一种可控温旋涂制备有机半导体/铁电复合阻变薄膜的方法
专利汇可以提供一种可控温旋涂制备有机半导体/铁电复合阻变薄膜的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种利用可控温 旋涂 技术高效率制备一种具有 阻变 特性的有机 半导体 / 铁 电复合 薄膜 的方法。铁电 聚合物 和 有机半导体 溶于四氢呋喃 溶剂 中并制备成混合溶液，在特定旋涂环境 温度 下，将混合溶液滴涂于干净基片表面，并旋涂成膜。通过对旋涂时 环境温度 的精确调控，可实现低表面粗糙度、高阻变性能的有机半导体/铁电复合薄膜的制备。，下面是一种可控温旋涂制备有机半导体/铁电复合阻变薄膜的方法专利的具体信息内容。
1.一种可控温旋涂制备有机半导体/铁电复合薄膜的方法，其特征在于采用可控温旋涂系统实现，所述可控温旋涂系统包括温控装置和温控仪，所述温控装置为一密封空腔，腔壁四周环绕电阻丝，电阻丝经220V电源通电加热，温控装置内温度由PtlOO温度探头测量，所述PtlOO温度探头由温控仪测控，温控装置内底部放置有旋涂机，所述旋涂机上部设有旋涂台，旋涂台上放置衬底;温控装置顶部开孔，设有滴液口，混合溶液从滴液口滴入温控装置内；具体步骤如下: (1)将铁电聚合物偏二氟乙烯与三氟乙烯的共聚物P(VDF-TrFE)溶于溶剂四氢呋喃中，配制质量浓度为1%—4%的溶液； (2)将有机半导体P3HT材料溶于步骤(I)得到的已溶有P(VDF-TrFE)的四氢呋喃溶液中，配制成混合溶液，其中:有机半导体P3HT材料与P(VDF-TrFE)的质量比为1:100-1:10； (3)将步骤(2)得到的混合溶液涂布于可控温旋涂系统的洁净衬底表面，采用旋涂工艺，经旋涂成膜，待溶剂四氢呋喃完全挥发后，即可获得有机半导体/铁电复合结构薄膜;通过改变环境温度，实现有机半导体/铁电复合薄膜粗糙度的调控，基片温度为50 V，薄膜粗糙度最小。
2.根据权利要求1所述的可控温旋涂制备有机半导体/铁电复合薄膜的方法，其特征在于温控装置内的控温精度为1°C，可控温度范围为室温至150°C。
一种可控温旋涂制备有机半导体/铁电复合阻变薄膜的方法
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