专利汇可以提供含多组分氧化物的增强的溅射靶合金组合物专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且磁记录介质,其包括衬底、和在衬底上形成的数据存储 薄膜 层。数据存储薄膜层包括钴(Co)、铂(Pt)、和多组分 氧 化物。多组分氧化物具有还原电位小于-0.03 电子 伏特、 原子 半径小于0.25纳米的阳离子。另外,多组分氧化物具有磁导率小于10-6m3/kg的抗 磁性 、 顺磁性 、或磁性。多组分氧化物的 介电常数 大于5.0。溅射靶另外包括铬(Cr)和/或 硼 (B)。,下面是含多组分氧化物的增强的溅射靶合金组合物专利的具体信息内容。
1.溅射靶,其中所述溅射靶包括钴(Co)、铂(Pt)、和多组分氧化物,其中多组分氧化物具有还原电位小于-0.03电子伏特、原子半径小于0.25纳米的阳离子,和其中多组分氧化物具有磁导率小于10-6m3/kg的抗磁性、顺磁性、或磁性。
2.权利要求1的溅射靶,其中多组分氧化物的介电常数大于5.0。
3.权利要求1的溅射靶,其中所述溅射靶另外包括铬(Cr)。
4.权利要求1的溅射靶,其中所述溅射靶另外包括硼(B)。
5.权利要求1的溅射靶,其中所述多组分氧化物另外包括X1、X2、和氧(O),其中X1和X2为选自钽(Ta)、铝(Al)、铌(Nb)、铪(Hf)、锆(Zr)、钛(Ti)、锡(Sn)、镧(La)、钨(W)、钴(Co)、钇(Y)、铬(Cr)、铈(Ce)、铕(Eu)、钆(Gd)、钒(V)、钐(Sm)、镨(Pr)、镁(Mg)、锰(Mn)、铱(Ir)、铼(Re)、和镍(Ni)的元素。
6.权利要求1的溅射靶,其中所述多组分氧化物另外包括X1、X2、和氧(O),其中X1和X2为选自硅(Si)、铝(Al)、铌(Nb)、铪(Hf)、锆(Zr)、钛(Ti)、锡(Sn)、镧(La)、钨(W)、钴(Co)、钇(Y)、铬(Cr)、铈(Ce)、铕(Eu)、钆(Gd)、钒(V)、钐(Sm)、镨(Pr)、镁(Mg)、锰(Mn)、铱(Ir)、铼(Re)、和镍(Ni)的元素。
7.权利要求5的溅射靶,其中所述多组分氧化物另外包括X3,其中X3为选自铝(Al)、铌(Nb)、铪(Hf)、锆(Zr)、钛(Ti)、锡(Sn)、镧(La)、钨(W)、钴(Co)、钇(Y)、铬(Cr)、铈(Ce)、铕(Eu)、钆(Gd)、钒(V)、钐(Sm)、镨(Pr)、镁(Mg)、锰(Mn)、铱(Ir)、铼(Re)、和镍(Ni)的元素。
8.权利要求6的溅射靶,其中所述多组分氧化物另外包括X3,其中X3为选自铝(Al)、铌(Nb)、铪(Hf)、锆(Zr)、钛(Ti)、锡(Sn)、镧(La)、钨(W)、钴(Co)、钇(Y)、铬(Cr)、铈(Ce)、铕(Eu)、钆(Gd)、钒(V)、钐(Sm)、镨(Pr)、镁(Mg)、锰(Mn)、铱(Ir)、铼(Re)、和镍(Ni)的元素。
9.权利要求1的溅射靶,其中所述多组分氧化物另外包括X1、X2、和氧(O),其中X1和X2为选自硅(Si)、钽(Ta)、铝(Al)、铌(Nb)、铪(Hf)、锆(Zr)、钛(Ti)、锡(Sn)、镧(La)、钨(W)、钴(Co)、钇(Y)、铬(Cr)、铈(Ce)、铕(Eu)、钆(Gd)、钒(V)、钐(Sm)、镨(Pr)、镁(Mg)、锰(Mn)、铱(Ir)、铼(Re)、和镍(Ni)的元素。
10.磁记录介质,其包括:衬底;和在所述衬底上形成的数据存储薄膜层,其中所述数据存储薄膜层包括钴(Co)、铂(Pt)、和多组分氧化物,其中多组分氧化物具有还原电位小于-0.03电子伏特、原子半径小于0.25纳米的阳离子,和其中多组分氧化物具有磁导率小于10-6m3/kg的抗磁性、顺磁性、或磁性。
11.权利要求10的磁记录介质,其中所述数据存储薄膜层另外包括铬(Cr)。
12.权利要求10的磁记录介质,其中所述数据存储薄膜层另外包括硼(B)。
13.权利要求10的磁记录介质,其中所述多组分氧化物另外包括X1、X2、和氧(O),其中X1和X2为选自硅(Si)、铝(Al)、钽(Ta)、铌(Nb)、铪(Hf)、锆(Zr)、钛(Ti)、锡(Sn)、镧(La)、钨(W)、钴(Co)、钇(Y)、铬(Cr)、铈(Ce)、铕(Eu)、钆(Gd)、钒(V)、钐(Sm)、镨(Pr)、镁(Mg)、锰(Mn)、铱(Ir)、铼(Re)、和镍(Ni)的元素。
