专利汇可以提供一种无步进装置的双能X射线相衬成像系统及其实现方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种无步进装置的双能 X射线 相衬成像系统及其实现方法,该系统沿光路依次包括双能阵列X射线源、样品、 相位 光栅、双能分析光栅、X射线探测器。其中:双能阵列X射线源 调节管 电压 发出不同 能量 的X射线,同时把X射线变成一列列单独相干但相互之间不相干的光;相位光栅把入射光分离成不同的衍射级次,在双能分析光栅处形成周期性干涉条纹,与双能分析光栅形成莫尔条纹提取相位信息;X射线探测器记录莫尔条纹图像。本发明提供的双能X射线相衬成像系统通过调节X射线的能量,利用双能分析光栅对不同能量X射线的转化,在成像中不需要移动光栅,减少了成像的步骤,降低了对机械 精度 的要求。,下面是一种无步进装置的双能X射线相衬成像系统及其实现方法专利的具体信息内容。
1.一种无步进装置的的双能X射线相衬成像系统,其特征在于,所述的成像系统沿X射线传播方向依次包括双能阵列X射线源(1)、样品(2)、相位光栅(3)、双能分析光栅(4)、X射线探测器(5),其中:双能阵列X射线源(1)可以调节管电压发出不同能量的X射线;同时把X射线变成一列列单独相干但相互之间不相干的光;相位光栅(3)的作用是把入射光分离成不同的衍射级次,在双能分析光栅(4)处形成周期性干涉条纹,与双能分析光栅形成莫尔条纹可以提取相位信息;X射线探测器(1)获取并记录莫尔条纹图像。
2.如权利要求1所述的无步进装置的的双能X射线相衬成像系统,其特征在于:所述的双能X射线相衬成像系统所使用的双能阵列X射线源(1)可以调节管电压发出两种不同能量的X射线,一种X射线能量大于50Kev,一种小于50Kev。
3.如权利要求1所述的无步进装置的的双能X射线相衬成像系统:其特征在于,所述的双能分析光栅(5)通过填充两种不同的闪烁体材料转化不同能量的X射线为可见光,其中填充高能闪烁体材料Gd2O2S的栅条只能转化能量大于50Kev的X射线,填充低能闪烁体材料Y2O2S的栅条只能转化能量小于50Kev的X射线。
4.如权利要求1所述的无步进装置的的双能X射线相衬成像系统,其特征在于:使用的双能阵列X射线源(1)和所述的双能分析光栅(4)的周期满足条件 其中P0为双能阵列X射线源(1)的周期,P1是相位光栅(3)的周期,l是双能阵列X射线源(1)与相位光栅(3)之间的距离,d为相位光栅(3)与双能分析光栅(4)之间的距离。
5.如权利要求1所述的无步进装置的的双能X射线相衬成像系统,其特征在于:使用的相位光栅(3)和所述的双能分析光栅(4)的周期满足条件 其中P1为相位光栅(3)的周期,P2是双能分析光栅(4)的周期,l是双能阵列X射线源(1)与相位光栅(3)之间的距离,d为相位光栅(3)与双能分析光栅(4)之间的距离。
6.根据权利要求1所述的无步进装置的的双能X射线相衬成像系统,其特征在于,所述X射线探测器(5)为X射线CCD探测器。
7.一种实现无步进装置的双能X射线相衬成像的方法,应用于权利要求1至6所述的双能X射线相衬成像系统,其特征在于,该方法包括:
对准双能阵列X射线源的出光点和X射线探测器接收平面的中心点;
精确对准双能阵列X射线源、相位光栅和双能分析光栅,使得这三个装置的刻线相互平行,三个装置提供所在的平面和X射线探测器的平面相互平行,同时使三个装置的中心点和X射线探测器中心点处于同一条直线;
调节双能阵列X射线源的管电压到低能VL处,采集背景图像并记录没有物体时的干涉条纹,在该管电压下放入待测样品,采集样品的的图像;
调节双能阵列X射线源的管电压到高能VH处采集背景图像并记录没有物体时的干涉条纹,在该管电压下放入待测样品,采集样品的的图像;
根据任意两步位移提取相位信息的方法提取样品的相位信息。
8.根据权利要求7所述的实现无步进装置的双能X射线相衬成像的方法,其特征在于,所述对准双能阵列X射线源的出光点和X射探测器接收平面的中心点,是利用激光器分别在水平方向和竖直方向,对准双能阵列X射线源出射点和X射线探测器活动区域的中心,使双能阵列X射线源的出光点与X射线探测器接收平面的中心点对准。
9.根据权利要求7所述的实现双能X射线相衬成像的方法,其特征在于,所述无步进装置的双能X射线相衬成像系统,其实现双能X射线相衬成像的步骤如下:
(1)利用激光器分别在水平方向和竖直方向,对准双能阵列X射线源出射点和X射线探测器活动区域的中心,使双能阵列X射线源的出光点与X射线探测器接收平面的中心点对准;
(2)当双能阵列X射线源和相位光栅之间不加样品时,调节双能阵列X射线源的管电压到低能VL处,采集背景图像,记录X射线探测器的Imax1和探测器的相对位置χ0,其采集图像结果表示为I1p=K[1+sin cγ1sin cγ2cos α01,其中 M为整数,m0为双能阵列X射线源的周期数, γ2为双能分析光栅的占空比;
(3)放入样品曝光得到物体的探测图像结果 其中
为相移值,Am为吸收强度;
(4)调节双能阵列X射线源的管电压到低能VL处,采集探测器上的背景图像,记录X射线p
探测器的Imax2,由Imax2和Imax1的比值得到和步骤(2)统一的Imax,归一化后的探测图像记为I2=K[1-sin cγ1sin cγ2cos α0];
(5)放入样品曝光得到物体的探测图像结果:
(6)由4幅探测的图像解出物体的吸收强度 相位的一阶导数分布为
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