1.一种发光二极管的冷却方法，包含下列步骤：
于承载基板上形成一多层磊晶结构；
于该多层磊晶结构上沉积至少一金属层；
移除该承载基板；以及
于该金属层中形成一或多个热量移除结构以散除热量。
2.如权利要求1所述的发光二极管的冷却方法，其中该承载基板 包含蓝宝石。
3.如权利要求1所述的发光二极管的冷却方法，其中该沉积金属 层的步骤包含电化学沉积。
4.如权利要求1所述的发光二极管的冷却方法，其中该沉积金属 层的步骤包含沉积至少一金属层且随后实施一或多次无电化学沉积。
5.如权利要求1所述的发光二极管的冷却方法，其中该沉积金属 层的步骤包含利用下列其中一项方式实施：化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)、等离子增强型化学气相沉积 (Plasma-Enhanced CVD，PECVD)、物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)、原子层沉积Atomic Layer Deposition，ALD)、金属 有机化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition， MOCVD)、蒸镀、以及等离子喷涂(Plasma Spray)。
6.如权利要求1所述的发光二极管的冷却方法，包含下列步骤：
于该金属层之上沉积一或多层附加金属层。
7.如权利要求1所述的发光二极管的冷却方法，其中该形成热量 移除结构的步骤包含表面粗化。
8.如权利要求7所述的发光二极管的冷却方法，其中该表面粗化 包含利用下列其中一项方式实施：喷砂、研磨、刻划、激光切割。
9.如权利要求1所述的发光二极管的冷却方法，其中该热量移除 结构的形貌表面增加因子(ξ)不小于约1.1。
10.一种发光二极管的冷却方法，包含下列步骤：
于承载基板上形成一多层磊晶结构；
于该多层磊晶结构上沉积至少一金属层；
移除该承载基板；以及
将一或多个热量移除结构贴附于该金属层，以散除热量。
11.如权利要求10所述的发光二极管的冷却方法，其中该承载基 板包含蓝宝石。
12.如权利要求10所述的发光二极管的冷却方法，其中该沉积金 属层的步骤包含电化学沉积。
13.如权利要求10所述的发光二极管的冷却方法，其中该沉积金 属层的步骤包含在一或多个无电化学沉积后沉积至少一金属层。
14.如权利要求10所述的发光二极管的冷却方法，其中该沉积金 属层的步骤包含利用下列其中一项方式加以实施：CVD、PECVD、 PVD、ALD、MOCVD、蒸镀、以及等离子喷涂。
15.如权利要求10所述的发光二极管的冷却方法，包含在该金属 层上沉积一或多层附加金属层。
16.如权利要求10所述的发光二极管的冷却方法，其中该热量移 除结构包含以胶合(gluing)及利用例如银浆(silver paste)的粘浆的 粘合(bonding)其中一项方式来贴附到该金属基板。
17.如权利要求10所述的发光二极管的冷却方法，其中该热量移 除结构的形貌表面增加因子(ξ)不小于约1.1。
18.一种发光二极管的制造方法，包含下列步骤：
提供一承载基板；
沉积一多层磊晶结构；
于该多层磊晶结构上沉积一或多层金属层；
利用蚀刻定义出一或多个台面；
形成一或多层非导电层；
移除一部份的该非导电层；
沉积至少一或多层金属层，并于该金属层中形成一或多个散热鳍 片；以及
移除该承载基板。
19.如权利要求18所述的发光二极管的制造方法，其中该承载基 板包含下列其中之一：蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓。
20.如权利要求18所述的发光二极管的制造方法，其中该多层磊 晶结构包含：一n型氮化镓或氮化铝镓层；具有氮化铟铝镓/氮化镓 层的一或多个量子井；以及一p型氮化镓或氮化铝镓层。
