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铱电液及其电镀方法

阅读:36发布:2020-05-11

专利汇可以提供铱电液及其电镀方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提出可以容易地形成裂缝的产生得到竭 力 的抑制的铱电 镀 被膜的铱 电镀 液及其电镀方法。本发明是使用向阴离子成分为卤素的铱(III)配盐中加入选自饱和单 羧酸 、饱和单羧酸盐、饱和二羧酸、饱和二羧酸盐、饱和羟基羧酸、饱和羟基羧酸盐、酰胺、尿素的一种以上的化合物并搅拌而得的铱化合物的铱电镀液,其特征在于,包含Fe、Co、Ni、Cu中的至少一种以上。,下面是铱电液及其电镀方法专利的具体信息内容。

1.一种铱电液,它是使用向阴离子成分为卤素的铱(III)配盐中加入选自饱和单羧酸、饱和单羧酸盐、饱和二羧酸、饱和二羧酸盐、饱和羟基羧酸、饱和羟基羧酸盐、酰胺、尿素的一种以上的化合物并搅拌而得的铱化合物的铱电镀液,其特征在于,
包含Fe、Co、Ni、Cu中的至少一种以上。
2.如权利要求1所述的铱电镀液,其特征在于,Fe、Co、Ni、Cu中的至少一种以上的含量为0.01g/L~10g/L。
3.一种铱电镀方法,其特征在于,使用权利要求1或2所述的电镀液,以pH1~8、温度
2
50~98℃、电流密度0.01~3.0A/dm 的条件进行电镀。

说明书全文

铱电液及其电镀方法

技术领域

[0001] 本发明涉及铱电镀液及其电镀方法。

背景技术

[0002] 铱是具有高硬度,同时对于高浓度的酸和王或者卤素类也显示出良好的耐腐蚀性的金属。而且,其应用范围不仅包括装饰品,还包括特定的金属的固化剂或催化剂,并在工业上被广泛地用作防腐蚀材料和触点等的材料。
[0003] 作为使用该铱时的铱电镀液,已知下述铱电镀液:向阴离子成分为卤素的铱(III)配盐中加入选自饱和单羧酸、饱和单羧酸盐、饱和二羧酸、饱和二羧酸盐、饱和羟基羧酸、饱和羟基羧酸盐、酰胺、尿素的一种以上的化合物并搅拌,将所得的物质作为铱化合物使用(参照专利文献1)。
[0004] 该铱电镀液被有效地用作稳定而不易分解、具有高电流效率和高电镀速度的实用性铱电镀液。
[0005] 然而,这样优秀的铱电镀液也被指出了如下的关于其电镀性状的问题。例如,使用于如引脚等用于进行电连接的电子元器件的情况下(参照专利文献2),有时会产生铱电镀被膜出现裂缝而无法充分满足电特性的现象。对于该如引脚等电子元器件,通常采用在基底的铑上进行铱电镀被覆的方法,但随着如铑等稀有金属的价格高涨,正在研究减少基底的铑而以较厚的铱电镀被膜进行电镀处理的应对方案。这样形成较厚的铱电镀被膜的情况下,以往的铱电镀液的裂缝生成变得特别显著,产生无法满足电特性的情况。
[0006] 专利文献1:日本专利特开平6-316786号公报
[0007] 专利文献2:日本专利特开平7-21867号公报