14.权利要求13的磁记录介质,其中所述多组分氧化物另外包括X3,其中X3为选自硅(Si)、铝(Al)、钽(Ta)、铌(Nb)、铪(Hf)、锆(Zr)、钛(Ti)、锡(Sn)、镧(La)、钨(W)、钴(Co)、钇(Y)、铬(Cr)、铈(Ce)、铕(Eu)、钆(Gd)、钒(V)、钐(Sm)、镨(Pr)、镁(Mg)、锰(Mn)、铱(Ir)、铼(Re)、和镍(Ni)的元素。
15.生产磁记录介质的方法,其包括从溅射靶溅射至少第一数据存储薄膜层到衬底上的步骤,其中溅射靶包括钴(Co)、铂(Pt)、和多组分氧化物,其中多组分氧化物具有还原电位小于-0.03电子伏特、原子半径小于0.25纳米的阳离子,且其中多组分氧化物具有磁导率小于10-6m3/kg的抗磁性、顺磁性、或磁性。
16.溅射靶,其中所述溅射靶包括钴(Co)、铂(Pt)、至少一种氧化物、和至少一种金属,其中,当溅射靶溅射时,所述至少一种氧化物和所述至少一种金属提供多组分氧化物,其中多组分氧化物具有还原电位小于-0.03电子伏特、原子半径小于0.25纳米的阳离子,其中多组分氧化物具有磁导率小于10-6m3/kg的抗磁性、顺磁性、或磁性,且其中多组分氧化物的介电常数大于5.0。
17.权利要求16的溅射靶,其中所述溅射靶另外包括铬(Cr)。
18.权利要求16的溅射靶,其中所述溅射靶另外包括硼(B)。
19.权利要求16的溅射靶,其中所述至少一种氧化物另外包括X1和氧(O),其中X1为选自硅(Si)、铝(Al)、钽(Ta)、铌(Nb)、铪(Hf)、锆(Zr)、钛(Ti)、锡(Sn)、镧(La)、钨(W)、钴(Co)、钇(Y)、铬(Cr)、铈(Ce)、铕(Eu)、钆(Gd)、钒(V)、钐(Sm)、镨(Pr)、镁(Mg)、锰(Mn)、铱(Ir)、铼(Re)、和镍(Ni)的元素。
20.权利要求16的溅射靶,其中所述至少一种金属为选自硅(Si)、铝(Al)、钽(Ta)、铌(Nb)、铪(Hf)、锆(Zr)、钛(Ti)、锡(Sn)、镧(La)、钨(W)、钴(Co)、钇(Y)、铬(Cr)、铈(Ce)、铕(Eu)、钆(Gd)、钒(V)、钐(Sm)、镨(Pr)、镁(Mg)、锰(Mn)、铱(Ir)、铼(Re)、和镍(Ni)的元素。
21.权利要求16的溅射靶,其中所述至少一种氧化物另外包括X1和氧(O),其中X1为选自硅(Si)、铝(Al)、钽(Ta)、铌(Nb)、铪(Hf)、锆(Zr)、钛(Ti)、锡(Sn)、镧(La)、钨(W)、钴(Co)、钇(Y)、铬(Cr)、铈(Ce)、铕(Eu)、钆(Gd)、钒(V)、钐(Sm)、镨(Pr)、镁(Mg)、锰(Mn)、铱(Ir)、铼(Re)、和镍(Ni)的元素;和其中所述至少一种金属为选自硅(Si)、铝(Al)、铌(Nb)、铪(Hf)、锆(Zr)、钛(Ti)、锡(Sn)、镧(La)、钨(W)、钴(Co)、钇(Y)、铬(Cr)、铈(Ce)、铕(Eu)、钆(Gd)、钒(V)、钐(Sm)、镨(Pr)、镁(Mg)、锰(Mn)、铱(Ir)、铼(Re)、和镍(Ni)的元素。
22.权利要求16的溅射靶,其中所述至少一种氧化物另外包括X1和氧(O),其中X1为选自铝(Al)、钽(Ta)、铌(Nb)、铪(Hf)、锆(Zr)、钛(Ti)、锡(Sn)、镧(La)、钨(W)、钴(Co)、钇(Y)、铬(Cr)、铈(Ce)、铕(Eu)、钆(Gd)、钒(V)、钐(Sm)、镨(Pr)、镁(Mg)、锰(Mn)、铱(Ir)、铼(Re)、或镍(Ni)的元素;和其中所述至少一种金属为选自硅(Si)、铝(Al)、钽(Ta)、铌(Nb)、铪(Hf)、锆(Zr)、钛(Ti)、锡(Sn)、镧(La)、钨(W)、钴(Co)、钇(Y)、铬(Cr)、铈(Ce)、铕(Eu)、钆(Gd)、钒(V)、钐(Sm)、镨(Pr)、镁(Mg)、锰(Mn)、铱(Ir)、铼(Re)、或镍(Ni)的元素。
