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一种超薄低介电常数、低 电阻 电磁屏蔽膜

阅读：1032发布：2020-07-04

专利汇可以提供一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明公开一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜及制备方法,该电磁屏蔽膜包括载膜层,所述载膜层的顶端面涂布低介电常数的树脂绝缘层,所述树脂绝缘层上设金属刺穿层，所述金属刺穿层上镀膜成型金属屏蔽层,所述金属屏蔽层上涂布纯树脂胶层，所述纯树脂胶层上压贴可剥离的保护离型层；其中,所述载膜层厚度为15～100μm,树脂绝缘层与金属刺穿层的总厚度为3～10μm,所述金属屏蔽层厚度为1～5μm,所述纯树脂胶层厚度为3～5μm,所述保护离型层厚度为15～150μm。，下面是一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜,其特征在于,包括载膜层,所述载膜层的顶端面涂布低介电常数的树脂绝缘层,所述树脂绝缘层上设金属刺穿层，所述金属刺穿层上镀膜成型金属屏蔽层,所述金属屏蔽层上涂布纯树脂胶层，所述纯树脂胶层上压贴可剥离的保护离型层；其中,所述载膜层厚度为15～100μm,树脂绝缘层与金属刺穿层的总厚度为3～10μm,所述金属屏蔽层厚度为1～5μm,所述纯树脂胶层厚度为3～5μm,所述保护离型层厚度为15～150μm。
2.根据权利要求1所述的一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜,其特征在于,所述载膜层包括基膜和离型层,所述离型层热固成型于所述基膜上,且所述离型层厚度为1～3μm。
3.根据权利要求2所述的一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜,其特征在于,所述离型层为无硅离型剂离型层或硅油离型层,所述基膜为聚酰亚胺基膜、PPS基膜和聚脂薄膜基膜其中一种。
4.根据权利要求3所述的一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜,其特征在于,所述树脂绝缘层为介电常数为2.5～3.0的环氧树脂绝缘层,所述金属刺穿层为在所述树脂绝缘层上填入粒径为1～5μm的导电粒子填料成型的粗糙度为1～5μm的金属刺穿层，所述金属刺穿层为铝、锌、铁、镍、铜和不锈钢其中一种或多种组合的金属刺穿层，且金属刺穿层厚度3～5μm。
5.根据权利要求3所述的一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜,其特征在于,所述纯树脂胶层为纯环氧树脂胶层，且所述环氧树脂绝缘层和纯环氧树脂胶层的介电常数为
2.5～3.0。
6.根据权利要求3所述的一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜,其特征在于,所述金属屏蔽层为铜膜屏蔽层和/或不锈钢屏蔽层。