发明内容

[0008] 本发明是在如上所述的情况完成的发明,其目的在于提供可以容易地形成裂缝的产生得到竭的抑制的铱电镀被膜的铱电镀液及其电镀方法。
[0009] 本发明是使用向阴离子成分为卤素的铱(III)配盐中加入选自饱和单羧酸、饱和单羧酸盐、饱和二羧酸、饱和二羧酸盐、饱和羟基羧酸、饱和羟基羧酸盐、酰胺、尿素的一种以上的化合物并搅拌而得的铱化合物的铱电镀液,其特征在于,包含Fe、Co、Ni、Cu中的至少一种以上。通过使Fe、Co、Ni、Cu中的至少任意一种金属存在于电镀液中,铱电镀被膜中的裂缝的产生得到有效的抑制。
[0010] 本发明的铱电镀液较好是Fe、Co、Ni、Cu中的至少一种以上的含量为0.01g/L~10g/L。如果低于0.01g/L,则容易产生裂缝;如果高于10g/L,则结晶生长变得不稳定。
[0011] 该Fe、Co、Ni、Cu中的任意一种金属较好是以可溶性金属盐的形式含于电镀液中。
[0012] 本发明的铱电镀液较好是以金属铱浓度计包含1~200g/L铱,更好是10~20g/L。如果铱浓度低于1g/L,则电流密度的上限变小,难以供实际使用;如果高于200g/L,则饱和而铱无法溶解,并且成本升高,实用性不佳。作为铱(III)配盐,可以采用六氯铱(III)酸盐、六溴铱(III)酸盐、六氟铱(III)酸盐,较好是六溴铱(III)酸钠、六氯铱(III)酸钠等。另外,选自饱和单羧酸、饱和单羧酸盐、饱和二羧酸、饱和二羧酸盐、饱和羟基羧酸、饱和羟基羧酸盐、酰胺、尿素的一种以上的化合物的添加量较好是0.001~1.0mol/L,更好是0.01~0.2mol/L。另外,作为该化合物,可以采用例如乙酸、丙二酸二钠、乙二酸等,较好是丙二酸二钠。另外,将其添加量设为0.001~1.0mol/L的理由是:如果低于0.001mol/L,则几乎不会显现添加所产生的效果;如果高于1.0mol/L,则会妨碍析出。
[0013] 本发明的铱电镀液可以根据需要包含用于pH调整的缓冲剂,例如酸、基磺酸等。
[0014] 本发明的铱电镀方法中,将条件设为pH1~8、温度50~98℃、电流密度0.01~2 2
3.0A/dm,较好是以pH4~6、温度80~90℃、电流密度0.1~0.8A/dm 的操作条件使用。
设为pH1~8的理由是:如果pH低于1,则电流密度的上限变小,实用性不佳;如果pH高于8,则生成氢化物,产生沉淀。另外,如果温度低于50℃,则极不易析出;如果温度高于
2
98℃,则水的蒸发剧烈,实用性不佳。另外,电流密度低于0.01A/dm 时,析出速度极慢;电
2
流密度高于3.0A/dm 时,产生氢而不析出析出物。
[0015] 如果采用本发明,则可以形成裂缝的产生得到竭力的抑制的铱电镀被膜。附图说明
[0016] 图1是实施例1的镀层表面观察照片。
[0017] 图2是未添加金属时的镀层表面观察照片。
[0018] 图3是实施例2的镀层表面观察照片。
[0019] 图4是实施例2的Co含量20.0g/L的镀层表面观察照片。
[0020] 图5是实施例3的镀层表面观察照片。
[0021] 图6是实施例3的Ni含量15.0g/L的镀层表面观察照片。
[0022] 图7是实施例4的镀层表面观察照片。
[0023] 图8是实施例5的镀层表面观察照片。