23.溅射靶,其中所述溅射靶包括钴(Co)、铂(Pt)、和至少第一及第二氧化物,其中,当溅射靶溅射时,所述第一及第二氧化物提供多组分氧化物,其中多组分氧化物具有还原电位小于-0.03电子伏特、原子半径小于0.25纳米的阳离子,其中多组分氧化物具有磁导率小于10-6m3/kg的抗磁性、顺磁性、或磁性,且其中多组分氧化物的介电常数大于5.0。
24.权利要求23的溅射靶,其中所述溅射靶另外包括铬(Cr)。
25.权利要求23的溅射靶,其中所述溅射靶另外包括硼(B)。
26.权利要求23的溅射靶,其中所述第一氧化物另外包括X1和氧(O),其中X1为选自硅(Si)、铝(Al)、钽(Ta)、铌(Nb)、铪(Hf)、锆(Zr)、钛(Ti)、锡(Sn)、镧(La)、钨(W)、钴(Co)、钇(Y)、铬(Cr)、铈(Ce)、铕(Eu)、钆(Gd)、钒(V)、钐(Sm)、镨(Pr)、镁(Mg)、锰(Mn)、铱(Ir)、铼(Re)、和镍(Ni)的元素。
27.权利要求23的溅射靶,其中所述第二氧化物另外包括X2和氧(O),其中X2为选自硅(Si)、铝(Al)、钽(Ta)、铌(Nb)、铪(Hf)、锆(Zr)、钛(Ti)、锡(Sn)、镧(La)、钨(W)、钴(Co)、钇(Y)、铬(Cr)、铈(Ce)、铕(Eu)、钆(Gd)、钒(V)、钐(Sm)、镨(Pr)、镁(Mg)、锰(Mn)、铱(Ir)、铼(Re)、和镍(Ni)的元素。
28.溅射靶,其中所述溅射靶包括钴(Co)、铂(Pt)、和至少第一及第二金属,其中,当溅射靶反应溅射时,所述第一及第二金属提供多组分氧化物,其中多组分氧化物具有还原电位小于-0.03电子伏特、原子半径小于0.25纳米的阳离子,其中多组分氧化物具有磁导率小于10-6m3/kg的抗磁性、顺磁性、或磁性,且其中多组分氧化物的介电常数大于5.0。
29.权利要求28的溅射靶,其中所述溅射靶另外包括铬(Cr)。
30.权利要求28的溅射靶,其中所述溅射靶另外包括硼(B)。
31.权利要求28的溅射靶,其中所述第一金属为选自硅(Si)、铝(Al)、钽(Ta)、铌(Nb)、铪(Hf)、锆(Zr)、钛(Ti)、锡(Sn)、镧(La)、钨(W)、钴(Co)、钇(Y)、铬(Cr)、铈(Ce)、铕(Eu)、钆(Gd)、钒(V)、钐(Sm)、镨(Pr)、镁(Mg)、锰(Mn)、铱(Ir)、铼(Re)、和镍(Ni)的元素。
32.权利要求28的溅射靶,其中所述第二金属为选自硅(Si)、铝(Al)、钽(Ta)、铌(Nb)、铪(Hf)、锆(Zr)、钛(Ti)、锡(Sn)、镧(La)、钨(W)、钴(Co)、钇(Y)、铬(Cr)、铈(Ce)、铕(Eu)、钆(Gd)、钒(V)、钐(Sm)、镨(Pr)、镁(Mg)、锰(Mn)、铱(Ir)、铼(Re)、和镍(Ni)的元素。
33.生产磁记录介质的方法,其包括从溅射靶溅射至少第一数据存储薄膜层到衬底上的步骤,其中溅射靶包括钴(Co)、铂(Pt)、至少一种氧化物、和至少一种金属,其中所述至少一种氧化物和所述至少一种金属提供多组分氧化物,其中多组分氧化物具有还原电位小于-0.03电子伏特、原子半径小于0.25纳米的阳离子,且其中多组分氧化物具有磁导率小于10-6m3/Kg的抗磁性、顺磁性、或磁性。
34.生产磁记录介质的方法,其包括从溅射靶溅射至少第一数据存储薄膜层到衬底上的步骤,其中溅射靶包括钴(Co)、铂(Pt)、和至少第一及第二氧化物,其中所述至少第一及第二氧化物提供多组分氧化物,其中多组分氧化物具有还原电位小于-0.03电子伏特、原子半径小于0.25纳米的阳离子,且其中多组分氧化物具有磁导率小于10-6m3/kg的抗磁性、顺磁性、或磁性。
35.生产磁记录介质的方法,其包括在氧(O)的存在下从溅射靶反应溅射至少第一数据存储薄膜层到衬底上的步骤,其中溅射靶包括钴(Co)、铂(Pt)、和至少第一及第二金属,其中所述至少第一及第二金属提供多组分氧化物,其中多组分氧化物具有还原电位小于-0.03电子伏特、原子半径小于0.25纳米的阳离子,且其中多组分氧化物具有磁导率小于10-6m3/kg的抗磁性、顺磁性、或磁性。
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