1.一种可植入电解泵，包括：第一可膨胀隔膜和第二柔性隔膜；第一腔和第二腔，每个用于容纳液体，其中，第一可膨胀隔膜分隔第一腔和第二腔并提供二者之间的液体屏障，第二腔形成在第一可膨胀隔膜和第二柔性隔膜之间；第二柔性隔膜上的有孔外壳；用于从第二腔导引液体的插管；以及第一腔内的电解电极，用于使得在其中产生气体并从而膨胀所述可膨胀隔膜，这样迫使液体从第二腔进入插管，由此，体液通过外壳的孔进入，以缓解第二腔上的真空压力。
2.根据权利要求1所述的泵，其中有孔外壳基本是硬质的。
3.根据权利要求1所述的泵，其中有孔外壳包括生物兼容塑料材料或者金属中的至少一种，或主要由生物兼容塑料材料或者金属中的至少一个构成。
4.根据权利要求1所述的泵，还包括外罩。
5.根据权利要求4所述的泵，其中有孔外壳形成外罩的一部分。
6.根据权利要求4所述的泵，其中外罩包括从包括以下材料的组中选择的材料，或者主要由从包括以下材料的组中选择的材料构成：陶瓷、环氧树脂封装、金属、聚醚醚酮(PEEK)、聚丙烯、聚二甲基硅氧烷(PDMS)和聚对二甲苯。
7.根据权利要求6所述的泵，其中金属包括钛、铌或镍钛诺或者主要由钛、铌或镍钛诺构成。
8.根据权利要求4所述的泵，其中外罩至少部分用聚对二甲苯涂敷。
9.根据权利要求1所述的泵，其中有孔外壳的厚度大于0.1mm。
10.根据权利要求1所述的泵，其中有孔外壳包括多个孔，以允许体液从中流过。
11.根据权利要求10所述的泵，其中孔的大小和形状选择为允许体液以足够的速率从中流过以充分抵消施加在第二柔性隔膜上的真空压力。
12.根据权利要求1所述的泵，还包括至少一个填充口。
13.根据权利要求1所述的泵，其中第一可膨胀隔膜和第二柔性隔膜包括聚对二甲苯或复合材料，或者主要由聚对二甲苯或复合材料构成。
14.根据权利要求13所述的泵，其中所述复合材料由铂和聚对二甲苯构成。
15.根据权利要求1所述的泵，还包括设置在第一腔下方并电连接到电极的电路，用于操作电极。
16.根据权利要求15所述的泵，其中电路可调整地控制从第二腔流出的流速。
17.根据权利要求15所述的泵，其中电路包括数据存储设备、数据发送设备或数据接收设备中的至少一个。
18.根据权利要求17所述的泵，其中数据发送设备包括无线遥感电路。
19.根据权利要求17所述的泵，其中电路用导电环氧树脂固定到电极上。
20.根据权利要求19所述的泵，其中导电环氧树脂包括生物兼容材料或者主要由生物兼容材料构成。
21.根据权利要求20所述的泵，其中生物兼容材料包括金或银，或者主要由金或银构成。
22.根据权利要求15所述的泵，其中电路向电解电极提供可调整的电流或电压，以可调整地控制从第二腔流出的流速。
23.根据权利要求1所述的泵，其中电解电极包括位于聚对二甲苯、陶瓷或生物兼容绝缘体上的铂、金或银中的至少一种，或主要由位于聚对二甲苯、陶瓷或其他生物兼容绝缘体上的铂、金或银中的至少一种构成。
24.根据权利要求1所述的泵，其中所述第一可膨胀隔膜包括褶皱。
25.根据权利要求1所述的泵，其中所述第一可膨胀隔膜包括周边皱皮膜叠层。
26.根据权利要求1所述的泵，其中第一腔包括至少一种在启动电解电极时产生气体的液体。
27.根据权利要求26所述的泵，其中气体在停止电解电极时回到液体状态。
28.根据权利要求26所述的泵，其中至少一种液体包括盐水溶液、包括硫酸镁的溶液、包括硫酸钠的溶液或纯水。
29.根据权利要求1所述的泵，其中第一腔包括重组催化剂。
30.根据权利要求29所述的泵，其中重组催化剂包括铂。
31.根据权利要求1所述的泵，还包括第二柔性隔膜和有孔外壳之间的渗透隔膜。
32.根据权利要求31所述的泵，其中在第二柔性隔膜和渗透隔膜之间形成第三腔。
33.根据权利要求32所述的泵，渗透隔膜至少部分固定到有孔外壳上。