7.根据权利要求3所述的一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜,其特征在于,所述保护离型层为聚脂薄膜、聚脂离型膜和硅胶保护膜其中一种,且所述保护离型层与纯树脂胶层采用冷压贴合或热压贴合方式连接。
8.一种制备如权利4～7任一项所述的超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜的方法,其特征在于,包括如下步骤：
步骤A 基膜清洁；
选用聚酰亚胺、PPS基膜和聚脂薄膜任一种作为基膜,采用超声波清洗机将基膜的表面清洗干净，并通过薄膜干燥箱将基膜干燥；
步骤B 载体膜制备
在清洁后的基膜表面均匀涂布无硅离型剂或硅油,并将涂布无硅离型剂或硅油的基膜放置在烘烤炉内烘烤固化形成具有离型层的载体膜,其中，涂布的无硅离型剂或硅油厚度为1～3μm，烘烤炉烘烤时设定的温度为80℃～150℃,且烘烤时间为45分钟至60分钟；
步骤C 绝缘层与金属刺穿层制备
利用涂布机在载体膜上涂布低介电常数树脂胶,并将涂布树脂胶的载体膜放置在烘烤炉内进行烘烤固化,使载体膜上成型半固化树脂绝缘层,
在半固化树脂绝缘层上填入导电粒子填料,并在将填入导电粒子填料的载体膜放置在烘烤炉内进行烘烤固化,使载体膜上固化成型树脂绝缘层和粗糙的金属刺穿层,其中,载体膜上成型半固化树脂绝缘层时，烘烤炉设定的温度为80℃～150℃,烘烤时间为30分钟至45分钟；
载体膜上固化成型树脂绝缘层和金属刺穿层时,烘烤炉设定的温度为80℃～150℃,烘烤时间为15分钟至30分钟；
步骤D 屏蔽层成型
采用化学镀膜或真空蒸发镀膜或磁控溅射镀膜工艺在绝缘层上镀膜成型铜膜屏蔽层和/或采用真空蒸发镀膜或磁控溅射镀膜工艺在绝缘层上镀膜成型不锈钢屏蔽层；
步骤E 纯树脂胶层制备
利用涂布机在屏蔽层上涂布介电常数为2.5～3.0的纯树脂胶,并在烘烤炉内进行烘烤固化,使屏蔽层上形成纯树脂胶层,其中,纯树脂胶涂布的厚度为5～10μm、烘烤炉烘烤时设定的温度为80℃～150℃,且烘烤时间为45分钟至60分钟；
步骤F 保护离型层压贴
采用冷压贴合和/或热压贴合工艺将厚度为15μm～150μm的聚脂薄膜、聚脂离型膜、硅胶保护膜其中一种压贴在纯树脂胶层上,压贴可剥离的保护离型层。
9.根据权利要求8所述的一种制备超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜的方法，其特征在于，步骤C中，载体膜上成型固化树脂层的厚度为5～7μm，金属刺穿层的厚度为3～5μm，且金属刺穿层的粗糙度为1～5μm。
10.根据权利要求8所述的一种制备超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜的方法，其特征在于，
步骤B中，涂布的无硅离型剂或硅油厚度为3μm，烘烤炉烘烤时设定的温度为100℃,且烘烤时间为60分钟；
步骤C中,载体膜上成型半固化树脂绝缘层时，烘烤炉设定的温度为100℃,烘烤时间为
45分钟；载体膜上固化成型树脂绝缘层和金属刺穿层时，烘烤炉设定的温度为100℃,烘烤时间为30分钟,金属刺穿层的粗糙度为3μm；
步骤D中,采用磁控溅射镀膜工艺在绝缘层上镀膜成型铜膜屏蔽层；
步骤E中，纯树脂胶涂布的厚度为5μm、烘烤炉烘烤时设定的温度为100℃,且烘烤时间为60分钟。