21.如权利要求18所述的发光二极管的制造方法，其中在该多层 磊晶结构上的一或多层金属层包含下列其中之一：氧化铟锡(ITO)、 银、铝(Al)、铬(Cr)、镍(Ni)、金(Au)、钼(Mo)、钨(W)、耐火金属、 金属合金。
22.如权利要求18所述的发光二极管的制造方法，包含一选用的 掺杂半导体层，其介于该多层磊晶结构及该金属层之间。
23.如权利要求18所述的发光二极管的制造方法，其中该台面利 用聚合物及/或硬罩加以定义。
24.如权利要求18所述的发光二极管的制造方法，其中该非导电 层包含下列其中之一：二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、一类钻石薄 膜、一非导电金属氧化物成分、一陶瓷成分。
25.如权利要求18所述的发光二极管的制造方法，包含移除包括 下列该非导电层其中之一的一部份：二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、 类钻石薄膜、非导电性金属氧化物成分、及陶瓷成分。
26.如权利要求18所述的发光二极管的制造方法，其中该移除部 分非导电层的步骤包含利用剥除、湿式蚀刻、干式蚀刻其中一项方式 以暴露出导体层。
27.如权利要求26所述的发光二极管的制造方法，其中该导体层 包含一或多层金属层。
28.如权利要求26所述的发光二极管的制造方法，该导体层沉积 在一钝化层的顶部上，其中该钝化层包含一或多层非导电层。
29.如权利要求18所述的发光二极管的制造方法，其中该沉积一 或多层金属层的步骤包含利用下列其中之一：溅镀、物理气相沉积 (PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子增强型化学气相沉积(PECVD)、 蒸镀-离子束沉积、电沉积、无电沉积、等离子喷涂、喷墨沉积。
30.如权利要求18所述的发光二极管的制造方法，包含利用下列 其中一项方式来沉积一或多层金属层：PVD、蒸镀-离子束沉积、CVD、 电子束沉积。
31.如权利要求30所述的发光二极管的制造方法，其中一金属层 包含下列其中之一：铬(Cr)、镍(Ni)、氮化钽(TaN)/铜(Cu)、钼(Mo)、 钨(W)、金属合金。
32.一种发光二极管的制造方法，包含下列步骤：
于一承载基板上形成一多层磊晶结构；
于该多层磊晶结构上沉积至少一金属层；
移除该承载基板。
33.如权利要求32所述的发光二极管的制造方法，其中该承载基 板包含蓝宝石。
34.如权利要求32所述的发光二极管的制造方法，其中该沉积金 属层的步骤包含电化学沉积。
35.如权利要求32所述的发光二极管的制造方法，其中该沉积金 属层的步骤包含在一或多个无电化学沉积之后沉积至少一金属层。
36.如权利要求32所述的发光二极管的制造方法，其中该沉积金 属层的步骤包含利用下列其中一项方式实施：化学气相沉积(CVD)、 等离子增强型化学气相沉积(PECVD)、物理气相沉积(PVD)、原子层 沉积(ALD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)、蒸镀、等离子喷涂。
37.如权利要求32所述的发光二极管的制造方法，包含下列步骤：
于该金属层上沉积一或多层附加金属层。
38.一种发光二极管的制造方法，包含下列步骤：
设置一承载基板；
沉积一多层磊晶结构；
于该多层磊晶结构上沉积一层或多层导体层；
定义一或多个台面；
形成一或多层非导电层；
移除一部份的该非导电层；
沉积至少一层或多层金属层；以及
移除该承载基板。
39.如权利要求38所述的发光二极管的制造方法，其中该承载基 板包含下列其中之一：蓝宝石、碳化硅、氧化锌(ZnO)、硅以及砷化 镓。
40.如权利要求38所述的发光二极管的制造方法，其中该多层磊 晶结构包含：
一n型氮化镓或氮化铝镓层；
一或多个具有氮化铟镓/氮化镓层的量子井；以及
一p型氮化镓或氮化铝镓层。