具体实施方式

[0024] 以下,参照实施例对本发明的实施方式进行详细说明。
[0025] 实施例1:
[0026] 该实施例1中,对在铱电镀液中添加Fe的情况进行说明。该实施例1的电镀液组成如下:
[0027] 六溴铱(III)酸钠
[0028] 15g/L(换算为金属铱)
[0029] 硼酸 40g/L
[0030] 丙二酸二钠 0.02mol/L
[0031] 硫酸七水合物 0.01g/L(换算为金属铁)
[0032] 实施例1中,作为铱化合物,采用如下得到的化合物:向上述六溴铱(III)酸钠中加入作为“二羧酸盐”的丙二酸二钠,以热浴保存在85℃的同时用磁搅拌器搅拌1小时而得。向该铱电镀液中加入硫酸铁七水合物,使电镀液中包含0.01g/L的Fe。
[0033] 接着,对2cm×2cm的试验片进行金触击电镀处理,厚1.0μm的镀金处理后,形成厚3.0μm的铱电镀被膜。电镀处理条件设为pH3.5~4.0、电镀液温度80~85℃、电2
流密度0.5A/dm。
[0034] 对于所被覆的铱电镀被膜,使用金属显微镜(400倍)观察了镀层性状。其结果示于图1。
[0035] 此外,为了进行比较,通过未添加Fe、Co、Ni、Cu中的任何一种的空白对照的铱电镀液,制成形成有铱电镀被膜的试验片。该空白对照的电镀条件与包含Fe时相同。其结果示于图2。
[0036] 如图2所示,确认通过不含Fe的铱电镀液被覆的试验片在表面产生大量裂缝。另一方面,如图1所示,包含Fe的铱电镀液的情况下,几乎没有确认到裂缝。
[0037] 此外,使Fe的含量变为0.005g/L、0.01g/L、0.5g/L、5.0g/L、10g/L,确认了其裂缝的产生状态,结果在0.005g/L时确认到裂缝的产生,在0.01g/L以上时未确认到裂缝的产生。
[0038] 实施例2:
[0039] 该实施例2中,对在铱电镀液中添加Co的情况进行说明。该实施例2的电镀液组成如下:
[0040] 六溴铱(III)酸钠
[0041] 15g/L(换算为金属铱)
[0042] 硼酸 40g/L
[0043] 柠檬酸二钠 0.05mol/L
[0044] 硫酸钴七水合物 0.5g/L(换算为金属钴)
[0045] 实施例2中,作为铱化合物,采用如下得到的化合物:向上述六溴铱(III)酸钠中加入作为“羟基羧酸盐”的柠檬酸二钠,以热浴保存在85℃的同时用磁搅拌器搅拌1小时而得。向该铱电镀液中加入硫酸钴,使电镀液中包含0.5g/L的Co。
[0046] 接着,对2cm×2cm的黄铜试验片进行金触击电镀处理,厚1.0μm的镀金处理后,形成厚3.0μm的铱电镀被膜。电镀处理条件设为pH3.5~4.0、电镀液温度80~85℃、电2
流密度0.5A/dm。
[0047] 对于所被覆的铱电镀被膜,使用金属显微镜(400倍)观察了镀层性状。其结果示于图3。
[0048] 如图3所示,包含Co的铱电镀液的情况下,几乎没有确认到裂缝。
[0049] 此外,使Co的含量变为0.005g/L、0.01g/L、0.5g/L、5.0g/L、10g/L,确认了其裂缝的产生状态,结果在0.005g/L时确认到裂缝的产生,在0.01g/L以上时未确认到裂缝的产生。
[0050] 另外,将Co的含量设为20.0g/L,使用金属显微镜(400倍)观察了镀层性状。其结果示于图4。Co的含量设为20.0g/L时,未能获得正常的析出。
[0051] 实施例3:
[0052] 该实施例3中,对在铱电镀液中添加Ni的情况进行说明。该实施例3的电镀液组成如下:
[0053] 六溴铱(III)酸钠
[0054] 15g/L(换算为金属铱)
[0055] 硼酸 40g/L
[0056] 乙二酸 0.05mol/L
[0057] 硫酸镍六水合物 0.5g/L(换算为金属镍)
[0058] 实施例3中,作为铱化合物,采用如下得到的化合物:向上述六溴铱(III)酸钠中加入作为“二羧酸”的乙二酸,以热浴保存在85℃的同时用磁搅拌器搅拌1小时而得。向该铱电镀液中加入硫酸镍六水合物,使电镀液中包含0.5g/L的Ni。
[0059] 接着,对2cm×2cm的黄铜试验片进行金触击电镀处理,厚1.0μm的镀金处理后,形成厚3.0μm的铱电镀被膜。电镀处理条件设为pH3.5~4.0、电镀液温度80~85℃、电2
流密度0.5A/dm。
[0060] 对于所被覆的铱电镀被膜,使用金属显微镜(400倍)观察了镀层性状。其结果示于图5。
[0061] 如图5所示,包含Ni的铱电镀液的情况下,几乎没有确认到裂缝。
[0062] 此外,使Ni的含量变为0.005g/L、0.01g/L、0.5g/L、5.0g/L、10g/L,确认了其裂缝的产生状态,结果在0.005g/L时确认到裂缝的产生,在0.01g/L以上时未确认到裂缝的产生。
[0063] 另外,将Ni的含量设为15.0g/L,使用金属显微镜(400倍)观察了镀层性状。其结果示于图6。Ni的含量设为15.0g/L时,未能获得正常的析出。
[0064] 实施例4:
