专利汇可以提供单晶PERC电池背钝化结构专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及单晶PERC 电池 背钝领域。单晶PERC电池背 钝化 结构,单晶PERC电池生产,按照清洗制绒、低压扩散、湿法 刻蚀 、背面钝化、 正面 镀 膜 、背面镀膜、激光开槽、印刷,背面钝化过程为,首先在 硅 片 背面通过PECVD的方式在 温度 450℃下沉积1‑3nm厚的氮 氧 化硅层,然后在氮氧化硅层上通过PECVD的方式在温度450℃下沉积6‑8nm厚的氧化 铝 层,最后再在氮氧化硅层上通过PECVD的方式在温度450℃下沉积100‑120nm的氮化硅层。,下面是单晶PERC电池背钝化结构专利的具体信息内容。
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