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物理气相沉积装置

阅读：821发布：2020-05-11

专利汇可以提供物理气相沉积装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明公开了一种物理气相沉积装置，包括：反应腔室；基片支撑部件，所述基片支撑部件设置在所述反应腔室的底部且与所述溅射靶材相对；直流电源，所述直流电源耦接于所述溅射靶材；射频电源，所述射频馈入部件耦接于所述溅射靶材，所述射频馈入部件包括分配环和沿所述分配环的周向间隔设置的多条分配条，所述分配环与所述射频电源耦接，所述分配环通过所述分配条耦接至所述溅射靶材。根据本发明实施例的物理气相沉积装置，降低了在靶材上产生的负偏压，进而减小了对基片或晶圆产生的损伤，且明显提高了沉积速率，从而提高了工艺效率。，下面是物理气相沉积装置专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种物理气相沉积装置，包括：
反应腔室，其包含有顶壁、溅射靶材及基片支撑部件，所述溅射靶材与所述顶壁邻近，所述基片支撑部件设置在所述反应腔室中且与所述溅射靶材相对；
直流电源，所述直流电源耦接于所述溅射靶材；
射频电源，所述射频电源的输出端与射频匹配器和射频馈入部件顺次连接，所述射频馈入部件包括分配环和沿所述分配环的周向间隔设置的多条分配条，所述分配环通过所述分配条耦接至所述溅射靶材，所述射频馈入部件通过所述分配环耦接于所述射频电源。
2.根据权利要求1所述的物理气相沉积装置，其特征在于，所述分配环为多个，多个所述分配环彼此平行且沿轴向间隔设置，相邻分配环之间通过所述分配条相连。
3.根据权利要求1所述的物理气相沉积装置，其特征在于，所述分配环为圆形。
4.根据权利要求1所述的物理气相沉积装置，其特征在于，所述分配条的横截面的宽度大于等于5mm且厚度大于等于0.1mm。
5.根据权利要求1所述的物理气相沉积装置，其特征在于，所述射频馈入部件由铜、银或金制成的。
6.根据权利要求1-5任一项所述的物理气相沉积装置，其特征在于，每条所述分配条具有轴向段和沿平行于所述分配环所在平面延伸且连接在所述轴向段之间的连接段。
7.根据权利要求1所述的物理气相沉积装置，其特征在于，所述射频电源的频率为
2MHz、13.56MHz或27.12MHz。
8.根据权利要求1所述的物理气相沉积装置，其特征在于，还包括：
可变电抗部件，所述可变电抗部件设在所述基片支撑部件与地之间以调节基片的直流偏压。
9.根据权利要求8所述的物理气相沉积装置，其特征在于，所述可变电抗部件为可变电容、可变电感或由可变电容和电感组成的电路。
10.根据权利要求1所述的物理气相沉积装置，其特征在于，所述溅射靶材为金属氧化物靶材。
11.根据权利要求10所述的物理气相沉积装置，其特征在于，所述金属氧化物靶材为ITO、AZO。
12.根据权利要求11所述的物理气相沉积装置，其特征在于，所述ITO靶材中氧化锡的含量为0.1%-20%。

说明书全文

物理气相沉积装置

技术领域

[0001] 本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种物理气相沉积装置。

背景技术

[0002] 在PVD溅射工艺设备中，通常在靶材上施加负偏压，将反应腔内的气体（Ar等）激发为等离子体，并吸引离子来轰击靶材，将靶材材料溅射下来，并沉积在晶圆或基片上。在不同的应用领域（例如半导体、太阳能、LED等），对溅射电压、溅射速率等工艺参数存在不同的要求。特别是对于太阳能、LED等领域应用的ITO、AZO等导电膜层，会要求有较低的溅射电压，以保证溅射沉积的薄膜有较好的工艺性能。

