蒸镀掩膜、蒸镀掩膜的制造方法及薄膜图案形成方法
阅读：161发布：2020-11-16
专利汇可以提供蒸镀掩膜、蒸镀掩膜的制造方法及薄膜图案形成方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 是用于在 基板 上蒸 镀 形成一定形状的 薄膜 图案的蒸镀掩膜，该蒸镀掩膜构成为具备透射可见光的 树脂 制的膜，该树脂制的膜对应于预先在所述基板上确定的所述薄膜图案的形成区域，形成了与该薄膜图案的形状尺寸相同的贯通的开口图案。，下面是蒸镀掩膜、蒸镀掩膜的制造方法及薄膜图案形成方法专利的具体信息内容。
1.一种蒸镀掩膜，其是用于在基板上蒸镀形成一定形状的薄膜图案的蒸镀掩膜，其特征在于，该蒸镀掩膜构成为具备透射可见光的树脂制的膜，该树脂制的膜对应于预先在所述基板上确定的所述薄膜图案的形成区域，形成了与该薄膜图案的形状尺寸相同的贯通的开口图案。
2.如权利要求1所述的蒸镀掩膜，其特征在于，在所述膜的所述开口图案的外侧部分设置有金属部件。
3.如权利要求2所述的蒸镀掩膜，其特征在于，所述金属部件是具有对应于所述开口图案且比该开口图案的形状尺寸更大的开口部的、被密接到所述膜的一面上的薄板。
4.如权利要求2所述的蒸镀掩膜，其特征在于，所述金属部件是在所述膜的一面或者内部被分散地设置的多个薄片。
5.如权利要求2所述的蒸镀掩膜，其特征在于，所述金属部件由磁性材料构成。
6.如权利要求5所述的蒸镀掩膜，其特征在于，所述磁性材料是殷钢或者因瓦合金。
7.如权利要求2所述的蒸镀掩膜，其特征在于，所述金属部件由非磁性材料构成。
8.如权利要求2所述的蒸镀掩膜，其特征在于，所述开口图案在所述膜的所述一面侧的开口面积与所述薄膜图案的面积相同，在所述一面的相反侧的另一面侧的开口面积大于所述一面侧的开口面积。
9.如权利要求8所述的蒸镀掩膜，其特征在于，使位于所述膜的所述一面侧的所述金属部件密合到所述基板上来使用。
10.如权利要求3所述的蒸镀掩膜，其特征在于，
所述金属部件具备被细长状的多个桥分隔的多个所述开口部，
所述膜对应于所述多个开口部形成多个所述开口图案，并且在所述薄膜的与所述基板接触的另一面侧，对应于所述金属部件的所述桥的形成位置、具备与该桥的长轴平行的突条部。
11.如权利要求1～10中的任一项所述的蒸镀掩膜，其特征在于，所述膜是聚酰亚胺。
12.一种蒸镀掩膜的制造方法，其特征在于，所述蒸镀掩膜的制造方法是对应于预先在基板上确定的薄膜图案的形成区域，在透射可见光的树脂制的膜上形成与所述薄膜图案的形状尺寸相同的贯通的开口图案来制造的蒸镀掩膜的制造方法，并包括以下步骤：
第一步骤，其将所述膜密合到要成膜形成所述薄膜图案的成膜对象的基板上，或者将所述膜密合到设置有以与所述薄膜图案相同的排列间距并排、与该薄膜图案的形状尺寸相同的多个基准图案的基准基板上；
第二步骤，其对所述成膜对象的基板上或所述基准基板上的、所述薄膜图案的形成区域或与所述基准图案对应的所述膜的部分进行加工，形成与所述薄膜图案的形状尺寸相同的开口图案。
13.如权利要求12所述的蒸镀掩膜的制造方法，其特征在于，所述第一步骤在将设置了对应于所述薄膜图案而与该薄膜图案相比形状尺寸更大的开口部的金属部件密接到所述膜的一面上，从而形成掩膜用部件后，进行定位以使所述成膜对象的基板上或所述基准基板上的、所述薄膜图案的形成区域或与所述基准图案对应的部分位于所述开口部内。
14.如权利要求13所述的蒸镀掩膜的制造方法，其特征在于，在一定的温度及压力下热压合所述金属部件和所述膜而形成所述掩膜用部件。
15.如权利要求13所述的蒸镀掩膜的制造方法，其特征在于，使所述膜粘合到所述金属部件而形成所述掩膜用部件。
16.如权利要求13所述的蒸镀掩膜，其特征在于，将所述金属部件压合到被涂布于平板状的基材的上表面、处于半干燥状态的膜用树脂后，使所述树脂完全干燥而形成所述掩膜用部件。
17.如权利要求13所述的蒸镀掩膜的制造方法，其特征在于，将膜用树脂溶液涂布到被放置在平板状基材的上表面的所述金属部件的上表面后，通过干燥并进行膜化形成所述掩膜用部件。
18.如权利要求13所述的蒸镀掩膜的制造方法，其特征在于，通过在所述膜的一面上镀覆形成所述金属部件来形成所述掩膜用部件。
19.如权利要求18所述的蒸镀掩膜的制造方法，其特征在于，将所述膜静电吸附到具有平坦面的工作台上来保持。
20.如权利要求18所述的蒸镀掩膜的制造方法，其特征在于，将透射可见光的树脂涂布到平板基材上后，使其干燥而形成所述膜。
21.如权利要求13所述的蒸镀掩膜的制造方法，其特征在于，所述第一步骤在蚀刻所述掩膜用部件的所述膜的面，并至少使与所述金属部件的所述开口部对应的部分的所述膜的厚度变薄后，实施相对于所述成膜对象的基板或与所述基准基板的位置对齐。
22.如权利要求13所述的蒸镀掩膜的制造方法，其特征在于，所述金属部件由磁性材料或非磁性材料构成，
所述第一步骤在将所述成膜对象基板或所述基准基板放置到在内部具备吸盘单元的工作台上后，通过所述吸盘单元，将所述金属部件吸附到所述成膜对象的基板上或所述基准基板上来夹持所述膜。
23.如权利要求12所述的蒸镀掩膜的制造方法，其特征在于，将激光照射到所述膜部分来实行所述第二步骤。
24.如权利要求23所述的蒸镀掩膜的制造方法，其特征在于，所述第二步骤中，照射一定的能量密度的激光，并用一定速度加工所述膜，从而形成了一定深度的穴部后，将降低了能量密度的激光照射到该穴部的底部，并用慢于所述一定速度的速度加工，从而使所述穴部贯通。
25.如权利要求24所述的蒸镀掩膜的制造方法，其特征在于，所述降低了所述能量密度的激光的照射在与所述膜的碳进行反应而使该碳气化的反应性气体氛围中进行。
26.如权利要求12所述的蒸镀掩膜的制造方法，其特征在于，所述第二步骤中，照射一定的能量密度的激光而在所述膜上形成所述穴部后，通过与所述膜的碳反应而使该碳气化的反应性气体，或者通过对反应性气体实行等离子化而生成的自由基离子来蚀刻所述穴部的底部，使该穴部贯通，形成所述开口图案。
27.如权利要求13所述的蒸镀掩膜的制造方法，其特征在于，所述基准基板将所述基准图案设置在透明基板的一面上，
所述第二步骤中，以将所述基准图案作为下侧而被放置在工作台上的所述基准基板的所述基准图案位于所述金属部件的所述开口部内的方式来将所述金属部件相对于所述基准基板进行了位置对齐后，使所述膜密合到所述基准基板的另一面上，并将激光照射到所述金属部件的所述开口部内的与所述基准图案对应的所述膜部分，形成所述开口图案。
28.如权利要求27所述的蒸镀掩膜的制造方法，其特征在于，所述第二步骤中，一边将所述金属部件、所述膜及所述基准基板向所述基准图案的排列方向一体地搬运，一边利用摄像单元来拍摄所述基准图案，基于该拍摄图像检测出所述基准图案，并以该检测时刻为基准控制所述激光的照射时机来执行所述第二步骤，其中，所述摄像单元被设置为对于所述激光的照射位置，能够拍摄所述搬运方向上游一侧的位置。
29.如权利要求28所述的蒸镀掩膜的制造方法，其特征在于，基于所述摄像单元的拍摄图像，确认所述金属部件的所述开口部的中心与所述基准基板的所述基准图案的中心之间的错位量在允许值内的同时执行所述第二步骤。
30.如权利要求27所述的蒸镀掩膜的制造方法，其特征在于，在所述第二步骤之后，从所述基准基板剥离所述膜。
31.如权利要求23～28中的任一项所述的蒸镀掩膜的制造方法，其特征在于，所述激光的波长在400nm以下。
32.一种蒸镀掩膜的制造方法，其特征在于，所述蒸镀掩膜的制造方法是对应于预先在基板上确定的薄膜图案的形成区域，在透射可见光的树脂制的膜上形成与所述薄膜图案的形状尺寸相同的贯通的开口图案来制造的蒸镀掩膜用制造方法，并包括以下步骤：
第一步骤，其将金属部件密接到所述膜的一面上，从而形成了掩膜用部件，该金属部件对应于所述薄膜图案的形成区域、设置了与该薄膜图案相比形状尺寸更大的开口部；
第二步骤，其对所述开口部内的所述膜部分进行蚀刻加工，形成与所述薄膜图案的形状尺寸相同的开口图案。
33.如权利要求32所述的蒸镀掩膜的制造方法，其特征在于，所述第二步骤中，从所述膜的另一面对该膜进行蚀刻加工，形成所述膜的一面的开口面积与所述薄膜图案的面积相同、所述膜的另一面的开口面积大于所述一面的开口面积的所述开口图案。
34.一种薄膜图案形成方法，其特征在于，所述薄膜图案形成方法是对应于预先在基板上确定的薄膜图案的形成区域，在透射可见光的树脂制的膜上形成与所述薄膜图案的形状尺寸相同的贯通的开口图案来制造蒸镀掩膜，并使用该蒸镀掩膜来形成薄膜图案的薄膜图案形成方法，包含：
第一步骤，其使所述膜密合到所述基板上；
第二步骤，其将激光照射到与所述基板上的所述薄膜图案的形成区域对应的所述膜部分，并将与所述薄膜图案的形状尺寸相同的开口图案设置到该部分的所述膜上，从而形成所述蒸镀掩膜；
第三步骤，其通过所述蒸镀掩膜的所述开口，在所述基板上的与所述薄膜图案的形成区域对应的部分上进行成膜；
第四步骤，其剥离所述蒸镀掩膜。
35.如权利要求34所述的薄膜图案形成方法，其特征在于，在所述第一步骤中，将所述基板放置到内部具备吸盘单元的工作台上，并且，对掩膜用部件进行定位，以使所述基板上的所述薄膜图案的形成区域位于所述开口部内，之后，通过所述吸盘单元，将所述掩膜用部件的金属部件吸附到所述基板上，从而夹持所述膜，其中，所述掩膜用部件是将设置了对应于所述薄膜图案且与该薄膜图案相比形状尺寸更大的开口部的、由磁性材料或非磁性材料构成的金属部件密接到所述膜的一面上而形成的掩膜用部件。
36.如权利要求34所述的薄膜图案形成方法，其特征在于，在所述第二步骤和第三步骤之间，从所述薄膜图案的形成区域的表面去除杂质。
37.一种薄膜图案形成方法，其特征在于，所述薄膜图案形成方法是使用该蒸镀掩膜来形成薄膜图案的薄膜图案形成方法，所述蒸镀掩膜是对应于预先在基板上确定的薄膜图案的形成区域，在透射可见光的树脂制的膜上形成与所述薄膜图案的形状尺寸相同的贯通的开口图案来制造的，所述薄膜图案形成方法进行以下步骤：
第一步骤，其以将所述膜的所述开口图案的外侧部分处设置了金属部件而构成的所述蒸镀掩膜的所述开口图案与所述基板的所述薄膜图案的形成区域进行了位置对齐的状态，将所述蒸镀掩膜放置到所述基板上；
第二步骤，其通过所述蒸镀掩膜的所述开口图案，在所述基板上的所述薄膜图案的形成区域进行成膜，形成薄膜图案。
38.如权利要求37所述的薄膜图案形成方法，其特征在于，所述金属部件是具有对应于所述开口图案且比该开口图案的形状尺寸更大的开口部的、被密接到所述膜的一面上的薄板。
39.如权利要求37所述的薄膜图案形成方法，其特征在于，所述金属部件是在所述膜的一面或者内部被分散地设置的多个薄片。
40.如权利要求37所述的薄膜图案形成方法，其特征在于，所述第一步骤按如下方式被实施：以将所述蒸镀掩膜的所述金属部件一侧吸附保持在保持单元的平坦面上的状态，将所述开口图案与被放置在吸盘单元上的所述基板的所述薄膜图案的形成区域进行了位置对齐后，通过所述吸盘单元吸附所述金属部件，将所述蒸镀掩膜从所述保持单元移动到所述基板上。
41.如权利要求37所述的薄膜图案形成方法，其特征在于，所述薄膜图案是多种薄膜图案，
被形成于所述膜的开口图案是对应于所述多种薄膜图案中的一个薄膜图案而被形成的，并进行以下步骤：
从所述第一步骤进行到所述第二步骤而形成了所述一个薄膜图案后，从所述基板上剥离所述蒸镀掩膜的步骤；
将所述蒸镀掩膜的所述开口图案与所述基板的其他薄膜图案的形成区域进行位置对齐后，将所述蒸镀掩膜放置到所述基板上的步骤；
通过所述蒸镀掩膜的开口图案而在所述其他薄膜图案的形成区域进行成膜形成其他薄膜图案的步骤。
42.如权利要求37所述的薄膜图案形成方法，其特征在于，所述薄膜图案是以一定的排列间距并排形成的多种薄膜图案，
被形成于所述膜的开口图案是对应于所述多种薄膜图案中的一个薄膜图案而被形成的，并进行以下步骤：
从所述第一步骤进行到所述第二步骤而形成了所述一个薄膜图案后，沿着所述多种薄膜图案的排列方向，将所述蒸镀掩膜在所述基板上仅滑动与所述多种薄膜图案的排列间距相同的尺寸的步骤；
在所述基板的其他薄膜图案的形成区域，通过所述蒸镀掩膜的所述开口图案进行成膜，形成其他薄膜图案的步骤。
43.如权利要求41或42所述的薄膜图案形成方法，其特征在于，所述基板是有机EL显示用的TFT基板，所述多种薄膜图案是三色对应的有机EL层。
蒸镀掩膜、蒸镀掩膜的制造方法及薄膜图案形成方法
技术领域
背景技术
[0003] 又，另一蒸镀掩膜是由设置有与规定的蒸镀图案对应的多个开口的强磁性材料组成的金属掩膜，并将该蒸镀掩膜密合到基板上以覆盖基板的一面，而且利用被配置于基板的另一面的磁铁的磁力来固定该蒸镀掩膜，在真空蒸镀装置的真空槽中通过上述开口使蒸镀材料附着到基板的一面上，形成薄膜图案（例如，参照专利文献2）。
[0004] 现有技术文献
[0005] 专利文献
[0006] 专利文献1：日本专利公开2003-73804号公报
[0007] 专利文献2：日本专利公开2009-164020号公报发明概要
[0008] 发明所要解决的技术问题
[0009] 但是，在这种一直以来的蒸镀掩膜中，通常在薄的金属板上通过例如蚀刻等形成与薄膜图案对应的开口来制作上述专利文献1中记载的蒸镀掩膜，因此高精度地形成开口是较为困难的，另外，由于金属板的热膨胀而导致的错位或弯曲等影响，例如300dpi以上的高度精细的薄膜图案的形成是较为困难的。
[0010] 又，虽然上述专利文献2中记载的蒸镀掩膜与上述专利文献1中记载的蒸镀掩膜相比改善了与基板的密合性，但是与专利文献1中记载的蒸镀掩膜同样地，在薄的金属板上通过例如蚀刻等形成与薄膜图案对应的开口来制作蒸镀掩膜，因此高精度地形成开口是较为困难的，例如300dpi以上的高度精细的薄膜图案的形成是较为困难的。
[0011] 因此，本发明的目的在于，应对这种问题，提供一种可以形成高度精细的薄膜图案的蒸镀掩膜、蒸镀掩膜的制造方法及薄膜图案形成方法。
[0012] 用于解决技术问题的手段
