随着对电子装置小型化和具有更高性能的要求，同样要求安装在电子装 置上的半导体器件具有更高性能、更高集成度以及更高的安装密度。
因此，作为一种满足更高密度安装要求的方式，所谓裸芯片安装作为半 导体元件(半导体芯片)的安装形式引人注目。
在这种裸芯片安装中，作为将半导体元件的电极与上面安装该半导体元 件的衬底内的电极布线进行连接的方式，往往使用所谓面向下安装(芯片倒 装)，其中通过在半导体芯片的主表面上设置凸点电极，并将凸点电极连接 到衬底的电极，而将半导体元件安装在衬底上。
当制造包括上述凸点电极的半导体器件时，通过化学镀方法将锌(Zn) 沉淀在例如由铝-硅(Al-Si)制成的电极焊盘上，然后通过化学镀方法以锌 (Zn)作为催化剂形成镍(Ni)层，从而形成凸点基层。
随后，在形成金(Au)层以覆盖镍层之后，利用焊料等作为材料在镍层 上形成凸点电极(例如参阅专利文献1)。
[专利文献1]：日本专利No.3615206
然而，当通过上述传统技术形成凸点电极时，如果利用传统上使用的由 铝-硅(Al-Si)制成的电极焊盘(Si：1wt％)作为电极焊盘，则凸点电极对 电极焊盘的附着力很有可能是不足的，这会导致凸点电极分离。
通常，在测试凸点电极附着强度的所谓剪切试验中，如图10A所示，通 过将剪切工具111与形成于电极焊盘103表面上方的凸点电极105接触来进 行试验，在上述电极焊盘103与凸点电极105之间设置有由镍(Ni)制成的 基层104，电极垫103设置在半导体衬底101上方，在电极焊盘103与半导 体衬底101之间设置有绝缘层102。
即，使用边缘锋利的剪切工具111，并通过在平行于半导体衬底101表 面的方向上相对于凸点电极105移动该剪切工具111且将该剪切工具111与 凸点电极105接触，而将侧向压力施加到凸点电极105上。
顺带说明，在上述图中，数字106表示由氮化硅、聚酰亚胺等制成的钝 化层，而数字106a表示在钝化层106中形成的开口(窗口)。
如果凸点电极105牢固地连接到电极焊盘103，如图10B所示，无论在 任何位置与剪切工具111接触，凸点电极105都不会从电极焊盘103上分离， 并且凸点电极105在其与剪切工具111接触的部分不被分开和除去的情况下 留在原位。
然而，当电极焊盘103与凸点电极105之间的附着力不足时，则如图10C 所示，由于剪切工具111对凸点电极105的压力，电极焊盘103与基层104 之间产生分离，从而凸点电极105连同基层104从电极焊盘103上分离。
正如上述，由铝-硅(Al-Si)制成的电极焊盘103与基层104之间的附 着力低，因此难以设置对电极焊盘103具有高附着力的凸点电极105。
本发明人已发现，电极焊盘103与基层104之间接触没有足够附着力的 原因之一是，当在电极焊盘103上形成基层104时，在上述镀镍处理中作为 催化剂的锌(Zn)的形态。
即，当形成基层104时作为催化剂的锌(Zn)对上述由铝-硅(Al-Si) 制成的电极焊盘103具有低附着力，因此如图11A所示，在电极焊盘103的 表面上产生不存在锌(Zn)107的区域。
锌(Zn)107是通过化学镀方法例如利用含锌镀液的二次浸锌法(double zincate method)沉积的，但是难以使含锌镀液与电极焊盘103的表面均匀接 触，因此在锌(Zn)的沉淀/沉积中出现密度不均匀或单侧分布。
锌(Zn)107的这种单侧沉淀还导致由镍(Ni)制成的基层104的单侧 形成，并且如图11B所示，在电极焊盘103的表面上产生不存在基层104的 区域S。
由于上述不存在基层104的区域的产生，如图11C所示，横跨单侧形成 在电极焊盘103上的基层104和电极焊盘103的表面暴露部分形成凸点电极 105，由此产生凸点电极105与电极焊盘103直接接触的部分。
在这种连接结构中，不仅电极焊盘103与基层104之间的附着力进一步 恶化，而且凸点电极105中包含的焊料成分还会扩散到电极焊盘103内，从 而显著削弱半导体器件的可靠性。

