可靠地制造深亚微米和较小尺寸的特征图形已经成为下一代大规模集成 电路(VLSI)和超大规模集成电路(ULSI)半导体器件的关键技术。但是， 由于受到电路技术的限制，在VLSI和ULSI技术中减小互连线的尺寸已经对 处理能力提出了更多的要求。形成可靠的栅图案对于成功形成VLSI和ULSI 并进而提高电路密度以及单独衬底和芯片块的质量来说至关重要。
随着特征尺寸变得越来越小，孔径比或者特征图形的深度以及特征图形的 宽度之间的比例已经稳步提高，从而要求制造工艺将材料蚀刻到孔径比为约 50∶1到约100∶1或者更大的特征图形。通常，通过将介电层各向异性地蚀 刻为预定的深度和宽度而制造孔径比约为10∶1的特征图形。但是，当形成更 高孔径比的特征图形时，采用传统侧壁钝化技术的各向异性蚀刻已经很难实 现，从而产生具有均匀间距和/或具有两个或者多个倾斜轮廓的特征图形，因 此失去了特征图形的特征尺寸。
而且，在蚀刻工艺期间在特征图形的顶部或者侧壁产生的钝化层的重复沉 积或者富集可能阻挡在掩模中限定的开口。由于累积的重复沉积层缩减或者密 封了掩模的开口和/或蚀刻特征图形的开口，阻挡了反应剂进入该开口，从而 限制了可能获得的孔径比。因此，不能充分蚀刻特征图形将导致无法获得所需 孔径比的特征图形。
蚀刻具有高孔径比的特征图形的另一问题在于存在微负载效应，该微负载 效应为在高低特征图形密度区域之间蚀刻尺寸变化的测量。由于低特征图形密 度区域(例如，隔离区域)与高特征图形密度区域(例如，密集区域)相比具 有更大的表面积开口而在单位表面积上接收更多的反应剂，从而产生更高的蚀 刻速率。产生于蚀刻附产物的侧壁钝化由于在形成有更强钝化的区域中产生了 更多的副产物而导致在该区域表现出类似的特征图形密度依赖性。在这两个区 域之间单位表面积的蚀刻剂和钝化物的区别随着特征图形密度差异的增加而 增加。如图8A所示，由于在高低特征图形密度区域中存在不同的蚀刻速率和 不同的副产物，通常研究发现在以一定期望和控制的垂直尺寸蚀刻并限定低特 征图形密度区域802的同时，由于不充分的侧壁钝化产生的横向攻击导致高特 征图形密度区域出现弓形和/或底切806。在另一工艺中，如图8B所示，以更 快的蚀刻速率蚀刻具有比高特征图形密度区域810更多钝化的低特征图形密 度区域808，从而在蚀刻层814的侧壁上产生锥形顶部812。因此，与具有高 孔径比的高低特征图形密度区域的不同蚀刻速率相关的不充分的侧壁保护通 常导致不能保持蚀刻特征图形的特征尺寸并且产生质量较差的图案转移。
与具有高孔径比的蚀刻特征图形相关的再一挑战为控制由多层形成并具 有不同特征图形密度的特征图形的蚀刻速率。这里，可以根据特征图形密度而 以不同的速率蚀刻每一层。如图9所示，低特征图形密度区域902中的较快蚀 刻速率经常导致对位于上蚀刻层906下部的层904产生过蚀刻，而在密集特征 图形区域908中的较低蚀刻速率防止了层910的部分被完全蚀刻。随着特征图 形向更高的孔径比发展，在低和高特征图形密度区域中保持有效的蚀刻速率而 同时既不底切上层又不过蚀刻下层已经逐渐变得难于控制。不能在衬底上形成 设计的特征图形或者图案会导致意想不到的缺陷，并且对随后的工艺步骤产生 不利的影响，最终将降低或使产生的集成电路结构的性能失效。
因此，在该技术领域中需要一种用于蚀刻高孔径比特征图形的改进方法。

本发明提供了一种用于形成用于高孔径比应用的各向异性特征图形的方 法。这里所述的方法的优势在于通过侧壁钝化管理方案而方便特征图形轮廓和 尺寸控制。在一实施方式中，通过在蚀刻层的侧壁和/或底部选择性形成氧化 钝化层来管理侧壁钝化。在另一实施方式中，通过周期性清除过多的重复沉积 层而管理侧壁钝化从而在其上保持平坦而均匀的钝化层。该平坦而均匀的钝化 允许以在衬底上的高和低特征图形密度区域中保持所需深度和特征尺寸的垂 直剖面的方式蚀刻具有高孔径比的特征图形，同时不产生缺陷和/或过蚀刻下 层。
在一实施方式中，该方法包括在蚀刻腔室中设置其上具有层的衬底，采用 第一气体混合物通过在掩模中形成的开口蚀刻该层以限定特征图形的第一部 分，采用第二气体混合物通过原位蚀刻在蚀刻期间形成的重复沉积层而清洁开 口，并通过清洁后的开口蚀刻该层。
在另一实施方式中，该方法包括在蚀刻腔室中设置其上具有层的衬底，蚀 刻衬底上的至少部分层，在蚀刻层上形成氧化层，并在蚀刻腔室中蚀刻没有通 过氧化层保护的暴露的部分蚀刻层。
在再一实施方式中，该方法包括在蚀刻腔室中设置具有包括第一层和第二 层的膜叠层的衬底，在蚀刻腔室中蚀刻该膜叠层以暴露第一层和第二层，在第 一层上形成氧化层，并在蚀刻腔室中蚀刻第二层。
