专利汇可以提供半导体装置的制造方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种 半导体 装置的制造方法,通过除去 半导体晶片 斜面部的蚀刻残留,抑制之后工序中的再粘附。本 发明 半导体装置的制造方法包括:在半导体晶片(1)上形成栅极绝缘膜或绝缘膜的工序;在所述栅极绝缘膜或绝缘膜上形成用于形成栅极 电极 或配线的导电膜的工序;通过反复 腐蚀 所述导电膜形成栅极电极或配线的工序,其中,所述反复腐蚀工序是 各向同性蚀刻 。,下面是半导体装置的制造方法专利的具体信息内容。
1、一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:在半导体晶片上 形成绝缘膜的工序;在所述绝缘膜上形成用于形成电极或配线的导电膜的工 序;通过反复腐蚀所述导电膜形成电极或配线的工序,其中,所述反复腐蚀 工序为各向同性蚀刻。
2、一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:在半导体晶片上 形成绝缘膜的工序;在所述绝缘膜上形成用于形成电极或配线的导电膜的工 序;在所述导电膜上形成涂敷膜的工序;在将所述涂敷膜和所述导电膜各向 异性反复腐蚀至所述导电膜膜厚的规定位置后,各向同性蚀刻剩余的导电 膜,形成电极或配线的工序。
3、一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:在半导体晶片上 形成绝缘膜的工序;在所述绝缘膜上形成用于形成电极或配线的导电膜的工 序;各向异性反复腐蚀所述导电膜,形成电极或配线的工序;形成覆盖所述 晶片斜面部以外区域的保护膜的工序;以所述保护膜为掩膜,各向同性蚀刻 所述晶片的整个面,除去该晶片斜面部的蚀刻残留的工序。
本发明涉及半导体装置的制造方法,特别是涉及介由栅极绝缘膜或绝缘 膜在半导体晶片上形成栅极电极或配线的方法。
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