34.根据权利要求32所述的泵，还包括第三腔中的至少一种渗透腔液体。
35.根据权利要求34所述的泵，其中至少一种渗透腔液体至少包括一种溶剂和至少一种溶质。
36.根据权利要求34所述的泵，其中至少一种渗透腔液体包括盐水溶液、包括硫酸镁的溶液或者包括硫酸钠的溶液。
37.根据权利要求32所述的泵，还包括和第三腔中液体连通的填充口。
38.根据权利要求32所述的泵，其中渗透隔膜允许周围体液以足够的速率流入第三腔，以充分抵消施加在第二柔性隔膜上的压力。
39.根据权利要求1所述的泵，其中有孔外壳包括渗透隔膜。
40.根据权利要求1所述的泵，还包括止回阀、压力传感器或者流量传感器中的至少一个。
41.根据权利要求40所述的泵，其中止回阀、压力传感器或者流量传感器中的至少一个位于插管内。
42.根据权利要求40所述的泵，其中止回阀在泵休息或者填充时防止从第二腔出现液体泄漏。
43.根据权利要求40所述的泵，其中止回阀防止通过插管到第二腔的回流液体流。
44.根据权利要求1所述的泵，包括多个第一腔。
45.根据权利要求44所述的泵，包括多个第一腔上方的多个第二腔。
46.根据权利要求45所述的泵，其中每个第二腔包括填充口。
47.根据权利要求45所述的泵，还包括和多个第二腔中的每一个液体连通的至少一个插管。
48.根据权利要求44所述的泵，还包括位于多个第一腔中的每一个内的可单独控制的电解电极。
49.根据权利要求1所述的泵，还包括和第二腔液体连通的多个插管。
50.根据权利要求46所述的泵，还包括多个插管,其中每个插管包括止回阀或传感器中的至少一个。
51.一种可植入电解泵，包括：电解腔、药物腔和渗透腔，渗透腔具有和药物腔接触的第一部分以及被暴露以有助于接触周围液体的第二部分；用于导引来自药物腔的液体的插管；以及电解腔内的电解电极，用于使得在电解腔内产生气体，电解腔和药物腔接触，这样，电解腔内的气体电解迫使药物腔内的液体流入插管，药物腔和渗透腔之间的接触允许液体从周围液体进入渗透腔，以抵消药物腔的体积减少，并防止在药物腔上形成真空压力。
52.根据权利要求51所述的泵，还包括渗透腔上方的有孔外壳。
53.根据权利要求52所述的泵，其中渗透腔至少部分固定到有孔外壳上。
54.根据权利要求51所述的泵，其中渗透腔的第二部分包括渗透隔膜。
55.根据权利要求51所述的泵，还包括渗透腔中的至少一种渗透腔液体。
56.根据权利要求55所述的泵，其中至少一种渗透腔液体至少包括一种溶剂和至少一种溶质。
57.根据权利要求55所述的泵，其中至少一种渗透腔液体包括盐水溶液、包括硫酸镁的溶液或者包括硫酸钠的溶液。
58.根据权利要求51所述的泵，还包括和渗透腔液体连通的填充口。
59.根据权利要求51所述的泵，还包括设置在电极腔下方并电连接到电极的电路，用于操作电极。
60.根据权利要求51所述的泵，其中电解腔、药物腔和渗透腔中的至少一个包括聚对二甲苯或者主要由聚对二甲苯构成。
61.一种制造可植入泵的方法，所述方法包括：提供包括穹顶结构的上层，用于容纳药物腔和与药物腔液体连通的插管；提供临近药物腔的中间弯曲层；提供包括电解电极的下层；粘合上层、中间弯曲层和下层以形成泵;以及，形成在上层和中间弯曲层之间的药物腔以及在中间弯曲层和下层之间的电解腔。
62.根据权利要求61所述的方法，其中粘合步骤包括热粘合或者环氧树脂粘合。
63.根据权利要求61所述的方法，还包括提供至少部分包围泵的外罩。
64.根据权利要求61所述的方法，其中外罩包括位于至少一部分上方的有孔外壳。
65.根据权利要求61所述的方法，还包括如下步骤：在热粘合步骤中保持层之间的开口，以为药物腔和电解腔中的至少一个提供填充口；通过开口对药物腔和电解腔中的至少一个进行填充；以及密封入口。
66.根据权利要求65所述的方法，其中开口是热密封的。