在又一实施方式中，该方法包括在蚀刻腔室中设置具有包括第一层和第二 层的膜叠层的衬底，在蚀刻腔室中采用第一气体混合物蚀刻膜叠层以暴露第一 层和第二层，采用第二气体混合物蚀刻在蚀刻期间形成的重复沉积层，并通过 将衬底暴露在含有氧气的环境中而在第一层上形成氧化层，并蚀刻未被氧化层 保护的第二层。
附图说明
结合附图，通过考虑如下详细描述可以更容易地理解本发明的技术，其中：
图1所示为根据本发明的实施方式在执行蚀刻处理中所采用的等离子体处 理装置的示意图；
图2所示为表示结合本发明一实施方式的方法的工艺流程图；
图3A-3E为表示具有密集区域和隔离区域的复合结构的部分截面图；
图4A-4G所示为具有含至少一种高K材料层的部分复合结构的截面图；
图5A-5E所示为具有窄沟隔离(STI)结构的衬底的部分截面图；
图6所示为结合本发明另一实施方式的方法流程图；
图7A-7D所示为具有要形成的高孔径比结构的部分衬底的截面图；
图8A-8B所示为具有通过较差尺寸控制蚀刻的高孔径比的现有技术特征 图形的截面图；
图9所示为在多层中具有高孔径比的特征图形的现有技术实施方式的截面 图。
为了便于理解，尽可能地，采用相同的附图标记表示共用于附图的相同元 件。应该认识到，在没有进一步叙述的情况下，一个实施方式的元件和特征图 形可以有益地结合到其它实施方式中。
但是，应该注意到，附图仅描述了本发明的典型实施方式，因此附图并非 是对本发明的限制，本发明承认其他等效的实施方式。

本发明主要涉及用于通过蚀刻工艺形成用于高孔径比应用的各向异性特 征图形的方法。在一实施方式中，该方法包括等离子体蚀刻在具有高孔径比的 特征图形的顶部和/或侧壁上沉积的重复沉积材料。在另一实施方式中，该方 法包括在衬底表面的蚀刻区域的部分上形成保护性氧化层。可以在一个或者集 成在集束型工具中的多个腔室中执行该蚀刻工艺。
可以在任意等离子体蚀刻腔室中执行这里所述的蚀刻工艺，例如，HART 蚀刻反应器、HARTTS蚀刻反应器、去耦合等离子体源(DPS)、DPS-II或者 DPS PLUS或者CENTURA蚀刻系统的DPS DT蚀刻反应器，所有这些产品均 由位于California的Santa Clara的Applied Material公司出售。也可以采用来自其 他制造商的等离子体蚀刻腔室。所述DPS反应器采用13.56MHz感应等离子 体源产生并保持高密度等离子体并且采用13.56MHz偏压功率源对晶圆施加 偏压。等离子体的去耦合特性和偏压源允许对离子密度和离子能量进行独立控 制。该DPS反应器通过改变源/偏压功率、气压、蚀刻气体化学成分并采用端 点检测系统确定工艺端点而提供较宽的工艺窗口。
图1示出了蚀刻工艺腔室100一实施方式的示意图。腔室100包括支撑介 电圆顶形顶板(以下称之为圆顶120)的导电腔室壁130。其他腔室可以具有其 他类型的顶板(例如平面顶板)。壁130与地134电连接。
至少一条电感线圈天线段112通过匹配网络119与射频(RF)源118耦合。 天线段112设置在圆顶120的外部并用于在该腔室内维持由工艺气体形成的等 离子体。在一实施方式中，施加给感应线圈天线112的源RF功率处于约0瓦到 约2500瓦的范围之间，频率处于约50KHz到约13.56MHz之间。在另一实施方 式中，施加给感应线圈天线112的源RF功率处于约200瓦到约800瓦的范围之 间，例如约400瓦。
工艺腔室100还包括与第二(偏压)RF源122耦合的衬底支撑座116(偏压 元件)，该第二(偏压)RF源122通常能够提供用于在大约13.56MHz频率下产 生约1500瓦或者更少(例如，无偏压功率)的偏压功率的RF信号。该偏压源 122通过匹配网络123与衬底支撑座116耦合。施加给衬底支撑座116的偏压功率 可以为DC或者RF。
在操作中，衬底支撑座116上设置衬底114并通过传统技术在其上保持，所 述传统技术诸如静电吸附或者机械固定衬底114。通过入口126从气路板138向 工艺腔室100提供气体成分从而形成气体混合物150。通过分别从RF源118和 122向天线112和衬底支撑座116施加的RF功率而在工艺腔室100中保持由混合 物150形成的等离子体。采用位于工艺腔室100和真空泵136之间的节流阀127 控制蚀刻腔室100内部的气压。采用位于腔室100的壁130中的含液体导管(未 示出)控制壁130的表面温度。