说明书全文

一种超薄低介电常数、低 电阻 电磁屏蔽膜

技术领域

[0001] 本发明涉及电磁屏蔽膜技术领域,尤其是一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜及制备方法。

背景技术

[0002] 柔性线路板(FPC)也称扰性线路板、软硬结合板,其采用印制方式形成线路板,印制线路在聚酰亚胺或聚脂薄膜上形成单面或双面线路。FPC具有重量轻、体积小、厚度薄、外
形设计灵活等优点，FPC近几年被广泛应用于电子通讯、摄影摄像设备、打印机、手机、便携
电脑的线路板中。柔性线路板的屏蔽必须在其表面形成屏蔽膜层。

[0003] 中国专利屏蔽膜、屏蔽印制电路板、屏蔽印制柔性电路板、屏蔽膜制造方法及屏蔽印制柔性电路板制造方法(专利号:200680016573.7),披露了一种用于FPC的屏蔽膜,该屏
蔽膜包括:分离膜；覆膜,设于该分离膜的一个表面上；以及粘合层,其通过金属层形成于与
该分离膜相对的该覆膜的表面上,其中该覆膜包括至少一硬层和至少一软层，且面向该分
离膜的该覆膜的表面是由该硬层组成。

[0004] 在上述200680016573.7专利中，各功能层采用印制方式形成。在FPC厂电磁屏蔽膜绑定时不容易操作,同时，由于导电胶层内含有大量导电粒子,导电胶层表面触粘情差,不
易完成假性贴合,并且对于信号传输插入损耗较大，不能适应高频、高速传输的使用要求。

[0005] 因此,市场亟需一种高表面平整度、触粘性高、低介电常数的电磁屏蔽膜及制备方法。

发明内容

[0006] 本发明解决的技术问题是针对上述现有技术中的问题,提供一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜,该电磁屏蔽膜表面平整度高、介电常数低、触粘性高；与之同时,本
发明还提一种制备方法。

[0007] 根据本发明的一方面,本发明采取的一种技术方案如下:一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜,包括载膜层,所述载膜层的顶端面涂布低介电常数的树脂绝缘层,所述树
脂绝缘层上设金属刺穿层，所述金属刺穿层上镀膜成型金属屏蔽层,所述金属屏蔽层上涂
布纯树脂胶层，所述纯树脂胶层上压贴可剥离的保护离型层；其中,所述载膜层厚度为15～
100μm,树脂绝缘层与金属刺穿层的总厚度为3～10μm,所述金属屏蔽层厚度为1～5μm,所述
纯树脂胶层厚度为3～5μm,所述保护离型层厚度为15～150μm。

[0008] 作为对上述技术方案的进一步阐述：

[0009] 在上述技术方案中,所述载膜层包括基膜和离型层,所述离型层热固成型于所述基膜上,且所述离型层厚度为1～3μm。

[0010] 在上述技术方案中,所述离型层为无硅离型剂离型层或硅油离型层,所述基膜为聚酰亚胺基膜、PPS基膜和聚脂薄膜基膜其中一种。

[0011] 在上述技术方案中,所述树脂绝缘层为介电常数为2.5～3.0的环氧树脂绝缘层,所述金属刺穿层为在所述树脂绝缘层上填入粒径为1～5μm的导电粒子填料成型的粗糙度
为1～5μm的金属刺穿层，所述金属刺穿层为铝、锌、铁、镍、铜和不锈钢其中一种或多种组合
的金属刺穿层，且金属刺穿层厚度3～5μm。

[0012] 在上述技术方案中,所述纯树脂胶层为纯环氧树脂胶层，且所述环氧树脂绝缘层和纯环氧树脂胶层的介电常数为2.5～3.0。

[0013] 在上述技术方案中,所述金属屏蔽层为铜膜屏蔽层和/或不锈钢屏蔽层。

[0014] 在上述技术方案中,所述保护离型层为聚脂薄膜、聚脂离型膜和硅胶保护膜其中一种,且所述保护离型层与纯树脂胶层采用冷压贴合或热压贴合方式连接。

[0015] 根据本发明的另一方面,本发明采取的另一种技术方案如下:一种制备超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜的方法,包括如下步骤：

[0016] 步骤A基膜清洁；

[0017] 选用聚酰亚胺、PPS基膜和聚脂薄膜任一种作为基膜,采用超声波清洗机将基膜的表面清洗干净，并通过薄膜干燥箱将基膜干燥；

[0018] 步骤B载体膜制备

[0019] 在清洁后的基膜表面均匀涂布无硅离型剂或硅油,并将涂布无硅离型剂或硅油的基膜放置在烘烤炉内烘烤固化形成具有离型层的载体膜,其中,涂布的无硅离型剂或硅油
厚度为1～3μm，烘烤炉烘烤时设定的温度为80℃～150℃,且烘烤时间为45分钟至60分钟；

