技术领域
[0001] 本
发明涉及介电陶瓷材料，特别是涉及用于制造微波
频率使用的陶瓷
基板、
谐振器与
滤波器等微波元器件的介电陶瓷材料及其制备方法。
背景技术
[0002] 微波介电陶瓷是指应用于微波频段（主要是UHF和SHF频段）
电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷，在现代通讯中被广泛用作谐振器、滤波器、介质基片和介质导波回路等元器件，是现代通信技术的关键
基础材料，已在便携式
移动电话、
汽车电话、无绳电话、电视卫星接受器和军事雷达等方面有着十分重要的应用，在现代通讯工具的小型化、集成化过程中正发挥着越来越大的作用。
[0003] 应用于微波频段的介电陶瓷，应满足如下介电特性的要求：（1）系列化介电常数εr以适应不同频率及不同应用场合的要求;（2）高的品质因数Q值或低的介电损耗tanδ以降低噪音，一般要求Qf≥3000 GHz;(3) 谐振频率的温度系数τƒ尽可能小以保证器件具有好的热
稳定性，一般要求-10 ppm /℃≤τƒ≤+10 ppm/℃。国际上从20世纪30年代末就有人尝试将
电介质材料应用于微波技术, 并制备出TiO2微波介质滤波器，但其谐振频率温度系数τƒ太大而无法实用化。上世纪70年代以来，开始了大规模的对介质陶瓷材料的开发工作, 根据相对介电常数εr的大小与使用频段的不同，通常可将已被开发和正在开发的微波介质陶瓷分为4类。
[0004] （1）超低介电常数微波介电陶瓷，主要代表是Al2O3-TiO2、Y2BaCuO5、MgAl2O4和Mg2SiO4等，其εr≤20，品质因数Q×f≥50000GHz，τƒ≤10 ppm/°C。主要用于微波基板以及高端微波元器件。
[0005] （2）低εr和高Q值的微波介电陶瓷，主要是BaO-MgO-Ta2O5, BaO-ZnO-Ta2O5或BaO-MgO-Nb2O5,BaO-ZnO-Nb2O5系统或它们之间的复合系统MWDC材料。其εr=20～35,4
Q=(1～2)×10(在f≥10 GHz下), τƒ≈0。主要应用于f≥8 GHz的卫星直播等微波通信机中作为介质谐振器件。
[0006] （3）中等εr和Q值的微波介电陶瓷，主要是以BaTi4O9、Ba2Ti9O20和（Zr、Sn）TiO43
等为基的MWDC材料,其εr＝35~45，Q=（6～9）×10 （在f=3～－4GHz下），τƒ≤5 ppm/°C。主要用于4～8 GHz
频率范围内的微波军用雷达及通信系统中作为介质谐振器件。
[0007] （4）高εr而Q值较低的微波介电陶瓷，主要用于0.8～4GHz 频率范围内民用移动通讯系统，这也是微波介电陶瓷研究的重点。80年代以来，Kolar、Kato等人相继发现并研究了类
钙钛矿钨
青铜型BaO—Ln2O3—TiO2系列(Ln=La、 Sm、 Nd或Pr等,简称BLT系)、复合
钙钛矿结构CaO—Li2O—Ln2O3—TiO2系列、铅基系列材料、Ca1-xLn2x/3TiO3系等高εr微波介电陶瓷，其中BLT体系的BaO—Nd2O3—TiO2材料介电常数达到90，铅基系列 (Pb,Ca)ZrO3介电常数达到105。
[0008] 以上这些材料体系的
烧结温度一般高于1300°C，不能直接与Ag和Cu等低熔点金属共烧形成多层陶瓷电容器。近年来，随着
低温共烧陶瓷技术（Low Temperature Co-fired Ceramics, LTCC）的发展和微波多层器件发展的要求，国内外的研究人员对一些低烧体系材料进行了广泛的探索和研究，主要是采用微晶玻璃或玻璃-陶瓷
复合材料体系，因低熔点玻璃相具有相对较高的介质损耗，玻璃相的存在大大提高了材料的介质损耗。因此研制无玻璃相的低烧微波介质陶瓷材料是当前研究的重点。
[0009] 在探索与开发新型可低烧微波介电陶瓷材料的过程中，固有烧
结温度低的材料体系得到了广泛关注与研究，但是由于微波介电陶瓷的三个性能指标（εr与Q·f 和τƒ）之间是相互制约的关系（见文献：微波介质陶瓷材料介电性能间的制约关系，朱建华，梁 飞，汪小红，吕文中，
电子元件与材料，2005年3月第3期），满足三个性能要求且可低温烧结的单相微波介质陶瓷非常少，主要是它们的谐振频率温度系数通常过大或者品质因数偏低而无法实际应用要求。目前对微波介质陶瓷的研究大部分是通过大量实验而得出的经验总结,却没有完整的理论来阐述微观结构与介电性能的关系，因此，在理论上还无法从化合物的组成与结构上预测其谐振频率温度系数和品质因数等微波介电性能，这在很大程度上限制了低温共烧技术及微波多层器件的发展。探索与开发既能低温烧结同时具有近零谐振频率温度系数（-10 ppm /℃≤τƒ≤+10 ppm/℃）与较高品质因数的微波介电陶瓷是本领域技术人员一直渴望解决但始终难以获得成功的难题。
[0010] 我们对组成为LiBi2NbO6、LiLa2NbO6、LiNd2NbO6和LiBi2SbO6的系列化合物进行了微波介电性能的研究，发现它们的烧结温度低于1200℃，但只有LiBi2NbO6具有近零谐振频率温度系数与高品质因数，LiBi2SbO6陶瓷的谐振频率温度系数τƒ偏大（分别为-91 ppm/℃）并且介电损耗也较高而无法作为可实用化的微波介质陶瓷。LiLa2NbO6和LiNd2NbO6为
半导体在微波频段没有谐振峰。
发明内容
[0011] 本发明的目的是提供一种可低温烧结且具有良好
热稳定性与低损耗的中介电常数微波介电陶瓷材料及其制备方法。
[0012] 本发明的微波介电陶瓷材料的化学组成为LiBi2NbO6。
[0013] 本微波介电陶瓷材料的制备方法步骤为：（1）将纯度为99.9%（重量百分比）以上的Li2CO3、Bi2O3和Nb2O5的原始粉末按LiBi2NbO6的组成称量配料。
[0014] （2）将步骤（1）原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为无
水乙醇，烘干后在850℃大气气氛中预烧6小时。
[0015] （3）在步骤（2）制得的粉末中添加粘结剂并
造粒后，再
压制成型，最后在900~950℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用
质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。
[0016] 本发明的优点：LiBi2NbO6陶瓷在960℃以下烧结良好，介电常数达到37.3～38.7，尤其是谐振频率的温度系数τƒ小，温度稳定性好；品质因数Qf值高达
64000-79000GHz，可广泛用于各种介质基板、谐振器和滤波器等微波器件的制造，可满足低温共烧技术及微波多层器件的技术需要，在工业上有着极大的应用价值。