通过稳定衬底支撑座116的温度并通过导管149将热传输气体从源148流向 由衬底114的背部和位于底座表面上的沟槽(未示出)形成的通道而控制衬底 114的温度。可以采用氦气作为热传输气体以便于在衬底支撑座116和衬底114 之间的热传输。在蚀刻工艺期间，通过设置在衬底支撑座116中的电阻式加热 器经由DC功率源124将衬底114加热至稳态温度。设置在衬底支撑座116和衬底 114之间的氦气有助于对衬底114进行均匀加热。采用对于圆顶120和衬底支撑 座116的热控制，将衬底114维持在约100摄氏度和约500摄氏度之间的温度。
熟悉本领域的技术人员应该理解，可以采用其他形式的蚀刻腔室实施本发 明。例如，可以采用具有远程等离子体源的腔室、微波等离子体腔室、电子回 旋共振(ECR)等离子体腔室等类似腔室实施本发明。
控制器140与DPS蚀刻工艺腔室100的各个元件连接以便于控制蚀刻工艺， 其中该控制器140包括中央处理单元(CPU)144、存储器142和用于CPU 144 的支持电路146。为了便于控制如上所述的腔室，该CPU 144可以是任意形式 的通用计算机处理器，在用于控制各种腔室以及子处理器的工业设定中可以采 用该处理器。存储器142与CPU 144连接。存储器142或者计算机可读介质可以 为一个或者多个容易访问的存储器，诸如随机存储器(RAM)、只读存储器 (ROM)、软盘、硬盘或者其他任意形式的数字存储器、本地或者远程存储 器。支持电路146以传统方式与CPU144连接以支持该处理器。这些电路包括高 速缓冲存储器、功率源、时钟电路、输入/输出电路和子系统等。通常在存储 器142中将这里所述的蚀刻工艺存储为软件应用程序。还可以通过第二CPU(未 示出)存储和/或执行该软件程序，其中该CPU设置为远离通过CPU 144控制的 硬件。
图2所示为在腔室100或者在其他适用的处理腔室中实施的蚀刻工艺200的 一实施方式的流程图。图3A-3D所示为对应于工艺200各个阶段的复合衬底部 分的截面示意图。尽管在图3A-3D中示出用于形成栅结构的工艺200，但是可 以采用该工艺200蚀刻其他结构。
工艺200开始于步骤202，在该步骤将衬底114传输(提供)到蚀刻工艺腔 室中。在图3A所示的实施方式中，衬底114具有适用于制造栅结构的膜叠层 300。衬底114可以是任意形式的半导体衬底、硅晶圆、玻璃衬底等。可以采用 一种或者多种传统沉积技术形成包括膜层叠300的层，所述沉积技术诸如原子 层沉积(ALD)、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子 体增强CVD(PECVD)等。采用各种由CENTURA、PRODUCER、ENDURA 和其他半导体晶圆处理系统构成的处理模块沉积膜层叠300，所述处理模块由 位于California的Santa Clara的Applied Material公司以及其他模块制造商出售。 在一实施方式中，膜层叠300包括栅极层314和栅介电层302。暴露至少部分栅 极层314以进行蚀刻。在图3所示的实施方式中，通过构图掩模308中的一个或 者多个开口而暴露栅极层314的部分318和320。
在一实施方式中，栅极层314可以包括位于多晶硅材料304顶部上的金属材 料306的层叠。金属材料306可以选自钨(W)、氮化钨(WN)、硅化钨(WSi)、 钨多晶硅(W/多晶)、钨合金、钽(Ta)、氮化钽(TaN)、硅氮化钽(TaSiN)、 氮化钛(TiN)、单体或者其组合。
在图3A所示的典型实施方式中，掩模308可以为硬掩模、光刻胶掩模或者 其组合。掩模308可以用做蚀刻掩模以在密集区域320以及隔离区域318中形成 用于将栅极层314和栅介电层302蚀刻为预定的特征图形的开口部分。
在步骤204，向蚀刻腔室提供第一气体混合物以蚀刻位于其中的衬底114。 如图3B所示，在蚀刻期间，蚀刻衬底114上的层306并使其从部分318、320上 去除，从而剩余通过掩模308限定的沟槽。在达到端点以后，在衬底上已经去 除了至少部分层306。可以通过任意适用的方法确定该端点。例如，通过监控 光学散射、到达预定时间周期或者通过另一用于确定等待蚀刻的层已经充分去 除的指示器而确定端点。
第一气体混合物可以包括适用于蚀刻含金属的栅极层的任意气体。在一实 施方式中，第一气体混合物可以包括但不限于与如下气体至少其中之一结合的 氧气，其中所述气体为氮气(N2)、氯气Cl2)、三氟化氮(NF3)、六氟化硫 (SF6)、含碳和氟的气体，诸如CF4、CHF3、C4F8或者氩气(Ar)、氦气(He) 等。
