技术领域
[0001] 本
发明涉及一种高压器件及其制作方法，具体涉及一种基于超结的AlGaN/GaN高压、低导通
电阻的高压器件及其制作方法，可用于制作高压低导通电阻的AlGaN/GaN高
电子迁移率晶体管，属于微电子技术领域。
背景技术
[0002] 近年来以SiC和GaN为代表的第三代宽禁带隙
半导体以其禁带宽度大、击穿
电场高、热导率高、饱和电子速度大和
异质结界面二维电子气浓度高等特性，受到广泛关注。在理论上，利用这些材料制作的高电子迁移率晶体管HEMT、发光
二极管LED、
激光二极管LD等器件比现有器件具有明显的优越特性，因此近些年来国内外研究者对其进行了广泛而深入的研究，并取得了令人瞩目的研究成果。
[0003] AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管HEMT在高温器件及大功率
微波器件方面已显示出了得天独厚的优势，追求器件高
频率、高压、高功率吸引了众多的研究。近年来，制作更高频率高压AlGaN/GaN HEMT成为关注的又一研究热点。由于AlGaN/GaN异质结生长完成后，异质结界面就存在大量二维电子气2DEG，并且其迁移率很高，因此我们能够获得较高的器件频率特性。在提高AlGaN/GaN异质结电子迁移率晶体管击穿
电压方面，人们进行了大量的研究，发现AlGaN/GaN HEMT器件的击穿主要发生在栅靠漏端，因此要提高器件的
击穿电压，必须使栅漏区域的电场重新分布，尤其是降低栅靠漏端的电场，为此，人们提出了采用场板结构的方法：
[0004] 1.采用场板结构。参见Yuji Ando,Akio Wakejima,Yasuhiro Okamoto等的Novel AlGaN/GaN dual-field-plate FET with high gain,increased linearity and stability,IEDM2005,px.576-579,2005（一种具有高增益、高线性度和
稳定性的双场板
场效应晶体管）。在AlGaN/GaN HEMT器件中同时采用栅场板和源场板结构，将器件的击穿电压从单独采用栅场板的125V提高到采用双场板后的250V，并且降低了栅漏电容，提高了器件的线性度和稳定性。
[0005] 2.采用超级结结构。参见Akira Nakajima,Yasunobu Sumida,MaheshH的GaN based super heterojunction field effect transistors using the polarization junction concept（一种利用极化结的基于GaN的超结场效应晶体管）。在该器件结构中同时拥有2DEG和2DEH，当栅极
正向偏置时，2DEG的浓度不发生任何变化，因此器件的导通电阻不会增加，当栅极
反向偏置时，
沟道中的2DEG会由于放电而耗尽，从而提高了器件的2
击穿电压（从110V提高至560V），而导通电阻为6.1mΩ·cm。
[0006] 然而，具有上述两种结构的高压器件均存在导通电阻较大的不足之处。
发明内容
[0007] 为解决
现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种可满足对高压、低导通电阻的应用要求的基于超结的AlGaN/GaN高压器件的结构，以及具有良好的可控性和重复性的制作该基于超结的AlGaN/GaN高压器件的方法。
[0008] 为了实现上述目标，本发明采用如下的技术方案：
[0009] 一种基于超结的AlGaN/GaN高压器件，其特征在于，从下至上依次包括：衬底、GaN
缓冲层、本征GaN沟道层或者AlGaN沟道层、AlN隔离层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上沿
水平方向依次有：源极、栅极和漏极，在源极与栅极之间的AlGaN势垒层上方的全部区域、栅极与漏极之间的AlGaN势垒层上方的部分区域
外延有线性AlGaN层，前述栅极还向源极方向延伸形成有与线性AlGaN层上表面