鉴于上述问题提出本发明。本发明的目的是提供一种半导体器件，该半 导体器件是通过在主要由铝(Al)例如铝-硅(Al-Si)形成的电极焊盘上方 设置凸点电极且在凸点电极与电极焊盘之间设置镍(Ni)基层而构造的，在 此半导体器件中，设置有对电极焊盘具有足够附着力的凸点电极；并且还提 供一种能够以高可靠性形成上述结构的制造方法。
本发明的半导体器件包括：半导体衬底；电极焊盘，设置在所述半导体 衬底的一个主表面上方，利用铝作为其主要材料，且在其表面层部分上具有 铜层；凸点基层，设置在所述电极焊盘上；以及凸点，设置在所述电极焊盘 上方，并且所述凸点基层位于所述凸点与所述电极焊盘之间，其中所述铜层 是具有不连续点或岛的形式的层。
本发明的半导体器件包括：半导体衬底；电极焊盘，设置在所述半导体 衬底的一个主表面上，利用铝作为其主要材料，且在其表面层部分中包含铜， 铜的浓度从所述表面层部分起在厚度方向上变低；凸点基层，设置在所述电 极焊盘上；以及凸点，设置在所述电极焊盘上方，并且所述凸点基层位于所 述凸点与所述电极焊盘之间。
本发明的半导体器件的制造方法包括以下步骤：在半导体衬底的一个主 表面上方，形成以铝作为主要材料的电极焊盘；在所述电极焊盘的表面上形 成铜层，其中所述铜层是具有不连续点或岛的形式的层；在上面形成有所述 铜层的所述电极焊盘上沉积锌；以所述锌作为催化剂，在所述电极焊盘上形 成凸点基层；以及在所述凸点基层上形成凸点。
附图说明
图1A至图1F是示意性剖面图，示出根据本发明第一实施例的半导体器 件的制造方法；
图2A至图2F是示意性剖面图，示出根据本发明第一实施例的半导体器 件的制造方法；
图3A至图3C是示意性剖面图，以放大形式示出根据第一实施例的半导 体器件制造方法的特定步骤；
图4A至图4G是示意性剖面图，示出根据本发明第二实施例的半导体 器件的制造方法；
图5A和图5F是示意性剖面图，示出根据本发明第二实施例的半导体器 件的制造方法；
图6A至图6C是示意性剖面图，以放大形式示出根据第二实施例的半导 体器件制造方法的特定步骤；
图7A至图7G是示意性剖面图，逐步示出根据本发明的第三实施例的 半导体器件的制造方法；
图8A至图8F是示意性剖面图，逐步示出根据本发明第三实施例的半导 体器件的制造方法；
图9A至图9C是示意性剖面图，以放大形式示出根据第三实施例的半导 体器件制造方法的特定步骤；
图10A至图10C是示意性剖面图，用于说明传统半导体器件的问题；而
图11A至图11C是示意性剖面图，示出传统半导体器件制造方法的步骤。

-本发明的基本原理-
本发明人研究了以下问题：在由主要成分为铝(Al)的材料制成的电极 焊盘表面上，形成由镍(Ni)制成的基层时，如上所述电极焊盘与基层之间 的附着力低，此外作为催化剂的锌(Zn)的镀敷沉积特性也低。
从而，本发明人发现，这种现象在由含硅(Si)的铝(Al)基合金例如 铝-硅(Al-Si)制成的电极焊盘中特别明显，但却不发生在由含铜(Cu)的 铝(Al)基合金(例如铝-铜-钛(Al-Cu-Ti)、铝-硅-铜(Al-Si-Cu)，等等) 制成的电极焊盘中。
然而，由于上述由铝-硅(Al-Si)制成的材料具有极好的可用性，其作 为电极焊盘的材料富于多功能性，因此经常用作电极焊盘的材料。
因此，本发明人进行了研究，以便即使在由铝-硅(Al-Si)制成电极焊 盘的情况下，作为用于形成镍(Ni)层的催化剂的锌(Zn)也可以均匀地沉 淀在电极焊盘的表面上，并得到了本发明。
在本发明中，当在由不含铜的金属材料例如铝-硅(Al-Si)制成的电极 焊盘表面上沉淀锌(Zn)时，在电极焊盘的表面上预先设置铜(Cu)层，或 使该电极焊盘的表面中包含铜(Cu)，在此状态下，沉积/沉淀锌(Zn)。
利用上述锌(Zn)作为催化剂形成镍(Ni)层，并在该镍层上形成凸点 电极。
此处，通过在使铜(Cu)层的厚度为大约1nm至大约20nm的条件下 沉积铜(Cu)层，以点或岛的形式沉积铜(Cu)，从而形成不连续的覆盖层。
通过在电极焊盘的表面上将铜(Cu)设置为具有不连续点或岛形式的覆 盖层，而在介于不连续的铜(Cu)覆盖层与其周围的电极焊盘的表面暴露部 分之间的边界部分的表面上以高密度沉淀锌(Zn)，并且还在电极焊盘的介 于铜(Cu)覆盖层的各点或岛状部分之间的暴露表面上进一步沉淀锌(Zn)， 不过是以低密度进行沉淀。