[0013] 为了达成上述目的，基于第一方面的发明的蒸镀掩膜是用于在基板上蒸镀形成一定形状的薄膜图案的蒸镀掩膜，该蒸镀掩膜构成为具备透射可见光的树脂制的膜，该树脂制的膜对应于预先在所述基板上确定的所述薄膜图案的形成区域，形成了与该薄膜图案的形状尺寸相同的贯通的开口图案。
[0014] 优选地，在所述膜的所述开口图案的外侧部分设置有金属部件。在这种情况下，所述金属部件是具有对应于所述开口图案且比该开口图案的形状尺寸更大的开口部的、被密接到所述膜的一面上的薄板。又，所述金属部件是在所述膜的一面或者内部被分散地设置的多个薄片。
[0015] 又，基于第二方面的发明的蒸镀掩膜的的制造方法是对应于预先在基板上确定的薄膜图案的形成区域，在透射可见光的树脂制的膜上形成与所述薄膜图案的形状尺寸相同的贯通的开口图案来制造的蒸镀掩膜的制造方法，并包括以下步骤：第一步骤，其将所述膜密合到要蒸镀形成所述薄膜图案的蒸镀对象的基板上，或者将所述膜密合到设置有以与所述薄膜图案相同的排列间距并排、与该薄膜图案的形状尺寸相同的多个基准图案的基准基板上；第二步骤，其对所述蒸镀对象的基板上或所述基准基板上的、所述薄膜图案的形成区域或与所述基准图案对应的所述膜的部分进行加工，形成与所述薄膜图案的形状尺寸相同的开口图案。
[0016] 优选地，所述第一步骤在将设置了对应于所述薄膜图案而与该薄膜图案相比形状尺寸更大的开口部的金属部件密接到所述膜的一面上，从而形成掩膜用部件后，进行定位以使所述蒸镀对象的基板上或所述基准基板上的、所述薄膜图案的形成区域或与所述基准图案对应的部分位于所述开口部内。
[0017] 进一步地，将激光照射到所述膜部分来实行所述第二步骤。在这种情况下，所述第二步骤中，照射一定的能量密度的激光，并用一定速度加工所述膜，从而形成了一定深度的穴部后，将降低了能量密度的激光照射到该穴部的底部，并用慢于所述一定速度的速度加工，从而使所述穴部贯通。
[0018] 又，所述第二步骤中，照射一定的能量密度的激光而在所述膜上形成所述穴部后，通过与所述膜的碳反应而使该碳气化的反应性气体，或者通过对反应性气体实行等离子化而生成的自由基离子来蚀刻所述穴部的底部，使该穴部贯通，形成所述开口图案。
[0019] 然后，优选地，此处使用的所述激光的波长在400nm以下。
[0020] 又，基于第三方面的发明的蒸镀掩膜的制造方法是对应于预先在基板上确定的薄膜图案的形成区域，在透射可见光的树脂制的膜上形成与所述薄膜图案的形状尺寸相同的贯通的开口图案来制造的蒸镀掩膜用制造方法，并包括以下步骤：第一步骤，其将金属部件密接到所述膜的一面上，从而形成了掩膜用部件，该金属部件对应于所述薄膜图案的形成区域、设置了与该薄膜图案相比形状尺寸更大的开口部；第二步骤，其对所述开口部内的所述膜部分进行蚀刻加工，形成与所述薄膜图案的形状尺寸相同的开口图案。
[0021] 优选地，所述第二步骤中，从所述膜的另一面对该膜进行蚀刻加工，形成所述膜的一面的开口面积与所述薄膜图案的面积相同、所述膜的另一面的开口面积大于所述一面的开口面积的所述开口图案。
[0022] 又，基于第四方面的发明的薄膜图案形成方法是对应于预先在基板上确定的薄膜图案的形成区域，在透射可见光的树脂制的膜上形成与所述薄膜图案的形状尺寸相同的贯通的开口图案来制造蒸镀掩膜，并使用该蒸镀掩膜来形成薄膜图案的薄膜图案形成方法，包含：第一步骤，其使所述膜密合到所述基板上；第二步骤，其将激光照射到与所述基板上的所述薄膜图案的形成区域对应的所述膜部分，并将与所述薄膜图案的形状尺寸相同的开口图案设置到该部分的所述膜上，从而形成所述蒸镀掩膜；第三步骤，其通过所述蒸镀掩膜的所述开口，在所述基板上的与所述薄膜图案的形成区域对应的部分上进行蒸镀；第四步骤，其剥离所述蒸镀掩膜。
[0023] 优选地，在所述第一步骤中，将所述基板放置到内部具备吸盘单元的工作台上，并且，对掩膜用部件进行定位，以使所述基板上的所述薄膜图案的形成区域位于所述开口部内，之后，通过所述吸盘单元，将所述掩膜用部件的金属部件吸附到所述基板上，从而夹持所述膜，其中，所述掩膜用部件是将设置了对应于所述薄膜图案且与该薄膜图案相比形状尺寸更大的开口部的、由磁性材料或非磁性材料构成的金属部件密接到所述膜的一面上而形成的掩膜用部件。
[0024] 进一步地，基于第五方面的发明的薄膜图案形成方法是使用该蒸镀掩膜来形成薄膜图案的薄膜图案形成方法，所述蒸镀掩膜是对应于预先在基板上确定的薄膜图案的形成区域，在透射可见光的树脂制的膜上形成与所述薄膜图案的形状尺寸相同的贯通的开口图案来制造的，所述薄膜图案形成方法进行以下步骤：第一步骤，其以将所述膜的所述开口图案的外侧部分处设置了金属部件而构成的所述蒸镀掩膜的所述开口图案与所述基板的所述薄膜图案的形成区域进行了位置对齐的状态，将所述蒸镀掩膜放置到所述基板上；第二步骤，其通过所述蒸镀掩膜的所述开口图案，在所述基板上的所述薄膜图案的形成区域进行蒸镀，形成薄膜图案。
[0025] 优选地，所述第一步骤按如下方式被实施：以将所述蒸镀掩膜的所述金属部件一侧吸附保持在保持单元的平坦面上的状态，将所述开口图案与被放置在吸盘单元上的所述基板的所述薄膜图案的形成区域进行了位置对齐后，通过所述吸盘单元吸附所述金属部件，将所述蒸镀掩膜从所述保持单元移动到所述基板上。
[0026] 在这种情况下，所述薄膜图案是多种薄膜图案，被形成于所述膜的开口图案是对应于所述多种薄膜图案中的一个薄膜图案而被形成的，并进行以下步骤：从所述第一步骤进行到所述第二步骤而形成了所述一个薄膜图案后，从所述基板上剥离所述蒸镀掩膜的步骤；将所述蒸镀掩膜的所述开口图案与所述基板的其他薄膜图案的形成区域进行位置对齐后，将所述蒸镀掩膜放置到所述基板上的步骤；通过所述蒸镀掩膜的开口图案而在所述其他薄膜图案的形成区域进行蒸镀形成其他薄膜图案的步骤。
[0027] 又，所述薄膜图案是以一定的排列间距并排形成的多种薄膜图案，被形成于所述膜的开口图案是对应于所述多种薄膜图案中的一个薄膜图案而被形成的，并进行以下步骤：从所述第一步骤进行到所述第二步骤而形成了所述一个薄膜图案后，沿着所述多种薄膜图案的排列方向，将所述蒸镀掩膜在所述基板上仅滑动与所述多种薄膜图案的排列间距相同的尺寸的步骤；在所述基板的其他薄膜图案的形成区域，通过所述蒸镀掩膜的所述开口图案进行蒸镀，形成其他薄膜图案的步骤。
[0028] 发明效果
[0030] 图1是示出基于本发明的蒸镀掩膜的第一实施形态的制造方法及基于本发明的薄膜图案形成方法的第一实施形态的截面说明图。
[0031] 图2是示出基于本发明的蒸镀掩膜的第一实施形态的其他的制造方法的截面图。
[0032] 图3是示出基于本发明的蒸镀掩膜的第一实施形态的进一步的其他的制造方法的截面图。
[0033] 图4是示出基于本发明的薄膜图案形成方法的第二实施形态的图，且是示出有机EL显示装置的R有机EL层形成工序的截面说明图。
[0034] 图5是对在上述R有机EL层形成工序中使用的掩膜用部件的形成进行表示的说明图。
[0035] 图6是示出基于本发明的薄膜图案形成方法的第二实施形态的图，且是示出有机EL显示装置的G有机EL层形成工程的截面说明图。
[0036] 图7是示出基于本发明的薄膜图案形成方法的第二实施形态的图，且是示出有机EL显示装置的B有机EL层形成工程的截面说明图。
[0038] 图9是示出用于形成在上述有机EL层形成工序中使用的蒸镀掩膜的激光加工装置的一个构成实例的正视图。
[0039] 图10是示出在基于本发明的蒸镀掩膜的第二实施形态的制造中使用的光掩膜的一个构成实例的图，（a）是平面图，（b）是（a）的B-B线截面向视图。
[0040] 图11是示出基于本发明的蒸镀掩膜的第二实施形态的制造方法的变形例的截面说明图。
[0041] 图12是示出基于本发明的蒸镀掩膜的第二实施形态的其他的制造方法的工序图。
[0042] 图13是示出基于本发明的蒸镀掩膜的第二实施形态的图，（a）是平面图，（b）是（a）的C-C线截面向视图。
[0043] 图14是示出基于本发明的蒸镀掩膜的第二实施形态的变形例的平面图。
[0044] 图15是示出图12的制造方法的掩膜用部件的制造的详情的说明图。
[0045] 图16是示出上述掩膜用部件的另一形成实例的说明图。
[0046] 图17是示出上述掩膜用部件的进一步的另一形成实例的说明图。
[0047] 图18是示出上述掩膜用部件的进一步的另一形成实例的说明图。
[0048] 图19是示出上述掩膜用部件的进一步的另一形成实例的说明图。
[0049] 图20是示出上述掩膜用部件的进一步的另一形成实例的说明图。
[0050] 图21是示出上述掩膜用部件的进一步的另一形成实例的说明图。
[0051] 图22是示出基于本发明的蒸镀掩膜的第二实施形态的进一步的其他的制造方法的图，且是示出其前半工序的截面图。
[0052] 图23是示出基于本发明的蒸镀掩膜的第二实施形态的进一步的其他的制造方法的图，是示出其中间工序的截面图。
[0053] 图24是示出基于本发明的蒸镀掩膜的第二实施形态的进一步的其他的制造方法的图，且是示出其后半工序的截面图。
[0054] 图25是基于本发明的蒸镀掩膜的第二实施形态的制造方法，是对开口图案的激光加工进行表示的说明图。
[0055] 图26是示出在上述激光加工中使用的基准基板的一个构成实例的平面图。
[0056] 图27是对检测金属部件的开口部与基准基板的基准图案之间的错位量是否在允许值内的方法进行表示的说明图。
[0057] 图28是对所述激光加工进行说明的流程图。
[0058] 图29是对通过蚀刻加工来形成开口图案，制造本发明的蒸镀掩膜的方法进行说明的截面图。
[0059] 图30是对使用通过图29的方法制造的蒸镀掩膜的薄膜图案形成方法进行说明的图，且是示出前半工序的截面图。
[0060] 图31是对使用通过图29的方法制造的蒸镀掩膜的薄膜图案形成方法进行说明的图，且是示出后半工序的截面图。
[0061] 图32是对基于蚀刻加工而形成了开口图案的本发明的蒸镀掩膜的优点与以前的金属掩膜进行比较而示出的说明图，（a）表示金属掩膜，（b）表示本发明的蒸镀掩膜。
[0062] 图33是示出基于本发明的蒸镀掩膜的第三实施形态的图，（a）是平面图，（b）是（a）的D-D线截面向视图。
[0063] 图34是成为本发明的基础的蒸镀掩膜的一个构成实例，（a）是平面图，（b）是侧视图。
[0064] 图35是对基于本发明的蒸镀掩膜的第三实施形态的制造方法进行说明的图，且是示出形成掩膜用部件的工序的截面图。
[0065] 图36是对基于本发明的蒸镀掩膜的第三实施形态的制造方法进行说明的图，且是示出开口图案形成工序的平面图。
[0066] 图37是示出基于本发明的蒸镀掩膜的第三实施形态的变形例的平面图。
[0067] 图38是对使用基于本发明的蒸镀掩膜的第二或第三实施形态而形成多种薄膜图案的方法进行说明的图，且是示出红色有机EL层的形成工序的前半工序的截面图。
[0068] 图39是示出上述红色有机EL层的形成工序的后半工序的截面图。
[0069] 图40是示出绿色有机EL层的形成工序的前半工序的截面图。
[0070] 图41是示出上述绿色有机EL层的形成工序的后半工序的截面图。
[0071] 图42是示出蓝色有机EL层的形成工序的前半工序的截面图。
[0072] 图43是示出上述蓝色有机EL层的形成工序的后半工序的截面图。
[0073] 图44是示出基于本发明的蒸镀掩膜的第四实施形态的图，（a）是平面图，（b）是底视图，（c）是（a）的E-E线截面向视图，（d）是（c）的一部分扩大图。
[0074] 图45是对基于本发明的蒸镀掩膜的第四实施形态的制造进行说明的工序图。
[0075] 图46是示出在基于本发明的蒸镀掩膜的第四实施形态中使用的膜的一个构成实例的平面图。
[0076] 图47是示出在基于本发明的蒸镀掩膜中使用的膜的另一构成实例的平面图。
[0077] 图48是对使用基于本发明的蒸镀掩膜的第四实施形态而形成薄膜图案的方法进行说明的图，且是示出R有机E利用层形成工序的工序图。
[0078] 图49是示出G有机EL层形成工序的工序图。
[0079] 图50是示出B有机EL层形成工序的工序图。
[0080] 图51是示出在图48～图50的薄膜图案形成方法中使用的TFT基板的一个构成实例的截面图。
具体实施方式
[0081] 下面，基于附图，对本发明的实施方式进行详细地说明。图1是示出使用基于本发明的蒸镀掩膜而实行的薄膜图案形成方法的第一实施形态的截面说明图。因为基于本发明的蒸镀掩膜具备透射可见光的树脂制的膜，该树脂制的膜对应于预先在所述基板上确定的所述薄膜图案的形成区域，形成了与该薄膜图案的形状尺寸相同的贯通的开口图案，所以其是以上述薄膜图案形成方法的第一实施形态的实施过程来被制造的。下面，在基板是有机EL显示装置的TFT基板1，薄膜图案是与红色（R）对应的、在阳电极2R上形成的R有机EL层3R的情况下，对用于形成该R有机EL层3R的薄膜图案形成方法的第一实施形态进行说明的同时，对基于本发明的蒸镀掩膜的第一实施形态进行说明。
[0082] 此外，在R对应的阳电极2R上依次蒸镀，以取得空穴注入层、空穴输送层、R发光层、电子输送层等通常的层积结构，形成R有机EL层3R，在这里，为了便于说明，视为R有机EL层3R由一次蒸镀工序形成来进行说明。
[0083] 上述薄膜图案形成方法的第一实施形态按以下步骤进行：第一步骤：将透射可见光的树脂制的膜4设置在TFT基板（也仅称为“基板”）1上：第二步骤：将一定的能量密度的激光照射到TFT基板1上的R对应的阳电极2R的部分上，以一定的速度将该部分的膜4往下挖到一定深度而形成了穴部5后，将降低了能量密度的激光L2照射到该穴部5的底部，并以慢于上述速度的速度缓慢地加工穴部5的底部来使穴部5贯通，形成具有与R有机EL层3的形状尺寸相同的开口图案6的本发明的蒸镀掩膜7的第一实施形态；第三步骤：通过上述蒸镀掩膜7的开口图案在R对应的阳电极2R上蒸镀形成R有机EL层3；第四步骤：剥离蒸镀掩膜7。
