PECVD薄膜淀积设备及其热盘
专利汇可以提供PECVD薄膜淀积设备及其热盘专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种PECVD 薄膜 淀积设备及其热盘，该热盘位于设备的工艺腔内，热盘上均匀地分布有八个工艺 位置 ，每个工艺位置上的 晶圆 通过 铝 叉旋转传递到与之相邻的下一工艺位置上；其中，在热盘的每个工艺位置上分布有多道贯穿工艺区域的疏气痕。本发明使得晶圆放置于设备的热盘表面后能通过疏气痕向四周均匀地放气，避免由于气垫效应导致的晶圆滑片。，下面是PECVD薄膜淀积设备及其热盘专利的具体信息内容。
1.一种PECVD薄膜淀积设备的热盘(100)，位于工艺腔内，所述热盘(100)上均匀地分布有八个工艺位置(101)，每个所述工艺位置(101)上的晶圆通过铝叉(102)旋转传递到与之相邻的下一工艺位置(101)上；其中，在所述热盘(100)的每个所述工艺位置(101)上分布有多道贯穿工艺区域的疏气痕(103)。
2.根据权利要求1所述的PECVD薄膜淀积设备的热盘(100)，其特征在于，在每个所述工艺位置(101)上，均匀分布有纵向四道、横向七道所述疏气痕(103)。
3.根据权利要求2所述的PECVD薄膜淀积设备的热盘(100)，其特征在于，每道所述疏气痕(103)的宽度为1mm，深度为1mm。
4.根据权利要求3所述的PECVD薄膜淀积设备的热盘(100)，其特征在于，所述热盘(100)的材质为铝，所述疏气痕(103)是由钨钢刀具刻划出来的。
5.根据权利要求4所述的PECVD薄膜淀积设备的热盘(100)，其特征在于，所述热盘(100)的表面被打磨至无突起。
6.一种PECVD薄膜淀积设备，包括位于工艺腔内的一热盘(100)，所述热盘(100)上均匀地分布有八个工艺位置(101)，每个所述工艺位置(101)上的晶圆通过铝叉(102)旋转传递到与之相邻的下一工艺位置(101)上；其中，在所述热盘(100)的每个所述工艺位置(101)上分布有多道贯穿工艺区域的疏气痕(103)。
7.根据权利要求6所述的PECVD薄膜淀积设备，其特征在于，在每个所述工艺位置(101)上，均匀分布有纵向四道、横向七道所述疏气痕(103)。
8.根据权利要求7所述的PECVD薄膜淀积设备，其特征在于，每道所述疏气痕(103)的宽度为1mm，深度为1mm。
9.根据权利要求8所述的PECVD薄膜淀积设备，其特征在于，所述热盘(100)的材质为铝，所述疏气痕(103)是由钨钢刀具刻划出来的。
10.根据权利要求9所述的PECVD薄膜淀积设备，其特征在于，所述热盘(100)的表面被打磨至无突起。
PECVD薄膜淀积设备及其热盘
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
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