要求1所述存储器的电容器下电极板的制造方法,其特征在于形成的所述半导体基底是硅基底。
3.如权利要求1所述存储器的电容器下电极板的制造方法,其特征在于所述的垫层是由氧化层与氮化硅层所组成。
4.如权利要求1所述存储器的电容器下电极板的制造方法,其特征在于形成的所述遮蔽层是由硼硅玻璃所构成。
5.如权利要求1所述存储器的电容器下电极板的制造方法,其特征在于形成的所述遮蔽层厚度为5000-20000埃。
6.如权利要求1所述存储器的电容器下电极板的制造方法,其特征在于所述的光源以θ度的角度照射光阻进行曝光,该θ度角与法线的夹角约为25-90度。
7.如权利要求1所述存储器的电容器下电极板的制造方法,其特征在于形成的所述的掺杂质氧化层是由掺杂砷离子的砷硅玻璃所组成。
8.如权利要求1所述存储器的电容器下电极板的制造方法,其特征在于形成的所述掺杂质气化层厚度为100-1000埃。
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