具有多介电层的等离子体显示板
专利汇可以提供具有多介电层的等离子体显示板专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且等离子体 显示板(PDP)，包括：前板和后板，前板包括前基底，该前基底包括布置在其上的多个保持 电极 和 扫描电极 ；后板包括后基底，该后基底包括与多个保持电极和扫描电极相交叉的多个 寻址电极 ，还包括布置在后基底上的 覆盖 多个寻址电极的介电层；其中该介电层包括第一介电层和第二介电层，第一介电层设置在后基底上覆盖寻址电极，第二介电层设置在第一介电层上，并具有小于第一介电层的 介电常数 。，下面是具有多介电层的等离子体显示板专利的具体信息内容。
1.等离子体显示板，包括：
前板，包括前基底，该前基底包括其上布置的多个保持电极和多个扫描电 极；和
后板，包括后基底，该后基底包括多个与多个保持电极和扫描电极相交叉 的寻址电极，还包括布置在后基底上覆盖多个寻址电极的介电层；
其中介电层包括第一介电层和第二介电层，第一介电层设置在后基底上覆 盖寻址电极，第二介电层设置在第一介电层上，并具有小于第一介电层的介电 常数。
2.权利要求1的等离子体显示板，其中第一介电层和第二介电层每个都 包括唯一的基底材料。
3.权利要求1的等离子体显示板，其中第一介电层包括基底材料和第一 添加剂，该第一添加剂具有大于基底材料的比介电常数。
4.权利要求3的等离子体显示板，其中第一添加剂包括白色颜料。
5.权利要求4的等离子体显示板，其中白色颜料是从氧化铝、氧化钛、 氧化钇、氧化镁、氧化钙、氧化钽、氧化硅和氧化钡组成的组中选出的一种。
6.权利要求1的等离子体显示板，其中第一介电层和第二介电层每个都 包括至少一种添加剂。
7.权利要求6的等离子体显示板，其中至少一种添加剂包括白色颜料。
8.权利要求7的等离子体显示板，其中白色颜料从氧化铝、氧化钛、氧 化钇、氧化镁、氧化钙、氧化钽、氧化硅和氧化钡组成的组中选出的一种。
9.权利要求6的等离子体显示板，其中包括在第一介电层中的至少一种 添加剂的比介电常数大于包括在第二介电层中的至少一种添加剂的比介电常 数。
10.权利要求7的等离子体显示板，其中包括在第一介电层中的至少一种 添加剂的比介电常数大于包括在第二介电层中的至少一个添加剂的比介电常 数。
11.权利要求8的等离子体显示板，其中包括在第一介电层中的至少一种 添加剂的比介电常数大于包括在第二介电层中的至少一种添加剂的比介电常 数。
12.权利要求6的等离子体显示板，其中包括在第一介电层中的至少一种 添加剂的比介电常数基本上等于包括在第二介电层中的至少一种添加剂的比介 电常数，其中包括在第一介电层中的至少一种添加剂的含量大于包括在第二介 电层中的至少一种添加剂的含量。
13.等离子体显示板，包括：
前板，包括前基底，该前基底包括布置在其上的多个保持电极和多个扫描 电极；和
后板，包括后基底，该后基底包括多个与多个保持电极和扫描电极相交叉 的寻址电极，还包括形成在后基底上的覆盖多个寻址电极的介电层；
其中介电层包括第一介电层和第二介电层，该第一介电层设置在后基底上 覆盖寻址电极，第二介电层设置在第一介电层上，并具有小于第一介电层的介 电常数；
其中第一和第二介电层每个都包括添加剂；和
其中该添加剂是从锐钛矿相氧化钛和金红石相氧化钛组成的组中选出的至 少一种。
14.权利要求13的等离子体显示板，其中包括在第二介电层中的添加剂 包括锐钛矿相氧化钛。
15.权利要求13的等离子体显示板，其中包括在第一介电层中的添加剂 包括金红石相氧化钛。
16.权利要求14的等离子体显示板，其中包括在第一介电层中的添加剂 包括金红石相氧化钛。
17.等离子体显示板，包括：
前板；和
后板；
其中后板包括至少两个介电层，至少两个介电层中的面对前板的一个具有 小于至少两个介电层中的另一个的介电常数。
18.权利要求17的等离子体显示板，其中至少两个介电层的每个都包括 引入其中的片材。
技术领域
本发明涉及等离子体显示板(PDP)，尤其涉及在后玻璃板上具有多介电 层的PDP。
背景技术
