专利汇可以提供使用超快脉冲激光沉积制造电化学装置的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提供了一种制造多层 薄膜 电化学装置的方法。该方法包括:在一个室内提供第一靶材;在该室内提供基底;向第一靶材发射第一间歇 激光束 以产生第一 等离子体 ,其中第一间歇激光束的每一脉冲具有约20fs至约500ps的脉宽;在基底上沉积第一等离子体,以形成第一薄膜;在室内提供第二靶材;向第二靶材发射第二间歇激光束以产生第二等离子体,其中第二间歇激光束的每一脉冲具有约20fs至约500ps的脉宽;以及在第一薄膜上或上方沉积第二等离子体以形成第二薄膜。,下面是使用超快脉冲激光沉积制造电化学装置的方法专利的具体信息内容。
1.一种制造多层薄膜电化学装置的方法,包括:
在一个室内提供第一靶材;
在所述室内提供集电器基底;
向所述第一靶材发射第一间歇激光束以产生第一等离子体,其中所述第一间歇激光束的每个脉冲具有20fs至500ps的脉宽;
在所述集电器基底上沉积所述第一等离子体,以形成第一薄膜电极;
在所述室内提供第二靶材;
向所述第二靶材发射第二间歇激光束以产生第二等离子体,其中所述第二间歇激光束的每个脉冲具有20fs至500ps的脉宽;以及
在所述第一薄膜电极上或上方沉积所述第二等离子体以形成第二薄膜电极;
其中,所述第一和第二等离子体基本没有1μm或更大尺寸的熔滴和/或微粒;
其中,所述第一和第二薄膜电极各自的平均表面粗糙度小于500nm RMS;
其中,当所述第一薄膜电极是阳极薄膜电极时,所述第二薄膜电极是阴极薄膜电极,或者当所述第一薄膜电极是阴极薄膜电极时,所述第二薄膜电极是阳极薄膜电极,并且其中在所述第一和第二薄膜电极之间形成固体电解质。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一和第二间歇激光束的每个脉冲具有20fs至300ps的脉宽。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述第一和第二间歇激光束的每个脉冲具有50fs至1000fs的脉宽。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述固体电解质由导电聚合物形成。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述集电器基底包括金属、硅、或导电聚合物。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,在沉积所述第一等离子体的步骤期间沉积温度为20℃至900℃。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,在沉积所述第一等离子体的步骤期间沉积温度为300℃至500℃。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,在沉积所述第二等离子体的步骤期间沉积温度为20℃于900℃。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,在沉积所述第二等离子体的步骤期间沉积温度为300℃至500℃。
10.根据权利要求4所述的方法,其中,在沉积所述第二等离子体的步骤期间沉积温度为低于300℃。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,在沉积所述第二等离子体的步骤期间沉积温度为25℃至140℃。
12.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一和第二薄膜电极的各自厚度为小于10μm。
13.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一和第二薄膜电极各自的平均表面粗糙度小于50nm RMS。
14.根据权利要求1所述的方法,其中,所述电化学装置可包括太阳能电池、电致变色电池、微型燃料电池以及薄膜电池。
15.根据权利要求1所述的方法,进一步包括选择沉积温度或沉积所述第一和第二等离子体的温度的步骤,以获得所述第一和第二薄膜电极的预定化学计量比。
16.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
在所述室内提供第三靶材;
向所述第三靶材发射第三间歇激光束以产生第三等离子体,其中所述第三间歇激光束的每个脉冲具有20fs至500ps的脉宽;以及
在所述第二薄膜电极上或上方沉积所述第三等离子体以形成第三薄膜。
17.根据权利要求16所述的方法,其中,所述第一、第二和第三等离子体基本没有1μm或更大尺寸的熔滴和/或微粒。
18.根据权利要求16所述的方法,其中,所述第一薄膜电极是阴极薄膜电极,所述第二薄膜电极是阳极薄膜电极,以及所述固体电解质包括固体电解质薄膜。
19.根据权利要求16所述的方法,其中,所述第一薄膜电极是阳极薄膜电极,所述第二薄膜电极是阴极薄膜电极,以及所述固体电解质包括固体电解质薄膜。
20.根据权利要求16所述的方法,其中,所述第一、第二和第三间歇激光束的每个脉冲具有20fs至300ps的脉宽。
21.根据权利要求20所述的方法,其中,所述第一、第二和第三间歇激光束的每个脉冲具有50fs至1000fs的脉宽。
22.根据权利要求1所述的方法,其中,在沉积所述第一和/或第二等离子体的步骤期间沉积温度小于300℃。