接触的柵源场板，栅极与漏极之间的线性AlGaN层与漏极之间留有缝隙并且线性AlGaN层上外延有P型GaN外延层或者P型InGaN外延层，P型GaN外延层或者P型InGaN外延层上有与栅极电连接的基极，栅极与漏极之间的线性AlGaN层、P型GaN外延层或者P型InGaN外延层的宽度依次减小；前述AlGaN势垒层由下层的i型AlGaN层和上层的n型AlGaN层组成；前述源极、栅极、漏极和基极的上表面还形成有加厚
电极，加厚电极的两侧均形成有
钝化层。
[0010] 前述的基于超结的AlGaN/GaN高压器件，其特征在于，前述衬底为蓝
宝石、
碳化
硅、GaN或MgO。
[0011] 前述的基于超结的AlGaN/GaN高压器件，其特征在于，前述AlGaN势垒层中，Al与Ga的组分比能够调节，Al、Ga、N的组分分别为x、1-x、1，1>x>0。
[0012] 前述的基于超结的AlGaN/GaN高压器件，其特征在于，前述线性AlGaN层中，Al的组分由x线性增加到y，且Al与Ga的组分比能够调节，Al、Ga、N的组分分别为y、1-y、1，1>y>x>0。
[0013] 前述的基于超结的AlGaN/GaN高压器件，其特征在于，前述本征AlGaN沟道层中，Al的组分小于x，且Al与Ga的组分比能够调节，Al、Ga、N的组分分别为z、1-z、1，1>x>z>0。
[0014] 前述的基于超结的AlGaN/GaN高压器件，其特征在于，前述InGaN层中，In组分恒定或者逐渐增加。
[0015] 前述的基于超结的AlGaN/GaN高压器件，其特征在于，前述
钝化层为SiN、Al2O3或HfO2。
[0016] 前述的基于超结的AlGaN/GaN高压器件，其特征在于，前述栅极与漏极之间的线性AlGaN层与漏极之间的缝隙的宽度≥0.5μm。
[0017] 前述的基于超结的AlGaN/GaN高压器件，其特征在于，前述栅源场板的宽度≤1μm。
[0018] 制作前述的基于超结的AlGaN/GaN高压器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：
[0019] （1）对
外延生长的p-GaN/线性AlGaN/AlGaN/GaN异质结材料进行有机清洗，用流动的去离子水清洗并放入HCl:H2O=1:1的溶液中进行
腐蚀30-60s，最后用流动的去离子水清洗并用高纯氮气吹干；
[0020] （2）对清洗干净的AlGaN/GaN异质结材料进行
光刻和干法
刻蚀，形成有源区
台面；
[0021] （3）对制备好台面的AlGaN/GaN异质结材料进行光刻，形成P型GaN或者P型InGaN、线性AlGaN层的刻蚀区，放入ICP
干法刻蚀反应室中刻蚀，将栅极与漏极之间的部分区域、以及栅极、源极和漏极的P型GaN外延层或者P型InGaN外延层、线性AlGaN层均刻蚀掉，形成栅漏间第三区域；
[0022] （4）对器件进行光刻，然后放入
电子束蒸发台中淀积
欧姆接触金属Ti/Al/Ni/Au=20/120/45/50nm并进行剥离,最后在氮气环境中进行850℃35s的快速热
退火，形成欧姆接触；
[0023] （5）将制备好欧姆接触的器件进行光刻，形成P型GaN外延层或者P型InGaN外延层的刻蚀区，放入ICP干法刻蚀反应室中刻蚀,将栅极与漏极之间部分区域、栅极与源极之间全部区域的P型GaN外延层或者P型InGaN外延层刻蚀掉，形成栅漏间第一区域和第二区域、栅源间第四区域；
[0024] （6）将制备好欧姆接触的器件进行光刻，形成基极区域，然后放入
电子束蒸发台中淀积Ni/Au=20/20nm并进行剥离，最后在大气环境中进行550℃10min的退火，形成基极欧姆接触；
[0025] （7）对完成基极制备的器件进行光刻，形成栅极和栅源场板区域，然后放入电子束蒸发台中淀积Ni/Au=20/200nm并进行剥离，完成栅极和栅源场板的制备；
[0026] （8）将完成栅极制备的器件放入PECVD反应室淀积SiN钝化膜，钝化膜的淀积厚度为200nm-300nm；
[0027] （9）将器件再次进行清洗、光刻显影，形成SiN
薄膜的刻蚀区，并放入ICP干法刻蚀反应室中刻蚀，将源极、漏极和栅极上面
覆盖的SiN薄膜刻蚀掉；
[0028] （10）将器件进行清洗、光刻显影，并放入电子束蒸发台中淀积Ti/Au=20/200nm的加厚电极，完成整体器件的制备。