67.根据权利要求61所述的方法，还包括提供和药物腔或电解腔中的至少一个液体连通的至少一个填充口。
68.根据权利要求61所述的方法，还包括在热粘合之前在夹具组件上对准上层、中间弯曲层和下层。
69.根据权利要求68所述的方法，其中对准步骤或粘合步骤中的至少一个是至少部分自动化的。
70.根据权利要求61所述的方法，还包括如下步骤：在对准过程并在热粘合发生之前把管子插入至少两个邻接层之间，以为热粘合之后在两个邻接层之间形成的腔提供填充口；通过管子把液体填充到腔中；以及在注入后移去管子并热密封移去管子留下的孔。
71.根据权利要求61所述的方法，其中上层、中间层和下层中的至少一个通过光刻工艺形成。
72.根据权利要求71所述的方法，其中光刻过程包括如下步骤：顺序形成结构材料和光阻材料的层；蚀刻结构材料和光阻材料中的至少一个，以提供所需形状；以及让这些层经受光阻去除剂，从而除去光阻材料并在原位置留下经成型的结构材料。
73.根据权利要求61所述的方法，其中上层、中间层和下层中的至少一个通过模制工艺形成。
74.根据权利要求61所述的方法，其中上层、中间层和下层中的至少一个包括聚对二甲苯或主要由聚对二甲苯构成。
75.根据权利要求61所述的方法，其中根据以下步骤形成上层：在穹顶结构的壁上形成孔；并使用生物兼容粘合剂把插管的近端部分粘合到孔的壁上。
76.根据权利要求75所述的方法，其中通过蚀刻或者插入加热后的金属探头中的至少一种方法来形成孔。
77.根据权利要求61所述的方法，其中通过以下步骤制造穹顶结构：提供具有穹顶形状的模具；把一层材料贴合涂敷在模具上；在材料凝固后，把形成的穹顶结构从模具剥离下来。
78.根据权利要求61所述的方法，其中根据如下步骤制造穹顶结构：提供具有穹顶形状的第一模具元件；提供互补的第二模具元件；在第一模具元件和互补的第二模具元件之间贴合沉积一层材料；加热第一模具元件、互补的第二模具元件和贴合的材料层以退火材料层；并且从经退火的材料层除去第一模具元件和互补的第二模具元件。
79.根据权利要求61所述的方法，其中根据包括如下步骤的步骤制造插管：把第一光阻剂层涂敷在硅衬底上作为牺牲层；在光阻剂层上沉积第一聚对二甲苯层以形成插管的下表面；在第一聚对二甲苯层中形成通孔；在第一聚对二甲苯层上涂敷第二光阻剂层；在第二光阻剂层上沉积第二聚对二甲苯层，第二聚对二甲苯层形成插管的上部和侧面；图案化第一和第二聚对二甲苯层以形成插管形状；以及，除去第一和第二光阻剂层，从而留下形成的插管。
80.根据权利要求79所述的方法，其中图案化步骤包括用光阻剂材料作为蚀刻掩模的反应离子蚀刻。
81.根据权利要求79所述的方法，其中图案化步骤包括使用光阻剂掩模在RIE氧等离子体中图案化第一聚对二甲苯层和第二聚对二甲苯层。
82.根据权利要求79所述的方法，其中至少一个涂敷步骤包括旋涂。
83.根据权利要求61所述的方法，其中根据包括如下步骤的步骤结合插管和穹顶结构：在穹顶结构的边缘部分形成孔；把插管的近端部分插入孔中；以及将插管的近端部分与形成在穹顶结构中的孔壁粘合。
84.根据权利要求61所述的方法，其中根据包括如下步骤的步骤一体地形成穹顶结构和插管：在硅衬底上涂敷第一光阻剂层作为牺牲层；在光阻剂层上沉积包括第一聚对二甲苯薄层的第一聚对二甲苯层，第一聚对二甲苯薄层形成穹顶结构；把第二光阻剂层涂敷在第一聚对二甲苯层上；用光刻在第二光阻剂层中打开粘合区域；在第二光阻剂层上沉积第二聚对二甲苯层，其中第二聚对二甲苯层形成插管的底部并在粘合区域粘合到第一聚对二甲苯层；在第一聚对二甲苯层中形成通孔；在第二聚对二甲苯层上涂敷第三光阻剂层；在第三光阻剂层上沉积第三聚对二甲苯层，第三聚对二甲苯层形成插管的顶部和侧面；图案化第二聚对二甲苯层和第三聚对二甲苯层以形成插管形状；除去第一、第二和第三光阻剂层，从而留下所形成的粘合到平面聚对二甲苯薄层的插管；并且，模制平面聚对二甲苯薄层以形成穹顶结构。
