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氮化薄膜溅射源装置

阅读:2发布:2023-02-28

专利汇可以提供氮化薄膜溅射源装置专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提供了一种氮化 硅 反应溅射装置,包括硅靶、 铁 轭、极靴、沿硅靶周向均匀布置的 外圈 永磁体 ,及安装板,所述外圈永磁体,铁轭,极靴,安装板气隙及靶表面空间组成静态磁路,还包括相对于硅靶旋转中心旋转的偏心旋转 磁场 阴极 。降低了氮化硅在靶表面的沉积,同时提高了靶材的利用率。配合脉冲直流电源,有效地避免了 阳极 丢失和 电弧 放电现象。,下面是氮化薄膜溅射源装置专利的具体信息内容。

1.一种氮化反应溅射装置,包括硅靶、由轭、极靴、沿硅靶周向均匀布置的外圈永磁体,及安装板,所述外圈永磁体,铁轭,极靴,安装板气隙及靶表面空间组成静态磁路,其特征在于,还包括相对于硅靶旋转中心旋转的偏心旋转磁场阴极
2.根据权利要求1所述的氮化硅反应溅射装置,其特征在于,所述偏心旋转磁场阴极加入到外圈永磁体中,组成完整的旋转磁场。
3.根据权利要求1或2所述的氮化硅反应溅射装置,其特征在于,氮化硅反应溅射装置采用脉冲直流电源,连接所述偏心旋转磁场阴极。
4.根据权利要求3所述的氮化硅反应溅射装置,其特征在于,所述装置的电弧检测电压是80V;脉冲频率是300HZ;反向时间是0.4S;电弧关断时间200us;氮气/氩气流量是18sccm/6sccm;气体放电时间是1.6s。

说明书全文

技术领域

发明涉及一种光盘用氮化薄膜制备装置,尤其涉及一种用于制备光盘薄膜的氮化硅薄膜溅射装置。

背景技术

用于光盘的氮化硅薄膜层一般用溅射方法来获得,常用的有射频溅射和脉冲直流反应溅射法。射频溅射的优势是可以溅射绝缘的氮化硅靶材,但是射频溅射结构复杂,需要配置阻抗匹配电路;氮化硅靶材的制备工艺比较复杂,成分、纯度的控制和高温高压成型技术也比较困难;此外,射频溅射氮化硅时,沉积在盘上的薄膜其化学成分与靶材有很大差别,很难得到符合化学计量成分的氮化硅薄膜。相比之下,脉冲直流反应溅射设备拥有成本上的优势,技术上也更为简单,避免了阻抗匹配的问题。
光盘用氮化硅薄膜反应溅射使用单质硅靶作为溅射材料,这种硅靶在DVD光盘生产上已应用了许多年,靶材制备与机械性能已非常成熟。通入氩气和氮气的混和气体,被氩气轰击出来的硅原子等离子体中的氮原子结合成氮化硅,沉积到盘上。通过调整溅射室内的气体组成和压,薄膜和靶材化学成分不同的问题在反应溅射中可以较好地解决。
氮化硅是绝缘材料,反应溅射绝缘薄膜最突出的问题是靶材中毒,阳极消失和电弧放电。当前,用于溅射膜的电源一般都带有电弧检测和处理功能,仅有这些还不够,虽然不同的介质薄膜对工艺的要求各不相同,但它们在介电性质上的一致性对镀膜设备本身的要求总是类似的,典型地,反应溅射设备中最重要的是溅射源(阴极)的设计。
氮化硅薄膜反应溅射中,当参与反应的氮气粒子浓度过高时,会使硅靶的表面与其反应生成氮化硅化合物。如果靶面被大量化合物所覆盖,则溅射将从溅射“硅靶”转变成溅射“氮化硅靶”。此时溅射产额很低,薄膜生长速率骤降,这种现象称为“靶中毒”。
闭环工艺控制可以有效地控制靶中毒现象,但是,在使用传统的固定磁场阴极的反应溅射中,靶的内外边沿位置会被返溅射沉积的氮化硅层覆盖,后者呈微小的岛状分布。这些绝缘的氮化硅小岛会接收来自离子轰击带来的正电荷,电荷积累到一定程度就会引发电弧放电,破坏等离子体电场的均匀性。