[0084] 详细来讲，首先，在第一步骤中，在形成了TFT基板1的各色对应的阳电极2R～2B的面的上方，张设了例如厚度为10μm～30μm左右的聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）或聚酰亚胺等的可以被紫外线激光烧蚀的片状的膜4后，如图1（a）所示，将该膜4设置于TFT基板1面在这种情况下，用例如聚氨酯橡胶那样的弹性部件均匀地按压膜4的上表面，使膜4密合到TFT基板1面即可。或者，也可以在与膜4的TFT基板1的密着面上设置粘着层，通过该粘着层使膜4密合到TFT基板1面。或者，也可以利用赋予了自粘着功能的膜。进一步地，也可以使用静电吸盘等，使膜4静电吸附到TFT基板1面。进一步地，也可以将TFT基板1放置到在内部具备了磁铁的吸盘单元的工作台上后，将包含磁性材料而构成的、形成了与有机EL层的图案相比形状尺寸更大的开口部的金属部件位置对齐地放置到TFT基板1上来使得R对应的阳电极2R位于所述开口部内，通过上述磁铁的静磁场将上述金属部件吸附到TFT基板1上而使膜4密合到TFT基板1面。
[0085] 然后，在第二步骤中，透射上述膜4，用省略图示的摄像单元检测R对应的阳电极2R的位置，在该R对应的阳电极2R上对激光的照射位置进行定位。然后，使用波长在400nm
2
以下的、例如KrF248nm的准分子激光如图1（b）所示，首先，将能量密度为1J/cm ～20J/
2
cm 的激光L1照射到与TFT基板1上的R对应的阳电极2R对应的膜4的部分，残留基层的阳电极2R露出跟前的例如2μm左右的厚度的层，以高速形成了穴部5后，暂时停止激光L1
2 2
的照射。然后，如该图（c）所示，将降低到0.1J/cm 以下，更优选地降低到0.06J/cm 以下的能量密度的激光L2照射到穴部5的底部来缓慢地加工穴部5的底部，使穴部5贯通，形成具有开口图案6的本发明的蒸镀掩膜7（第一实施形态）。通过这种紫外线的激光L1、L2的光能量，膜4的碳键在一瞬间被破坏去除，因此能够进行没有残渣的、干净的开孔加工。
又，在一定深度中，因为照射能量密度较高的激光L1以高速来加工膜4，其后通过降低了能量密度的激光L2来缓慢地加工，所以能够不牺牲加工时间，抑制对作为基层的电极2R的损伤而只对膜4进行高效地加工。
2
以下的、例如KrF248nm的准分子激光如图1（b）所示，首先，将能量密度为1J/cm ～20J/
2
cm 的激光L1照射到与TFT基板1上的R对应的阳电极2R对应的膜4的部分，残留基层的阳电极2R露出跟前的例如2μm左右的厚度的层，以高速形成了穴部5后，暂时停止激光L1
2 2
的照射。然后，如该图（c）所示，将降低到0.1J/cm 以下，更优选地降低到0.06J/cm 以下的能量密度的激光L2照射到穴部5的底部来缓慢地加工穴部5的底部，使穴部5贯通，形成具有开口图案6的本发明的蒸镀掩膜7（第一实施形态）。通过这种紫外线的激光L1、L2的光能量，膜4的碳键在一瞬间被破坏去除，因此能够进行没有残渣的、干净的开孔加工。
又，在一定深度中，因为照射能量密度较高的激光L1以高速来加工膜4，其后通过降低了能量密度的激光L2来缓慢地加工，所以能够不牺牲加工时间，抑制对作为基层的电极2R的损伤而只对膜4进行高效地加工。
[0086] 上述第二步骤可以按如下方式进行。即，一边向一定方向步进移动TFT基板1，一边通过将多个微透镜一列并排地设置在与TFT基板1的移动方向交叉的方向上的微透镜阵列，将激光L1、L2照射到R对应的阳电极2R的部分，在膜4形成开口图案6即可。或者，可以在与基板面平行的面中，一边在二维方向上步进移动TFT基板1，一边照射激光L1、L2而在膜4形成开口图案6；也可以通过对应于TFT基板1的多个阳电极2R而设置了多个微透镜的微透镜阵列，照射激光L1、L2而在膜4总括地形成开口图案6。进一步地，也可以通过柱面透镜生成细长状的激光L1、L2，在膜4形成条纹状的开口图案6，形成条纹状的R有机EL层3R（薄膜图案）。
[0087] 图2是在示出上述薄膜图案形成方法的第一实施形态的第二步骤中所实施的本发明的蒸镀掩膜的第一实施形态的其他的制造方法的截面图。
[0088] 根据该制造方法，首先，如图2（a）所示，将能量密度为1J/cm2～20J/cm2的激光L1照射到TFT基板1上的R对应的阳电极2R的部分，并将该部分的膜4往下挖到一定深度而形成了穴部5后，如图（b）所示，在与膜4的碳反应而使该碳气化的反应性气体8的氛围2 2
下，将降低到0.1J/cm 以下，更优选地降低到0.06J/cm 以下的能量密度的激光L2照射到穴部5的底部来缓慢地加工穴部5的底部，使穴部5贯通，形成如图（c）所示的开口图案6。
在这种情况下，可以使用例如臭氧（O3）气体、四氟化碳（CF4）与臭氧的混合气体等作为反应性气体8。由此，即使在由于激光加工而产生的飞散物附着到膜4的表面或开口图案6中的情况下，也能够通过反应性气体8的蚀刻去除上述飞散物而洗净开口图案6中的阳电极2R的表面，且能够增强对有机EL层3的阳电极2R面的附着力并提高有机EL层形成时的成品率。
下，将降低到0.1J/cm 以下，更优选地降低到0.06J/cm 以下的能量密度的激光L2照射到穴部5的底部来缓慢地加工穴部5的底部，使穴部5贯通，形成如图（c）所示的开口图案6。
在这种情况下，可以使用例如臭氧（O3）气体、四氟化碳（CF4）与臭氧的混合气体等作为反应性气体8。由此，即使在由于激光加工而产生的飞散物附着到膜4的表面或开口图案6中的情况下，也能够通过反应性气体8的蚀刻去除上述飞散物而洗净开口图案6中的阳电极2R的表面，且能够增强对有机EL层3的阳电极2R面的附着力并提高有机EL层形成时的成品率。
[0089] 图3是示出在上述薄膜图案形成方法的第一实施形态的第二步骤中所实施的基于本发明的蒸镀掩膜的第一实施形态的进一步的其他的制造方法的截面图。根据该制造方法，首先，如图3（a）所示，将1J/cm2～20J/cm2的能量密度的激光L1照射到TFT基板1上的例如R对应的阳电极2R的部分，并以一定速度将该部分的膜4往下挖到一定深度而形成了穴部5后，停止激光L1的照射，接着，如图（b）所示，通过与膜4的碳反应而使该碳气化的、例如臭氧（O3）气体、四氟化碳（CF4）气体与臭氧的混合气体等的反应性气体8来蚀刻膜4，并如图（c）所示，使膜4的穴部5贯通，形成一定形状的开口图案6来加以实行。
[0090] 在这种情况下，可以利用反应性气体8的膜4与阳电极2R～2B之间的蚀刻选择比，不损伤阳电极2R～2B，仅对膜4进行高效地蚀刻，形成开口图案6。进一步地，通过反应性气体8的蚀刻，能够洗涤开口图案6中的阳电极2R～2B的表面，能够增强与阳电极2R～2B相对的有机EL层的附着力并提高有机EL层形成时的成品率。更进一步地，因为最初通过高能量密度的激光L1以高速来加工穴部5后，通过蚀刻来缓慢地加工穴部5的底部并使穴部5贯通，所以能够不牺牲加工时间，抑制对作为基层的阳电极2R～2B的损伤并仅对膜4进行高效地加工。
[0091] 此外，也可以替换上述反应性气体8，将氧气（O2）气体、四氟化碳（CF4）与氧气的混合气体等进行等离子化，通过生成的自由基离子来进行蚀刻膜4。
[0092] 像这样制造的本发明的蒸镀掩膜的第一实施形态的构成仅包括对应预先基板上确定的薄膜图案的形成区域，形成了与该薄膜图案的形状尺寸相同的贯通的开口图案6的、透射可见光的树脂制的膜4。
[0093] 在第三步骤中，如图1（d）所示，例如使用真空蒸镀装置在TFT基板1的R对应的阳电极2R上通过蒸镀掩膜7的开口图案6来蒸镀形成R有机EL层3R。这时，如果对G对应及B对应的阳电极2G、2B通电并以对各阳电极2G、2B施加了一定电压的状态进行真空蒸镀的话，因为膜状的蒸镀掩膜7被静电吸附并固定到G对应及B对应的阳电极2G、2B，所以不会有蒸镀掩膜7移动并产生蒸镀掩膜7的开口图案6与TFT基板1的R对应的阳电极2R的错位的情况。又，因为蒸镀掩膜7密合到TFT基板1面上且不会在蒸镀掩膜7的下表面与TFT基板1的上表面之间产生隙缝，所以也能够回避蒸镀分子绕进该隙缝中并降低薄膜图案的形成精度这一问题。
[0094] 在上述第三步骤中，在形成R有机EL层3R前，去除R对应的阳电极2R的杂质即可。这里所说的杂质包含例如在上述第二步骤中被烧蚀的膜4等的残渣。如果以这种杂质附着在R对应的阳电极2R的表面的状态来蒸镀R有机EL层3R，则会增大R对应的阳电极2R的电阻，并有可能对R有机EL层3R的驱动造成损害。又，这种杂质中也有腐蚀有机EL层的物质，有可能缩短有机EL层的使用年限。
[0095] 为了去除这种杂质，使用蚀刻、激光。在进行蚀刻的情况下，优选通过将O（2氧气）、O2与Ar（氩）的混合气、或者O2与Ar与CF4（四氟化碳）的混合气等作为蚀刻气体使用的干法蚀刻来去除杂质。又，在使用激光的情况下，可以使用能量密度为0.5J/cm2左右波长为532nm的绿激光、355nm的UV激光、266nm的DUV激光等。这时，优选并用O2、O2与Ar的混合气、O2与Ar与CF4的混合气、或者O3（臭氧)等作为辅助气体。
[0096] 进一步地，在去除了杂质的R对应的阳电极2R上蒸镀电极材料即可。这里所说的电极材料是意指形成阳电极的材料，例如包含Al（铝）、Mg（镁）等。根据溅镀、真空蒸镀及离子镀等方法，通过膜4上形成的开口图案6，将电极材料蒸镀到R对应的阳电极2R的表面。
[0097] 在第四步骤中，如图1（e）所示，向上方抬起蒸镀掩膜7的边缘部，从TFT基板1面机械剥离蒸镀掩膜7。由此，在R对应的阳电极2R上残留R有机EL层3R并结束R有机EL层形成工序。在这种情况下，蒸镀掩膜7的厚度约为10μm～30μm，与之对应R有机EL层3R的厚度为100nm左右，因此，附着到蒸镀掩膜7的开口图案6的侧壁的R有机EL层3R的厚度极其薄，故在剥离蒸镀掩膜7时，蒸镀掩膜7较容易与R对应的阳电极2R上的R有机EL层3R分离。因而，在剥离蒸镀掩膜7时，不会担心R对应的阳电极2R上的R有机EL层3R剥离。此外，在对G对应及B对应的阳电极2G、2B施加电压并使蒸镀掩膜7静电吸附到TFT基板1面的情况下，在剥离蒸镀掩膜7时，去除各阳电极2G、2B的施加电压，或者施加相反极性的电压即可。由此，能够较容易地进行蒸镀掩膜7的剥离。又，在使用黏着剂将膜4粘贴到TFT基板1面的情况下，将比上述黏着剂的黏着力更大的力施加到蒸镀掩膜来机械剥离即可。进一步地，当上述黏着剂是通过紫外线照射来进行硬化时，照射紫外线使黏着剂硬化，使蒸镀掩膜7与TFT基板1面的界面的黏着力下降后剥离蒸镀掩膜7即可。
[0098] 在这之后，与上述同样地，分别形成在G对应及B对应的阳电极2G、2B上对应颜色的有机EL层3G、3B。此后，在TFT基板1上形成ITO（Indium Tin Oxide）的透明导电膜，并且在其上粘合透明的保护基板形成有机EL显示装置。
[0099] 此外，在上述薄膜图案形成方法的第一实施形态中，对膜4构成为片状的形态的情况进行了说明，但本发明并非限定于此，如果是能进行紫外线激光烧蚀的材料的话，也可以为液体状。这种情况下，将液体状材料旋涂或浸涂到TFT基板1后，使其干燥而形成膜4。
[0100] 又，在上述薄膜图案形成方法的第一实施形态中，也可以在第三步骤的有机EL层3R的形成时，在有机EL层3R上再形成透明电极层。在这种情况下，当膜4为液体状时，透明电极层作为保护层发挥作用，能够防止液体状的膜4溶解有机EL层3R。
[0101] 图4～图8是示出使用本发明的蒸镀掩膜的第二实施形态进行的薄膜图案形成方法的第二实施形态的工序图。在这里，与上述同样地，薄膜图案是有机EL层，对根据上述第二实施形态制造有机EL显示装置的方法进行说明。该有机EL显示装置的制造方法是在TFT基板上的阳电极上形成对应色的有机EL层并制造有机EL显示装置的方法，并由红色（R）有机EL层形成工序、绿色（G）有机EL层形成工序、蓝色（B）有机EL层形成工序、阴电极形成工序组成。
[0102] 图4是示出R有机EL层形成工序的截面说明图。该R有机EL层形成工序是在真空中加热有机材料并在TFT基板1的R对应的阳电极2R上蒸镀形成R有机EL层3R的工序，并实行以下步骤：在由磁性材料组成的薄板上形成了与R有机EL层3R的图案相比形状尺寸更大的开口部9的金属部件10上保持透射可见光的树脂制的膜4并形成掩膜用部件11的第一步骤（参照该图（a））；在内部具备了作为吸盘单元的静磁场发生单元12的磁性吸盘工作台13上放置TFT基板1的第二步骤（参照该图（b））；进行位置对齐，以使TFT基板
1上的R对应的阳电极2R位于金属部件10的上述开口部9中，并将掩膜用部件11放置到TFT基板1上的第三步骤（参照该图（c））；通过上述静磁场发生单元12的静磁场，将金属部件10吸附到TFT基板1上，使膜4密合到TFT基板1面的第四步骤（参照该图（d））；将激光L照射到与TFT基板1上的R对应的阳电极2R对应的膜4部分，并将与R有机EL层3R的图案的形状尺寸相同的开口图案6设置在该部分的膜4上，形成基于本发明的蒸镀掩膜的第二实施形态（以下称为“蒸镀掩膜14”）的第五步骤（参照该图（e））；在TFT基板1上的R对应的阳电极2R上通过蒸镀掩膜14的开口图案6来蒸镀形成R有机EL层3R的第六步骤（参照该图（f））；向该图所示的箭头+Z方向抬起并剥离上述蒸镀掩膜14的第七步骤（参照该图（g））。
1上的R对应的阳电极2R位于金属部件10的上述开口部9中，并将掩膜用部件11放置到TFT基板1上的第三步骤（参照该图（c））；通过上述静磁场发生单元12的静磁场，将金属部件10吸附到TFT基板1上，使膜4密合到TFT基板1面的第四步骤（参照该图（d））；将激光L照射到与TFT基板1上的R对应的阳电极2R对应的膜4部分，并将与R有机EL层3R的图案的形状尺寸相同的开口图案6设置在该部分的膜4上，形成基于本发明的蒸镀掩膜的第二实施形态（以下称为“蒸镀掩膜14”）的第五步骤（参照该图（e））；在TFT基板1上的R对应的阳电极2R上通过蒸镀掩膜14的开口图案6来蒸镀形成R有机EL层3R的第六步骤（参照该图（f））；向该图所示的箭头+Z方向抬起并剥离上述蒸镀掩膜14的第七步骤（参照该图（g））。
