专利汇可以提供软钎焊方法、芯片焊接用软钎料颗粒、芯片焊接软钎料颗粒的制造方法及电子零件专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且为了得到在芯片 焊接 接合 电子 零件的 半导体 元件和 基板 时,尽管是无铅软钎料的颗粒,但产生的空隙仍然少的颗粒,在 软钎焊 过热 时,在Sn为主成分的无铅软钎料 合金 的表面形成:无色透明的由30~50 原子 %的O、5~15原子%的P以及余量实质Sn构成的保护膜;以及由10~30原子%的In、40~60原子%的O、5~15原子%的P以及余量实质Sn构成的保护膜,从而得到该颗粒,其厚度为0.05~1mm,形状与基板大致相同。,下面是软钎焊方法、芯片焊接用软钎料颗粒、芯片焊接软钎料颗粒的制造方法及电子零件专利的具体信息内容。
1.一种芯片焊接用软钎料颗粒的软钎焊方法,该芯片焊接用软钎料颗粒接合电子零件的半导体元件和基板,该方法的特征在于,通过软钎焊时的加热,在Sn为主成分的无铅软钎料合金的表面形成:无色透明的厚度为0.5~20nm,且由30~50原子.%的O、5~15原子%的P以及余量实质Sn构成的保护膜。
2.一种芯片焊接用软钎料颗粒,其接合电子零件的半导体元件和基板,其特征在于,该颗粒是如下一种颗粒,即,在软钎焊加热时,在Sn为主成分的无铅软钎料合金的表面形成有:无色透明的厚度为0.5~20nm,且由30~50原子.%的O、5~15原子%的P以及余量实质Sn构成的保护膜,而且,与接合于基板的半导体元件的形状大致相同。
3.根据权利要求2所述的芯片焊接用软钎料颗粒,其特征在于,所述芯片焊接用软钎料颗粒的厚度是0.05~1mm。
4.根据权利要求2及3所述的芯片焊接用软钎料颗粒,其特征在于,所述Sn为主成分的无铅软钎料合金是Sn系合金、Sn-Cu系合金、Sn-Ag系合金、Sn-Ag-Cu系合金、Sn-Bi系合金、Sn-Pb系合金的任一种。
5.一种芯片焊接用软钎料颗粒,其接合电子零件的半导体元件和基板,其特征在于,该颗粒是如下一种颗粒,即,在软钎焊加热时,在Sn为主成分的无铅软钎料合金的表面形成有:无色透明的厚度为0.5~20nm,且由10~30原子%的In、40~60原子.%的O、5~15原子%的P以及余量实质Sn构成的保护膜,而且,与接合于基板的半导体元件的形状大致相同。
6.根据权利要求5所述的芯片焊接用软钎料颗粒,其特征在于,所述芯片焊接用软钎料颗粒的厚度是0.05~1mm。
7.根据权利要求5及6所述的芯片焊接用软钎料颗粒,其特征在于,所述Sn为主成分的无铅软钎料合金是Sn-In系合金、Sn-Bi-In系合金的任一种。
8.一种芯片焊接用软钎料颗粒的制造方法,是权利要求2~4所述的芯片焊接用软钎料颗粒的制造方法,其特征在于,在将由0.3~1.0质量%的Cu、0.01~0.1质量%的Ni、0.0001~0.02质量%的P、以及余量实质为Sn构成的软钎料合金成形为颗粒状之后,在氧浓度50PPM以下的氢氮气氛中,在235℃以上加热3分钟并加热到峰值温度280℃,形成保护膜。
9.一种芯片焊接用软钎料颗粒的制造方法,是权利要求2~4所述的芯片焊接用软钎料颗粒的制造方法,其特征在于,在将由3.0~4.0质量%的Ag、0.3~1.0质量%的Cu、0.01~0.1质量%的Ni、0.0001~0.02质量%的P、以及余量实质为Sn构成的软钎料合金成形为颗粒状之后,在氧浓度50PPM以下的氢氮气氛中,在235℃以上加热3分钟并加热到峰值温度280℃,形成保护膜。
10.一种芯片焊接用软钎料颗粒的制造方法,是权利要求5~7所述的芯片焊接用软钎料颗粒的制造方法,其特征在于,在将由0.2~2.0质量%的In、0.0001~0.02质量%的P、以及余量实质为Sn构成的软钎料合金成形为颗粒状之后,在氧浓度50PPM以下的氢氮气氛中,在235℃以上加热3分钟并加热到峰值温度280℃,形成保护膜。
11.一种电子零件,其特征在于,利用如下所述的合金对半导体元件和基板进行芯片焊接接合,而且该接合面的空隙率在10%以下,所述合金是在软钎焊过热时,在Sn为主成分的无铅软钎料合金的表面形成:无色透明的由30~50原子.%的O、5~15原子%的P及余量实质Sn构成的保护膜;以及由10~30原子%的In、40~60原子.%的O、5~15原子%的P及余量实质Sn构成的保护膜。
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