[0003] 在传统的物理气相沉积装置中，直流电源将直流功率施加至靶材上，将气体激发为等离子体，并产生负偏压，吸引离子轰击靶材，使靶材的材料被溅射后沉积在基座的基片上。然而，传统的设备对于一些特殊应用（如LED领域的ITO溅射等）会带来较大的问题。
首先，直流溅射会在靶材上产生很大的电压，例如约几百伏，并且在基片表面产生例如约几十伏的较大直流偏压。对于LED领域的ITO溅射等，高的靶材电压或较大的直流偏压均会
对基片或晶圆产生损伤。此外，在一定的DC功率下，由于直流溅射所产生的等离子体密度
较低，会导致较低的沉积速率。

[0004] 为了解决溅射偏压过大的问题，目前在本领域中开始采用在靶材上同时加载射频和直流的方式进行溅射。例如，在中国专利申请No.200980143935.2中，射频功率通过筒状电极馈入靶材上。但是，由于该筒状电极与包围件的外壁存在较大的耦合电容，进而使得部分射频功率通过该电容流失，从而使得等离子体起辉困难并导致射频功率的浪费。

发明内容

[0005] 本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。

[0006] 为此，本发明的一个目的在于提出一种物理气相沉积装置，所述物理气相沉积装置通过改变电极结构且不影响磁控管驱动部件的布局的情况下，实现对靶材的均匀溅射。

[0007] 根据本发明实施例的物理气相沉积装置包括：反应腔室，其包含有顶壁、溅射靶材及基片支撑部件，所述溅射靶材与所述顶壁邻近，所述基片支撑部件设置在所述反应腔室中且与所述溅射靶材相对；直流电源，所述直流电源耦接于所述溅射靶材；射频电源，所述射频电源的输出端与射频匹配器和射频馈入部件顺次连接，所述射频馈入部件包括分配环
和沿所述分配环的周向间隔设置的多条分配条，所述分配环通过所述分配条耦接至所述溅
射靶材，所述射频馈入部件通过所述分配环耦接于所述射频电源。

[0008] 根据本发明实施例的物理气相沉积装置，通过改变馈入电极结构，实现在不影响磁控管驱动部件的布置的前提下对磁控管驱动部件的影响降到最低。此外，通过采用分配
环形的射频馈入部件，最大程度地实现了对靶材的均匀溅射。

[0009] 另外，根据本发明的物理气相沉积装置还具有如下附加技术特征：

[0010] 根据本发明的一个实施例，所述分配环为多个，多个所述分配环彼此平行且沿轴向间隔设置，相邻分配环之间通过所述分配条相连。

[0011] 根据本发明的一个实施例，所述分配环为圆形。

[0012] 根据本发明的一个实施例，所述多条分配条沿所述分配环的周向均匀分布。

[0013] 根据本发明的一个实施例，所述分配条的横截面的宽度大于等于5mm且厚度大于等于0.1mm。

[0014] 根据本发明的一个实施例，所述射频馈入部件由铜、银或金制成的。

[0015] 根据本发明的一个实施例，每条所述分配条具有轴向段和沿平行于所述分配环所在平面延伸且连接在所述轴向段之间的连接段。

[0016] 根据本发明的一个实施例，所述射频电源的频率为2MHz、13.56MHz或27.12MHz。

[0017] 根据本发明的一个实施例，该物理气相沉积装置还包括：可变电抗部件，所述可变电抗部件设在所述基片支撑部件与地之间以调节基片的直流偏压。

[0018] 根据本发明的一个实施例，所述可变电抗部件为可变电容、可变电感或由可变电容和电感组成的电路。

[0019] 根据本发明的一个实施例，所述溅射靶材为金属氧化物靶材。

[0020] 根据本发明的一个实施例，所述金属氧化物靶材为ITO、AZO。

[0021] 根据本发明的一个实施例，所述ITO靶材中氧化锡的含量为0.1%-20%。

[0022] 本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明

[0023] 本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

[0024] 图1是根据本发明一个实施例的物理气相沉积装置的示意图。

[0025] 图2是根据本发明实施例的物理气相沉积装置中电极的第一实施例的示意图。

[0026] 图3是根据本发明实施例的物理气相沉积装置中电极的第二实施例的示意图。

[0027] 图4是根据本发明实施例的物理气相沉积装置中电极的第三实施例的示意图。

[0028] 图5是根据本发明实施例的物理气相沉积装置中电极的第四实施例的示意图。

[0029] 图6是根据本发明实施例的物理气相沉积装置中电极的第五实施例的示意图。

[0030] 图7是根据本发明实施例的物理气相沉积装置中电极的第六实施例的示意图。

[0031] 图8是根据本发明另一个实施例的物理气相沉积装置的示意图。

[0032] 图9a-9c是图8所示的物理气相沉积装置中的可变电抗部件的示意图。

具体实施方式

[0033] 下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附
图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