[0103] 更详细地说，首先，在第一步骤中，以与TFT基板1的多列R对应的阳电极2R的排列间距相同的间距，通过蚀刻或钻孔等将多列的细长状的开口部9形成于例如由镍、镍合金、殷钢或因瓦合金等磁性材料组成的15μm～50μm左右厚度的金属部件10上之后，如该图（b）中以该图（a）的A-A线截面表示地，例如通过黏着剂将例如厚度为10μm～30μm左右的、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）或聚酰亚胺等能够进行紫外线激光烧蚀的膜4粘贴到金属部件10的一面上，接着，如该图（c）中一部分扩大表示地，从金属部件10一侧对上述膜4进行例如干法蚀刻，将与所述开口部9对应的部分的膜4的厚度变薄至例如几μm左右，形成掩膜用部件11，其中，该开口部9如图5（a）所示，具有将排列成一列的多个R对应的阳电极2R完全地收纳于内部的足够的大小。由此，能够高精度地形成微细的开口图案。此外，也可以从金属部件10的对侧或者从两侧进行膜4的蚀刻。又，膜4的蚀刻也可以不是干法蚀刻而是湿法蚀刻。进一步地，也可以在与膜4的一面的上述开口部9对应的部分的外侧区域镀覆形成上述金属部件10。
[0104] 然后，在第二步骤中，如图4（b）所示，在内部具备了作为静磁场发生单元12（例如永磁铁）的磁性吸盘工作台13上，将形成了TFT基板1的阳电极2R、2G、2B的面放置在上侧在这种情况下，所述磁性吸盘工作台13是例如吸附面被平滑地形成了的磁性吸盘工作台。此外，上述静磁场发生单元12通过省略图示的升降单元进行升降，在上述第二步骤中，静磁场发生单元12下降到磁性吸盘工作台13的底部。
[0105] 随后，在第三步骤中，如图4（c）所示，将掩膜用部件11的膜4一侧放置在TFT基板1上作为TFT基板1一侧后，一边在例如显微镜下观察TFT基板1的R对应的阳电极2R和金属部件10的开口部9，一边在与磁性吸盘工作台13的上表面平行的面中，在二维方向上移动及旋转掩膜用部件11来对其进行位置对齐，以使多个R对应的阳电极2R完全地收纳到金属部件10的开口部9中。在这种情况下，因为静磁场发生单元12下降到磁性吸盘工作台13的底部，所以作用于金属部件10的静磁场强度较小。因而，掩膜用部件11能在TFT基板1面上自由地移动。此外，在磁性吸盘工作台13的上表面，能定位并放置TFT基板1地形成凹部，在该凹部的外侧设置定位销，并对应于该定位销在金属部件10上形成定位孔的话，那么仅通过嵌合上述定位销与上述定位孔就能够将TFT基板1与掩膜用部件11进行位置对齐。
[0106] 接着，在第四步骤中，如图4（d）所示，使静磁场发生单元12上升到磁性吸盘工作台13的上部并使静磁场作用于金属部件10，将金属部件10吸附到TFT基板1一侧，使膜4密合到TFT基板1的上表面。
[0107] 然后，在第五步骤中，如图4（e）所示，将激光L照射到TFT基板1上的R对应的阳电极2R上，并在该阳电极2R上的膜4上设置与R对应的阳电极2R的形状尺寸大致相同的开口图案6，形成本发明的蒸镀掩膜14（第二实施形态）。这里使用的激光是波长在400nm以下的准分子激光，例如KrF248nm的激光。根据这种紫外线的激光L的光能量，聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚酰亚胺等膜4的碳键在一瞬间被破坏去除，因此能够进行抑制了残渣产生的、干净的开孔加工。在这种情况下，因为不使用基于激光L的照射的热过程，所以能够加工与激光L的光束截面的形状尺寸大致相同的贯通图案，如果利用缩小成像单元的话，具有几μm左右的开口图案6的蒸镀掩膜14的形成也是可能的。因而，与以往相比能够形成高度精细的薄膜图案。
[0108] 图9是示出在上述第五步骤中使用的激光加工装置的一个构成实例的正视图。
[0109] 该激光加工装置用于一边在该图中用箭头X表示的方向上以一定速度搬运TFT基板1，一边将激光L照射到TFT基板1上的掩膜用部件11，将与有机EL层3R～3B的图案的形状尺寸大致相同的开口图案设置在阳电极2R～2B上而形成蒸镀掩膜14，且该激光加工装置包括搬运单元15、激光光学单元16、摄像单元17、校准单元18、控制单元19。
[0110] 以在上表面形成了多个空气喷出孔及空气吸取孔的搬运工作台20上放置被一体化了的TFT基板1与磁性吸盘工作台13，并使平衡空气的喷出力和吸取力，使TFT基板1及磁性吸盘工作台13在上述搬运工作台20上仅浮出一定的量的状态，上述传送单元15通过省略图示的搬运机构，保持并搬运与磁性吸盘工作台13的箭头X方向平行的边缘部。
[0111] 在上述搬运单元15的上方设置有激光光学单元16。该激光光学单元16使紫外线的激光L照射在TFT基板1上的被选择出的阳电极2R～2B上，并包括：放射例如KrF248nm的激光L的准分子激光21；扩大激光L的光束直径，对强度分布进行均匀化并使平行光照射到后述的光掩膜23的耦合光学单元22；与上述搬运工作台20的上表面相对地配置，在与搬运工作台20的上表面平行的面中，在与箭头X方向交叉的方向上形成了多个开口24（参照图10）的光掩膜23。
[0112] 在这里，对上述光掩膜23进行详细地说明，光掩膜23如图10所示，在透明的基板25的一面上设置的铬（Cr）等的遮光膜26上，以与TFT基板1的箭头X方向交叉的方向的阳电极2R～2B的排列间距P的3倍的排列间距3P，一列并排地形成开口24，在另一面上，使各开口24的中心与中心轴一致，形成了多个微透镜27，光掩膜23通过微透镜27，将开口
24缩小投影到TFT基板1上。在这种情况下，如果将微透镜27的缩小倍率设为M，则开口
24的大小被形成为有机EL层3R～3B的图案尺寸的M倍的大小。此外，在该图（a）中，斜线区域是照射激光L的区域。
24缩小投影到TFT基板1上。在这种情况下，如果将微透镜27的缩小倍率设为M，则开口
24的大小被形成为有机EL层3R～3B的图案尺寸的M倍的大小。此外，在该图（a）中，斜线区域是照射激光L的区域。
[0113] 又，对于上述多个开口24的中心，在与箭头X相反方向上仅相距一定距离的位置处，形成具有与箭头X方向交叉的长度方向中心轴的细长状的窥视窗28。该窥视窗28用于从光掩膜23的上方，利用后述的摄像单元17，对通过光掩膜23的下侧的TFT基板1的表面进行拍摄，在窥视窗28中，设置使任一个开口24的中心与长度方向中心轴一致且与箭头X方向平行的细线状的至少一条校准标记29（这里，用一条校准标记来表示）。
[0114] 在上述传送单元15的上方设置有摄像单元17。该摄像单元17通过上述光掩膜23的窥视窗28拍摄TFT基板1的表面，且该摄像单元17是在与箭头X方向交叉的方向上，具有并一条直线地并排多个受光元件的线阵相机（ラインカメラ）。然后，配设多个受光元件的排列方向的中心轴，使得其与上述光掩膜23的窥视窗28的长度方向中心轴一致。进一步地，设置省略图示的照明单元，使其能够从TFT基板1的上方一侧对摄像单元17的拍摄区域进行照明。此外，在图9中，符号30是使摄像系统的光路弯曲的反射镜。
[0115] 设置校准单元18，使其能够在与搬运工作台20的上表面平行的面中，在与箭头X交叉的方向上移动上述光掩膜23。对于移动中的TFT基板1，该校准单元18对光掩膜23进行位置对齐，该校准单元18能够通过包含电磁铁致动器、电动机等的搬运机构，使光掩膜23在与箭头X交叉的方向上移动。
[0116] 设置控制单元19，其与上述搬运单元15、准分子激光21、摄像单元17、校准单元18电连接。该控制单元19控制搬运单元15来在箭头X方向上以一定速度搬运TFT基板1，控制准分子激光21来使其以一定间隔发光，处理从摄像单元17输入的图像，检测出预先设定在TFT基板上的基准位置，并且，对该基准位置与光掩膜23的校准标记29之间的水平距离进行运算，控制校准单元18来移动光掩膜23，以使该水平距离变为预先确定的距离。
[0117] 使用由此构成的激光加工装置，并按如下方式实行上述第五步骤。
[0118] 首先，对与磁性吸盘工作台13一体化的TFT基板1进行定位，以使金属部件10的开口部9的长轴与箭头X方向平行，将该TFT基板1放置在搬运单元15的搬运工作台20上表面。然后，以在搬运工作台20上使磁性吸盘工作台13与TFT基板1一体地仅浮出一定的量的状态，通过控制单元19控制搬运单元15，在箭头X方向上以一定速度开始搬运。
[0119] 如果TFT基板1被搬运到达光掩膜23的下侧，并通过光掩膜23的窥视窗28，根据摄像单元17检测预先在TFT基板1上形成的、与箭头X方向交叉的设置在例如阳电极2R～2B或规定地方的线图案，那么以该阳电极2R～2B等被检测出时的TFT基板1的位置为基准根据控制单元19对TFT基板1的移动距离进行运算。然后，如果预先该移动距离与被预先设定并保存的移动距离的目标值一致，且TFT基板1的R对应的阳电极2R到达光掩膜23的开口24的正下方后，准分子激光21就由控制单元19控制而进行脉冲发光。
[0120] 另一方面，在TFT基板1的移动中，从预先在TFT基板1上形成的、与箭头X方向平行的例如多条门线之中，通过摄像单元17检测出预先选择的成为校准基准的门线的边缘部,同时通过控制单元19对其与检测出的光掩膜23的校准标记29之间的水平距离进行运算，控制校准单元18并使光掩膜23在与箭头X交叉的方向上移动，以使该距离与被预先设定并保存的校准的目标值一致。由此，能够使光掩膜23追随在与箭头X交叉的方向上一边摆动一边移动的TFT基板1并进行位置对齐。
[0121] 如上所述，如果TFT基板1的R对应的阳电极2R到达光掩膜23的开口24的正下方，那么准分子激光21进行发光，并将激光L照射到光掩膜23的照射区域。进一步地，通过了光掩膜23的开口24的激光L被微透镜27聚光到TFT基板1的R对应的阳电极2R上。然后，该阳电极2R上的膜4被激光L烧蚀并去除，形成开口图案6。之后，每当搬运方向后续的R对应的阳电极2R到达光掩膜23的开口24的正下方，准分子激光21就进行发光，阳电极2R上的膜4被激光L去除，形成在阳电极2R上设置了开口图案6的蒸镀掩膜14。此外，也可以使准分子激光21连续发光，并在激光L的输出光轴一侧设置快门，当R对应的阳电极2R到达了光掩膜23的开口24的正下方时开启快门。
[0122] 此外，在以上的说明中，对多个开口24并排为一列地被设置在光掩膜23的情况进行了叙述，但也可以在箭头X方向上以该方向的像素间距的整数倍间距设置上述多个开口24。在这种情况下，通过多次的激光照射来去除R对应的阳电极2R上的膜4。
[0123] 又，在以上的说明中，对相应于多个开口24而设置微透镜27的情况进行了叙述，但也可以是横跨多个开口24并具有长轴的柱面透镜。在这种情况下，也可以将开口24形成为联结了上述多个开口24的一个条纹状的开口。由此，能够生成光束截面为细长状的激光L并在膜4上形成条纹状的开口图案6。此外，在这种情况下，以掩膜用部件11的开口9的长轴与箭头X交叉的方式将TFT基板1放置在传送工作台20上并加以搬运.然后，每当多个R对应的阳电极2R到达上述条纹状的开口24的正下方就照射细长状的激光L，由此，能够横跨多个R对应的阳电极2R并形成上述条纹状的开口图案6。结果，能够横跨多个R对应的阳电极2R，并在其上形成条纹状的R有机EL层3R（薄膜图案）。
[0124] 进一步地，对上述激光加工装置一边以一定速度移动TFT基板1，一边照射激光L而在膜4上形成开口图案6的情况进行了说明，但本发明并不被限定于此，激光加工装置可以一边在箭头X方向上步进移动TFT基板1或一边在与基板面平行的面中的二维方向上步进移动TFT基板1，一边照射激光L而在膜4上形成开口图案6，也可以通过对应于TFT基板1的多个阳电极设置了多个微透镜的光掩膜23，照射激光L而在膜4上总括形成开口图案6。
[0125] 更进一步，也可以如下操作，基于激光L的开口图案6的形成与前述相同，照射例2
如1～20J/cm 的比较高的能量密度的激光L并一口气地加工到一定深度，并对剩余部分
2 2
进行缓慢地加工，照射能量强度下降到了0.1J/cm 以下、更优选地下降到0.06J/cm 以下的激光L。由此，缩短开口图案6的形成时间，同时能够抑制阳电极由于激光L照射而受到的损伤。
如1～20J/cm 的比较高的能量密度的激光L并一口气地加工到一定深度，并对剩余部分
2 2
进行缓慢地加工，照射能量强度下降到了0.1J/cm 以下、更优选地下降到0.06J/cm 以下的激光L。由此，缩短开口图案6的形成时间，同时能够抑制阳电极由于激光L照射而受到的损伤。
[0126] 在第六步骤中，如图4（f）所示，例如使用真空蒸镀装置，在TFT基板1的R对应的阳电极2R上通过蒸镀掩膜14的开口图案6蒸镀形成R有机EL层3R，进一步地，使用蒸镀或溅镀等公知的蒸镀技术，在该R有机EL层3R上蒸镀形成由ITO膜组成的透明电极层31。
[0127] 在第七步骤中，如图4（g）所示，以下降了磁性吸盘工作台13的静磁场发生单元12的状态，向该图中用箭头+Z表示的上方抬起蒸镀掩膜14的边缘部，从TFT基板1面机械剥离蒸镀掩膜14的膜4。由此，在R对应的阳电极2R上残留R有机EL层3R并结束R有机EL层形成工序。
[0128] 图6是示出G有机EL层形成工序的截面说明图。与R有机EL层形成工序同样地，该G有机EL层形成工序实行以下步骤：在包含磁性材料而构成的、形成了与G有机EL层3G的图案相比形状尺寸更大的开口部9的金属部件10上保持透射可见光的树脂制的膜4的步骤（参照该图（a））；在内部具备了静磁场发生单元12的磁性吸盘工作台13上放置TFT基板1的步骤（参照该图（b））；进行位置对齐，以使TFT基板1上的G对应的阳电极2G位于金属部件10的上述开口部9中，并将金属部件10放置到TFT基板1上的步骤（参照该图（c））；通过上述静磁场发生单元12的静磁场，将金属部件10吸附到TFT基板1上，使膜4密合到TFT基板1的上表面的步骤（参照该图（d））；将激光L照射到与TFT基板1上的G对应的阳电极2G对应的膜4部分，并在该部分的膜4上设置与G有机EL层3G的图案的形状尺寸相同的开口图案6而形成蒸镀掩膜14的步骤（参照该图（e））；在TFT基板1上的G对应的阳电极2G上通过蒸镀掩膜14的开口图案6来蒸镀形成G有机EL层3G的步骤（参照该图（f））；向该图所示的箭头+Z方向抬起并剥离上述蒸镀掩膜14的步骤（参照该图（g））。
