一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法
专利汇可以提供一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种基于电 镀 工艺改善Sn-Ag 焊料 性能的方法，其特征在于：①首先以 硅 片 为基底，热 氧 化形成 二氧化硅 绝缘层；②在二氧化硅绝缘层上 真空 溅射TiW/Cu；③之后依次 电镀 Cu或Ni、Sn-Ag和In，Cu层厚度为3-5微米，而后Sn-Ag焊料电镀之后接着电镀约为Sn-Ag焊料厚度1/10的In。最后回流以促使Sn、Ag和In 原子 混合均匀。本发明针对微 电子 封装中Cu与Sn-Ag之间 焊接 温度 高、Sn-Ag焊料 润湿性 差以及焊料中容易出现大 块 Ag3Sn等 缺陷 ，结合微电子封装中经常使用的电镀工艺，采用在Sn-Ag电镀之后接着电镀一薄层In的方法很好地解决了Sn-Ag焊料的上述缺陷。，下面是一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法专利的具体信息内容。
1.一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法，其特征在于：
(1)首先在硅片上热氧化形成一层二氧化硅，接着在形成的二氧化硅层上先溅射作为粘附层的TiW，再溅射作为电镀种子层的Cu；
(2)在电镀种子层上电镀Cu或Ni作为焊料下金属层，然后依次电镀作为焊料的Sn-Ag和In，之后回流镀层，以促使Sn、Ag和In不同原子相互混合均匀。
2.按权利要求1所述的方法，其特征在于所述的硅片为N型或P型(100)硅片。
3.按权利要求1所述的方法，其特征在于热氧化形成的二氧化硅层厚度为0.5-1.0微米。
4.按权利要求1所述的方法，其特征在于作为粘附层的TiW厚度为0.05-0.1微米，作为电镀种子层的Cu厚度为0.2-0.5微米。
5.按权利要求1所述的方法，其特征在于焊料下金属层Cu或Ni厚度为3-5微米。
6.按权利要求5所述的方法，其特征在焊料下金属层为Cu。
7.按权利要求1、5或6所述的方法，其特征在于Cu作为焊料下金属层的工艺是在商用
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Cu电镀液中进行的，电流密度为20mA/cm-30mA/cm，电镀速率为10-15μm/h。
8.按权利要求1所述的方法，其特征在于作为焊料Sn-Ag镀层与In镀层的总厚度为
40-60μm，In镀层厚度为Sn-Ag镀层厚度的1/10。
9.按权利要求1或8所述的方法，其特征在于：
(1)Sn-Ag电镀是在Schlotter公司生产的SLOTOLOY SNA30镀液中进行，电流密度在
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15mA/cm ～25mA/cm，电镀速率为10μm/h～14μm/h；
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(2)In电镀是在氨基磺酸铟溶液中进行，电流密度为8mA/cm ～12mA/cm，电镀速率为
10μm/h～15μm/h。
10.按权利要求1所述的方法，其特征在于采用五段式回流炉在Sn-Ag焊料熔点以上且在氮气氛保护下回流镀层，各温区温度值分别为80℃、160℃、200℃、240℃和80℃，每个温度保温30秒，相邻温度时间间隔15秒。
一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法
技术领域
背景技术
发明内容
中进行，电流密度为20mA/cm ～30mA/cm，电镀速率约为10μm/h～15μm/h；
SNA30镀液中进行，电流密度在15mA/cm ～25mA/cm，电镀速率在10μm/h～14μm/h，In
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电镀工艺在氨基磺酸铟溶液中进行，电流密度为8mA/cm ～12mA/cm，电镀速率约为10μm/h～15μm/h，Sn-Ag与In镀层总厚度控制在40μm～60μm，In镀层厚度约为Sn-Ag镀层厚度的1/10；
具体实施方式
下电镀3微米Cu(103)，Cu电镀时电流密度为20mA/cm，电镀速率约为10μm/h；
Sn-Ag镀层厚度约为45微米，Sn-Ag电镀电流密度为20mA/cm，电镀速率为12μm/h，In电
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镀电流密度为10mA/cm，电镀速率约为13μm/h，电镀之前打底膜以去除基板表面的杂质；
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