专利汇可以提供基于气体的电离辐射探测器及其制造方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种用于探测 电离 辐射 的探测器(9),其包括一 阴极 (17,41);置于这些 电极 之间的一电离气体;这样设置的一射线入口(33),即 电离辐射 (1)可以进入并且使电离气体 离子化 ;以及一读出组件。穿过这些电极的一 电压 使在电离气体离子化期间产生的 电子 移向 阳极 ,该读出组件(19)在该处探测这些电子。为了减少发生火花的危险,并且/或者为了减少发生火花时的 能量 ,该阴极具有至少面对由 电阻 率 至少为5×10-8Ωm的材料制成的阳极的表 面层 。,下面是基于气体的电离辐射探测器及其制造方法专利的具体信息内容。
1. 一种用于电离辐射探测的探测器(9),其包括:-一阴极组件和一阳极组件(19),借助高压直流电电源在它们之间可施加一电压(U1);-一空间(13),它能够充满电离气体并且设置在所述阴极组件与阳极组件之间;-一射线入口,其这样设置,即,使得电离辐射线可以进入所述阴极组件与阳极组件之间的所述空间,以使电离气体离子化;以及-一读出组件;其中-所述电压适于使在所述电离气体离子化期间内产生的电子移向该阳极组件并雪崩倍增;和-所述读出组件设置成便于探测到移向阳极组件的电子或探测到对应地产生的移向阴极组件的离子,其特征在于,该阴极组件的表面层的面对该阳极组件的至少一部分由电阻率在1×10-3Ωm到1×103Ωm之间的材料制成。
2. 如权利要求1所迷的探测器,其特征在于,所述阴极组件面 对阳极组件的所述表面被多个导电件覆盖。
3. 如权利要求2所述的探测器,其特征在于,所述多个导电件 彼此之间;故分开。
4. 如权利要求1所迷的探测器,其特征在于,该高压直流电电 源与电阻率在lxlO^Qm到lxl(^Qm之间的所述材料导电相连。
5. 如权利要求1所述的探测器,其特征在于,所述材料具有在 lxlO""2Qm到1Qm之间的电阻率。
6. 如权利要求1 - 5之一所迷的探测器,其特征在于,所述材料 是半导体材料。
7. 如权利要求6所迷的探测器,其特征在于,所述半导体材料 包括这样的半导体材料,该半导体材料包括从元素周期表IV族和/或元 素周期表III和V族中选择的元素。
8. 如权利要求7所述的探测器,其特征在于,所述半导体材料 为硅。
9. 如权利要求7或8所述的探测器,其特征在于,所述半导体 材料是搀杂的。
10. 如权利要求1所述的探测器,其特征在于,所述阴极组件完全由半导体材料制成。
11. 如权利要求2或3所述的探测器,其特征在于,所述的电阻 率在1x10—3Qm到lxl()3Qn)之间的材料是电绝缘体。
12. 如权利要求11所述的探测器,其特征在于,所述多个导电件 通过相应电阻彼此相连。
13. 如权利要求11所述的探测器,其特征在于,每一所迷多个导 电件通过相应电阻与所述高压直流电电源相连。
14. 如权利要求13所述的探测器,其特征在于,所述多个导电件 中的每一个及所述多个电阻的中每一个以其末端部分中有一窄细部(41b)的带(41)的形式设置在所述阴极组件的面对阳极组件的所述 表面上,使得该带具有一形成导电件的细长部(41a)、 一形成电阻的 窄细部(41b)以及用于连接所述高压直流电电源的宽连接部(41c)。
15. 如权利要求14所述的探测器,其特征在于,每个所述带的材 料成分是不同质的,以便每个细长部具有第二电阻率的材料成分,而 所迷狭窄细部具有第三电阻率的材料成分,所述第三电阻率大于所述 第二电阻率。
16. 如权利要求1-5之一所述的探测器,其特征在于,该阳极组 件包括读出组件。