[0029] 本发明的有益之处在于：
[0030] 1、栅漏间第一区域、第二区域和第三区域以及栅源间第四区域的形成使得：器件导通时第一区域、第二区域和第四区域的2DEG浓度增加，电阻得到减小，达到了降低器件导通电阻的目的；器件截止时第一区域的2DEG得到减小，第二区域和第三区域的2DEG与器件导通时相同，增加了器件耗尽区的宽度，改变了电场分布，达到了提高器件击穿电压的目的；
[0031] 2、本发明采用栅源场板，确保了电场峰值不会出现在栅靠近源的边界处，达到了提高击穿电压的目的；
[0032] 3、本发明的方法，具有良好的可控性和重复性。
附图说明
[0033] 图1是本发明的高压器件的一个具体
实施例的剖面结构示意图；
[0034] 图2是本发明的高压器件的制作工艺
流程图。
[0035] 图中附图标记的含义：1-衬底，2-GaN缓冲层，3-本征GaN沟道层，4-AlN隔离层，5-AlGaN势垒层，501-i型AlGaN层，502-n型AlGaN层，6-源极，7-栅极，8-漏极，9-线性AlGaN层，10-柵源场板，11-P型GaN外延层，12-基极，13-加厚电极，14-钝化层，D1表示第一区域、D2表示第二区域、D3表示第三区域、D4表示第四区域。
具体实施方式
[0036] 以下结合附图和具体实施例对本发明作具体的介绍。
[0037] 首先，介绍本发明的基于超结的AlGaN/GaN高压器件的结构。
[0038] 参照图1，本发明的基于超结的AlGaN/GaN高压器件，其结构从下至上依次包括：衬底1、GaN缓冲层2、本征GaN沟道层3（本征GaN沟道层3还可以用AlGaN沟道层代替）、AlN隔离层4和AlGaN势垒层5，AlGaN势垒层5由下层的i型AlGaN层501和上层的n型AlGaN层502组成，其中，AlGaN势垒层5上沿水平方向依次有：源极6、栅极7和漏极8，在源极6与栅极7之间的AlGaN势垒层5上方的全部区域外延有线性AlGaN层9，在栅极7与漏极8之间的AlGaN势垒层5上方的部分区域也外延有线性AlGaN层9，栅极7还向源极6方向延伸形成有与线性AlGaN层9上表面接触的柵源场板10，柵源场板10的宽度≤1μm；
栅极7与漏极8之间的线性AlGaN层9与漏极8之间留有缝隙（缝隙的宽度≥0.5μm），并且线性AlGaN层9上外延有P型GaN外延层11，P型GaN外延层11还可以用InGaN外延层替换，如果选择了用InGaN外延层，In组分既可以恒定也可以逐渐增加，P型GaN外延层
11上还有与栅极7电连接的基极12，栅极7与漏极8之间的线性AlGaN层9、P型GaN外延层11的宽度依次减小。此外，源极6、栅极7、漏极8和基极12的上表面还形成有加厚电极
13，加厚电极13的两侧均形成有钝化层14，钝化层14优选SiN、Al2O3或HfO2。
[0039] 作为一种优选的方案，衬底为蓝宝石、碳化硅、GaN或MgO。
[0040] 作为一种优选的方案，在AlGaN势垒层5中，Al与Ga的组分比能够调节，Al、Ga、N的组分分别为x、1-x、1，1>x>0，即AlxGa1-xN。
[0041] 更为优选的是，在线性AlGaN层9中，Al的组分由x线性增加到y，且Al与Ga的组分比能够调节，Al、Ga、N的组分分别为y、1-y、1，1>y>x>0，即AlyGa1-y N。
[0042] 假设，线性AlGaN层9的厚度为L，则距线性AlGaN层9的下表面的距离为L1处Al的重量含量为：(y-x)×L1/L。
[0043] 更为优选的是，在本征AlGaN沟道层中，Al的组分小于x份，且Al与Ga的组分比能够调节，Al、Ga、N的组分分别为z、1-z、1，1>x>z>0，即AlzGa1-z N。
[0044] 接下来，介绍制作上述基于超结的AlGaN/GaN高压器件的方法。
[0045] 参照图2，该制作方法包括以下步骤：
[0046] 1、对外延生长的p-GaN/线性AlGaN/AlGaN/GaN异质结材料进行有机清洗，用流动的去离子水清洗并放入HCl:H2O=1:1的溶液中进行腐蚀30-60s，最后用流动的去离子水清洗并用高纯氮气吹干。