[0034] 在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定
有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。

[0035] 在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。另外在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。

[0036] 本发明的基本原理在于，通过改变现有的射频接入方式，即改变本发明的馈入电极结构（将在下面进行详细说明），实现在不影响磁控管驱动部件的布置的前提下对磁控管驱动部件的影响降到最低。此外，通过使用分配环形射频馈入部件，最大程度地实现了对靶材的均匀溅射。下面将对本发明进行详细的说明。

[0037] 物理气相沉积装置

[0038] 下面参考附图详细描述本发明的上述原理。如图1中所示，根据本发明实施例的一种物理气相沉积装置100，该物理气相沉积装置100用于对溅射靶材200上的材料进行溅
射，并将溅射下来的靶材材料沉积到晶圆或基片（图未示出）上。

[0039] 如图1所示，根据本发明实施例的物理气相沉积装置100可以包括反应腔室1、背板2、基片支撑部件3、屏蔽罩4、磁控管5、射频馈入部件61、和射频电源62。

[0040] 反应腔室1的顶部敞开且底部形成有开口110。反应腔室1接地，如图1中所示。背板2的底面形成反应腔室1的顶壁22，溅射靶材200设置在该顶壁22上。背板2通过绝
缘部件21设在反应腔室1的顶部且封闭反应腔室1顶部。基片支撑部件3用于放置基片，
且通过开口110伸入反应腔室1内以使基片（未示出）与溅射靶材200相对设置。可选地，
基片支撑部件3可以为静电卡盘。

[0041] 可选地，如图1所示，反应腔室1还包括底座11和侧壁12，其中开口110形成在底座11上，且底座11接地。侧壁12设在底座11上，反应腔室1由底座11和侧壁12限定
出，其中绝缘部件21设在侧壁12的顶部与背板2之间，以使溅射靶材200与地绝缘。

[0042] 如图1中所示，屏蔽罩4设在背板2的上方以用于电磁屏蔽，其中屏蔽罩4与背板2限定出屏蔽空间40。射频馈入部件61设在屏蔽罩4内且与该屏蔽罩4相连，射频馈入部
件61的下端连接至背板2的边缘。

[0043] 射频电源62通过射频匹配器63连接至射频馈入部件61以将射频功率传输至背板2的边缘。射频匹配器63可将射频功率最大化地传送至射频馈入部件61。射频馈入部
件61的结构将在下面参照附图2-6进行更为详细的说明。

[0044] 如图1中所示，磁控管5设在屏蔽空间40内且设在背板2的顶部。屏蔽罩4由金属材料制成。气源142提供工艺所需气体，比如氩气、一种或多种含氧气体或含氮气体，所述反应气体能够与溅射材料反应以在基片上形成膜层。反应后的工艺气体和反应副产物通
过真空泵（未示出）排出反应腔室1。

[0045] 在工作时，反应腔室1内通入工艺反应气体（例如氩气），射频电源62将射频功率通过射频馈入部件61施加至溅射靶材200上，将反应腔室1内的氩气激发为等离子体，且在溅射靶材200上产生负偏压。该负偏压吸引氩离子轰击溅射靶材200，将溅射靶材200的
材料溅射下来，沉积在基片支撑部件3上的基片或晶圆上。

[0046] 如图1中所示，反应腔室1可以由控制器190控制，该系统控制器190通常设计成用于控制反应腔室1，且通常包括中央处理单元(CPU)(未示出)、存储器（未示出）和支持
电路(即I/O)（未示出）。CPU可为任何类型的计算机处理器，该计算机处理器用于工业环
境，该工业环境用于控制各种系统功能、基片移动等，以及监测工艺（例如基片支撑部件的温度、腔室工艺时间、I/O 信号等）。存储器连接至CPU，且存储器可为易于获得的一个或多个存储器，该存储器诸如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘、硬盘、或任何其它形式的数字储存器、本地或远程储存器。软件指令和数据可被编码并被存储在存储器中，用于指令CPU进行操作。