在向蚀刻腔室提供气体混合物的同时调整几个工艺参数。在一实施方式 中，在第一气体混合物存在的情况下调整腔室压力。在一典型实施方式中，将 蚀刻腔室的工艺压力调整为约2mTorr到约100mTorr，例如约10mTorr。可以施 加RF功率源从而保持由第一工艺气体形成的等离子体。例如，可以向电感耦 合天线源施加RF源功率以保持蚀刻腔室内部的等离子体。第一气体混合物以 约50sccm到约1000sccm的速率流入腔室。衬底温度保持在约30摄氏度到约500 摄氏度之间。
在蚀刻期间，在蚀刻腔室内未遮蔽区域的蚀刻期间形成的诸如含硅、含碳 成分的副产物在掩模层308以及蚀刻层306的侧壁或者顶部上聚集并累积，从而 形成重复沉积层324，如图3B所示。随着沉积层324不断生长，沟槽的开口部 分320可能会关闭或者变窄，从而破坏了蚀刻工艺。因此，向蚀刻腔室中提供 清洁气体的选择性步骤205用于蚀刻累积在掩模层308以及蚀刻层306的侧壁或 者顶部上的重复沉积层324。该清洁气体去除了重复沉积层324，从而重新打开 其预定的构图掩模。
清洁气体可以包括含氟气体。在一实施方式中，该清洁气体包括三氟化氮 (NF3)、六氟化硫(SF6)、四氟化碳(CF4)。在另一实施方式中，该清洁 气体包括含碳和氟的气体，诸如CHF3、C4F8等。还可以在清洁期间向蚀刻腔 室中提供诸如氩气(Ar)、氦气(He)等的载气。
参照图3B，由于隔离区域312的表面区域存在较大的开口，因此与隔离区 域312的部分318相比，密集区域310的部分320在单位表面积上接收较少的蚀刻 物质。在这两个区域中单位面积上蚀刻剂的差异随着图案密度差异的增加而增 加，从而增强了不希望出现的微负载效应。在蚀刻具有高孔径比或者在其上形 成有密集拥挤的特征图形的衬底时该微负载效应普遍存在。在隔离区域312的 部分318中累积了相对较多的蚀刻物质，从而产生较高的蚀刻速率，并且因此， 在隔离区域312中暴露的部分318具有比密集区域310更快的蚀刻速率。在蚀刻 衬底预定时间周期以后，由于存在不同的蚀刻速率导致在密集区域310的该层 的部分320仍剩余至少部分要蚀刻的区域的同时而位于隔离区域312中的该层 的部分318已经完全去除。
在步骤206，如图3C所示，在衬底114上沉积氧化层322。在一实施方式中， 向蚀刻腔室施加包括含氧气体的第二气体或者气体混合物。该含氧气体与暴露 的下层304的部分318(例如，多晶硅层)反应以形成诸如SiO2的氧化层322。 形成在其上的氧化层322用做钝化层从而在去除通过掩模层308限定的密集区 域310中的所述层306的剩余部分的同时保护下层304不受攻击。由于材料的不 活跃特性以及与氧气物质的不充分接触，从而选择性地氧化部分衬底表面，导 致在密集区域310中栅极层306的部分320形成不可能与在底部多晶硅层304上 暴露的部分318一起形成氧化层，从而选择性氧化衬底表面的部分。因此，在 已经暴露的下层304的部分318上选择性形成氧化层322，该氧化层322将待蚀刻 的层306的部分320设置于未受保护的状态，并提供进一步蚀刻以去除层306的 剩余部分320。
可以通过各种方法形成这里所述的氧化层。在一实施方式中，可以通过向 蚀刻腔室中提供至少一种含氧气体以与多晶硅表面反应而原位形成氧化层，所 述含氧气体诸如O2、N2O、NO、CO、CO2等。在另一实施方式中，可以将多 晶硅层暴露于含有至少一种氧化气体或者含氧气体的环境中(例如，将衬底传 输到缓冲腔室或者传输腔室)以在其表面上形成氧化层。在再一实施方式中， 可以将衬底传输到另一工艺腔室或者提供至少氧化气体或者含氧气体的另一 工具中，从而在衬底的表面上形成氧化层。
在向蚀刻腔室中提供含氧气体的同时调整几个工艺参数。在一实施方式 中，调节蚀刻腔室内部存在含氧气体状态时的腔室压力。在一典型实施方式中， 调节蚀刻腔室中含氧气体的压力使其处于约2mTorr到约150mTorr之间，例如， 位于约10mTorr到约100mTorr之间。可以施加RF功率源从而维持由第二气体 形成的等离子体以氧化衬底上的层304的至少一部分。例如，向电感耦合天线 源施加约200瓦到约1500瓦的功率以维持蚀刻腔室内部的等离子体。同时以约 50sccm到约2000sccm之间的流速引入含氧气体。