[0020] 步骤C绝缘层与金属刺穿层制备

[0021] 利用涂布机在载体膜上涂布低介电常数树脂胶,并将涂布树脂胶的载体膜放置在烘烤炉内进行烘烤固化,使载体膜上成型半固化树脂绝缘层,

[0022] 在半固化树脂绝缘层上填入导电粒子填料,并在将填入导电粒子填料的载体膜放置在烘烤炉内进行烘烤固化,使载体膜上固化成型树脂绝缘层和粗糙的金属刺穿层,其中,

[0023] 载体膜上成型半固化树脂绝缘层时，烘烤炉设定的温度为80℃～150℃,烘烤时间为30分钟至45分钟；

[0024] 载体膜上固化成型树脂绝缘层和金属刺穿层时,烘烤炉设定的温度为80℃～150℃,烘烤时间为15分钟至30分钟；

[0025] 步骤D屏蔽层成型

[0026] 采用化学镀膜或真空蒸发镀膜或磁控溅射镀膜工艺在绝缘层上镀膜成型铜膜屏蔽层和/或采用真空蒸发镀膜或磁控溅射镀膜工艺在绝缘层上镀膜成型不锈钢屏蔽层；

[0027] 步骤E纯树脂胶层制备

[0028] 利用涂布机在屏蔽层上涂布介电常数为2.5～3.0的纯树脂胶,并在烘烤炉内进行烘烤固化,使屏蔽层上形成纯树脂胶层,其中,纯树脂胶涂布的厚度为5～10μm、烘烤炉烘烤
时设定的温度为80℃～150℃,且烘烤时间为45分钟至60分钟；

[0029] 步骤F保护离型层压贴

[0030] 采用冷压贴合和/或热压贴合工艺将厚度为15μm～150μm的聚脂薄膜、聚脂离型膜、硅胶保护膜其中一种压贴在纯树脂胶层上,压贴可剥离的保护离型层。

[0031] 作为对上述技术方案的进一步阐述：

[0032] 在上述技术方案中,步骤C中，载体膜上成型固化树脂层的厚度为5～7μm,金属刺穿层的厚度为3～5μm,且金属刺穿层的粗糙度为1～5μm。

[0033] 在上述技术方案中,步骤B中，涂布的无硅离型剂或硅油厚度为3μm，烘烤炉烘烤时设定的温度为100℃,且烘烤时间为60分钟；

[0034] 步骤C中,载体膜上成型半固化树脂绝缘层时,烘烤炉设定的温度为100℃,烘烤时间为45分钟；载体膜上固化成型树脂绝缘层和金属刺穿层时,烘烤炉设定的温度为100℃,
烘烤时间为30分钟,金属刺穿层的粗糙度为3μm；

[0035] 步骤D中,采用磁控溅射镀膜工艺在绝缘层上镀膜成型铜膜屏蔽层；

[0036] 步骤E中,纯树脂胶涂布的厚度为5μm、烘烤炉烘烤时设定的温度为100℃,且烘烤时间为60分钟。

[0037] 本发明的有益效果在于:通过本发明的制备方法制备的超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜表面平整度高、介电常数低、触粘性高；该电磁屏蔽膜主要是采用了低介电常数
树脂层的绝缘层、低介电常数的纯树脂胶层，胶层内不含导电粒子触粘性较好,在FPC电磁
屏蔽膜绑定时可以室温假贴,低介电常数树脂层的采用大大降低了绝缘层的介电常数，降
低了高频、高速信号传输的插入损耗。
附图说明

[0038] 图1是本发明电磁屏蔽膜的一种结构示意图。

具体实施方式

[0039] 下面结合附图对本发明作进一步详细的说明。

[0040] 通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本申请,而不能理解为对本申请的限制。在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、
“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为
了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方
位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”
仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的
数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特
征。在本申请的描述中,“若干个”、“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的
限定。在本申请中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术
语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接；可以是机械
连接,也可以是电连接；可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件
内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请
中的具体含义。在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之
“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通
过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第
一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特
征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅
表示第一特征水平高度小于第二特征。

