铁基双相耦合合金及其制备方法
专利汇可以提供铁基双相耦合合金及其制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 铁 基双相耦合 合金 及其制备方法。该铁基双相耦合合金的化学成分及其重量百分比含量是：Fe为79~83%、M为1~4%、Si为7~9%、B为1.5~2.0%、Cu为1.0~1.5%、M’为0.1~1.2%、Nb为2.5~4.5%；其中，M为Co、Ni和Cr，且Co∶Ni∶Cr=2∶1∶1；M’为P和Mn，且P∶Mn=1∶1。其制备方法为：按上述化学成分及其含量配料； 感应加热 炉熔炼；将熔融态的合金喷射到高速旋转的 铜 辊上，制成铁基非晶合金薄带；再将所制成的铁基非晶合金薄带置入 真空 退火 炉中晶化退火后快冷。本发明实用性强、制备条件要求低，制备的铁基双相耦合合金饱和磁感应强度高、高频损耗低。，下面是铁基双相耦合合金及其制备方法专利的具体信息内容。
1.一种铁基双相耦合合金，其特征在于：该合金的化学成分及其重量百分比含量是：
Fe为79~83%、M为1~4%、Si为7~9%、B为1.5~2.0%、Cu为1.0~1.5%、M’为0.1~1.2%、Nb为2.5~4.5%；其中，M为Co、Ni和Cr，且Co∶Ni∶Cr=2∶1∶1；M’为P和Mn，且P∶Mn=1∶1。
2.根据权利要求1所述的铁基双相耦合合金，其特征在于：该合金的化学成分及其重量百分比含量是：Fe为79~81%、M为2~4%、Si为7~9%、B为1.8~2.0%、Cu为1.0~1.5%、M’为1~1.2%、Nb为2.5~4.5%。
3.权利要求1和2任一项所述的铁基双相耦合合金的制备方法，包括配料；感应加热炉熔炼；将熔融态的合金喷射到高速旋转的铜辊上，制成铁基非晶合金薄带；将所制成的铁基非晶合金薄带置入真空退火炉中晶化退火；然后快冷的步骤；其特征在于：
所述的晶化退火步骤的工艺条件为：将样品随真空退火炉由室温升温至480~500℃预退火60~90min，然后继续升温至530~600℃晶化退火60~90min；
所述快冷的步骤为铁基非晶合金薄带出真空退火炉后以10~30℃/s的速度冷却至室温。
4.根据权利要求3所述的铁基双相耦合合金的制备方法，其特征在于：所述熔炼步骤中熔炼气氛为大气。
5.根据权利要求3或4所述的铁基双相耦合合金的制备方法，其特征在于：所述高速旋转的转速为900~1200r/min。
铁基双相耦合合金及其制备方法
技术领域
背景技术
1~2%。该合金的制备方法主要包括：将熔融态的合金喷射到高速旋转的铜辊上制成非晶薄带；然后将所制成的非晶合金薄带置入真空炉中晶化退火，制得铁基纳米晶合金；晶化退火的工艺为：450~480℃预退火40~60min，520~570℃晶化退火40~60min，出炉自然冷却至室温。该发明利用V元素来替代部分Nb元素，使合金的有效磁导率具有随频率变化较小的特性，但是V元素抑制晶粒长大的作用比Nb元素弱，用V元素来替代部分Nb元素，使纳米晶合金中晶粒尺寸变大，使这种铁基纳米晶合金的饱和磁感应强度降低，限制了这种合金在变压器和互感器中的应用。该发明的晶化退火工艺中采用的是将退火后的合金出炉自然冷却至室温，合金在自然冷却的过程中，由于自身出炉时带的余温会使合金的晶粒继续长大，制备的铁基纳米晶合金的饱和磁感应强度会进一步降低、高频损耗变大。
发明内容
具体实施方式
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