在步骤208，向工艺腔室中施加第三气体混合物从而进一步蚀刻该工艺腔 室内部的所述层306的剩余部分320，如图3D所示。在一实施方式中，当已经 完全去除密集区域310中所述层306的剩余部分320时终止该蚀刻工艺。在另一 实施方式中，通过过蚀刻进入下层304的部分316(如虚线所示)而终止蚀刻工 艺。在再一实施方式中，在已经去除下层304的暴露平面并已经成功地将掩模 308的构图图形转移到膜叠层300后终止该蚀刻工艺，如图3E所示。在可选实施 方式中，如在图2中通过环210所示，可以重复执行步骤205、206和208以逐渐 去除密集区域310中所述层306的部分320，直到完全去除部分320，从而暴露栅 极层302。
第三气体混合物可以为任意适用于蚀刻衬底上层的剩余部分的气体混合 物。在一实施方式中，第三气体混合物可以与如上所述的步骤202中的第一气 体混合物相同。在另一实施方式中，第三气体混合物可以为适用于蚀刻硅层的 任意气体。在再一实施方式中，第三气体混合物可以选自由诸如Cl2、HCl、 HBr、CF4、CHF3、NF3、SF6、O2、N2、He或者Ar等构成的组。
而且，在向蚀刻腔室中提供第三气体混合物的同时调整工艺参数。在一实 施方式中，调节蚀刻腔室中的工艺压力使其处于约2mTorr到约100mTorr之间， 例如位于约4mTorr。可以施加RF功率源从而维持由第一工艺气体形成的等离 子体以蚀刻衬底上的层304的至少一部分。例如，向电感耦合天线源施加约150 瓦到约1500瓦的功率以维持蚀刻腔室内部的等离子体。同时以约50sccm到约 1000sccm之间的流速引入第三气体混合物。衬底温度保持在约20摄氏度到约80 摄氏度的温度范围内。
可以采用这里所述的蚀刻衬底的方法蚀刻具有不同膜层和结构的衬底。如 图4A-4G所示，在另一实施方式中，通过采用图2所示方法200的另一实施 方式蚀刻衬底。图4A-4G为对应于用于蚀刻复合衬底的工艺200的复合衬底 的部分截面示意图。尽管在图4A-4G中示出了用于蚀刻栅结构的工艺200，但 是该工艺200还可以有益地用于蚀刻其他结构。
方法200开始于步骤202，在该步骤提供衬底并将其传输到蚀刻工艺腔室 中。如图4A所示，衬底114含有包含位于其上的高K介电层的层。在一实施方 式中，衬底114包括膜叠层410，在该膜叠层上要形成诸如栅的结构。膜叠层410 包括插入有高介电常数材料层402(具有大于4.0的介电常数的高K介电材料) 的至少一层或者多层404、406。在诸如栅介电层的介电层414上或者直接在衬 底114上设置膜叠层410。可以采用诸如硬掩模、光刻胶掩模或者其组合的掩模 408作为暴露膜叠层410的部分412的蚀刻掩模从而蚀刻其上的特征图形。衬底 114可以是任意形式的半导体衬底、硅晶圆、玻璃衬底等。可以想到，所述插 入的介电层402可以是适用于在衬底上形成结构的任意介电层。适用的介电层 实施例包括但不限于氧化层、氮化层、氧化氮化混合层、插入有氮化层的至少 一种或者多种氧化层等。
在图4所示的实施方式中，高K材料层402可以包括介电常数大于4的材料， 其实施例包括二氧化铪(HfO2)、二氧化锆(ZrO2)、铪硅酸盐(HfSiO2)、 锆硅酸盐(ZrSiO2)、二氧化钽(TaO2)、氧化铝、掺杂铝的二氧化铪、钛酸 锶钡(BST)以及钛酸锫酸铅(PZT)等。
高K材料402上部的层406可以包括一层或者多层。在一实施方式中，层406 包括用于栅极的金属材料，包括钨(W)、硅化钨(WSi)、钨多晶硅(W/ 多晶)、钨合金、钽(Ta)、氮化钽(TaN)、硅氮化钽(TaSiN)、氮化钛 (TiN)等。可选地，层406还可以是或者包括多晶硅层。根据需要，对于由叠 层410构成的结构，可将诸如多晶硅层或者氧化层的层404选择性设置在高K材 料层402以下。
在步骤204，如图4B所示，向蚀刻腔室中提供第一气体混合物从而蚀刻膜 叠层410。在步骤204，通过由掩模408限定的开口而蚀刻层406的部分412，以 在叠层410中形成沟道。
在一实施方式中，该第一气体混合物包括含卤素的气体并且不包括含氧气 的气体。含卤素的气体可以为含氯气体，其包括但不限于氯气(Cl2)、三氯 化硼(BCl3)、氯化氢(HCl)等至少其中之一。可选地，在第一气体混合物 可以既包括氯气(Cl2)又包括三氯化硼(BCl3)。选择卤素气体的类型(例 如Cl2、BCl3或者二者都有)从而有效地从层406中去除金属(例如，铪、锆 等)。
在另一实施方式中，在步骤204中采用的第一气体混合物还可以包括具有 含氧气体或者没有含氧气体的还原剂。适用的还原剂包括但不限于碳氢化合物 气体，诸如一氧化碳(CO)、氧气(O2)、甲烷(CH4)、乙烷(C2H6)、 乙炔(C2H4)及其组合物等。在一替代实施方式中，选择碳氢化合物(例如甲 烷)作为与蚀刻工艺期间产生的副产物结合的聚合气体。甲烷用于抑制硅材料 的蚀刻，从而获得高K介电材料(二氧化铪或者铪硅酸盐)对于硅材料的高蚀 刻选择比。此外，第一气体混合物还可以包括一种或者多种附加气体，诸如氦 气(He)、氩气(Ar)、氮气(N2)等。