41.如权利要求38所述的发光二极管的制造方法，其中于该多层 磊晶结构上方的一或多层金属层包含下列其中之一：氧化铟锡(ITO)、 银、铝(Al)、铬(Cr)、铂(Pt)、镍(Ni)、金(Au)、钼(Mo)、钨(W)、一耐 火金属、或一金属合金或金属层。
42.如权利要求38所述的发光二极管的制造方法，包含一在该多 层磊晶结构及该金属层之间的选用掺杂半导体层。
43.如权利要求38所述的发光二极管的制造方法，其中该台面利 用蚀刻用的聚合物及/或硬遮罩加以定义。
44.如权利要求43所述的发光二极管的制造方法，其中该蚀刻通 过下列其中一项方式实施：干式蚀刻、湿式蚀刻。
45.如权利要求38所述的发光二极管的制造方法，其中该台面通 过下列其中一项方式定义：激光、切锯或喷射水刀法。
46.如权利要求38所述的发光二极管的制造方法，其中非导电层 包含下列其中之一：二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、类钻石薄膜、 非导电性金属氧化物成分、及陶瓷成分。
47.如权利要求38所述的发光二极管的制造方法，包含移除该非 导电层的一部份的步骤。
48.如权利要求47所述的发光二极管的制造方法，其中该移除步 骤包含实施剥除、湿式或干式蚀刻，以暴露出导体层。
49.如权利要求38所述的发光二极管的制造方法，其中该导体层 包含一或多层金属层。
50.如权利要求38所述的发光二极管的制造方法，该导体层沉积 在一钝化层顶部，其中该钝化层包含一或多层非导电层。
51.如权利要求38所述的发光二极管的制造方法，其中该沉积一 或多层金属层的步骤包含利用：物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积 (CVD)、等离子增强型化学气相沉积(PECVD)、蒸镀、离子束沉积、 电化学沉积、无电化学沉积、等离子喷涂、或喷墨沉积而加以实施。
52.如权利要求38所述的发光二极管的制造方法，其中该沉积一 或多层导体层的步骤利用下列其中一项方式加以实施：PVD、蒸镀、 离子束沉积、CVD、及电子束沉积。
53.如权利要求49所述的发光二极管的制造方法，其中该一或多 层金属层包含下列其中之一：铬(Cr)、铂(Pt)、镍(Ni)、铜于氮化钽上、 钼(Mo)、钨(W)及金属合金。
54.如权利要求38所述的发光二极管的制造方法，包含通过电化 学电镀或无电化学电镀而形成一或多层附加金属层。
55.如权利要求38所述的发光二极管的制造方法，包含下列步骤：
利用电化学电镀或无电化学电镀而将一或多层附加金属层形成 于一种晶层的顶部上，该种晶层包含铜、钨、金、镍、铬、钯、铂或 其合金。
56.如权利要求55所述的发光二极管的制造方法，其中该一或多 层附加金属层包含铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铝(Al)或其合金。
57.如权利要求38所述的发光二极管的制造方法，包含沉积一非 导电性钝化层的步骤。
58.如权利要求57所述的发光二极管的制造方法，其中该钝化层 包含下列其中之一：非导电金属氧化物(氧化铪、氧化钛、氧化钽)、 二氧化硅、氮化硅及聚合物材料。
59.如权利要求57所述的发光二极管的制造方法，包含利用湿式 蚀刻、化学机械研磨或干式蚀刻以移除该钝化层的一部份。
60.如权利要求38所述的发光二极管的制造方法，包含沉积一最 终金属，该金属包含下列其中之一：铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、铂(Pt)、 锌(Zn)、金(Au)、其合金。
61.如权利要求38所述的发光二极管的制造方法，包含通过下列 其中一项方式来移除一蓝宝石基板的步骤：激光、化学机械研磨 (CMP)、湿式蚀刻、布植。
62.一种发光二极管的制造方法，包含下列步骤：
设置一承载基板；