[0041] 实施例1

[0042] 附图1实施例本发明实施例1的一种电磁屏蔽膜的具体实施例，参考附图1，一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜,该电磁屏蔽膜应用于电子通讯、摄影摄像设备、打印机、
手机、便携电脑等柔性线路板(FPC)及软硬结合板的电磁波屏蔽；它包括载膜层1,所述载膜
层1的顶端面涂布低介电常数的树脂绝缘层2,所述树脂绝缘层2上设金属刺穿层3,所述金
属刺穿层3上镀膜成型金属屏蔽层4,所述金属屏蔽层4上涂布纯树脂胶层5,所述纯树脂胶
层5上压贴可剥离的保护离型层6；其中,所述载膜层1厚度为15～100μm,树脂绝缘层2与金
属刺穿层3的总厚度为3～10μm,所述金属屏蔽层4厚度为1～5μm,所述纯树脂胶层5厚度为3
～5μm,所述保护离型层6厚度为15～150μm,需要说明的是,实际使用过程中,会将保护离型
层6剥离后将之与FPC压合，且电磁屏蔽膜与FPC压合时,所述金属刺穿层3刺穿金属屏蔽层4
和纯树脂胶层5后电连通FPC的接地点,同时,对于载膜层1,该载膜层1用于承载本实例的电
磁屏蔽膜,并在与FPC压合后被剥除。

[0043] 在本实施例中，所述载膜层1包括基膜11和离型层12,所述离型层12热固成型于所述基膜11上,且所述离型层12厚度为1～3μm,优选1μm,在本实施例中,离型层12为无硅离型
剂离型层或硅油离型层,所述基膜11为聚酰亚胺基膜、PPS基膜和聚脂薄膜基膜其中一种；
所述树脂绝缘层2为介电常数为2.5～3.0的环氧树脂绝缘层,所述金属刺穿层3为在所述树
脂绝缘层2上填入粒径为1～5μm的导电粒子填料成型的粗糙度为1～5μm的金属刺穿层3,所
述金属刺穿层3为铝、锌、铁、镍、铜和不锈钢其中一种或多种组合的金属刺穿层,且金属刺
穿层3厚度3～5μm；所述纯树脂胶层为纯环氧树脂胶层,且所述环氧树脂绝缘层和纯环氧树
脂胶层的介电常数为2.5～3.0,所述金属屏蔽层4为铜膜屏蔽层和/或不锈钢屏蔽层,实际
中,金属屏蔽层可为单一的铜膜屏蔽层或不锈钢屏蔽层,或者由铜膜屏蔽层和不锈钢屏蔽
层组成的复合屏蔽层,且铜膜屏蔽层镀膜在与金属刺穿层3接触的内侧,而所述不锈钢屏蔽
层则镀膜在外侧,在本实施例中,所述保护离型层6为聚脂薄膜、聚脂离型膜和硅胶保护膜
其中一种,且所述保护离型层6与纯树脂胶层5采用冷压贴合或热压贴合方式连接。

[0044] 实施例2

[0045] 一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜，包括载膜层1,所述载膜层1的顶端面涂布低介电常数的树脂绝缘层2,所述树脂绝缘层2上设金属刺穿层3,所述金属刺穿层3上镀
膜成型金属屏蔽层4,所述金属屏蔽层4上涂布纯树脂胶层5,所述纯树脂胶层5上压贴可剥
离的保护离型层6；其中,所述载膜层1厚度为15μm,树脂绝缘层2与金属刺穿层3的总厚度为
3μm,所述金属屏蔽层4厚度为1μm,所述纯树脂胶层5厚度为3μm,所述保护离型层6厚度为15
μm,在本实施例中,所述载膜层1包括基膜11和离型层12,所述离型层12热固成型于所述基
膜11上,且所述离型层12厚度为1μm,离型层12为无硅离型剂离型层,所述基膜11为聚酰亚
胺基膜,其厚度为14μm；所述树脂绝缘层2为介电常数为2.5～3.0的环氧树脂绝缘层,所述
金属刺穿层3为在所述树脂绝缘层2上填入粒径为1μm的导电粒子填料成型的粗糙度为1μm
的金属刺穿层3,所述金属刺穿层3为铝、锌、铁、镍、铜和不锈钢其中一种或多种组合的金属
刺穿层,且金属刺穿层3厚度3μm；所述纯树脂胶层为纯环氧树脂胶层,且所述环氧树脂绝缘
层和纯环氧树脂胶层的介电常数为2.5～3.0,所述金属屏蔽层4为铜膜屏蔽层和不锈钢屏
蔽层的复合金属屏蔽层,所述保护离型层6为聚脂薄膜、聚脂离型膜和硅胶保护膜其中一
种,且所述保护离型层6与纯树脂胶层5采用冷压贴合方式连接。