[0129] 图7是示出B有机EL层形成工序的截面说明图。与R有机EL层形成工序或G有机EL层形成工序同样地，该B有机EL层形成工序实行以下步骤：在包含磁性材料而构成的、形成了与B有机EL层3B的图案相比形状尺寸更大的开口部9的金属部件10上保持透射可见光的树脂制的膜4的步骤（参照该图（a））；在内部具备了静磁场发生单元12的磁性吸盘工作台13上放置TFT基板1的步骤（参照该图（b））；进行位置对齐，以使TFT基板1上的B对应的阳电极2B位于金属部件10的上述开口部9中，并将金属部件10放置到TFT基板1上的步骤（参照该图（c））；通过上述静磁场发生单元12的静磁场，将金属部件10吸附到TFT基板1上，使膜4密合到TFT基板1的上表面的步骤（参照该图（d））；将激光L照射到与TFT基板1上的B对应的阳电极2B对应的膜4部分，并在该部分的膜4上设置与B有机EL层3B的图案的形状尺寸相同的开口图案6而形成蒸镀掩膜14的步骤（参照该图（e））；在TFT基板1上的B对应的阳电极2B上通过蒸镀掩膜14的开口图案6来蒸镀形成B有机EL层3B的步骤（参照该图（f））；向该图所示的箭头+Z方向抬起并剥离上述蒸镀掩膜14的步骤（参照该图（g））。
[0130] 图8是示出阴电极形成工序的截面说明图。该阴电极形成工序用于电连接在TFT基板1的各阳电极2R、2G、2B上形成的有机EL层3R、3G、3B上的透明电极层，如图8所示，首先，使用公知的蒸镀技术并覆盖TFT基板1上表面，形成由ITO（Indium Tin Oxide）膜组成的阴电极32（透明电极）（参照该图（a））。随后，同样地，覆盖阴电极32并蒸镀形成绝缘性的保护层33（参照该图（b）），并且在其上例如旋涂或喷涂例如UV硬化性树脂并形成粘合层34（参照该图（c））。然后，使透明的对置基板35密合到上述粘合层34上之后，从对置基板35一侧照射紫外线并使粘合层34硬化，将对置基板35接合到TFT基板1（参照该图（d））。由此，完成有机EL显示装置。
[0131] 图11是示出在有机EL层形成工序中使用的蒸镀掩膜的制造方法的变形例的截面说明图。这里，作为一个实例，对R有机EL层用的蒸镀掩膜的制造方法进行说明。
[0132] 首先，如该图（a）所示，以覆盖磁性吸盘工作台13上放置的TFT基板1的上表面的方式放置透射可见光的、例如氟系树脂、盖玻片等的难以吸收激光L的透明部件36。
[0133] 然后，如图11（b）所示，进行位置对齐，以使TFT基板1的R对应的阳电极2R位于金属部件10的开口部9中，之后，使掩膜用部件11的膜4密合到上述透明部件36上。然后，在该状态下，如该图（c）所示，通过磁性吸盘工作台13的静磁场，吸附金属部件10并将膜4及透明部件36夹持在金属部件10与TFT基板1之间。
[0134] 随后，如图11（d）所示，将激光L照射到与TFT基板1上的R对应的阳电极2R对应的膜4部分，在该部分的膜4上设置与R有机EL层3R的图案的形状尺寸相同的开口图案6并形成蒸镀掩膜14。这时，因为透明部件36不吸收激光L，所以其没有被激光加工。
[0135] 接着，如图11（e）所示，在蒸镀掩膜14上放置例如以能够施加一定的电压的方式构成的静电吸盘工作台37，通过该静电吸盘工作台37来静电吸附蒸镀掩膜14的膜4，并关闭磁性吸盘工作台13的静磁场。然后，以在静电吸盘工作台37上吸附了蒸镀掩膜14的状态，向与该图所示的箭头+Z方向垂直地抬起静电吸盘工作台37，并向该图所示的箭头Y方向拔出透明部件36。
[0136] 其后，如图11（f）所示，向箭头-Z方向垂直地降下静电吸盘工作台37并将蒸镀掩膜14放置在TFT基板1上。然后，关闭静电吸盘工作台37并开启磁性吸盘工作台13，如该图（9）所示，通过磁力来吸附蒸镀掩膜14的金属部件10并使膜4密合到TFT基板1的上表面后，去掉静电吸盘工作台37。由此，结束蒸镀掩膜14的制造方法。
[0137] 以后，使用上述蒸镀掩膜14，与图4（f）、（g）同样地进行R有机EL层3R的形成。进一步地，G有机EL层3G及B有机EL层3B的形成也是同样地，能够使用形成的掩膜来进行。
[0138] 如上所述，如果在使透射可见光的透明部件36介于在膜4与TFT基板1之间的状态下照射激光L，烧蚀膜4并形成开口图案6的话，即使在由于烧蚀而产生了膜4的残渣的情况下，残渣被透明部件36完全地阻止而没有附着到阳电极2R～2B上。因而，阳电极2R～2B与有机EL层3R～3B之间的接触电阻上升或者残渣损伤有机EL层3R～3B都不会使有机EL层3R～3B的发光特性降低。
[0139] 此外，在以上说明中，对透明部件36是难以吸收激光L的部件的情况进行了说明，但不发明并不被限定于此，透明部件36如果相对于膜4的厚度足够厚，那么其也可以是聚酰亚胺等易于吸收激光L的部件。在这种情况下，对于膜4的激光加工完成后，在未结束透明部件36的激光加工的阶段，停止激光L的照射即可。
[0140] 又，在上述薄膜图案形成方法的第二实施形态中，在各有机EL层3R～3B形成时，对在有机EL层3R～3B上进一步形成透明电极层31的情况进行了说明，但本发明并不被限定与此，也可以在有机EL层3R～3B形成时不形成透明电极层31。
[0141] 进一步地，在上述薄膜图案形成方法的第二实施形态中，对静磁场发生单元12是永磁铁的情况进行了说明，但本发明并不限定于此，静磁场发生单元12也可以是电磁铁。
[0142] 又，在上述薄膜图案形成方法的第二实施形态中，对金属部件10由磁性材料构成的情况进行了说明，但本发明并不限定于此，金属部件10也可以是非磁性材料。在这种情况下，为了将膜4夹持在TFT基板1与金属部件10之间，替换磁性吸盘工作台13，使用以能够施加一定的电压的方式构成的静电吸盘工作台，在该静电吸盘工作台上放置了TFT基板1后，将电压施加到该工作台上，将金属部件10静电吸附到TFT基板1上并夹持膜4即可。
[0143] 进一步地，在上述薄膜图案形成方法的第二实施形态中，对在金属部件10上通过黏着剂来保持膜4的情况进行了说明，但本发明并不被限定于此，也可以通过热压合使膜4附着在金属部件10上。在这种情况下，当膜4是热可塑性树脂时，能够用膜4掩埋金属部件10的开口部9。或者，也可以不使膜4粘合到金属部件10，而将其夹在TFT基板1与金属部件10之间来使用。
[0144] 以上的说明对基于本发明的蒸镀掩膜的第二实施形态在薄膜图案形成过程中被制造的情况进行了叙述，但蒸镀掩膜的第二实施形态也可以在薄膜图案形成以外的工序中被制造。图12是示出基于本发明的蒸镀掩膜的第二实施形态的其他制造方法的工序图。该蒸镀掩膜的制造方法实行以下步骤：形成金属部件10的第一步骤；将树脂制膜4密合保持于金属部件10上的第二步骤；使膜4密合到在基板38上的第三步骤；在膜4上形成多个开口图案6的第四步骤；将金属部件10与膜4一体地从基板38上剥离的第五步骤，并制造图13或图14中所示的蒸镀掩膜。
[0145] 此外，基于本发明的蒸镀掩膜的第二实施形态的具体构成包含：对应于预先在基板上确定的薄膜图案的形成区域，形成了与该薄膜图案的形状尺寸相同的贯通的开口图案6的、透射可见光的例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）等树脂制的膜4；和被密接到该膜4的一面，并对应于上述开口图案6，具有与该开口图案6相比形状尺寸更大的开口部9的金属部件10。图13中所示的蒸镀掩膜14具备多列细长状的开口图案6，图14中所示的蒸镀掩膜14具备多列被多个桥39分离的并排为一列的多个开口图案6，并配合打算形成的薄膜图案的形状而适当地被选择。在图13、图14中，符号40是预先被设置在基板上的、用于对基板一侧校准标记进行位置对齐的掩膜一侧的校准标记。
[0146] 如图12（a）所示，上述第一步骤是对应于薄膜图案的形成区域，将与该薄膜图案相比形状更大的、贯通的多个开口部9设置在薄板状的磁性材料上并形成金属部件10的工序。
[0147] 更详细地讲，在第一步骤中，在具有例如1μm～几mm左右，优选30μm～50μm左右的厚度的例如由镍、镍合金、殷钢、因瓦合金组成的磁性材料的薄板上使用抗蚀剂掩膜，并通过湿法蚀刻或离子研磨等干法蚀刻，或激光加工上述开口部9而形成金属部件10。在这种情况下，因为开口部9比在后述的第四步骤中在膜4上形成的开口图案6的形状更大即可，所以不要求开口部9的形成精度具有如开口图案6那般的高精度。此外，开口部9的形状向着膜4一侧渐渐地变窄（纵向截面形状是反梯形）即可。由此，可使得蒸镀时开口部9的边缘部的蒸镀材料的渐晕消失，均匀地形成薄膜图案的膜厚。
[0149] 在第二步骤中，更详细地来说，包含：如图15（a）所示，将金属部件10放置到被密合到平板状的玻璃等基材41上的透射可见光的热可塑性的膜4或在表面施行了热粘接性处理的膜4的上表面的步骤；如该图（b）所示，在一定温度及压力下将金属部件10热压合到膜4上并进行一体化的步骤；如该图（c）所示，将膜4从基材41的表面剥离的步骤。在这种情况下，因为金属部件10的扭曲、弯曲被膜4所限制，所以金属部件10的开口部9的形状及位置被维持。
[0150] 以抓住金属部件10的四边分别向外边拉伸而对金属部件10施加了一定的张力的状态实施该第二步骤即可。或者，也可以以在具有平坦的面的磁性吸盘的该平坦面上通过磁力吸附了由磁性材料组成的金属部件10状态来进行，还可以适当组合双方来进行。此外，上述磁性吸盘也具备永磁铁，但可构成为具备能够开启/关闭磁场产生的电磁铁。进一步地，以将其他的磁性吸盘设置在金属部件10上，并通过磁力将金属部件10吸附保持于该磁性吸盘的平坦的吸附面的状态来进行将图15（c）所示的膜4从基材41的表面剥离的步骤即可。由此，能够高精度地维持金属部件10的开口部9的形状及位置。
[0151] 这里使用的膜材料可为通过紫外线激光L的照射而进行烧蚀的树脂制的膜，优选例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）等。特别地，因为聚酰亚胺的线膨胀系数为约-6 -6 -6 -610×10 ～约40×10 /℃与镍等金属的线膨胀系数（约6×10 ～约20×10 /℃）在允许范围内相等，所以在与由金属材料组成的金属部件10组合来使用的情况下，根据蒸镀时两部件的热膨胀系数的差异，能够抑制在蒸镀中发生翘曲，因而更优选。又，因为殷钢等金属-6
的热膨胀系数极其小（约2×10 /℃以下），所以能够限制蒸镀时的辐射热而导致的蒸镀掩膜的热膨胀并维持开口图案6的位置精度。
的热膨胀系数极其小（约2×10 /℃以下），所以能够限制蒸镀时的辐射热而导致的蒸镀掩膜的热膨胀并维持开口图案6的位置精度。
[0152] 在上述第三步骤中，如图12（c）所示，一边通过显微镜观察预先在金属部件10上形成的掩膜一侧校准标记40（参照图13、图14）与预先在基板38上形成的、省略图示的基板一侧校准标记，以使被放置在第一磁性吸盘42上的基板38上的薄膜图案形成区域位于金属部件10的开口部9中，一边调整掩膜一侧校准标记40和基板一侧校准标记，以使两标记达成一定的位置关系，从而将金属部件10与基板38进行位置对齐，之后，将其设置在基板38上，第一磁性吸盘42的磁力吸附金属部件10，并使膜4密合到基板38上表面。
[0153] 在这种情况下，上述基板38既可以是想要形成薄膜图案的蒸镀对象的基板，或者也可以是在后述的第三步骤中为激光L的照射目标的、对应于薄膜图案形成区域而设置了基准图案43的基准基板。当上述基板38是蒸镀对象的基板时，也可以接着后述的第四步骤的开口图案6的形成，通过该开口图案6进行蒸镀，在基板38上形成薄膜图案。由此也能够位置精度较高地形成高度精细的薄膜图案。
[0154] 在上述第四步骤中，如图12（d）所示，在与金属部件10的开口部9中的薄膜图案形成区域（基准图案43）对应的膜4的部分，使用波长在400nm以下的、例如KrF248nm的准2 2
分子激光，照射能量密度为0.1J/cm ～20J/cm 的激光L，形成与薄膜图案的形状尺寸相同其贯通的开口图案6。
分子激光，照射能量密度为0.1J/cm ～20J/cm 的激光L，形成与薄膜图案的形状尺寸相同其贯通的开口图案6。
[0155] 在上述第五步骤中，如图12（e）所示，将吸附面被平坦地形成了的第二磁性吸盘44设置在金属部件10的上表面，开启第二磁性吸盘44的电磁铁并关闭第一磁性吸盘42的电磁铁，通过第二磁性吸盘44的磁力吸附金属部件10，从基板38上一体地剥离该金属部件10及膜4，并在第二磁性吸盘44一侧收取。由此，结束基于本发明的蒸镀掩膜的制造工序，完成如图13、14所示的蒸镀掩膜。之后，如果以将金属部件10吸附到该第二磁性吸盘
44上的状态实行蒸镀掩膜14的处理，能够维持蒸镀掩膜14的开口图案6的形状及位置，并容易进行其后的高度精细的薄膜图案的形成。
44上的状态实行蒸镀掩膜14的处理，能够维持蒸镀掩膜14的开口图案6的形状及位置，并容易进行其后的高度精细的薄膜图案的形成。
[0156] 作为上述掩膜用部件的另一形成实例，也可以在对膜4的表面进行改性处理后，热压合金属部件10并将金属部件10与膜4进行一体化。在上述表面改性处理中，有对膜4的表面进行蚀刻，并在表面形成羧基（-COOH）、羰基（-COO）等亲水基的方法。由此，通过膜4与金属部件10的界面的化学键，两部件的粘合成为可能。或者，也可以将例如硅烷偶联剂等涂布到膜4与金属部件10的界面，使硅烷醇（SiOH）基形成，改善润湿性，并使被形成于膜4与金属部件10的界面的氢键进一步脱水缩合。由此，基于更加安定的化学键的粘合成为可能。另外，在大气压等离子或减压等离子中对膜4的表面进行等离子处理，或用碱溶液对膜4的表面进行湿法蚀刻，从而膜4的表面的改性也成为可能。