根据向放电单元提供驱动电压的方法，PDP分为直流(DC)PDP和交流 (AC)PDP。DC PDP具有直接暴露于等离子体的电极，放电电流直接流过这 些电极，需要单独的外部电阻以限制电流。另一方面，AC PDP具有由介电层 覆盖的电极，就是说，这些电极不是直接暴露于等离子体，因此保护了电极在 放电期间免受离子冲击。同时，AC PDP有利于位移电流流过这些电极。AC PDP 可以根据放电单元的电极结构而分为对置放电PDP、表面放电PDP和部分放 电PDP。特别地，表面放电PDP有利于将发生放电的电极部分设置在一个基 底上，荧光层设置在另一基底上，从而抑制荧光层由于放电期间的离子轰击而 发生的损坏。
AC表面放电PDP包括前基底和后基底。前基底上设置有多个保持电极和 多个扫描电极，总线电极布置在多个保持电极和多个扫描电极的每一个上。前 介电层形成以覆盖设置在前基底上的电极，由MgO构成的保护层形成以覆盖 前介电层。后基底上设置有多个寻址电极。设置在前基底上的多个保持电极和 扫描电极以及设置在后基底上的多个寻址电极相交叉，即，它们相互垂直，前 基底和后基底彼此平行。后介电层形成在后基底上，以覆盖多个寻址电极。多 个隔断设置在后介电层上，红、绿和蓝荧光体涂覆在多个隔断的每个之间。
AC表面放电PDP是利用覆盖电极的介电层上的电荷也就是说壁电荷来驱 动的。寻址放电发生在放电空间，该空间形成在设置在前基底上的多个保持电 极和扫描电极的每一个和设置在后基底上的多个寻址电极的每一个之间，从而 使得寻址电极可以与保持电极和扫描电极相对且面对，因此而获得表面放电。 目前通常生产的AC表面放电PDP具有近似为350cd/m2的亮度和近似为lm/W 的输出效率。理论上，大于500cd/m2的高亮度和大于4lm/W的高输出效率可 以通过PDP完成的气体放电而获得。然而事实上，阴极射线管(CRT)的峰值 亮度近似为700cd/m2，它的效率不大于几个lm/W。因此，必须进一步改善PDP 的亮度和效率。
已经提出了各种用于生产具有改善的亮度的PDP的技术。特别地，已经 应用了提高反射率的技术。换句话说，当在PDP的放电单元发生气体放电时， 就产生了可见光，从而激励荧光体发射可见光。为了产生尽可能多向PDP前 部传输的可见光，必须提高反射率。提高反射率的一种方法是通过向后介电层 添加添加剂，即，金属氧化物的白色颜料，该白色颜料至少是从氧化铝(Al2O3)、 氧化钛(TiO2)、氧化钇(Y2O3)、氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)，氧化钽(Ta2O5)、 氧化硅(SiO2)和氧化钡(BaO)组成的组中选出的一种。这个技术在日本公 开专利公布号1999-60272和日本专利公开专利公布号1998-74455中公开。
然而，这种通过向后介电层添加添加剂来提高反射率的努力仍然具有局限 性。即，由于添加到后介电层的白色颜料的数量增加，后介电层的反射率提高 了，但却由于介电层的介电常数的增加，导致介电层传导率的变劣。这样，介 电层的耐压性降低，最终导致PDP的放电单元发生放电时，介电层的击穿。
提高反射率的另一个方法是在隔断和介电层的表面形成反射层，如日本公 开专利公布号2000-11885中公开的那样。根据这个技术，独立于介电层，TiO2 层形成在介电层表面和隔断表面。然而，单元之间的耐压性降低了，引起放电 期间的击穿。这样，为了保证电绝缘性能，必须取消形成在隔断上的由金属氧 化物构成的反射层，这就使处理过程复杂化，提高了PDP的生产成本。
发明内容
本发明还提供一种具有改善的耐压性的介电层的PDP，同时提高发光效 率。
本发明还提供一种PDP，它包括双后介电层，该介电层上添加有不同相 的TiO2，以防止等离子体放电期间的击穿。
根据本发明的一个方面，提供一种PDP，包括：前板和后板，该前板包 括前基底，该前基底包括其上布置的多个保持电极和多个扫描电极；该后板包 括后基底，该后基底包括多个寻址电极，该寻址电极与多个保持电极和扫描电 极相交叉，还包括设置在后基底上覆盖多个寻址电极的介电层；其中该介电层 包括第一介电层和第二介电层，该第一介电层设置在后基底上以覆盖寻址电 极，该第二介电层设置在第一介电层上，具有小于第一介电层的介电常数。
