LED芯片制造方法
专利汇可以提供LED芯片制造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种LED芯片制造方法，其首先利用金属有机 化学气相沉积 技术在 半导体 衬底上生长出GaN半导体层，并在GaN半导体层上蒸 镀 透明 电极 ，接着在透明电极上制作 刻蚀 光罩以便对所述透明电极进行透明电极蚀刻和ICP刻蚀，以便制作N电极，接着再对透明电极进行二次透明电极蚀刻及去光阻，以便制作P电极，然后对所述透明电极熔合后，再进行N/P光罩，然后进行金属蒸镀、金属剥离形成P电极和N电极，接着再进行金属熔合，最后在已形成P电极和N电极的半导体结构上沉积 钝化 层，开双孔光罩后对所述 钝化层 进行钝化蚀刻，由此形成低成本的LED芯片。，下面是LED芯片制造方法专利的具体信息内容。
1.一种LED芯片制造方法，其特征在于包括步骤：
1）利用金属有机化学气相沉积技术在半导体衬底或蓝宝石衬底上生长出GaN半导体层，并在GaN半导体层上蒸镀透明电极，其中，所述GaN半导体层包括N-GaN层、量子阱及P-GaN层；
2）在透明电极上制作刻蚀光罩后，再对所述透明电极进行透明电极蚀刻和ICP刻蚀，以便制作N电极；
3）再次对所述透明电极进行二次透明电极蚀刻及去光阻，以便制作P电极，其中，所述光阻即为步骤2）中的刻蚀光罩；
4）对所述透明电极熔合后，再进行N/P光罩，然后进行金属蒸镀、金属剥离形成P电极和N电极，接着再进行金属熔合；
5）在已形成P电极和N电极的半导体结构上沉积钝化层，开双孔光罩后对所述钝化层进行钝化蚀刻，由此形成LED芯片。
2.如权利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：所述透明电极为透明导电薄膜。
3.如权利要求2所述的LED芯片制造方法，其特征在于：所述透明导电薄膜的材料为ITO或Ni和Au形成的合金。
4.如权利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：所述透明电极的厚度为500－
4000
5.如权利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：所述ICP刻蚀的深度为
8000－20000
6.如权利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：所述金属蒸镀为先镀Cr，再镀Pt，最后镀Au；或者先镀Cr，后镀Au；或者先镀Ti，再镀Al，再镀Ti，最后镀Au。
7.如权利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：所述钝化层材料为SiO2，钝化层厚度为500－4000
LED芯片制造方法
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
电压VF(V，@20mA) 3.15 3.19
波长WLD(nm，@20mA) 459.5 460.0
亮度LOP(mcd，@20mA) 50.1 49.6
漏电IR(散0.1uA，@-8V) 94％ 93％
光功率mW(@20mA) 4.38 4.23
寿命测试(3OmA，168Hr) 87％ 87％
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