[0157] 图16是示出上述掩膜用部件的进一步的另一形成实例的说明图。该形成实例包含以下步骤:如图16（a）所示，将金属部件10放置到被密合到平板状的玻璃等基材41上的透射可见光的膜4的上表面的步骤；如该图（b）所示，将透射可见光的硬化性树脂45涂布到金属部件10的开口部9中并使其硬化，将金属部件10与膜4进行一体化的步骤；如该图（c）所示，将金属部件10吸附到例如省略图示的磁性吸盘的平坦的吸附面，并将膜4从基材41的表面剥离的步骤。这里使用的硬化性树脂45可为例如紫外线硬化或光硬化性的无溶剂或溶剂极少的树脂。
[0158] 图17是示出上述掩膜用部件的进一步的另一形成实例的说明图。
[0159] 该形成实例包含以下步骤：如图17（a）所示，通过溅镀、镀覆等公知的蒸镀技术，将铜等的金属膜46蒸镀到被静电吸附到例如具有平坦的面的省略图示的静电吸盘上的膜4的一面的步骤；如该图（b）所示，将无助焊剂焊锡47涂布到金属膜46上的步骤；如该图（c）所示，通过无助焊剂焊锡47，将金属膜46焊接到金属部件10上并将膜4粘合到金属部件10上的步骤。在通过无助焊剂焊锡47来进行粘合的情况下，在蒸镀时不会产生杂质气体。因而，例如在蒸镀形成有机EL发光层时，能够解决由于杂质气体而导致有机EL发光层受损这一问题。
[0160] 图18是示出上述掩膜用部件的进一步的另一形成实例的说明。该形成实例包含以下步骤：如图18（a）所示，将例如聚酰亚胺等树脂溶液48旋涂或浸涂例如约30μm的厚度到玻璃等具有平坦面的基材41上后，加热干燥该树脂溶液48，将其变为半干燥状态的步骤；如该图（b）所示，将金属部件10压合到半干燥状态的树脂上后，干燥该半干燥状态的树脂并形成被保持于金属部件10的膜4的步骤；如该图（c）所示，将金属部件10吸附到例如省略图示的磁性吸盘的平坦的吸附面上，并从基材41的表面剥离膜4的步骤。
[0161] 此外，能够适当控制加热温度及加热时间来实现上述树脂溶液48的半干燥状态，并通过预先实验来决定加热条件。进一步地，同样，用于使树脂完全干燥的条件也是被事先决定的。
[0162] 图19是示出上述掩膜用部件的进一步的另一形成实例的说明图。该形成实例包含以下步骤：首先，如图19（a）所示，将光阻剂、感光性聚酰亚胺等感光性树脂溶液48旋涂或浸涂约30μm的厚度到玻璃等基材41上的步骤；如该图（b）所示，使用光掩膜并曝光上述感光性树脂后，显影并将突状图案49形成到与金属部件10的开口部9对应的位置的步骤；如该图（c）所示，在使金属部件10的开口部9与突状图案49一致的状态下，将金属部件10压合到感光性树脂上之后，用预先确定的温度加热干燥并形成被保持于金属部件10上的膜4的步骤；如该图（d）所示，将金属部件10吸附到例如省略图示的磁性吸盘的平坦的吸附面并从基材41的表面剥离膜4的步骤。
[0163] 在这种情况下，如果将上述突状图案49形成为上部狭窄下部宽广的纵向截面梯形，那么将突状图案49的侧面作为引导，能够容易进行金属部件10的开口部9与突状图案49的嵌合。又，因为金属部件10的开口部9被突状图案49定位并限制，所以金属部件10的开口部9的位置精度能够变得比图17的情况更高。
[0164] 图20是示出上述掩膜用部件的进一步的另一形成实例的说明图。
[0165] 该形成实例包含以下步骤：如图20（a）所示，将金属部件10放置到平板状的基材41的上表面的步骤；如该图（b）所示，将厚度在金属部件10的厚度以上的聚酰亚胺等树脂溶液48涂布到金属部件10的上表面后，用预先确定的温度将其加热干燥并形成被保持于金属部件10的膜4的步骤；如该图（c）所示，将金属部件10吸附到例如省略图示的磁性吸盘的平坦的吸附面并从基材41的表面剥离膜4的步骤。
[0166] 在这种情况下，将金属部件10放置到吸附面由玻璃等平坦地形成的其他的磁性吸盘的上述吸附面上，通过该磁性吸盘的磁力，以吸附保持了金属部件10的状态来实行如图20(a)、（b）所示的各步骤即可。由此，能够高精度地保持金属部件10的开口部9的形状及位置。
[0167] 图21是示出上述掩膜用部件的进一步的另一形成实例的说明图。该形成实例包含以下步骤：如图21（a）所示，将光阻剂、感光性聚酰亚胺等感光性树脂溶液48旋涂或浸涂约30μm的厚度到例如由不锈钢等组成的平板状的金属制基材50的上表面的步骤；如该图（b）所示，使用光掩膜并曝光了感光性树脂后，显影并将岛图案51（相当于膜4）形成到与金属部件10的开口部9对应的位置的步骤；如该图（c）所示，将镍或镍合金等的磁性膜以约30μｍ的厚度镀覆到岛图案51的周围区域并形成金属部件10的步骤；如该图（d）所示，将金属部件10吸附到例如省略图示的磁性吸盘的平坦的吸附面并从金属制基材50的表面一体地剥离金属部件10与岛图案51（膜4）的步骤。
[0168] 在这种情况下，因为将磁性膜镀覆形成到使用光刻技术而形成的树脂制的岛图案51（膜4）的周围区域并制作金属部件10，所以能够高精度地形成金属部件10的开口部9。
[0169] 图22～24是示出基于本发明的蒸镀掩膜（第二实施形态）的进一步的其他制造方法的工序图。下面，参照附图进行详细地说明。首先，如图22（a）所示，在例如静电吸附并被保持于具有平坦面的省略图示的工作台上的透射可见光的厚度为10μm～30μm左右的、例如聚酰亚胺的膜4的一面4a上，如该图（b）所示，通过溅镀等公知的蒸镀技术，付着由50nm左右的厚度的例如镍等组成的磁性材料的金属膜的基层52。在这种情况下，基层52并不被限定为磁性材料的金属膜，也可以是良好导电性的非磁性材料的金属膜。
[0170] 然后，如图22（c）所示，在基层52上例如旋涂30μm左右厚度的抗蚀剂53（感光性材料）。
[0171] 接着，如图22（d）所示，使用光掩膜54并曝光，如该图（e）所示地显影，将与薄膜图案相比形状更大的抗蚀剂53的岛图案51形成到与基板（例如TFT基板）上的薄膜图案形成区域（例如有机EL层形成区域）对应的部分。在这种情况下，当抗蚀剂53为负型时，使用的光掩膜54在与基板上的薄膜图案形成区域对应的部分处形成开口，当抗蚀剂53为正型时，光掩膜54对与基板上的薄膜图案形成区域对应的部分进行遮光。
[0172] 随后，如图22（f）所示，将由镍或殷钢等的磁性材料组成的金属部件10以30μm左右的厚度镀覆到膜4的上述岛图案51的周边区域。
[0173] 进一步地，如图22（g）所示，剥离上述岛图案51并在金属部件10形成了与岛图案51对应的开口部9后，如该图（h）所示，蚀刻并去除开口部9中的基层52，形成掩膜用部件11。此外，在掩膜用部件11的预先确定的位置处，形成用于金属部件10进行与基板的位置对齐的掩膜一侧校准标记40。
[0174] 由此形成的掩膜用部件11，如图23（a）所示，通过吸附面44a被形成为平坦面的第二磁性吸盘44吸附金属部件10一侧并被保持。
[0175] 然后，如图23（b）所示，在被放置到吸附面42a被形成为平坦面的第一磁性吸盘42上的基板1（例如TFT基板）的上方定位掩膜用部件11，一边通过显微镜预先观察预先在基板1形成的省略图示的基板一侧校准标记与预先在掩膜用部件11形成的掩膜一侧校准标记40，一边进行调整，以使两标记形成一定的位置关系，如该图（c）所示，对基板1与掩膜用部件11进行位置对齐，以使薄膜图案形成区域55（例如阳电极上的区域）位于上述开口部9中之后，使膜4密合到基板1上。其后，如该图（d）所示，开启第一磁性吸盘42的电磁铁56并关闭第二磁性吸盘44的电磁铁56，通过第一磁性吸盘42吸附金属部件10，将掩膜用部件11从第二磁性吸盘44移动到基板1。
[0176] 随后，波长在400nm以下的、例如使用KrF248nm的准分子激光，如图24（a）所示，2 2
将能量密度为0.1J/cm ～20J/cm 的激光L照射到与掩膜用部件11的开口部9中的薄膜图案形成区域对应的膜4的部分，在底部残留薄层并形成一定深度的凹部5。接着，如该图（b）所示，在公知的等离子处理装置中进行等离子处理，去除上述凹部5的底部的薄层并形成贯通的开口图案6。由此，蒸镀掩膜14被制造。
将能量密度为0.1J/cm ～20J/cm 的激光L照射到与掩膜用部件11的开口部9中的薄膜图案形成区域对应的膜4的部分，在底部残留薄层并形成一定深度的凹部5。接着，如该图（b）所示，在公知的等离子处理装置中进行等离子处理，去除上述凹部5的底部的薄层并形成贯通的开口图案6。由此，蒸镀掩膜14被制造。
[0177] 然后，在上述蒸镀掩膜14上放置第二磁性吸盘44。然后，如图24（c）所示，开启第二磁性吸盘44的电磁铁56并关闭第一磁性吸盘42的电磁铁56，通过第二磁性吸盘44吸附金属部件10，将蒸镀掩膜14移到第二磁性吸盘44。之后，以蒸镀掩膜14被保持于第二磁性吸盘44的状态来加以保管。
[0178] 此外，接着，在将薄膜图案（例如有机EL层）蒸镀形成于基板1上的情况下，如果在图24（b）中蒸镀掩膜被形成，那么将基板1以与蒸镀掩膜14一体地保持在第一磁性吸盘42的状态设置于例如真空蒸镀装置的真空槽中，通过蒸镀掩膜14的开口图案6，对蒸镀材料进行真空蒸镀，形成薄膜图案。
[0179] 然后，对在膜4上激光加工并形成开口图案的方法进行更详细地说明。这里，如图25（a）、（b）所示，对在密接金属部件10到透射可见光的树脂制的膜4的一面而形成的掩膜用部件11上，形成例如图13所示的细长状的开口图案6的情况进行说明，其中，该金属部件10由设置有对应于薄膜图案的形成区域的、与该薄膜图案相比形状更大且贯通的多个开口部9的薄板状的磁性材料组成。
[0180] 在这种情况下，如图25（c）所示，将与薄膜图案的形状尺寸相同的、成为后述的激光L的照射目标的多个基准图案43以与薄膜图案的排列间距相同的排列间距并排并形成在透明基板57的一面57a上，将金属部件10相对于基准基板38进行位置对齐，以使该基准图案43作为下侧、且被放置在激光加工装置的工作台上的基准基板38（参照图26）的上述基准图案43位于金属部件10的开口部9中之后，使膜4密合到基准基板38的另一面57b。此外，在基准基板38上，在上述多个基准图案43的形成区域外，在与掩膜一侧校准标记40对应的位置处，由铬（Cr）等薄膜同时地形成例如十字状的基板一侧校准标记58与上述基准图案43。
[0181] 一边通过显微镜观察预先被形成于金属部件10的掩膜一侧校准标记40与预先被形成于基准基板58的基板一侧校准标记58，一边调整并实行上述金属部件10与基准基板38的位置对齐，以使基板一侧校准标记58的中心与掩膜一侧校准标记40的中心一致。
[0182] 又，通过在工作台的背面具备了磁铁吸盘的磁力来吸附金属部件10，实行膜4与基准基板38的紧密贴合，同时，将金属部件10、膜4及基准基板38一体地固定在工作台上。
[0183] 然后，如图25（d）所示，使用波长在400mm以下的、例如KrF248nm的准分子激光，2 2
将能量密度为0.1J/cm ～20J/cm 的激光L照射到与金属部件10的开口部9中的基准图案43对应的膜4的部分，形成与薄膜图案相同形状的贯通的开口图案6。
将能量密度为0.1J/cm ～20J/cm 的激光L照射到与金属部件10的开口部9中的基准图案43对应的膜4的部分，形成与薄膜图案相同形状的贯通的开口图案6。
[0184] 一边将掩膜用部件11与基准基板38在基准基板38的基准图案43的排列方向（图25（d）的箭头方向）上进行搬运，一边利用以相对于激光L的照射位置能够拍摄掩膜用部件11及基准基板38的搬运方向上游一侧的位置的方式而被设置的摄像单元17，通过透射照明来拍摄基准图案43，基于该拍摄图像检测出基准图案43，并以该检测时刻为基准控制激光L的照射时机，实行该激光加工。由此，完成图13所示的蒸镀掩膜。
[0185] 上述摄像单元17是在与掩膜用部件11及基准基板38的传送方向交叉的方向上一条直线并排地设置了多个受光元件的线阵相机，基于摄像单元17的拍摄图像，根据上述搬运方向的亮度改变（例如，透射照明的情况是从明到暗的亮度改变）能够检测出上述基准图案43。
[0186] 进一步地，基于摄像单元17的拍摄图像，确认金属部件10的开口部9的中心与基准基板38的基准图案43的中心之间的错位量在允许值的同时，实行激光加工。更详细来讲，基于摄像单元17的拍摄图像，检测出掩膜用部件11及基准基板38的移动方向中的超过如图27所示的阈值并发生变化的亮度变化，根据相邻的从暗向明的亮度变化的位置计算出双方之间的距离D1，进一步地，根据相邻的从明向暗的亮度变化的位置计算出双方之间的距离D2，对｜D1-D2｜进行运算并判定该运算结果是否在预先确定的允许值中。在这种情况下，当上述运算结果在允许值外时，判断为金属部件10与基准基板38的校准失误或者金属10的开口部9的形成精度不好，不进行激光的照射而立刻结束激光加工的工序。
[0187] 如果激光加工结束的话，如图25（e）所示，将吸附面被平坦地形成的省略图示的磁性吸盘（保持单元）设置在金属部件10的上表面，开启磁性吸盘的电磁铁，通过磁性吸盘的磁力吸附金属部件10，从基准基板38上剥离蒸镀掩膜，并在磁性吸盘侧收取。由此，本发明的蒸镀掩膜的制造工序全部结束。之后，如果以将金属部件10吸附到该磁性吸盘上的状态实行蒸镀掩膜的处理，能够维持蒸镀掩膜的开口图案6的形状及位置，并容易进行其后的高度精细的薄膜图案的形成。
[0188] 或者，也可以将在一面上涂布了容易剥离的黏着剂的薄板的所述一面侧密合到金属部件10的上表面，并将金属部件10粘贴到薄板上，从基准基板38上剥离蒸镀掩膜。由此，进一步提高蒸镀掩膜的处理性。
[0189] 此外，在以上的说明中，对一边搬运掩膜用部件11及基准基板38一边照射激光L，在膜4上形成开口图案6的情况进行了叙述，但本发明并不被限定于此，也可以使激光L沿基准基板38的基准图案43的排列方向步进移动以形成开口图案6。
[0190] 为了在膜4上加工开口图案6，可以使用图9所示的激光加工装置来进行。在这种情况下，掩膜用部件11与基准基板38被一体地搬运。