23.根据权利要求22所述的方法,其中,在沉积所述第一和/或第二等离子体的步骤期间沉积温度为25℃至140℃。
24.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一和第二间歇激光束的每个具有10Hz至100MHz的重复频率。
25.根据权利要求1所述的方法,其中缓冲层设置于所述集电器基底和所述第一薄膜电极之间。
26.根据权利要求1所述的方法,其中所述集电器基底包括硅或导电聚合物。
在微电子系统和微机电系统(MEMS)中,减小其中使用的部件的物理尺寸是有利的。这种部件的实例是电化学装置。例如,提供具有减小的尺寸并且具有可接受性能特性的电化学装置如电源是有利的。
MEMS能完成各种复杂的任务,例如,探测和/或响应刺激。MEMS可以包括各种在芯片上的部件,其可以例如形成相对复杂的系统。上述部件的实例可以包括泵、阀、继电器、微型马达、致动器、传感器和电源。太阳能电池也可以用于长期和/或低维持应用的MEMS。
典型地,用于制造电源的传统方法和技术无法简单地按比例缩小来制造用于微型电子系统和MEMS的电源,同时不影响这种尺寸减小的电源的性能。
溅射可以用来制造用于电源的薄膜。然而,很难控制通过溅射形成的薄膜的化学计量比和薄膜质量。此外,溅射可以导致在薄膜生长期间形成针孔,其可以对电源的性能产生负面影响。
脉冲激光沉积(PLD)可以用来形成薄膜。传统的PLD一般导致形成包含熔滴和/或微粒的等离子体。这种熔滴和/或微粒可以在生长期间聚集在基底的表面上,并且可以导致膜质量的降低。
发明内容
本发明提供了一种制造多层薄膜电化学装置的方法。该方法包括:
在室内提供第一靶材(靶材料);
在室内提供基底(基体);
向第一靶材发射第一间歇激光束(intermittent laser beam),以产生第一等离子体,其中第一间歇激光束的每一脉冲具有约20fs至约500ps的脉宽(脉冲宽度);
在基底上沉积第一等离子体以形成第一薄膜;
在室内提供第二靶材;
向第二靶材发射第二间歇激光束,以产生第二等离子体,其中第二间歇激光束的每一脉冲具有约20fs至约500ps的脉宽;以及
在第一薄膜上或上方沉积第二等离子体以形成第二薄膜。
第一和第二薄膜电极各自的平均表面粗糙度小于50nm RMS。
电化学装置可包括太阳能电池、电致变色电池、微型燃料电池以及薄膜电池。
进一步包括选择沉积温度或沉积第一和第二等离子体的温度的步骤,以获得第一和第二薄膜电极的预定化学计量比。
进一步包括:
在室内提供第三靶材;
向第三靶材发射第三间歇激光束以产生第三等离子体,其中第三间歇激光束的每个脉冲具有20fs至500ps的脉宽;以及
在第二薄膜电极上或上方沉积第三等离子体以形成第三薄膜。
附图说明
图1为根据示例性的方面用于制造多层薄膜电化学装置的超快脉冲激光沉积系统的示意图。
图2为根据示例性方面,示出在不同的温度下沉积在不锈钢基底上的氧化锡薄膜的X射线衍射图、不锈钢基底的X射线衍射图与氧化锡的JCPDS参考图(标准图)一起的图解。
图3为示出了根据示例性方面,在不同温度下,沉积在不锈钢基底和硅基底上的氧化锡薄膜的[O]∶[Sn]原子比的曲线图。
图4为根据示例性方面在硅基底上沉积的氧化锡薄膜的截面的SEM图。
图5为示出根据示例性方面,在硅基底上沉积的示例性氧化锡薄膜与氧化锡的JCPDS参考图一起的X射线衍射图的图解。
图6为示出根据示例性方面,在0.02V~2.50V之间并且在50μA电流下测得的示例性电子装置的充放电性能(时间对电压)图。
图7为示出根据示例性方面,在不锈钢基底上沉积的氧化锡薄膜电极的循环次数与放电容量的图解。
图8A~8C示出了根据示例性方面的阴极、阳极、固体电解质和集电器薄膜的示例性设置。
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
---|---|---|
一种利用脉冲激光沉积制备独立分散铁酸钴纳米柱的方法 | 2020-05-16 | 652 |
脉冲激光沉积系统及采用该系统来沉积薄膜的方法 | 2020-05-16 | 956 |
一种用于脉冲激光沉积系统中的调节基片角度的装置 | 2020-05-16 | 522 |
脉冲激光沉积方法 | 2020-05-11 | 549 |
脉冲激光沉积Si基VO2薄膜取向生长的方法 | 2020-05-13 | 30 |
一种脉冲激光沉积制备Sb2Te3薄膜的方法 | 2020-05-12 | 453 |
脉冲激光沉积系统及其薄膜制备方法 | 2020-05-11 | 874 |
强磁场辅助脉冲激光沉积系统 | 2020-05-12 | 972 |
脉冲激光沉积制备纳米硅的方法 | 2020-05-12 | 316 |
提高脉冲激光沉积薄膜均匀性的装置 | 2020-05-15 | 594 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台,是提供专利分析,专利查询,专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据,免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析,涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度,系统通过AI智能系统对图表进行解读,只需1分钟,一键生成行业专利分析报告。