[0065] 该实施例4中,对在铱电镀液中添加Cu的情况进行说明。该实施例4的电镀液组成如下:
[0066] 六溴铱(III)酸钠
[0067] 15g/L(换算为金属铱)
[0068] 硼酸 40g/L
[0069] 乙酸 0.02mol/L
[0070] 硫酸铜五水合物 0.01g/L(换算为金属铜)
[0071] 实施例4中,作为铱化合物,采用如下得到的化合物:向上述六溴铱(III)酸钠中加入作为“单羧酸”的乙酸,以热浴保存在85℃的同时用磁搅拌器搅拌1小时而得。向该铱电镀液中加入硫酸铜五水合物,使电镀液中包含0.01g/L的Cu。
[0072] 接着,对2cm×2cm的黄铜试验片进行金触击电镀处理,厚1.0μm的镀金处理后,形成厚3.0μm的铱电镀被膜。电镀处理条件设为pH3.5~4.0、电镀液温度80~85℃、电2
流密度0.5A/dm。
[0073] 对于所被覆的铱电镀被膜,使用金属显微镜(400倍)观察了镀层性状。其结果示于图7。
[0074] 如图7所示,包含Cu的铱电镀液的情况下,几乎没有确认到裂缝。
[0075] 此外,使Cu的含量变为0.005g/L、0.01g/L、0.5g/L、1.0g/L,确认了其裂缝的产生状态,结果在0.005g/L时确认到裂缝的产生,在0.01g/L以上时未确认到裂缝的产生。
[0076] 实施例5:
[0077] 该实施例5中,对在铱电镀液中添加Co的情况进行说明。该实施例5的电镀液组成如下:
[0078] 六氯铱(III)酸钠
[0079] 5g/L(换算为金属铱)
[0080] 硼酸 20g/L
[0081] 丙二酸二钠 0.10mol/L
[0082] 硫酸钴七水合物 0.5g/L(换算为金属钴)
[0083] 实施例5中,作为铱化合物,采用如下得到的化合物:向上述六氯铱(III)酸钠中加入作为二羧酸盐的丙二酸二钠,以热浴保存在85℃的同时用磁搅拌器搅拌1小时而得。向该铱电镀液中加入硫酸钴,使电镀液中包含0.5g/L的Co。
[0084] 接着,对2cm×2cm的黄铜试验片进行金触击电镀处理,厚1.0μm的镀金处理后,形成厚3.0μm的铱电镀被膜。电镀处理条件设为pH3.5~4.0、电镀液温度80~85℃、电2
流密度0.2A/dm。
[0085] 对于所被覆的铱电镀被膜,使用金属显微镜(400倍)观察了镀层性状。其结果示于图8。
[0086] 如图8所示,包含Co的铱电镀液的情况下,几乎没有确认到裂缝。
[0087] 实施例6:
[0088] 该实施例6中,对在铱电镀液中添加Ni并改变电镀条件的情况进行说明。该实施例6的电镀液组成如下:
[0089] 六溴铱(III)酸钠
[0090] 10g/L(换算为金属铱)
[0091] 硼酸 30g/L
[0092] 乙二酸 0.05mol/L
[0093] 硫酸镍六水合物 0.5g/L(换算为金属镍)
[0094] 实施例6中,作为铱化合物,采用如下得到的化合物:向上述六溴铱(III)酸钠中加入作为二羧酸的乙二酸,以热浴保存在85℃的同时用磁搅拌器搅拌1小时而得。向该铱电镀液中加入硫酸镍六水合物,使电镀液中包含0.5g/L的Ni。
[0095] 接着,对2cm×2cm的黄铜试验片进行金触击电镀处理,厚1.0μm的镀金处理后,形成厚3.0μm的铱电镀被膜,测定析出效率。电镀处理条件设为pH2.0~8.5、电镀液温度2
40~95℃、电流密度0.01~2.0A/dm。
[0096] 测定设为电镀液温度85℃、电流密度0.5A/dm2并改变pH时的析出效率。
[0097] pH0.5时,析出效率为0%,未析出。pH3.0时,析出效率为85%,未确认到裂缝。pH4.0~7.0时,析出效率为95%~100%,未确认到裂缝。另外,pH8.5时,产生氢氧化物的沉淀。
[0098] 接着,测定设为电流密度0.5A/dm2、pH3.5并改变浴温时的析出效率。
[0099] 浴温40℃时,析出效率为0%,未析出。浴温50℃时,析出效率为35%,确认到裂缝。浴温60℃~70℃时,析出效率为40%~60%,未确认到裂缝。浴温80℃~95℃时,析出效率为90%~100%,未确认到裂缝。此外,将浴温上升至99℃时,水从电镀浴的蒸发变得剧烈,难以进行稳定的电镀处理。
[0100] 接着,测定设为浴温85℃、pH3.5并改变电流密度时的析出效率。电流密度0.01A/2 2 2
dm 时,析出效率为50%,未确认到裂缝。电流密度0.02A/dm ~1.0A/dm 时,析出效率为
2
90~100%,未确认到裂缝。电流密度1.5A/dm 时,析出效率为60%,未确认到裂缝。电流
2 2
密度3.0A/dm 时,析出效率为20%,确认到裂缝。此外,将电流密度上升至3.5A/dm 时,产生氢,未获得正常的析出。
[0101] 产业上利用的可能性
[0102] 可以容易地形成裂缝的产生得到竭力的抑制的铱电镀被膜。
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