[0047] 如图1中所示，根据本发明实施例的物理气相沉积装置100，通过射频馈入部件61将射频电源62输出的射频功率加载至靶材上。

[0048] 物理气相沉积装置100还包括：直流电源（即DC电源）71，直流电源71连接至屏蔽罩4附近并通过DC连接条（图未示出）连接至背板2以向溅射靶材200施加DC功率。通过直流电源71与射频电源62同时将DC功率和射频（RF）功率加载至溅射靶材200上，产生了
较高密度的等离子体，从而明显地降低了靶材电压，进而减小了对基片或晶圆可能的损伤，而且高密度等离子体带来的高粒子通量，明显提高了沉积速率，从而提高了工艺效率。

[0049] 此外，由于采用这种双源结构的物理气相装置，从而使得材料的穿透力增强，从而不仅可以用于溅射传统的Cu靶材，而且可以用于溅射用于形成ITO或者AZO薄膜的靶材，从而扩大了该物理气相装置的应用材料范围。

[0050] 需要附加说明的是，当根据本发明实施例的物理气相沉积装置用于溅射ITO靶材时，靶材中氧化锡的含量可以从0.1%至20%。如图1中所示，物理气相沉积装置100还包
括：射频滤波器72，射频滤波器72设在直流电源71与射频馈入部件61之间用于过滤射频
功率。由此，在保证DC功率正常输送的前提下，将射频功率从直流电源与射频馈入部件61
之间的DC通路上过滤掉，防止射频电压对直流电源造成损坏。

[0051] 在上述的实施例中，射频电源62的频率可以为2MHz、13.56MHz或27.12MHz等高频频率，射频功率可以小于3000Ｗ。

[0052] 可选地，在本发明的一个实施例中，可以通过调整射频电源62的射频功率和直流电源71的DC功率的比例，来调节基片支撑部件3上基片的直流偏压，例如射频电源62的
射频功率为600W，直流电源的DC功率为100W，此时基片上的偏压基本为0，从而保证基片避免受到损伤。

[0053] 在本发明的一个示例中，基片支撑部件3可电位悬浮。在本发明的另一个示例中，基片支撑部件3可接地。而在本发明的再一个实施例中，物理气相沉积装置100还包括电极91和射频电源92，如图1所示，电极91连接至基片支撑部件3上，射频电源92通过匹配
器93连接在电极91以将射频功率传输至基片支撑部件3，从而产生射频偏压。

[0054] 电极结构

[0055] 下面将对上述的射频馈入部件61的电极结构进行详细说明。如上所述，射频电源62通过射频匹配器63连接至射频馈入部件61以将射频功率传输至背板2的边缘。，射频匹
配器63一方面可将射频功率最大化地传送至射频馈入部件61，另一方面可以隔离可能连
接在靶材上的其他电源（例如直流电源）对射频匹配器63本身和射频电源62的损害。由于
溅射靶材200中轴线所在位置，通常由例如磁控管驱动部件等其他零部件所占据。因此，射频电源62发出的射频功率只能从非中轴线位置输入，这导致射频馈入的不均匀，进而影响
最终在反应腔室内产生的等离子体分布均匀性。而本发明是采用分配环的馈入方式，通过
分配环实现了射频馈入由点馈入变为面馈入，进而达到射频均匀馈入的目的。在本发明的
一个实施例中，如图2-7中所示，射频馈入部件61包括分配环611和沿所述分配环611的
周向间隔设置的多条分配条612，所述分配环611通过射频匹配器63与射频电源62耦接，
例如图2中所示。每个分配环611通过分配条612耦接于所述溅射溅射靶材200。如图2
中所示，该分配环可以构造成圆形，以实现均匀地分配RF射频功率。