[0191] 下面，对于使用上述激光加工装置来进行的开口图案6的形成，参照图28的流程图来进行说明。首先，在步骤S1中，把上述基准图案43一侧作为下侧，将基准基板38与被定位并密合到该基准基板38的形成了基准图案43的面的对侧面的掩膜用部件11一体地放置在工作台上，通过省略图示的搬运机构保持掩膜用部件11及基准基板38的边缘部，沿图9所示的箭头Z方向以一定速度开始搬运。
[0192] 在步骤S2中，通过摄像单元17从下侧拍摄掩膜用部件11及基准基板38，在控制单元19的图像处理部中处理该拍摄图像，检测箭头Z方向的从暗到明的亮度变化及从明到暗的亮度变化（参照图27）。
[0193] 在步骤S3中，在控制单元19的运算部中，对从检测出从暗到明的亮度变化之后到检测出下一个从暗到明的亮度变化为止的上述搬运机构的脉冲电动机的驱动脉冲个数，以及从检测出从明到暗的亮度变化之后到检测出下一个从明到暗的亮度变化为止的上述脉冲电动机的驱动脉冲个数进行计数，根据各计数个数，计算出相邻的从暗到明的亮度变化部的间隔D1及相邻的从明到暗的亮度变化部的间隔D2。然后，对｜D1-D2｜进行运算，计算出金属部件10的开口部9的中心与基准图案43的中心之间的错位量。
[0194] 在步骤S4中，在上述运算部中对上述错位量与从存储器中读出的允许值进行比较，判定上述错位量是否在允许范围中。这里，如果判定为“是”，那么进入步骤S5。另一方面，在判定为“否”的情况下，判断为金属部件10与基准基板38的校准失误或者金属部件10的开口部9的形成精度不好，并结束激光加工。然后，使搬运机构高速地移动，搬出掩膜用部件11及基准基板38。
[0195] 在步骤S5中，在图像处理部中基于从明到暗的亮度变化的第奇数个的亮度变化的检测，检测出基准图案43的搬运方向先头一侧的边缘部。
[0196] 在步骤S6中，如果在步骤S5中检测出基准图案43，以该检测时刻为基准，在运算部中对搬运机构的脉冲电动机的驱动脉冲个数进行计数。然后，与从存储器读出的脉冲计数个数的目标值进行比较，判定脉冲计数个数与目标值是否一致，即判定基准基板38是否与掩膜用部件11一体地移动了预先确定的规定距离。这里，如果判定为“是”，那么进入步骤S7。此外，脉冲计数个数与目标值一致之时是基准基板38的基准图案43恰好到达激光光学单元16的激光L的照射位置之时。
[0197] 在步骤S7中，振荡指令被从控制单元19输出到准分子激光21，准分子激光21进行脉冲振荡。由此，激光L照射到基准基板38的基准图案43上的膜4部分，并烧蚀该部分的膜4，形成与基准图案43（或薄膜图案）的形状尺寸相同的贯通的开口图案6。此外，也可以在一定时间内从准分子激光21出射多道的激光L来进行开口图案6的形成。
[0198] 随后，进入步骤S8，判定是否形成了与基准图案43对应的全部的开口图案6。这里，如果判定为“否”，那么回到步骤2，重复实行步骤S2～S8直到形成全部的开口图案6且步骤S8为“是”判定。
[0199] 此外，步骤S7也可以按如下方式进行与从基准基板38的搬运方向的先头开始第二个以后的基准图案43对应的开口图案6的形成。即，可以在运算部中对上述脉冲电动机的驱动脉冲个数进行计数，比较基于该计数个数计算出的搬运机构的移动距离与从存储器中读出的基准图案43的排列间距，当两者一致时，使准分子时激光21振荡。
[0200] 又，在以上的说明中，以步骤S3～S6依次实行的方式进行了叙述，实际上，步骤S3～S4与步骤S5～S6是并行实行。
[0201] 也可以不通过激光加工而通过蚀刻来形成上述开口图案6。
[0202] 下面，对通过蚀刻来形成开口图案6的情况进行说明。这里，对相应于例如按照图22所示的工序形成的掩膜用部件，形成开口图案6的情况进行说明。
[0203] 首先，如图29（a）所示，将例如正型的光阻剂53例如浸涂到掩膜用部件11的两面。
[0204] 接着，如图29（b）所示，在使对应于打算形成的开口图案6而设置了开口的光掩膜54与密接了膜4的金属部件10的第一面4a的对侧的第二面4b接近并相向状态下，使用被设置在光掩膜54上的省略图示的校准标记与被设置在金属部件10上的掩膜一侧校准标记40，将第二光掩膜54对于掩膜用部件11进行定位并配置，将被涂布在膜4的第二面4b上的光阻剂53进行曝光显影。由此，如该图（c）所示，以与打算在上述开口部9所对应的光阻剂53的部分处蒸镀形成的薄膜图案的排列间距相同的排列间距，并排地形成与该薄膜图案相同形状尺寸的开口59，形成抗蚀剂掩膜60。
[0205] 进一步地，将上述掩膜用部件11浸渍到例如充满了聚酰亚胺用蚀刻液体的槽中，使用上述抗蚀剂掩膜60，蚀刻聚酰亚胺的膜4。然后，如图29（d）所示，形成开口图案6。在这种情况下，如果通过实验适当地设定光阻剂53的涂布条件、曝光条件、显影条件、及蚀刻条件等诸条件，能够将开口图案6形成为锥角为55°～60°左右的锥形。又，因为从膜
4的第二面4b一侧开始进行膜4的蚀刻，所以通过侧面蚀刻的效果，从第二面4b一侧向第一面4a一侧，开口图案6的开口面积渐渐地变小。然后，第一面4a一侧的开口图案6的面积与打算形成的薄膜图案的面积变得相同。
4的第二面4b一侧开始进行膜4的蚀刻，所以通过侧面蚀刻的效果，从第二面4b一侧向第一面4a一侧，开口图案6的开口面积渐渐地变小。然后，第一面4a一侧的开口图案6的面积与打算形成的薄膜图案的面积变得相同。
[0206] 最后，通过用有机溶剂洗掉被涂布到掩膜用部件11的两面的光阻剂53，完成图13或图14所示的蒸镀掩膜14。此外，也可以使用干膜抗蚀剂来代替光阻剂53。
[0207] 这里，如图29（d）所示，膜4的蚀刻工序可以是，将掩膜用部件11的金属部件10一侧作为磁性吸盘一侧，并以金属部件10磁性吸附到磁性吸盘的状态来进行。
[0208] 下面，对于蒸镀形成有机EL层作为薄膜图案的情况，参照图30、31进行说明。这样被制造的蒸镀掩膜14在蒸镀时按如下方式被使用。这里，作为一个实例，对形成R有机EL层的情况进行说明。首先，如图30（a）所示，将被吸附并保持于第二磁性吸盘44的蒸镀掩膜14定位到被放置在第一磁性吸盘42上的TFT基板1的上方。在这种情况下，蒸镀掩膜14的金属部件10为TFT基板1一侧。
[0209] 然后，一边用省略图示的照相机观察蒸镀掩膜14的掩膜一侧校准标记40与在TFT基板1上预先被形成的省略图示的基板一侧校准标记，一边相对移动第一及第二磁性吸盘42、44并进行蒸镀掩膜14与TFT基板1的位置对齐，以使两标记形成为一定的位置关系，例如各标记的中心一致。
[0210] 如果蒸镀掩膜14与TFT基板1的位置对齐结束，那么第二磁性吸盘44相对于第一磁性吸盘42，沿图30（a）所示的箭头-Z方向垂直地下降，如该图（b）所示，将蒸镀掩膜14的金属部件10密接到TFT基板1上。由此，蒸镀掩膜14的各开口图案6被定位到TFT基板1的R对应阳电极2R上。
[0211] 随后，如图30（c）所示，开启第一磁性吸盘42并关闭第二磁性吸盘44，将蒸镀掩膜14的金属部件10磁吸附到第一磁性吸盘42，并将蒸镀掩膜14移动到TFT基板1上。其后，沿该图所示的箭头+Z方向上升并取掉第二磁性吸盘44。
[0212] 然后，以把蒸镀掩膜14作为下侧并使其与蒸镀源相对立的状态，将蒸镀掩膜14、TFT基板1及第二磁性吸盘44一体地设置于蒸镀装置的真空槽内的规定位置。然后，如图31（a）所示，在预先设定的蒸镀条件的下，进行真空蒸镀，在TFT基板1的R对应阳电极2R上形成R有机EL层3R。
[0213] 在这种情况下，因为蒸镀掩膜14的开口图案6被形成为从膜4的第一面4a一侧向第二面4b一侧扩大了的形状，且在蒸镀材料分子飞来一侧的蒸镀掩膜14的面上不存在成为蒸镀暗影的部件，所以通过开口图案，被蒸镀在TFT基板1上的R有机EL层3R的膜厚变得均匀。
[0214] 又，基于本发明的蒸镀掩膜14与从前的金属掩膜相比有如下的优点。即，如图32（a）所示，在从前的金属掩膜61的情况下，蒸镀材料绕进并附着到金属掩膜61与TFT基板1之间的隙缝63，堆积物64堆积。然后，由于该堆积物64，金属掩膜61的开口图案6的边缘部被抬起，金属掩膜61起波纹，因此存在不能高精度地形成微细的薄膜图案（例如，R有机EL层3R）的情况。然而，在基于本发明的蒸镀掩膜14的情况下，在膜4与TFT基板1之间存在与金属部件10的厚度相等的、例如30μm左右大小的隙缝63，且金属部件10的位置从开口图案6的第一面4a一侧的边缘部后退到开口图案6的外侧处，所以如该图（b）所示，即使蒸镀材料绕进并附着到膜4的第一面4a一侧的开口图案6的边缘部，也不会由于蒸镀材料的堆积物64而导致开口图案6的边缘部被抬起。又，因为绕进的蒸镀材料不会进入并附着到金属部件10与TFT基板1的隙缝，所以蒸镀掩膜13也不会起波纹。因而，根据本发明的蒸镀掩膜14，能够高精度地形成微细的薄膜图案（R有机EL层3R）。
[0215] 在以上的说明中，对使设置了与开口图案6相比形状尺寸更大的开口部9的金属部件10密接到膜4的一面4a上来构成的蒸镀掩膜14进行了叙述，但本发明的蒸镀掩膜14并不被限定与此，也可以在开口图案6的外侧部分将多个薄片状金属部件10分散地设置在膜4的一面4a或内部。下面，对金属部件10是薄片的情况进行说明。
[0216] 图33是示出基于本发明的蒸镀掩膜14的第三实施形态的图，（a）是平面图，（b）是（a）的D-D线截面向视图。该第三实施形态包含：以与打算在基板上成膜形成的条纹状的薄膜图案的排列间距相同的排列间距平行地并排，形成了与该薄膜图案的形状尺寸相同的多个开口图案6的透射可见光的、例如厚度为10μm～30μm左右的聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）等树脂制的膜4；在膜4的多个开口图案6的外侧部分，被设置在膜4的一面4a或内部的薄片状的金属部件10。下面，对薄片为磁性材料，且为密接于膜4的一面4a并被设置的厚度为10μm～30μm左右的金属部件10的情况进行说明。
[0217] 在这种情况下，如图34（a）所示，金属部件10也可以是在与膜4的开口图案6的长轴平行的外侧部分，具有使长轴与该长轴一致的、条纹状形态的金属部件，如果将这种条纹状的金属部件10镀覆形成于膜4上，那么根据膜4与金属部件10之间的热膨胀率的差异，如该图（b）所示，可能会在蒸镀掩膜14上产生翘曲，与基板的密合性变差。
[0218] 因此，本发明的蒸镀掩膜14的第三实施形态是如上所述，在多个开口图案6的外侧部分，将薄片状的多个金属部件10分散地设置于膜4的一面4a。由此，膜4与金属部件10之间的热膨胀率的差异被缓和，蒸镀掩膜14的翘曲被抑制。
[0219] 然后，对上述蒸镀掩膜14的第三实施形态的制造方法进行说明。首先，如图35（a）所示，在例如静电吸附并被保持于具有平坦面的省略图示的工作台上的透射可见光的厚度为15μm左右的、例如聚酰亚胺的膜4的一面4a上，如该图（b）所示，通过溅镀等公知的成膜技术，附着由50nm左右的厚度的例如镍（Ni）等组成的磁性材料的金属膜的基层52。在这种情况下，基层52并不被限定为磁性材料，也可以是良好导电性的非磁性材料。
[0220] 然后，如图35（c）所示，在基层52上例如旋涂15μm左右厚度的抗蚀剂53（感光性材料）。
[0221] 接着，如图35（d）所示，使用光掩膜54并曝光抗蚀剂53，如该图（e）所示地显影，随机地配置达到基层52的多个开口59并形成于抗蚀剂53的膜面上。在这种情况下，当抗蚀剂53为正型时，光掩膜54对与上述多个开口59对应的部分进行遮光，当抗蚀剂53为负型时，使用的光掩膜54在与上述多个开口59对应的部分形成开口。
[0222] 随后，如图35（f）所示，将镍（Ni）等的金属部件10镀覆形成15μm左右的厚度到开口59中。
[0223] 进一步地，如图35（g）所示，剥离抗蚀剂53后，如该图（h）所示，蚀刻该金属部件10周围的基层52并去除。由此，如图36（a）所示，膜片状的多个金属部件10随机地分散于膜4的一面上的掩膜用部件11被形成。
[0224] 其后，在使掩膜用部件11的膜4密合到基准基板38上的状态下，例如将如图36（b）所示的激光L照射到与上述基准基板38的基准图案43对应的膜4的部分，在膜4上形成开口图案6。进一步地，如该图（c）所示，一边对于掩膜用部件11，相对地沿该图中的箭头方向，将激光L步进移动与上述基准图案43的该方向的排列间距相同的距离，一边加工膜4，形成多个开口图案6。由此，如图33所示的蒸镀掩膜14完成。在这种情况下，使用如图9所示的激光加工装置，激光加工开口图案6即可。
[0225] 在上述第三实施形态中，因为使薄片状的多个金属部件10随机地分散在膜4的一面4a上并形成掩膜用部件11，所以即使对于开口图案6的排列间距、形状不同的蒸镀掩膜14，也能够通用掩膜用部件11。因而，能够降低蒸镀掩膜14的制造成本。
[0226] 此外，在上述第三实施形态中，对薄片状的多个金属部件10随机地分散在膜4的一面4a上的情况下进行了说明，但本发明并不被限定于此，也可以如图37所示，在与膜4的条纹状的开口图案6的长轴平行的外侧部分，与长轴平行地并排设置多个金属部件10。在这种情况下，也可以以一定的排列间距来配置多个金属部件10。由此，能够增加对于第一磁性吸盘42的吸附力，进一步提高膜4与基板1的密合性。但是，在这种情况下，被形成的掩膜用部件11为特定的蒸镀掩膜专用。
[0227] 然后，对使用基于本发明的蒸镀掩膜14的第二或第三实施形态，在TFT基板1上形成R（红色）有机EL层、G（绿色）有机EL层及B（蓝色）有机EL层作为一定形状的多种薄膜图案，制造有机EL显示装置的方法进行说明。
[0228] 首先，参照图38及图39，对在TFT基板1上形成R有机EL层3R的情况进行说明。在这种情况下，首先，如图38（a）所示，将吸附并被保持于第二磁性吸盘44的蒸镀掩膜14定位在被放置于第一磁性吸盘42上的TFT基板1的上方，如该图（b）所示，一边通过显微镜观察掩膜一侧校准标记40与R用基板一侧校准标记，一边进行调整以使两标记形成为一定的位置关系，对蒸镀掩膜14与TFT基板1进行位置对齐后，使膜4密合到TFT基板1。由此，蒸镀掩膜14的开口图案6被定位在TFT基板1的R对应阳电极2R上。