[0046] 实施例3

[0047] 一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜,包括载膜层1,所述载膜层1的顶端面涂布低介电常数的树脂绝缘层2,所述树脂绝缘层2上设金属刺穿层3,所述金属刺穿层3上镀
膜成型金属屏蔽层4,所述金属屏蔽层4上涂布纯树脂胶层5,所述纯树脂胶层5上压贴可剥
离的保护离型层6；其中,所述载膜层1厚度为100μm,树脂绝缘层2与金属刺穿层3的总厚度
为10μm,所述金属屏蔽层4厚度为5μm,所述纯树脂胶层5厚度为5μm,所述保护离型层6厚度
为150μm,在本实施例中,所述载膜层1包括基膜11和离型层12,所述离型层12热固成型于所
述基膜11上,且所述离型层12厚度为3μm,离型层12为无硅离型剂离型层,所述基膜11为PPS
基膜,其厚度为147μm；所述树脂绝缘层2为介电常数为2.5～3.0的环氧树脂绝缘层,所述金
属刺穿层3为在所述树脂绝缘层2上填入粒径为5μm的导电粒子填料成型的粗糙度为5μm的
金属刺穿层3,所述金属刺穿层3为铝、锌、铁、镍、铜和不锈钢其中一种或多种组合的金属刺
穿层,且金属刺穿层3厚度5μm；所述纯树脂胶层为纯环氧树脂胶层,且所述环氧树脂绝缘层
和纯环氧树脂胶层的介电常数为2.5～3.0,所述金属屏蔽层4为铜膜屏蔽层和不锈钢屏蔽
层的复合金属屏蔽层,所述保护离型层6为聚脂薄膜、聚脂离型膜和硅胶保护膜其中一种,
且所述保护离型层6与纯树脂胶层5采用热压贴合方式连接。

[0048] 实施例4

[0049] 一种制备实施例1-3中的超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜的方法,其包括如下步骤：

[0050] 步骤A基膜清洁；

[0051] 选用聚酰亚胺、PPS基膜和聚脂薄膜任一种作为基膜,采用超声波清洗机将基膜的表面清洗干净，并通过薄膜干燥箱将基膜干燥；

[0052] 步骤B载体膜制备

[0053] 在清洁后的基膜表面均匀涂布无硅离型剂或硅油,并将涂布无硅离型剂或硅油的基膜放置在烘烤炉内烘烤固化形成具有离型层的载体膜,其中,涂布的无硅离型剂或硅油
厚度为1～3μm，烘烤炉烘烤时设定的温度为80℃～150℃,且烘烤时间为45分钟至60分钟；

[0054] 步骤C绝缘层与金属刺穿层制备

[0055] 利用涂布机在载体膜上涂布低介电常数树脂胶,并将涂布树脂胶的载体膜放置在烘烤炉内进行烘烤固化,使载体膜上成型半固化树脂绝缘层,

[0056] 在半固化树脂绝缘层上填入导电粒子填料,并在将填入导电粒子填料的载体膜放置在烘烤炉内进行烘烤固化,使载体膜上固化成型树脂绝缘层和粗糙的金属刺穿层,其中,