发明内容

本发明的目的是提供一种氮化硅反应溅射装置,可降低氮化硅在靶表面的沉积,同时提高了靶材的利用率。配合脉冲直流电源,有效地避免了阳极丢失和电弧放电现象。
为实现上述目的,本发明的技术方案如下:
一种氮化硅反应溅射装置,包括硅靶、轭、极靴、沿硅靶周向均匀布置的外圈永磁体,及安装板,所述外圈永磁体,铁轭,极靴,安装板气隙及靶表面空间组成静态磁路,还包括相对于硅靶旋转中心旋转的偏心旋转磁场阴极。
进一步,氮化硅反应溅射装置采用脉冲直流电源。
采用本发明的技术方案,很大程度上降低氮化硅的返溅射导致的靶中毒现象,同时提高了靶材的利用率。
采用脉冲直流电源,脉冲直流通过给施加一个反向电压来中和硅靶和MASK上的电荷,消除反应溅射中绝缘区域的电荷积累,有效地避免了阳极丢失和电弧放电现象,很好地满足了光盘用氮化硅薄膜的生产要求。
附图说明
图1为氮化硅反应溅射装置剖面示意图;
图2为硅靶的补偿曲线;
图3为靶材整个寿命期间透射率;
图4为整张光盘反射率曲线。

具体实施方式

下面通过附图和实施例,对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
如图1所示,为氮化硅反应溅射装置剖面示意图。该脉冲直流电源设计结构至少包括硅靶104、铁轭、极靴、永磁体102及其安装板103组成。
外圈永磁体102均匀布置,偏心旋转磁场阴极101相对于硅靶的旋转中心旋转;外圈永磁体,铁轭,极靴,安装板气隙及靶表面空间组成静态磁路,在靶表面的下方形成凸面形状的磁力线分布;偏心旋转磁场加入到静磁场中以调节靶表面空间的磁场分布,完整的旋转磁场阴极的磁路结构由铁轭、极靴、外圈永磁体102、偏心旋转磁场阴极101组成。偏心旋转磁场阴极101加入到外圈永磁体102中,加入直流电源会激发离化靶材与阳极基板间的气体形成等离子体,等离子体辉光区域在靶的内圈和外圈之间来回移动,很大程度上降低氮化硅的返溅射导致的靶中毒现象,同时提高了靶材的利用率。
而且本发明的装置采用脉冲直流电源,脉冲直流通过给施加一个反向电压来中和硅靶和MASK上的电荷,消除反应溅射中绝缘区域的电荷积累,有效地避免了阳极丢失和电弧放电现象,很好地满足了光盘用氮化硅薄膜的生产要求。
如图2所示,为硅靶的补偿曲线。随着刻蚀的进行,同样厚度的溅射膜层需要更高的能量,对硅靶作出补偿。
基于上述技术方案,本发明在旋转磁场阴极镀膜设备上设计了一组实验参数:

工作中,溅射电压稳定在380V左右。如图3所示,为靶材整个寿命期间透射率。在硅靶的整个寿命期间内,基于DVDR白片溅射的实验显示,覆盖有氮化硅薄膜的DVDR盘片相对于原片,透射率超过94%。在DVDR白片上溅射得到的氮化硅薄膜,考虑DVDR白片本身因注塑厚度带来的不均匀性,整张盘反射率曲线结果显示溅射膜层厚度一致性良好。
如图4所示,为整张盘反射率曲线。在DVDR白片上溅射得到的氮化硅薄膜,考虑DVDR白片本身因注塑厚度带来的不均匀性,整张盘反射率曲线结果显示溅射膜层厚度一致性良好。
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