沉积一多层磊晶结构；
利用蚀刻法定义出一或多个台面；
形成一或多层非导电层；
移除该非导电层的一部份；
沉积一或多层金属层；
移除该承载基板。
63.如权利要求62所述的发光二极管的制造方法，其中该承载基 板包含蓝宝石基板。
64.如权利要求62所述的发光二极管的制造方法，其中该台面利 用蚀刻用的聚合物及/或硬遮罩加以定义。
65.如权利要求62所述的发光二极管的制造方法，包含沉积一非 导电钝化层的步骤。
66.如权利要求62所述的发光二极管的制造方法，其中该钝化层 包含下列其中之一：非导电金属氧化物、二氧化硅、氮化硅、聚合物 材料。
67.如权利要求65所述的发光二极管的制造方法，包含利用下列 其中一项方式以移除该钝化层的一部份：湿式蚀刻、化学机械研磨、 干式蚀刻。
68.如权利要求62所述的发光二极管的制造方法，包含步骤：
利用电化学电镀或无电化学电镀而将一或多层附加金属层形成 于一种晶层的顶部上，该种晶层包含铜、钨、金、镍、铬、钯、铂或 其合金。
69.如权利要求68所述的发光二极管的制造方法，包含步骤：
于一镜面层的顶部上形成一种晶层，该镜面层包含利用下列其中 一项方式加以沉积的银、铝、钛、铬、铂、钯、银/铂、银/钯、银 /铬：物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子增强型化 学气相沉积(PECVED)、蒸镀、离子束沉积。
70.如权利要求62所述的发光二极管的制造方法，包含步骤：于 该金层上沉积一或多层附加金属层。
71.如权利要求62所述的发光二极管的制造方法，其中该移除该 承载基板的步骤包含利用激光剥除(LLO)术。
72.如权利要求62所述的发光二极管的制造方法，其中该移除该 承载基板的步骤包含利用干式蚀刻、化学移除技术或化学机械移除技 术。
73.一种发光二极管的制造方法，包含下列步骤：
设置一承载基板；
沉积一设有一p型接面、一多重量子井(MQW)、以及一n型接 点的多层磊晶结构；
于该多层磊晶结构上方沉积一或多层第一金属层，该第一金属层 电耦接于该p型接面；
利用蚀刻法定义出一或多个台面；
形成一或多层非导电层；
移除该非导电层的一部份；
沉积一或多层第二金属层，该第二金属层电耦接于该第一金属层 其中之一，其中该第二金属层其中之一与该n型接点及MQW电绝缘；
移除该承载基板。
74.一种n型氮化镓在上LED晶圆(n-GaN up LED wafer)形成 的制造方法，包含下列步骤：
设置一承载基板；
于该承载基板上沉积一n型氮化镓部分；
于该n型氮化镓部分上沉积活化层；
于这些活化层上沉积一p型氮化镓部分；
沉积一或多层金属层；
施用一遮罩层；
蚀刻该金属、p型氮化镓层、活化层、以及n型氮化镓层；
移除该遮罩层；
沉积一钝化层；
移除在该p型氮化镓层的顶部上的该钝化层的一部份，以曝露出 该金属；
沉积一或多层金属层；
沉积一金属基板；
移除该承载基板以曝露出该n型氮化镓表面。
75.如权利要求74所述的n型氮化镓在上LED晶圆的制造方法， 其中该n型氮化镓在上LED晶圆实质上是平滑且平坦的。
76.如权利要求74所述的n型氮化镓在上LED晶圆的制造方法， 其中该n型氮化镓在上LED晶圆的表面粗糙度低于10000埃。
77.如权利要求74所述的n型氮化镓在上LED晶圆的制造方法， 其中该承载基板为蓝宝石。
78.如权利要求74所述的n型氮化镓在上LED晶圆的制造方法， 其中该金属基板利用下列其中一项方式加以沉积：电化学电镀、无电 化学电镀、溅镀、化学气相沉积、电子束蒸镀、热喷涂。
79.如权利要求74所述的n型氮化镓在上LED晶圆的制造方法， 其中该金属基板由包含下列其中之一的金属或其金属合金所组成： 铜、镍、铝、钛、钽、钼、钨。
80.如权利要求74所述的n型氮化镓在上LED晶圆的制造方法， 其中该金属基板通过下列其中一项方式移除：激光剥除术(LLO)、湿 式蚀刻、化学机械研磨。