[0056] 当然，为了在反应腔室1内产生更加均匀的等离子体，可以采用多层分配环的方式进行射频馈入。如图3中所示，该射频匹配器63可以包括多个分配环611（图3中显示
了两层分配环611）。该多个分配环611彼此平行，且沿分配环611的轴向Y间隔设置，相
邻的分配环611之间通过分配条612相连。如图2中所示，距溅射靶材200最近的分配环
611通过分配条611耦接于所述溅射靶材200。

[0057] 在进行射频功率馈入时，射频功率首先输入至分配环611的第一层分配环，然后通过分配条612将射频功率馈入分配环611的第二层分配环，由此，通过该“鸟巢”状的射
频馈入结构，实现射频功率的均匀馈入，这与传统的圆筒状馈入结构相比，能够实现射频馈入的更加均匀。同时，这与传统的在较短的距离上传输射频功率因为高频成分较多的缘故
所导致的驻波效应相比，通过该“鸟巢”状结构进行多次分配，从而使得射频功率分配更加均匀，这样在射频功率到达背板2的边缘处后即可均匀地到达溅射靶材200上，以保证溅射
靶材200的均匀溅射。

[0058] 需要说明的是，与传统的通过在溅射靶材200的中心采用导电中空圆筒的结构来施加射频功率的结构而言，本发明的电极结构不会影响磁控管驱动部件的布置，从而对磁
控管驱动部件的影响降到最低。此外，在不影响现有设计的情况下，最大程度地实现了对溅射靶材200的均匀溅射。

[0059] 在本发明的一个示例中，如图3中所示，分配环611形成为矩形。当然，本发明并不限于此，在本发明的其他示例中，分配环611可形成为圆形（图2中所示）、环形或边数多于三边的多边形等任意形状，只要能进行射频功率分配的周向环形结构均可以被采用，当
然优选地可以为圆形。

[0060] 根据本发明的一个实施例，相邻分配环611之间的分配条612的数量以及距所述溅射靶材200最近的分配环611与所述溅射靶材200之间的分配条612的数量可以彼此不
同。如图3中所示，位于分配环611第一层和分配环611第二层之间的分配条612的数目
不同于位于分配环611第二层和溅射靶材200的边缘之间的分配条612的数目。需要说明
的是，分配条的数目只要能实现射频功率的均匀分配即可，并没有特定的限制。

[0061] 进一步地，如图3中所示，多个分配环611包围的面积可以沿着从竖直朝向溅射靶材200的方向依次增加。由此使得在朝向溅射靶材200的方向上射频功率的分配依次变得
均匀。需要说明的是，此处术语“竖直”指的是射频馈入部件61设置在背板2上的方向。

[0062] 在本发明的一些示例中，每一层均包括在周向上均匀分布的至少三条分配条612。可选地，分配条612由金属材料制成，例如铜。当然，分配条6121还可以由其他金属材料制成，例如铝、银、金、不锈钢、合金等。优选地，分配条612的宽度大于等于5mm且厚度大于等于0.1mm。下面将以图4所示的射频馈入结构进行进一步说明。其中图4显示了具有一层
分配环的射频馈入结构。在如图4所示的示例中，分配环611形成为矩形，且该电极结构包
括沿靶材的周向均匀分布的四条分配条612，四条分配条612的上端分别与矩形的分配环
611相连接，而四条分配条612的下端均匀间隔地连接在背板2的边缘。由此，射频功率通
过射频匹配器63传输至分配环611，且通过四条分配条6121均匀地输送至背板2上，然后
被传递至溅射靶材200上，从而在溅射靶材200上产生负偏压。

[0063] 在该实施例中，多条分配条612沿从分配环611朝向所述溅射靶材200的方向彼此平行地延伸。但是，需要说明的是，每条所述分配条612也可以沿从所述分配环611朝向
所述溅射靶材200的方向向外或向内倾斜地延伸，如图5、6中所示。

[0064] 下面将以图3-7为例对分配条612的示例性结构进行说明。如图4中所示，每条分配条612具有轴向段6121和沿平行于分配环611所在平面延伸且连接在所述轴向段6121
之间的连接段6122，所述连接段6122的一端通过所述轴向段6121与所述分配环611相连
且所述连接段6122的另一端通过所述轴向段6121与所述溅射靶材200相连。根据本发明
的一个实施例，所述轴向段6121沿从所述分配环611朝向所述溅射靶材200的方向彼此平
行地延伸。可选地，如图5、6中所示，所述轴向段6121沿从所述分配环611朝向所述溅射
靶材200的方向向外或者向内倾斜设置。