[0229] 其后，如图38（c）所示，开启第一磁性吸盘42的电磁铁56并关闭第二磁性吸盘44的电磁铁56，通过第一磁性吸盘42吸附蒸镀掩膜14的金属部件10，将蒸镀掩膜14从第二磁性吸盘44移动到TFT基板1。
[0230] 然后，如图39（a）所示，将TFT基板1与蒸镀掩膜14以一体地保持于第一磁性吸盘42的状态设置在省略图示的真空蒸镀装置的真空槽中，通过蒸镀掩膜14的开口图案6，将R有机EL层3R真空蒸镀到TFT基板1的R对应阳电极2R上的R有机EL层形成区域。
[0231] 接着，从真空槽中取出第一磁性吸盘42，如图39（b）所示，将第二磁性吸盘44放在蒸镀掩膜14上，如该图（c）所示，开启第二磁性吸盘44的电磁铁56并关闭第一磁性吸盘42的电磁铁56，通过第二磁性吸盘44吸附蒸镀掩膜14的金属部件10，将蒸镀掩膜14从TFT基板1一侧移动到第二磁性吸盘44一侧。由此，R有机EL层3R被形成于TFT基板1的R对应阳电极2R上。
[0232] 然后，参照图40及图41，对在TFT基板1上形成G有机EL层的情况进行说明。在这种情况下，首先，如图40（a）所示，将吸附并被保持于第二磁性吸盘44的蒸镀掩膜14定位在被放置于第一磁性吸盘42上的TFT基板1的上方，如该图（b)所示，一边通过显微镜观察掩膜一侧校准标记40与G用基板一侧校准标记，一边进行调整以使两标记形成一定的位置关系，对蒸镀掩膜14与TFT基板1进行位置对齐后，使膜4密合到TFT基板1上。由此，蒸镀掩膜14的开口图案6被定位在TFT基板1的G对应阳电极2G上。
[0233] 其后，如图40（c）所示，开启第一磁性吸盘42的电磁铁56并关闭第二磁性吸盘44的电磁铁56，通过第一磁性吸盘42吸附蒸镀掩膜14的金属部件10，将蒸镀掩膜14从第二磁性吸盘44移动到TFT基板1。
[0234] 然后，如图41（a）所示，将TFT基板1与蒸镀掩膜14以一体地保持于第一磁性吸盘42的状态设置在真空蒸镀装置的真空槽中，通过蒸镀掩膜14的开口图案6，将G有机EL层3G真空蒸镀到TFT基板1的G对应阳电极2G上的G有机EL层形成区域。
[0235] 接着，从真空槽中取出第一磁性吸盘42，如图41（b）所示，将第二磁性吸盘44放在蒸镀掩膜14上，如该图（c）所示，开启第二磁性吸盘44的电磁铁56并关闭第一磁性吸盘42的电磁铁56，通过第二磁性吸盘44吸附蒸镀掩膜14的金属部件10，将蒸镀掩膜14从TFT基板1一侧移动到第二磁性吸盘44一侧。由此，G有机EL层3G被形成于TFT基板1的G对应阳电极2G上。
[0236] 然后，参照图42及图43，对在TFT基板1上形成B有机EL层的情况进行说明。在这种情况下，首先，如图42（a）所示，将吸附并被保持于第二磁性吸盘44的蒸镀掩膜14定位在被放置于第一磁性吸盘42上的TFT基板1的上方，如该图（b)所示，一边通过显微镜观察掩膜一侧校准标记40与B用基板一侧校准标记，一边进行调整以使两标记成为一定的位置关系，对蒸镀掩膜14与TFT基板1进行位置对齐后，使膜4密合到TFT基板1上。由此，蒸镀掩膜14的开口图案6被定位在TFT基板1的B对应阳电极2B上。
[0237] 其后，如图42（c）所示，开启第一磁性吸盘42的电磁铁56并关闭第二磁性吸盘44的电磁铁56，通过第一磁性吸盘42吸附蒸镀掩膜14的金属部件10，将蒸镀掩膜14从第二磁性吸盘44移动到TFT基板1。
[0238] 然后，如图43（a）所示，将TFT基板1与蒸镀掩膜14以一体地保持于第一磁性吸盘42的状态设置在真空蒸镀装置的真空槽中，通过蒸镀掩膜14的开口图案6，将B有机EL层3B真空蒸镀到TFT基板1的B对应阳电极2B上的B有机EL层形成区域。
[0239] 接着，从真空槽中取出第一磁性吸盘42，如图11（b）所示，将第二磁性吸盘44放在蒸镀掩膜14上，如该图（c）所示，开启第二磁性吸盘44的电磁铁56并关闭第一磁性吸盘42的电磁铁56，通过第二磁性吸盘44吸附蒸镀掩膜14的金属部件10，将蒸镀掩膜14从TFT基板1一侧移动到第二磁性吸盘44一侧。由此，B有机EL层3B被形成于TFT基板1的B对应阳电极2B上。
[0240] 又，与上述同样地将蒸镀掩膜14从第二磁性吸盘44一侧移动到第一磁性吸盘42一侧，并在等离子处理装置中进行等离子处理，去除附着在蒸镀掩膜14上的有机EL蒸镀材料。然后，以这样被洗净的蒸镀掩膜14被再次移动到第二磁性吸盘44并被保持于第二磁性吸盘44的状态或以其一直被保持于第一磁性吸盘42的状态来加以保管。因而，没有蒸镀掩膜14扭曲或弯曲、开口图案6的形状变形或错位的危险。
[0241] 此外，上述R有机EL层3R、G有机EL层3G及B有机EL层3B的形成工序能够使用同一蒸镀掩膜14并作为一连串的工序来实行。
[0242] 图44是示出基于本发明的蒸镀掩膜的第四实施形态的图，（a）是平面图，（b）是底视图，（c）是（a）的E-E线截面向视图，（d）是（c）的一部分扩大图。这里，基于本发明的蒸镀掩膜的上述第四实施形态与第一～第三实施方式不同的地方在于：如图44（a）、（b）所示，膜4具备利用与后述的金属部件10细长状的桥39对应的位置分离的多个开口图案6，如图44（c）所示，在与基板的接触面4a上，对应于金属部件10的细长状的桥39的形成位置，设置有与该桥39的长轴平行的突条部65。
[0243] 又，如图44（a）所示，根据对有机EL层的形成不带来影响的、被设置于预先确定的部分的桥39，被分离的多个开口部9被形成于上述金属部件10。由此，能够增加金属部件10的刚性，抑制弯曲。因而，能够进一步提高蒸镀掩膜14与基板的位置对齐精度，并进一步提高薄膜图案的形成精度。
[0244] 然后，对于这样构成的蒸镀掩膜14的第四实施形态的制造，参照图45加以说明。首先，如图45（a）所示，将面4b与金属部件10如该图中用箭头所示地那样进行面接合，形成如该图（b）所示的掩膜用部件11，其中，面4b是膜4的与基板的接触面4a的对侧的面，金属部件10对应于基板的薄膜图案形成区域，形成了与薄膜图案相比形状更大且由细长状的多个桥39分离的贯通的多个开口部9，并例如由磁性材料组成。
[0245] 上述面结合优选以下方式：如图46所示，使用在一部分（例如边缘区域）涂布了金属膜46的膜4，通过被涂布于该金属膜46上的无助焊剂焊锡47，将膜4无助焊剂焊接于金属部件10即可。又，在大面积的基板上的多个区域中形成薄膜图案群的情况下，如图47所示，将金属膜46涂布到与基板上的上述多个区域对应的膜4的多个区域66的边缘区域，使用围住上述各区域66且在该金属膜46上涂布有无助焊剂焊锡47的膜4即可。如果使用对这样的膜4与金属部件10进行无助焊剂焊接而形成的蒸镀掩膜14，那么例如真空蒸镀并形成作为薄膜图案的有机EL层时没有从焊锡发生脱气，不会由于脱气的杂质而导致有机EL层受损。此外，如图46及图47所示的符号67是对应于被形成在金属部件10的掩膜一侧校准标记40而形成的开口，并用于能够透过膜4观察基板上的基板一侧校准标记。
[0246] 在上述面接合中包含以下方法：使膜状的树脂压合到如上所述的金属部件10的方法；使膜状的树脂粘合到金属部件10的方法；将金属部件10压合到半干燥状态的树脂溶液的方法；或者将溶液状的树脂涂布到金属部件10的方法。
[0247] 接着，如图45（c）所示，将掩膜用部件11放置于形成了基准图案43的基准基板38（例如，也可以为有机EL显示用TFT基板的伪（ダミー）基板）后，一边例如通过显微镜观察掩膜一侧校准标记40与省略图示的基板一侧校准标记，一边进行调整以使各标记构成一定的位置关系，并对掩膜用部件11与基准基板38的进行位置对齐。
[0248] 随后，使用波长在400nm以下的、例如KrF248nm的准分子激光，如图45（d）所示，于位于金属部件10的开口部9中的膜4的部分，对与上述基准基板38的基准图案43上的薄膜图案形成区域对应的膜4的部分照射能量密度为0.1J/cm2～20J/cm2的激光L，如该图（e）所示，在该部分残留2μm左右的薄层并形成一定深度的穴部5。如果使用这样的紫外线激光L，因为通过激光L的光能量，膜4的碳键在一瞬间被破坏并被去除，所以能够进行没有残渣的干净的开加工孔。
[0249] 其后，如图45（f）所示，遮蔽打算形成膜4的与基准基板38的接触面4a的突条部65的部分，并根据膜4的材料，通过曝光、显影及蚀刻形成一定深度的沟，在与金属部件10的桥39的形成位置对应的上述接触面4a上形成与桥39的长轴平行的突条部65。这时，同时地，上述穴部贯通并形成开口图案6。由此，本发明的蒸镀掩膜14的第四实施方式完成。
[0250] 然后，对于使用本发明的蒸镀掩膜14的第四实施方式而实行的薄膜图案形成方法，参照图48～50加以说明。这里，对基板是如图51所示在作为薄膜图案的R有机EL层3R、G有机EL层3G及B有机EL层3B的形成区域（各色对应的阳电极2R、2G、2B上的区域）的各边界部预先设置了分隔壁68的有机EL显示装置用的TFT基板1的情况进行说明，其中，分隔壁68例如由氮化硅（SIN）膜组成，其高度使其与成膜的各色有机EL层3R～3B的面相比更加突出。
[0251] 首先，在第一步骤中，如图48（a）所示，将蒸镀掩膜14放置在TFT基板1上，一边通过显微镜观察被形成在蒸镀掩膜14上的掩膜一侧校准标记40与被预先形成在TFT基板1上的省略图示的基板一侧校准标记，一边进行调整以使两标记成为预先设定的位置关系，并对蒸镀掩膜14与TFT基板1进行位置对齐。由此，如该图（a）所示，蒸镀掩膜14的开口图案6变为与TFT基板1的R对应的阳电极2R一致。
[0252] 在第二步骤中，将蒸镀掩膜14与TFT基板1以密合一体化的状态设置在例如真空蒸镀装置的真空槽中，如图48（b）所示，通过蒸镀掩膜14的开口图案6，将R有机EL层3R蒸镀形成于TFT基板1的R对应的阳电极2R上。
[0253] 在第三步骤中，从真空槽中取出密合一体化了蒸镀掩膜14与TFT基板1的物体，如图49（a）中用箭头所示，沿各颜色有机EL层3R～3B的排列方向，将蒸镀掩膜14在TFT基板1上仅滑动与各色有机EL层3R～3B的排列间距相同尺寸。在这种情况下，一边在显微镜下观察掩膜面，一边可以进行调整以使蒸镀掩膜14的开口图案6与G对应阳电极2G一致，或者也可以进行调整以使在TFT基板上形成的G用基板一侧校准标记与掩膜一侧校准标记40一致。
[0254] 在第四步骤中，与上述第二步骤同样地，将掩膜14与TFT基板1以密合一体化的状态设置在真空蒸镀装置的真空槽中，如图49（b）所示，通过蒸镀掩膜14的开口图案6，将G有机EL层3G蒸镀形成于TFT基板1的G对应的阳电极2G上。
[0255] 在第五步骤中，与上述第三步骤同样地，从真空槽中取出密合一体化了蒸镀掩膜14与TFT基板1的物体，如图50（a）中用箭头所示，沿各颜色有机EL层3R～3B的排列方向，将蒸镀掩膜14在TFT基板1上仅滑动与各色有机EL层3R～3B的排列间距相同尺寸，并使蒸镀掩膜14的开口图案6与G对应阳电极2G一致。
[0256] 在第六步骤中，与上述第二或第四步骤同样地，将掩膜14与TFT基板1以密合一体化的状态设置在真空蒸镀装置的真空槽中，如图50（b）所示，通过蒸镀掩膜14的开口图案6，将B有机EL层3B蒸镀形成于TFT基板1的G对应的阳电极2G上。由此，能够使用一张掩膜1依次形成多种颜色的有机EL层3R～3B，能够高效率地实行有机EL层形成工序。
[0257] 在这种情况下，当沿横向滑动蒸镀掩膜14时，因为膜4的面4a没有与有机EL层3R、3G接触，且被设置于膜4的面4a的突条部65在分隔部68上滑行，所以能够降低膜4与分隔壁68之间的摩擦。因而，能够稳定蒸镀掩膜14并使其在TFT基板1上滑动。
[0258] 此外，在以上的说明中，对形成有机EL显示装置的有机EL层作为薄膜图案的方法进行了叙述，但本发明并不被限定于此，只要是打算形成高度精细的薄膜图案，不论液晶显示装置的彩色过滤器的形成还是半导体基板的配线图案的形成等都可以适用于其中。
[0259] 符号说明
[0260] 1 基板
[0261] 4 膜
[0262] 6 开口图案
[0263] 7，14 蒸镀掩膜
[0264] 9 开口部
[0265] 10 金属部件
[0266] 11 掩膜用部件
[0267] 38 基准基板
[0268] 39 桥
[0269] 42 第一磁性吸盘
[0270] 43 基准图案
[0271] 44 第二磁性吸盘
[0272] 68 突条部。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 延长生命期的离子源 | 2020-05-15 | 923 |
| 经涂覆之石墨物件及石墨物件之反应性离子蚀刻制造及整修 | 2020-05-11 | 262 |
| 干式蚀刻方法和磁记录介质的制造方法 | 2020-05-16 | 307 |
| 半导体制造系统中的离子源清洁方法 | 2020-05-17 | 236 |
| 用于蚀刻SIN膜的方法 | 2020-05-13 | 873 |
| 用于蚀刻SIN膜的方法 | 2020-05-13 | 878 |
| 利用双图案化形成半导体器件的精细图案的方法 | 2020-05-14 | 539 |
| 旋转阳极的具有微结构的光轨道 | 2020-05-15 | 560 |
| 反应性离子蚀刻 | 2020-05-11 | 23 |
| 使用氢等离子体进行原子层蚀刻的方法 | 2020-05-14 | 479 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
分析报告
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
反应性离子蚀刻热门专利
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