[0057] 载体膜上成型半固化树脂绝缘层时，烘烤炉设定的温度为80℃～150℃,烘烤时间为30分钟至45分钟；

[0058] 载体膜上固化成型树脂绝缘层和金属刺穿层时,烘烤炉设定的温度为80℃～150℃,烘烤时间为15分钟至30分钟；

[0059] 步骤D屏蔽层成型

[0060] 采用化学镀膜或真空蒸发镀膜或磁控溅射镀膜工艺在绝缘层上镀膜成型铜膜屏蔽层和/或采用真空蒸发镀膜或磁控溅射镀膜工艺在绝缘层上镀膜成型不锈钢屏蔽层；

[0061] 步骤E纯树脂胶层制备

[0062] 利用涂布机在屏蔽层上涂布介电常数为2.5～3.0的纯树脂胶,并在烘烤炉内进行烘烤固化,使屏蔽层上形成纯树脂胶层,其中,纯树脂胶涂布的厚度为5～10μm、烘烤炉烘烤
时设定的温度为80℃～150℃,且烘烤时间为45分钟至60分钟；

[0063] 步骤F保护离型层压贴

[0064] 采用冷压贴合和/或热压贴合工艺将厚度为15μm～150μm的聚脂薄膜、聚脂离型膜、硅胶保护膜其中一种压贴在纯树脂胶层上,压贴可剥离的保护离型层。

[0065] 实施例5

[0066] 一种制备实施例1-3中的超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜的方法,其包括如下步骤：

[0067] 步骤A基膜清洁；

[0068] 选用聚酰亚胺、PPS基膜和聚脂薄膜任一种作为基膜,采用超声波清洗机将基膜的表面清洗干净，并通过薄膜干燥箱将基膜干燥；

[0069] 步骤B载体膜制备

[0070] 在清洁后的基膜表面均匀涂布无硅离型剂或硅油,并将涂布无硅离型剂或硅油的基膜放置在烘烤炉内烘烤固化形成具有离型层的载体膜,其中,涂布的无硅离型剂或硅油
厚度为1～3μm，烘烤炉烘烤时设定的温度为80℃～150℃,且烘烤时间为45分钟至60分钟；

[0071] 步骤C绝缘层与金属刺穿层制备

[0072] 利用涂布机在载体膜上涂布低介电常数树脂胶,并将涂布树脂胶的载体膜放置在烘烤炉内进行烘烤固化,使载体膜上成型半固化树脂绝缘层,

[0073] 在半固化树脂绝缘层上填入导电粒子填料,并在将填入导电粒子填料的载体膜放置在烘烤炉内进行烘烤固化,使载体膜上固化成型树脂绝缘层和粗糙的金属刺穿层,其中,

[0074] 载体膜上成型半固化树脂绝缘层时，烘烤炉设定的温度为80℃～150℃,烘烤时间为30分钟至45分钟；

[0075] 载体膜上固化成型树脂绝缘层和金属刺穿层时,烘烤炉设定的温度为80℃～150℃,烘烤时间为15分钟至30分钟；

[0076] 载体膜上成型固化树脂层的厚度为5～7μm,金属刺穿层的厚度为3～5μm,且金属刺穿层的粗糙度为1～5μm。

[0077] 步骤D屏蔽层成型

[0078] 采用化学镀膜或真空蒸发镀膜或磁控溅射镀膜工艺在绝缘层上镀膜成型铜膜屏蔽层和/或采用真空蒸发镀膜或磁控溅射镀膜工艺在绝缘层上镀膜成型不锈钢屏蔽层；

[0079] 步骤E纯树脂胶层制备

[0080] 利用涂布机在屏蔽层上涂布介电常数为2.5～3.0的纯树脂胶,并在烘烤炉内进行烘烤固化,使屏蔽层上形成纯树脂胶层,其中,纯树脂胶涂布的厚度为5～10μm、烘烤炉烘烤
时设定的温度为80℃～150℃,且烘烤时间为45分钟至60分钟；