[0065] 根据本发明的一个实施例，如图7中所示，每条所述分配条612可以具有多个连接段6122，相邻连接段6122之间通过轴向段6121相连，离所述溅射靶材200最近的一个连接
段6122通过轴向段6121与溅射靶材200耦接。通过上述分配条612的具体结构，可以进
一步优化射频功率的分配均匀性。

[0066] 可变电抗调节

[0067] 下面将结合图8对本发明的物理气相沉积装置100的下电极的可变电抗调节结构进行说明。在本发明的一个实施例中，物理气相沉积装置100还包括可变电抗部件8，如图
8所示，可变电抗部件8设在基片支撑部件3与地之间以调节基片的直流偏压。具体地，可
变电抗部件8为可变电容（如图9a所示）、可变电感（如图9b所示）或可变电容与电感的并联电路（如图9c所示）。此时，由于基片支撑部件3上的基片（未示出）是等离子体负载的一部分，通过在其上添加可变电抗部件8可调节其在射频回路上的电位，由此调节了基片的
直流偏压。例如，当可变电抗部件8为可变电容时，可采用电容大约为300PF，从而使得基片上直流偏压为0。

[0068] 需要说明的是，在物理气相沉积装置100中，通过控制电极的接地电抗来调整基片表面的轰击，进而影响阶梯覆盖率和沉积膜的性质等，该性质包括诸如晶粒尺寸、薄膜应力、晶体取向、薄膜密度、粗糙度和薄膜组分。因此，可变电抗部件8可用来改变沉积速率、蚀刻速率等。在一个实施例中，通过适当调整电极/基片的接地电抗，可变电抗部件8能够
进行沉积或者蚀刻，或者防止沉积或蚀刻。可变电容器610设定是用来调整接地阻抗，于是调整在处理期间等离子体和离子与基片间的相互作用。

[0069] 工艺过程

[0070] 下面参考图1和图8描述根据本发明实施例的物理气相沉积装置的工艺过程，其中以射频电源62和直流电源71共同向溅射靶材200施加功率为例进行说明。此时，相较
于仅有RF功率而言，RF和DC功率源的结合使得在处理期间能够使用较低的整体RF功率，
这样有助于减小等离子体对基片的破坏，以提高器件的产量。当然，射频电源62也可单独
向溅射靶材200施加射频功率。

[0071] 在工作时，通过阀门141来控制从气源142至反应腔室1的工艺反应气体的供给，例如通过导管144供给氩气。此时，射频电源62将射频功率通过射频馈入部件61传输至背
板2的边缘，从而将射频功率施加至溅射靶材200上，将反应腔室1内的氩气激发为等离子
体，同时直流电源71将DC功率也通过射频馈入部件61传递至溅射靶材200上，由此在溅
射靶材200上产生负偏压。由于本发明的射频馈入结构，可以使得射频功率和直流电压均
匀地施加到溅射靶材200上，从而将射频电源62将射频功率加载至靶材上，可产生较高密
度的等离子体，由于等离子体鞘层偏压与其密度成反比，因此明显地降低了在靶材上产生
的负偏压，进而减小了对基片或晶圆产生的损伤，而且高密度等离子体带来的高粒子通量，明显提高了沉积速率，从而提高了工艺效率。

[0072] 该负偏压吸引氩离子轰击溅射靶材200，将溅射靶材200的材料溅射下来，并沉积在基片支撑部件3上的基片上，从而完成工艺。

[0073] 此时，通过调整射频电源62的射频功率和直流电源71的DC功率的比例（如图1所示），或者通过可变电抗部件8（如图8所示），来调节基片支撑部件3上基片的直流偏压。

[0074] 根据本发明实施例的物理气相沉积装置的其他构成以及操作对于本领域普通技术人员而言都是已知的，这里不再详细描述。

[0075] 在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

[0076] 尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

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物理气相沉积装置

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