85.根据权利要求84所述的方法，其中图案化步骤包括用光阻剂材料作为蚀刻掩模的反应离子蚀刻。
86.根据权利要求85所述的方法，其中图案化步骤包括使用光阻剂掩模在RIE氧等离子体中图案化第一聚对二甲苯层和第二聚对二甲苯层。
87.根据权利要求86所述的方法，其中至少一个涂敷步骤包括旋涂。
88.根据权利要求61所述的方法，还包括把止回阀、流量传感器、压力传感器或者化学传感器中的至少一个集成在泵中。
89.根据权利要求88所述的方法，其中根据包括如下步骤的步骤将集成有止回阀和流量传感器的上层与插管一体化形成：把第一光阻剂层涂敷在硅衬底上作为牺牲层；在光阻剂层上沉积包括平面聚对二甲苯薄层的第一聚对二甲苯层以形成插管的下表面；图案化在第一聚对二甲苯层上的一层第一材料以形成至少一个止回阀环；在第一聚对二甲苯层上沉积一层第二材料以形成流量传感器；图案化第一聚对二甲苯层以形成插管形状；在第一聚对二甲苯层上涂敷第二光阻剂层；在第二光阻剂层上沉积第二聚对二甲苯层，其中第二聚对二甲苯层形成止回阀隔膜和流量传感器的保护层；图案化止回阀系链；图案化第二光阻剂层以形成止回阀腔和微通道；沉积第三聚对二甲苯层以形成聚对二甲苯通道的上部和侧面；通过蚀刻穿过第一、第二和第三聚对二甲苯层来图案化插管通道；通过经受光阻剂去除剂去除光阻剂层，从而留下形成的具有止回阀和流量传感器的插管；以及，模制平面聚对二甲苯薄层以形成穹顶结构。
90.根据权利要求89所述的方法，其中第一材料和第二材料中的至少一种包括金属或者主要由金属构成。
91.根据权利要求90所述的方法，其中金属选自包括Cr/Au、Ti/Au和Pt的组。
92.根据权利要求61所述的方法，其中中间弯曲层包括褶皱隔膜。
93.根据权利要求92所述的方法，其中根据包括如下步骤的步骤形成褶皱隔膜：把第一光阻剂层涂敷在硅衬底上；使用第一光阻剂层作为掩模蚀刻硅衬底；除去第一光阻剂层，从而留下由硅衬底形成的模具；把聚对二甲苯层涂敷在硅衬底上；以及，在聚对二甲苯层凝固后，把聚对二甲苯层从硅衬底上取下来，从而形成褶皱隔膜。
94.根据权利要求61所述的方法，其中中间弯曲层包括皱皮膜结构。
95.根据权利要求94所述的方法，其中根据包括如下步骤的步骤形成皱皮膜结构：把第一光阻剂层涂敷在硅衬底上作为牺牲层；在第一光阻剂层上沉积第一聚对二甲苯层以形成皱皮膜结构的第一层；在第一聚对二甲苯层上涂敷第二光阻剂层；用光刻在第二光阻剂层上打开粘合区域；在第二光阻剂层上沉积第二聚对二甲苯层以形成皱皮膜结构的第二层，其中第二聚对二甲苯层在粘合区域粘合到第一聚对二甲苯；图案化第一和第二聚对二甲苯层；在第二聚对二甲苯层上涂敷第三光阻剂层；在第三光阻剂层上沉积第三聚对二甲苯层以形成皱皮膜结构的第三层；通过蚀刻穿过第二和第三聚对二甲苯层图案化皱皮膜结构；以及通过经受光阻剂去除剂除去光阻剂层，从而留下聚对二甲苯皱皮膜结构。
96.根据权利要求61所述的方法，其中根据包括如下步骤的步骤形成下层：把第一光阻剂层涂敷在硅衬底上作为牺牲层；在第一光阻剂层上沉积第一聚对二甲苯层以形成下层的第一层；在第一聚对二甲苯层上沉积金属电极层；在金属电极层上沉积第二聚对二甲苯层；蚀刻第二聚对二甲苯层以暴露电极的至少一部分；以及，通过经受光阻剂去除剂除去光阻剂层，从而留下下层。
97.根据权利要求96所述的方法，其中金属电极层用电子束蒸发沉积并用剥离工艺或者蚀刻工艺图案化。
98.根据权利要求96所述的方法，其中蚀刻步骤包括以光阻剂材料作为掩模的RIE氧等离子体蚀刻。
99.根据权利要求96所述的方法，包括退火下层以改善聚对二甲苯层和金属电极层之间的粘附。
100.根据权利要求96所述的方法，其中金属电极层包括铂或者主要由铂构成。
101.根据权利要求61所述的方法，还包括具有填充口的基本硬性的间隔物。