优选地第一介电层和第二介电层每个都包括唯一的基底材料。
第一介电层优选包括基底材料和第一添加剂，该添加剂具有大于基底材料 的比介电常数。
第一添加剂优选包括白色颜料。
该白色颜料优选地从氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钇(Y2O3)、 氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)，氧化钽(Ta2O5)、氧化硅(SiO2)和氧化钡 (BaO)组成的组中选出一种。
优选地第一介电层和第二介电层每个都包括至少一种添加剂。
至少一种添加剂优选包括白色颜料。
该白色颜料优选地从氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钇(Y2O3)、 氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)，氧化钽(Ta2O5)、氧化硅(SiO2)和氧化钡 (BaO)组成的组中选出一种。
包括在第一介电层中的至少一种添加剂的比介电常数优选大于包括在第二 介电层中的至少一种添加剂的比介电常数。
包括在第一介电层中的至少一种添加剂的比介电常数优选基本等于包括在 第二介电层中的至少一种添加剂的比介电常数，其中包括在第一介电层中的至 少一种添加剂的数量大于包括在第二介电层中的至少一种添加剂的数量。
根据本发明的另一个方面，提供一种PDP，包括：前板和后板，该前板 包括前基底，该前基底包括布置在其上的多个保持电极和多个扫描电极；后板 包括后基底，该后基底包括多个与多个保持电极和扫描电极相交叉的寻址电 极，还包括形成在后基底上覆盖多个寻址电极的介电层；其中该介电层包括第 一介电层和第二介电层，该第一介电层设置在后基底上以覆盖寻址电极，第二 介电层设置在第一介电层上，具有小于第一介电层的介电常数；其中第一和第 二介电层每个都包括一种添加剂；其中该添加剂至少是从锐钛矿相氧化钛和金 红石相氧化钛组成的组中选出的一种。
包括在第二介电层中的添加剂优选包括锐钛矿相氧化钛。
包括在第一介电层中的添加剂优选包括金红石相氧化钛。
根据本发明的又一个方面，提供一种PDP，包括：前板和后板；其中后 板包括至少两个介电层，至少两个介电层中的一个与前板相对的介电层具有比 至少两个介电层中的另一个低的介电常数。
优选至少两个介电层的每个都包括引入其中的一个片材。
附图说明
当结合附图考虑时，通过参考下面详细的说明使本发明变得更好理解，将 容易地看出对本发明更全面的评价和它的许多附加的优点，附图中，同样的参 考标记代表同样的或类似的部件，其中：
图1是根据本发明一个实施例的PDP的透视图；
图2是PDP沿图1的线2-2的截面图；
图3是根据本发明另一实施例的PDP的透视图。
具体实施方式
图1是根据本发明一个实施例的具有双后介电层的PDP的透视图；图2 是PDP沿图1的线2-2的截面图。
根据本发明的PDP包括前板10、后板20和多个放电空间30。多个保持 电极和扫描电极X、Y布置在前板10的前基底11的一个平面上。参照图2， 保持电极和扫描电极具有相同的结构，但施加其上的电压脉冲不同。总线电极 12布置在具有高透射率的多个保持电极和扫描电极X、Y的每一个的一个平面 上，并与之接触。总线电极12具有低阻抗和均匀的线宽。前介电层13形成在 前基底11上以覆盖多个布置在前基底11上的电极。该介电层13保护多个保 持电极和扫描电极X、Y以及总线电极12，并用作放电空间30和电极之间的 电容。为了防止当PDP的放电单元中发生放电时，介电层13由于产生的离子 轰击而被损坏，在介电层13的一个平面上形成保护层14。优选地，该保护层 14由MgO构成。
多个寻址电极A布置在后板20的后基底21的一个平面上。当从前板10 到后板20的方向观察时，多个寻址电极A布置成交叉，即，垂直于布置在前 基底11上的多个保持电极和扫描电极X、Y。后介电层22和22′形成在后基底 21上以覆盖多个寻址电极A。隔断23形成在一个平面上，该平面直接面对后 介电层22和22′的前板10。该隔断23以多种方法形成，即，高密度印刷法、 添加剂法、喷砂法、照相平版印刷法和类似方法。红、绿和蓝荧光体24涂覆 在各个隔断23之间。特别地，直接面对前板10的后介电层优选具有比另一个 介电层低的介电常数。