在向蚀刻腔室中提供第一气体混合物的同时调整工艺参数。在一实施方式 中，调节蚀刻腔室中存在第一气体混合物时的腔室压力使其处于约2mTorr到约 100mTorr之间，例如位于约10mTorr。以约0瓦到约800瓦的功率范围向衬底支 撑底座施加衬底偏压功率。施加RF功率源从而维持由第一工艺气体形成的等 离子体以蚀刻层406的至少一部分。例如，向电感耦合天线源施加约0瓦到约 3000瓦的功率以维持蚀刻腔室内部的等离子体。衬底温度保持在约30摄氏度到 约500摄氏度的温度范围内。
在选择性步骤205，提供清洁气体以蚀刻在蚀刻步骤204期间沉积的重复沉 积层426。在蚀刻腔室中所述重复沉积层426可能由蚀刻期间暴露的释放副产物 形成，该释放的副产物为诸如含硅和含碳的成分。如图4B所示，该副产物在 掩模层408以及蚀刻层406的侧壁或者顶部上聚集并累积，从而形成重复沉积层 426。随着沉积层426不断生长，沟槽的开口部分412可能会变窄和/或密封，从 而破坏了蚀刻工艺的终止。因此，向蚀刻腔室中提供清洁气体以蚀刻重复沉积 层426从而消除聚合物累积的情况，这样重新打开构图的掩模以在不对特征尺 寸和/或沟槽侧壁轮廓/角度产生不利影响的情况下继续蚀刻。
清洁气体包括含氟气体。在一实施方式中，该清洁气体包括诸如三氟化氮 (NF3)、六氟化硫(SF6)、四氟化碳(CF4)等的至少一种含氟气体。在另 一实施方式中，该清洁气体包括含碳和氟的气体，诸如CHF3、C4F8等。在清 洁气体中还可以提供诸如氩气(Ar)、氦气(He)等的惰性气体。
在传统工艺中，在蚀刻工艺期间会发现具有高孔径比的蚀刻层的不充分的 侧壁钝化。没有足够的侧壁钝化，在蚀刻工艺之后，横向以及垂直蚀刻可能会 同时发生，从而导致特征图形的预定尺寸发生很大变化或者腐蚀特征图形的拐 角，例如形成圆形拐角。所述变化被称之为特征尺寸(CD)偏差。
为了防止特征尺寸偏差，在步骤206沉积氧化层418。如图4C所示，通过 向蚀刻腔室提供包括含氧气体的第二气体混合物而施加氧化层418以在衬底的 蚀刻层406的侧壁上形成氧化层418。在一实施方式中，层406的暴露侧壁422 与提供给工艺腔室的含氧气体反应以形成氧化层418作为SiO2层。氧化层418 用做钝化层从而在随后的蚀刻步骤中保护所述层406的侧壁422不受横向攻击。
可以通过各种方法形成氧化层418。在一实施方式中，可以通过向蚀刻腔 室中提供至少一种含氧气体以与衬底反应而原位形成氧化层418，所述含氧气 体诸如为O2、N2O、NO、CO、CO2等。在另一实施方式中，可以将蚀刻层406 暴露于氧气或者含氧气的环境中以在其表面上形成氧化层。在再一实施方式 中，可以通过将衬底传输到缓冲腔室或者传输腔室中而将衬底暴露在工具的真 空环境以外的大气环境中以在工具之间传输期间形成氧化层。
在步骤208，向工艺腔室中施加第三气体混合物从而进一步蚀刻高K材料 层402，如图4D所示。在一实施方式中，在蚀刻层402的同时蚀刻在步骤204后 剩余的层406的部分。在步骤208蚀刻工艺基本为垂直。在一实施方式中，在已 经完全去除高K材料402的同时可以结束步骤208的蚀刻工艺。在另一实施方式 中，蚀刻工艺包括过蚀刻衬底以去除位于高K材料层402下部的下层404的部分 424。
在步骤208的随后蚀刻工艺期间可能重复沉积重复沉积层426，并且在蚀刻 工艺期间可能消耗氧化层418。因此，可以选择性循环执行步骤205、206和208 以逐渐蚀刻层402。通过重复去除重复沉积层426以及沉积氧化层418的逐步蚀 刻改进了沟槽的垂直性并通过在层402的特征图形蚀刻期间重复打开构图的掩 模并保持氧化层而提高了掩模对于沟槽的CD传输。
在替代实施方式中，如图4E所示，通过再次向蚀刻腔室提供第二气体混合 物在消耗完第一氧化层418后在蚀刻层406、402的侧壁422上涂敷第二氧化层 420，从而防止在随后的蚀刻工艺期间对该层进行横向蚀刻。
在选择性沉积第二氧化层420以后，如图4F所示，向工艺腔室中提供第三 气体混合物以蚀刻层404。该第三气体混合物可以是用于去除层404的任意适用 的气体。在一实施方式中，第三气体混合物可以与步骤204中的第一气体混合 物相同。在另一实施方式中，第三气体混合物可以选自由HBr、Cl2、HCl、CF4、 CHF3、NF3、SF6、N2、O2、He、Ar等组成的组。