17. 如权利要求2-3和12-15中之一所述的探测器,其特征在 于,该阳极组件面对所述阴极组件的表面包括多个导电体或半导体。
18. 如权利要求17所迷的探测器,其特征在于,所述阴极组件的 多个导电件基本上沿第 一方向延伸,而该阳极组件的多个导电体或半 导体基本上沿第二方向延伸,该第一方向基本上不平行于该第二方向。
19. 如权利要求18所迷的探测器,其特征在于,所述笫一方向基 本上垂直于该第二方向。
20. 如权利要求1-5之一所述的探测器,其特征在于,所述探测器包括用于在所述电离气体离子化期间产生的电子的雪崩倍增的电子 雪崩倍增装置,所述读出组件被设置用来探测所述雪崩倍增电子或相 应产生的离子。
21. 如权利要求1所迷的探测器,其特征在于,所述表面层的所 述至少一部分设置有防止该表面层的所述至少一部分氧化的保护层。
22. —种用于平面射束射线照相的装置,其特征在于,它包括X 射线源(3)、用于形成位于所述X射线源与待成像物体(7)之间的 大致平面的X射线的准直仪窄窗(5)、以及如权利要求1-21之一所 述的探测器(9),所迷探测器(9)被定位且被设置用来探测透过或 被所迷物体反射的平面X射线束。
23. —种用于电离辐射探测的方法,其包括下列步骤: -提供一阴极组件及一阳极组件(19);-射线经过一射线入口入射并且进入一位于所述阴极组件与该阳 极组件之间的且充有电离气体的空间(13),从而使该电离气体离子 化;-在所迷阴极组件与所述阳极组件(19)之间施加一电压(U,), 从而使在所迷电离气体离子化期间产生的电子移向该阳极组件并雪崩 倍增;并且-借助于一读出组件来探测移向阳极组件的电子或探测对应地产 生的移向阴极组件的离子,其特征在于,提供该阴极组件的表面层的至少一部分,该部分面 对该阳极组件并由电阻率在lxl(^Qm到lxl(^Qm之间的材料制成。
24. 如权利要求23所述的方法,其特征在于,所述材料为硅。
25. 如权利要求24所述的方法,其特征在于,在入射射线步骤之 前去除在所迷表面层的所述至少一部分上存在的任何氧化硅。
26. 如权利要求25所述的方法,其特征在于,在去除氧化硅步骤 之后并且在进入、施加和探测的步骤期间防止该表面层的所述至少一 部分接触氧气。
27. 如权利要求25所述的方法,其特征在于,所迷表面层的所述至少一部分在去除氧化硅步骤之后设置一保护层。
28. 如权利要求25所述的方法,其特征在于,使所述表面层的所述至少一部分钝化,从而减少随后的任何氧化。
29. —种制造基于气体的平板辐射探测器的方法,所迷探测器包 括一阴极组件以及一阳极组件(19),在它们之间可以施加用于电子 漂移的一电压(Ul); —能够充满电离气体并且至少部分被设置在所 述阴极与阳极组件之间的闭合空间(13); —射线入口,其i殳置成使 得电离辐射可以进入在所述阴极与阳极组件之间的空间内以使电离气体离子4匕;以及一读出组件,其用于4笨测移向阳极组件的电子或对应地产生的移向阴极组件的离子,所迷方法的特征在于:-提供该阴极组件,该阴极组件的表面层的面对该阳极组件的至少一部分由电阻率在lxlO-SQm到lxl(^Qm之间的材料或硅制成; -去除在所述表面层的所述至少一部分上生长的任何氧化物;和 -防止所述表面层的所述至少一部分在去除氧化物步骤之后接触氧气。
30. 如权利要求29所述的方法,其特征在于,通过把所述表面层 的所迷至少一部分保持在无氧的环境中来防止所述表面层的所述至少 一部分接触氧气。
31. 如权利要求29所述的方法,其特征在于,借助于用保护层覆 盖所述表面层的所述至少一部分来防止所述表面层的所述至少一部分 接触氧气。
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