[0047] 2、对清洗干净的AlGaN/GaN异质结材料进行光刻和干法刻蚀，形成有源区台面。
[0048] 3、对制备好台面的AlGaN/GaN异质结材料进行光刻，形成P型GaN（或者P型InGaN）、线性AlGaN层的刻蚀区，放入ICP干法刻蚀反应室中，工艺条件为：上电极功率为200W，下电极功率为20W，反应室压
力为1.5Pa，Cl2的流量为10sccm,N2的流量为10sccm，刻蚀时间为5min-8min，将栅极与漏极之间的部分区域、以及栅极、源极和漏极的P型GaN外延层（或者P型InGaN外延层）、线性AlGaN层均刻蚀掉，形成栅漏间第三区域（即栅漏间只有AlGaN势垒层的区域）。
[0049] 4、对器件进行光刻，然后放入电子束蒸发台中淀积欧姆接触金属Ti/Al/Ni/Au=20/120/45/50nm并进行剥离,最后在氮气环境中进行850℃35s的快速热退火，形成欧姆接触。
[0050] 5、将制备好欧姆接触的器件进行光刻，形成P型GaN外延层（或者P型InGaN外延层）的刻蚀区，放入ICP干法刻蚀反应室中，工艺条件为：上电极功率为200W，下电极功率为20W，反应室压力为1.5Pa，Cl2的流量为10sccm,N2的流量为10sccm，刻蚀时间为3min-5min,将栅极与漏极之间部分区域、栅极与源极之间全部区域的P型GaN外延层（或者P型InGaN外延层）刻蚀掉，形成第一区域（即栅漏间P型GaN外延层（或者P型InGaN外延层）和线性AlGaN层同时存在的区域称）和第二区域（即栅漏间仅有线性AlGaN层的区域）、栅源间第四区域（即栅源间有线性AlGaN层的区域）。
[0051] 6、将制备好欧姆接触的器件进行光刻，形成基极区域，然后放入电子束蒸发台中淀积Ni/Au=20/20nm并进行剥离，最后在大气环境中进行550℃10min的退火，形成基极欧姆接触。
[0052] 7、对完成基极12制备的器件进行光刻，形成栅极和栅源场板区域，然后放入电子束蒸发台中淀积Ni/Au=20/200nm并进行剥离，完成栅极7和栅源场板的制备。
[0053] 8、将完成栅极制备的器件放入PECVD反应室淀积SiN钝化膜，具体工艺条件为：SiH4的流量为40sccm，NH3的流量为10sccm，反应室压力为1-2Pa,射频功率为40W，淀积
200nm-300nm厚的SiN钝化膜。
[0054] 9、将器件再次进行清洗、光刻显影，形成SiN薄膜的刻蚀区，并放入ICP干法刻蚀反应室中，工艺条件为：上电极功率为200W，下电极功率为20W，反应室压力为1.5Pa，CF4的流量为20sccm,Ar气的流量为10sccm，刻蚀时间为10min，将源极、漏极和栅极上面覆盖的SiN薄膜刻蚀掉。
[0055] 10、将器件进行清洗、光刻显影，并放入电子束蒸发台中淀积Ti/Au=20/200nm的加厚电极，完成整体器件的制备。
[0056] 由此可见，本发明的方法具有良好的可控性和重复性。
[0057] 由于本发明的高压器件其形成有：栅漏间第一区域D1、第二区域D2和第三区域D3以及栅源间第四区域D4，从而使得：
[0058] （1）器件导通时，第一区域D1正下方、第二区域D2正下方和第四区域D4正下方的AlGaN/GaN界面处2DEG浓度的增加几乎完全相同，均大于第三区域D3的2DEG浓度，因此第一区域D1、第二区域D2和第四区域D4的电阻均有所减小，达到了降低器件导通电阻的目的；
[0059] （2）器件截止时（即栅极电压≤
阈值电压时），栅极7正下方的沟道内的2DEG被耗尽，与此同时由于第一区域D1的基极12与栅极7电连接，因此第一区域D1正下方的2DEG浓度有所减小（甚至减小为50%）；此外，第二区域D2正下方的2DEG浓度与器件导通时完全相同，有利于电场的重新分布，第三区域D3确保电场峰值不会出现在漏极8处，因此增加了器件耗尽区的宽度，改变了电场分布，达到了提高器件击穿电压的目的。
[0060] 另外，由于本发明的高压器件采用了栅源场板，确保了电场峰值不会出现在栅靠近源的边界处，达到了提高击穿电压的目的。
[0061] 需要说明的是，上述实施例不以任何形式限制本发明，凡采用等同替换或等效变换的方式所获得的技术方案，均落在本发明的保护范围内。