在蚀刻层404期间可以调整工艺参数。例如，调节蚀刻腔室的腔室压力使 其处于约2mTorr到约100mTorr之间，例如位于约20mTorr。施加RF功率源从而 维持由第一工艺气体形成的等离子体。例如，向电感耦合天线源施加约100瓦 到约800瓦的功率以维持蚀刻腔室内部的等离子体。以约50sccm到约1000sccm 之间的速率向腔室中引入第三气体混合物。衬底温度保持在20摄氏度到500摄 氏度的温度范围内。
如图4G所示，在已经蚀刻掉膜叠层410以后去除掩模层408。在替代实施 方式中，重复执行步骤205、206和208以在重复打开构图的掩模并保持保护蚀 刻的特征图形侧壁的氧化层的同时逐渐蚀刻层404，如图2中的环210所示。
可以采用如上所述的方法蚀刻具有不同膜层的衬底和/或形成不同结构。 在如图5A-5E的再一典型实施方式中，通过采用图2所示的方法200的另一实施 方式蚀刻衬底114。
图5A-5E所示为对应于用于蚀刻窄沟隔离(STI)结构的工艺200的衬底 的部分截面示意图。尽管在图5A-5E中示出用于形成STI结构的工艺200， 但是该工艺200还可以有益地用于蚀刻其他结构。
方法200开始于步骤202，在该步骤中将衬底传输到蚀刻工艺腔室中。如图 5A所示，衬底114含有包含位于其上的层500。在一实施方式中，层500适于制 造STI结构。层500可以是硅薄膜，例如空白裸硅薄膜。在不存在层500的实施 方式中，在层500上执行的所述工艺可替代为在衬底114上执行的工艺。衬底114 可以是任意形式的半导体衬底，诸如硅晶圆、玻璃衬底等。
掩模502可以是硬掩模、光刻胶掩模或者其组合。用作蚀刻掩模的掩模502 具有暴露层500的部分504的开口。通过该开口可以蚀刻具有或者没有层500的 衬底114以从暴露的部分504去除材料从而形成特征图形。
在步骤204，向蚀刻腔室中提供第一气体混合物从而蚀刻层500。在步骤 204，如图5B所示，通过掩模502限定的开口蚀刻层500的部分504以在膜层500 中形成沟槽。
在一实施方式中，该第一气体混合物包括含卤素的气体。含卤素的气体可 以为含溴气体，其包括但不限于溴化氢(HBr)、溴气(Br2)等至少其中之一， 并且可结合至少一种含氟气体。在一实施方式中，在第一气体混合物可以包括 溴气(Br2)和三氟化氮(NF3)。在另一实施方式中，用在步骤204中的第一 气体混合物还可以包括含硅气体。一种适用的含硅气体为四氟化硅(SiF4)气 体。
在步骤204期间可以调整工艺参数。在一实施方式中，调节蚀刻腔室内部 存在第一气体混合物状态的腔室压力使其处于约2mTorr到约100mTorr之间，例 如位于约10mTorr。以约0瓦到约300瓦的功率范围向衬底支撑底座施加衬底偏 压功率。可以施加RF功率源从而维持由第一工艺气体形成的等离子体以蚀刻 层406的至少一部分。例如，向电感耦合天线源施加约200瓦到约3000瓦的功率 以维持蚀刻腔室内部的等离子体。衬底温度维持在约30摄氏度到约500摄氏度 之间的温度。
在选择性步骤205，通过向腔室中提供清洁气体以去除在蚀刻步骤204期间 沉积的重复沉积层506(如图5B所示)。清洁气体蚀刻在掩模502以及蚀刻层 500的顶部或者侧面累积的重复沉积层506从而重新打开构图的掩模。
这里所用到的清洁气体包括含氟气体。在一实施方式中，该清洁气体包括 三氟化氮(NF3)、六氟化硫(SF6)、四氟化碳(CF4)等含氟气体。在另一 实施方式中，该清洁气体包括含碳和氟的气体，诸如CHF3、C4F8等。清洁气 体还可以包括诸如氩气(Ar)、氦气(He)等的惰性气体。
如上所述，在蚀刻工艺期间可以发现具有高孔径比的蚀刻层的不充足的侧 壁钝化。为了提供充分的侧壁保护，在步骤206沉积氧化层508。如图5C所示， 通过向蚀刻腔室提供包括含氧气体的第二气体混合物而施加氧化层508以在衬 底的蚀刻层500的侧壁510上形成氧化层508。在一实施方式中，层500的暴露侧 壁510与提供给工艺腔室的含氧气体反应以形成诸如SiO2的氧化层508。氧化层 508用做钝化层从而在随后的蚀刻步骤中保护所述层500的侧壁510不受横向攻 击。
可以通过各种方法形成氧化层508。在一实施方式中，可以通过向蚀刻腔 室中提供至少一种含氧气体与衬底反应而原位形成氧化层508，所述含氧气体 诸如为O2、N2O、NO、CO、CO2等。在另一实施方式中，可以将蚀刻层500暴 露于含有氧气和/或含氧气体的环境中(例如通过将衬底传输到缓冲腔室或者 传输腔室中)以在其表面形成氧化层。在再一实施方式中，可以通过将衬底暴 露在工具的真空环境以外的大气环境中而在工具之间传输期间形成氧化层。
