专利汇可以提供采用电子束蒸发方式制备HfO2纳米晶的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种采用 电子 束 蒸发 方式制备HfO2 纳米晶 的方法,该方法包括:在衬底上生长 二 氧 化 硅 层;采用 电子束蒸发 方式将HfO2粉末和 二氧化硅 粉末的混合物共同蒸发至该二氧化硅层上;高温快速热 退火 。采用该方法制备的HfO2 量子点 颗粒的直径大小约为4至8nm,可用于 浮栅 存储器 的制作等。这种方法具有工艺步骤少、简单、稳定可靠、易于大规模制造、能与传统的微电子工艺兼容的优点。,下面是采用电子束蒸发方式制备HfO2纳米晶的方法专利的具体信息内容。
1、一种采用电子束蒸发方式制备HfO2纳米晶的方法,其特征在 于,该方法包括:
在衬底上生长二氧化硅层;
采用电子束蒸发方式将HfO2粉末和二氧化硅粉末的混合物共同蒸 发至该二氧化硅层上;
高温快速热退火。
2、根据权利要求1所述的采用电子束蒸发方式制备HfO2纳米晶 的方法,其特征在于,所述衬底为平整、洁净的硅片,或为绝缘体上 硅SOI。
3、根据权利要求1所述的采用电子束蒸发方式制备HfO2纳米晶 的方法,其特征在于,所述在衬底上生长二氧化硅层采用热氧化方法 进行。
4、根据权利要求1或3所述的采用电子束蒸发方式制备HfO2纳 米晶的方法,其特征在于,所述在衬底上生长二氧化硅层包括:
将硅片或SOI在热氧化炉中900℃氧化10分钟,生长致密的氧化 层。
5、根据权利要求1所述的采用电子束蒸发方式制备HfO2纳米晶 的方法,其特征在于,所述HfO2粉末和二氧化硅粉末的混合物由5克 的HfO2粉末和9克的二氧化硅粉末组成,颗粒度均为300目,蒸发平 均速度为
6、根据权利要求1所述的采用电子束蒸发方式制备HfO2纳米晶 的方法,其特征在于,所述高温快速热退火是在900℃下退火1分钟。
本发明涉及纳米加工技术领域,尤其涉及一种采用电子束蒸发方 式制备HfO2纳米晶的方法。
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