一种氟锡修饰的掺硼金刚石薄膜电极及其制备方法和应用
专利汇可以提供一种氟锡修饰的掺硼金刚石薄膜电极及其制备方法和应用专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种氟 锡 修饰的掺 硼 金刚石 薄膜 电极 及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：首先制备晶体颗粒堆积紧密的BDD电极，然后将苯乙烯、 苯酚 、聚 氧 乙烯醚、SnCl2和NaF混合搅拌均匀，用 水 和 乙醇 溶解后，加入环六亚甲基四胺制备得到的前驱体混浊液，再将前驱体混浊液 旋涂 在BDD电极表面制备F和SnO2涂层，最后在一定的 温度 下 煅烧 得到BDD/SnO2-F电极。本发明所制得的氟锡修饰的BDD薄膜电极表面均匀、致密，具有较高的析氧电位、抗 腐蚀 性能好，电氧化能 力 强；作为 阳极 处理难降解有机 废水 ，降解效果良好。，下面是一种氟锡修饰的掺硼金刚石薄膜电极及其制备方法和应用专利的具体信息内容。
1.一种氟锡修饰的BDD薄膜电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)通过热丝气相沉积法制备BDD电极，备用；
(2)将5质量份苯乙烯、5质量份苯酚、5质量份聚氧乙烯醚、1.8962质量份SnCl2和0.8质量份NaF混合搅拌均匀，再加入9体积份水和20体积份乙醇，待固体溶解后，加入0.9质量份环六亚甲基四胺到溶液中，并充分混合，得到具有白色沉淀的SnO2-F涂层的前驱体混浊液；
(3)将BDD电极表面用王水冲洗形成粗糙面，然后将SnO2-F涂层的前驱体混浊液旋涂到BDD电极表面，烘干，之后自然冷却至室温，并清洗；再将电极在450℃煅烧1h；将旋涂和煅烧的过程重复若干次，得到所述氟锡修饰的BDD薄膜电极。
2.根据权利要求1所述的一种氟锡修饰的BDD薄膜电极的制备方法，其特征在于，步骤(1)的具体步骤为：将预处理好的硅基底，放入3KPa气压热丝气相沉积室之中，向沉积室中按98:2:0.2的体积比例通入氢气、甲烷、硼烷，采用钨丝作为热丝，热丝距离硅基底8mm，热丝温度为850℃；调节控制电压，增大通过热丝的电流，提高热丝温度，使硅基底温度达到
850℃以上，待硅基底温度不再升高为止，开始沉积金刚石膜，沉积8h后降至室温，降温速度为4℃/min，制得BDD电极备用。
3.根据权利要求2所述的一种氟锡修饰的BDD薄膜电极的制备方法，其特征在于，所述预处理包括剪裁、打磨抛光、煮沸、研磨、清洗和干燥，具体步骤如下：将Si片剪裁成15mm×
15mm的小块作为基底，经砂纸抛光后煮沸处理15min；然后将硅基底用0.5μm的金刚石研磨膏研磨10min，再依次用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗5min，最后干燥。
4.根据权利要求1所述的一种氟锡修饰的BDD薄膜电极的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述聚氧乙烯醚的数均分子量Mn＝1622，分子量分布指数D＝1.10。
5.根据权利要求1所述的一种氟锡修饰的BDD薄膜电极的制备方法，其特征在于，步骤(3)中将BDD电极表面用王水冲洗3min。
6.根据权利要求1所述的一种氟锡修饰的BDD薄膜电极的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述旋涂转速为3000r/min；所述烘干是在300℃烘干20min；所述清洗是用无水乙醇和蒸馏水清洗。
7.根据权利要求1所述的一种氟锡修饰的BDD薄膜电极的制备方法，其特征在于，步骤(3)中将旋涂和煅烧的过程重复三次，得到氟锡修饰的BDD薄膜电极。
8.一种氟锡修饰的BDD薄膜电极，其特征在于，其由权利要求1至7任一项所述的一种氟锡修饰的BDD薄膜电极的制备方法制得。
9.权利要求8所述的氟锡修饰的BDD薄膜电极在电催化降解污染物F-53B中的应用。
一种氟锡修饰的掺硼金刚石薄膜电极及其制备方法和应用
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
850℃；调节控制电压，增大通过热丝的电流，提高热丝温度，使硅基底温度达到850℃以上，待硅基底温度不再升高为止，开始沉积金刚石膜，沉积8h后降至室温，降温速度为4℃/min，制得BDD电极备用。
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