在步骤208，向工艺腔室中施加第三气体混合物以蚀刻通过掩模502暴露的 蚀刻层500的剩余部分504，如图5D所示。蚀刻工艺基本垂直。第三气体混合 物气体可以为与步骤204中的第一气体混合物相同的物质。在一实施方式中， 当已经完全去除层500时终止步骤208的蚀刻工艺。
在步骤208的随后蚀刻工艺期间可能重复沉积重复沉积层506，并且在蚀刻 工艺期间会消耗氧化层508。因此，可以选择性循环执行步骤205、206和208 以逐渐蚀刻层500，如图2的环210所示。重复去除重复沉积层506和/和沉积氧 化层508的逐渐蚀刻工艺通过在蚀刻层500中的特征图形期间而重复打开构图 掩模并保持氧化层，改进了沟槽的垂直性并提高了精确的CD传输。如图5E所 示，在将层500蚀刻为所需的特征图形以后去除掩模层。
第三气体混合物可以是用于去除层500的任意适用气体。在一实施方式中， 第三气体混合物可以与步骤204中的第一气体混合物相同。
图6所示为蚀刻工艺600的另一实施方式的流程图。图7A-7D所示为对应于 用于蚀刻具有高孔径比结构的衬底的部分截面示意图。尽管在图7A-7D中示出 了用于形成高孔径比结构的工艺600，但是该工艺600还可以有益地用于蚀刻其 他结构。
工艺600开始于步骤602，在该步骤将衬底114传输到蚀刻工艺腔室中。 在图7A所示的一个实施方式中，衬底114具有适用于制造高孔径比结构的层 700。层700可以为任意材料，诸如介电材料、硅材料、金属、金属氮化物、 金属合金和其他导体材料。衬底114可以是任意一种半导体衬底，诸如硅衬底、 玻璃衬底等。可以采用适合的传统沉积技术形成包括层700的层，所述沉积技 术诸如原子层沉积(ALD)、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、 等离子体增强CVD(PECVD)等。
诸如硬掩模、光刻胶掩模或者其组合的掩模702可以用做暴露层700的部分 704的蚀刻掩模。通过掩模702中的开口蚀刻层700的暴露部分704以形成特征图 形，诸如高孔径比沟槽。
在步骤604，如图7B所示，向蚀刻腔室提供第一气体混合物以蚀刻层700。 在步骤604，通过由掩模702限定的开口蚀刻层700的部分704以在膜层700中形 成沟槽。
在步骤606，可以采用清洁气体蚀刻在蚀刻步骤604期间产生的重复沉积层 706。掩模层702或者蚀刻层700在步骤604期间受到攻击时会在蚀刻腔室中释放 诸如含硅或者含碳成分的反应物。该反应物在掩模层702以及蚀刻层700的侧壁 和/或顶部上聚集并累积，从而形成重复沉积层706，如图7B所示。随着沉积层 706的累积，沟槽的开口部分704可能会关闭和/或变窄，从而破坏了蚀刻工艺。 因此，向蚀刻腔室中提供清洁气体以蚀刻聚合物重复沉积层706，从而重新打 开构图的掩模。
清洁气体包括至少一种含氟气体。在一实施方式中，该清洁气体包括至少 含氟气体，诸如三氟化氮(NF3)、六氟化硫(SF6)、四氟化碳(CF4)等。 在另一实施方式中，该清洁气体包括含碳和氟的气体，诸如CHF3、C4F8等。 在清洁气体中还可以包含诸如氩气(Ar)、氦气(He)等的惰性气体。
在步骤608，如图7C所示，向工艺腔室中提供第二气体混合物以蚀刻未由 掩模702保护的蚀刻层700的剩余部分704。蚀刻工艺基本垂直。第二气体混合 物可以是用于去除层700的任意适用气体。在一实施方式中，第二气体混合物 可以与步骤604中的第一气体混合物相同。在一实施方式中，当已经完全去除 层700时终止步骤608的蚀刻工艺。
在步骤608的随后蚀刻工艺期间可能重复沉积重复沉积层706。因此，可以 选择性循环执行步骤606和608以循环蚀刻层700，如图6的环610所示。重复去 除重复沉积层706的逐渐蚀刻工艺通过在蚀刻层700的特征图形期间重新打开 构图的掩模而改进了沟道的垂直性并提供了精确的CD传输。如图7D所示，在 将层700蚀刻为所需特征图形以后可根据需要去除掩模层702。
因此，本发明提供了一种用于蚀刻衬底的改进方法。该方法的优势在于通 过选择性形成保护氧化层和/或去除在蚀刻期间产生的重复沉积层而在蚀刻期 间方便了轮廓以及尺寸控制。
尽管上述指出了本发明的实施方式，但是在不脱离本发明的范围的情况下 可以想到本发明的其他以及进一步的实施方式，并且通过如下权利要求书限定 本发明的范围。