在根据本发明的PDP中，直接面对前板10的后介电层22′具有与后介电 层22相比降低了的介电常数。
如图1所示，后介电层22和22′以低熔点玻璃材料的预制品形成。该低熔 点玻璃材料例如包括氧化铅(PbO)、氧化硅(SiO2)、氧化硼(B2O3)和氧化 锌(ZnO3)。另一种降低介电层介电常数的方法是向多介电层的至少直接面对 前板10的一个中添加添加剂。可用的添加剂例如包括氧化铝(Al2O3)、氧化钛 (TiO2)、氧化钇(Y2O3)、氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)，氧化钽(Ta2O5)、 氧化硅(SiO2)和氧化钡(BaO)。该添加剂可以选择性地包括在一个后介电层 中或包括在全部后介电层中。后介电层的介电常数可以通过调整比介电常数或 所用添加剂的含量得到调整。例如，可以使用具有不同比介电常数的添加剂。 另外，当使用同样的添加剂时，后介电层的介电常数可以通过改变后介电层包 含的添加剂的含量而得到调整。如上所述，后介电层的介电常数可以通过调整 低熔点玻璃材料和添加剂的比介电常数以及低熔点玻璃材料和添加剂的含量而 得到调整。在这点上说，直接面对前板10的后介电层22′的介电常数可以调整 到相对地小于另一个后介电层22的介电常数。
尽管在上述的实施例中，后介电层由两层构成，即，后介电层22和22′， 但该后介电层当然可以具有两个或更多的具有不同介电常数的层。
这样，上述用于降低直接面对PDP前板10的后介电层的介电常数的技术 对于如图3所示的具有多于两个后介电层的PDP也是可用的。这种情况下， 直接面对前板10的后介电层用参考标记22(n)定义。
特别地，在根据说明性实施例的PDP中，后介电层可以配备成双后介电 层，可以向后介电层添加具有不同晶体相的添加剂，例如，氧化钛。例如，添 加的作为白色颜料的氧化钛通常具有板钛矿相、金红石相和锐钛矿相，典型地 为金红石相和锐钛矿相。表1概括了在说明性实施例中所使用的锐钛矿相氧化 钛和金红石相氧化钛的物理特性。在大约915℃的高温下，锐钛矿相氧化钛自 动转换成金红石相氧化钛。尽管锐钛矿与金红石在光泽、硬度和密度上基本相 同，但锐钛矿相氧化钛和金红石相氧化钛在晶体结构和裂解状态上还是表现出 不同。同时，如表1中列出内容所示，金红石相的比介电常数是锐钛矿相氧化 钛的比介电常数的3到4倍。
表1 锐钛矿相 金红石相 晶界 正方晶系 正方晶系 比重 3.9 4.2 折射率 2.52 2.71 硬度 5.5-6.0 6.0-7.0 比介电常数 31 114 熔点 在高温下可变为金红石相 1858℃
氧化钛用作各个后介电层的添加剂，直接面对前板10的后介电层22′以锐 钛矿相氧化钛形成，而接近后板20的后介电层22以金红石相氧化钛形成，从 而保证了稳定的耐压性和高反射率，因此降低了击穿的可能性并提高了发光效 率。
尽管已经详细地说明并描述了具有双介电层的后板，但本发明并不局限于 此，可以进行多种修改以提供具有提高了的发光效率和高耐压性的介电层。如 上所述，设置于后板寻址电极上的介电层可以形成为具有不同介电常数的多介 电层，使得介电层接近前板时介电常数下降。
设置于后板上的介电层可以以独立的片材形成。换句话说，根据本发明的 PDP包括一个或多个具有不同介电常数的层，其可以通过附加单个独立的介电 层片材而容易地形成。
尽管参考示范性实施例已经详细地示出并描述了本发明，但本领域普通技 术人员可以理解，在不脱离如所附权利要求列举的本发明的实质和范围的情况 下，在形式和细节上可以进行多种修改。
要求优先权
本申请参考并在这里结合于2003年10月28日向韩国知识产权局提交并 正式分配以序列号2003-75572的在后玻璃板上具有多介电层的等离子体显示板 的申请，根据35U.S.C.119部分要求其全部的权益。
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