[0081] 步骤F保护离型层压贴

[0082] 采用冷压贴合工艺将厚度为15μm～150μm的聚脂薄膜、聚脂离型膜、硅胶保护膜其中一种压贴在纯树脂胶层上,压贴可剥离的保护离型层。

[0083] 实施例6

[0084] 一种制备实施例1-3中的超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜的方法,其包括如下步骤：

[0085] 步骤A基膜清洁；

[0086] 选用聚酰亚胺、PPS基膜和聚脂薄膜任一种作为基膜,采用超声波清洗机将基膜的表面清洗干净，并通过薄膜干燥箱将基膜干燥；

[0087] 步骤B载体膜制备

[0088] 在清洁后的基膜表面均匀涂布无硅离型剂或硅油,并将涂布无硅离型剂或硅油的基膜放置在烘烤炉内烘烤固化形成具有离型层的载体膜,其中,涂布的无硅离型剂或硅油
厚度为3μm，烘烤炉烘烤时设定的温度为100℃,且烘烤时间为60分钟；

[0089] 步骤C绝缘层与金属刺穿层制备

[0090] 利用涂布机在载体膜上涂布低介电常数树脂胶,并将涂布树脂胶的载体膜放置在烘烤炉内进行烘烤固化,使载体膜上成型半固化树脂绝缘层,

[0091] 在半固化树脂绝缘层上填入导电粒子填料,并在将填入导电粒子填料的载体膜放置在烘烤炉内进行烘烤固化,使载体膜上固化成型树脂绝缘层和粗糙的金属刺穿层,其中,

[0092] 载体膜上成型半固化树脂绝缘层时，烘烤炉设定的温度为100℃,烘烤时间为45分钟；

[0093] 载体膜上固化成型树脂绝缘层和金属刺穿层时,烘烤炉设定的温度为100℃,烘烤时间为30分钟；

[0094] 载体膜上成型固化树脂层的厚度为7μm,金属刺穿层的厚度为3μm,且金属刺穿层的粗糙度为5μm。

[0095] 步骤D屏蔽层成型

[0096] 采用磁控溅射镀膜工艺在绝缘层上镀膜成型铜膜屏蔽层与不锈钢屏蔽层复合屏蔽层；

[0097] 步骤E纯树脂胶层制备

[0098] 利用涂布机在屏蔽层上涂布介电常数为2.5～3.0的纯树脂胶,并在烘烤炉内进行烘烤固化,使屏蔽层上形成纯树脂胶层,其中,纯树脂胶涂布的厚度为5μm、烘烤炉烘烤时设
定的温度为100℃,且烘烤时间为60分钟；

[0099] 步骤F保护离型层压贴

[0100] 采用热压贴合工艺将厚度为15μm～150μm的聚脂薄膜、聚脂离型膜、硅胶保护膜其中一种压贴在纯树脂胶层上,压贴可剥离的保护离型层。

[0101] 通过本实施例4～6的制备方法制备的实施例1～3的超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜表面平整度高、介电常数低、触粘性高；该电磁屏蔽膜主要是采用了低介电常数树脂
层的绝缘层、低介电常数的纯树脂胶层，胶层内不含导电粒子触粘性较好,在FPC电磁屏蔽
膜绑定时可以室温假贴,低介电常数树脂层的采用大大降低了绝缘层的介电常数，降低了
高频、高速信号传输的插入损耗。

[0102] 以上并非对本发明的技术范围作任何限制，凡依据本发明技术实质对以上的实施例所作的任何修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明的技术方案的范围内。

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一种超薄低介电常数、低电阻电磁屏蔽膜

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