因此，在电极焊盘的表面上，形成由分散布置的锌(Zn)制成且包含高 密度部分的催化剂层。
同时，也能在如上所述在电极焊盘的表面上形成薄铜(Cu)层之后，通 过执行热处理将铜(Cu)扩散到电极焊盘的表面中。
在此情况下，在电极焊盘的表面中铜(Cu)扩散为具有不连续点或岛形 式的扩散区，并且铜(Cu)的浓度从电极焊盘的表面起在其厚度方向上变低。
通过在电极焊盘的表面上设置铜扩散区，对应于铜扩散区的存在/形成， 以高密度沉淀锌(Zn)。
因此，在电极焊盘的表面上，形成由分散布置的锌(Zn)制成且包含高 密度部分的催化剂层。
此外，也能在电极焊盘的表面上形成具有大约50nm厚度的铜(Cu)层 之后，通过执行热处理将铜(Cu)扩散到电极焊盘的表面中。
在此情况下，铜(Cu)形成为连续地覆盖电极焊盘表面的膜。
从而，铜(Cu)扩散，同时在电极焊盘的表面处形成连续区域，并且铜 (Cu)的浓度从电极焊盘的表面起在其厚度方向上变低。
通过设置上述铜扩散区，能够在电极焊盘的表面的整个区域上均匀地沉 淀锌(Zn)，这确保了电极焊盘与由镍(Ni)制成的基层之间具有高附着力。
顺带说明，根据这种方法，必须在热处理之后除去在电极焊盘的表面上 余留的铜(Cu)。
-本发明应用的各个优选实施例-
以下将参照附图详细描述本发明的各个实施例。在以下实施例中，半导 体器件的构造将通过其制造方法进行描述。
(第一实施例)
本发明第一实施例中的半导体器件的制造方法在图1A至图1F、图2A 至图2F以及图3A至图3C中示出。
制备半导体衬底，在该半导体衬底的一个主表面上形成多个半导体元 件。该半导体衬底也称为半导体晶片，例如由硅(Si)制成。
对上述半导体衬底应用所谓的晶片工艺，并且在它的一个主表面上形成 均具有有源元件(例如MOS晶体管)、无源元件(例如电容器元件)以及 布线层的多个半导体元件，例如逻辑电路元件或半导体存储器元件。
在半导体衬底的每个半导体元件区中，在半导体衬底的表面上方设置用 于外部连接的电极焊盘，并且在半导体衬底与电极焊盘之间设置绝缘层或多 层布线层。
在后面将要描述的凸点电极形成之后，通过切割将半导体衬底分成独立 的半导体元件。
顺带说明，在本实施例中，略去了对半导体元件中有源元件、无源元件 以及布线层的构造的文字描述和图形表示。
图1A示出电极焊盘被设置于半导体衬底上的状态。
即，在覆盖半导体衬底11的主表面的绝缘层(或多层布线层上的绝缘 层)12上选择性地设置电极焊盘13，并设置由氮化硅(SiN)层、聚酰亚胺 层等制成的钝化层14以选择性地覆盖绝缘层12和电极焊盘13。
顺带说明，数字14a表示在电极焊盘13上和钝化层14中形成的开口(窗 口)。
上述结构是通过以下步骤获得的：通过气相生长法或类似方法，在半导 体衬底11的一个主表面上形成由氧化硅(SiO)等制成的绝缘层(或多层布 线层上的绝缘层)12，其中在半导体衬底的这个主表面上形成有源元件(例 如MOS晶体管)、无源元件(例如电容器元件)以及布线层；然后，通过 溅射法或类似方法，在绝缘层12上形成含硅(Si)的铝(Al)合金层，其厚 度大约为1μm。
然后，将上述含硅(Si)的铝(Al)合金层图案化，从而与布线(图中 未示)一起形成多个电极焊盘13。
随后，沉积由氮化硅(SiN)制成的钝化层14，其厚度大约为1μm，以 覆盖电极焊盘13。
作为钝化层14的一种生长方法，可利用常规的气相生长法。
作为钝化层14的材料，也可利用聚酰亚胺等。
然后，利用光学-蚀刻工艺，将钝化层14图案化，从而形成暴露出电极 焊盘13的表面的开口14a。
随后，在电极焊盘13的暴露表面和钝化层14(见图1B)上沉积/形成 铜(Cu)层15。
即，利用溅射法、气相沉积法、或类似方法，在钝化层14上以及在其 开口14a中暴露出的电极焊盘13上，沉积厚度为大约1nm至大约20nm的 铜(Cu)，从而形成铜(Cu)层15。
此时，如图3A所示，以不连续点或岛的形式沉积铜(Cu)层15(图3A 以放大形式示出图1B中所示的电极焊盘13部分)。
顺带说明，除了图1B之外，在图1C至图1F以及图2A至图2F中，铜 (Cu)层15也被示为具有均匀分布，但是铜(Cu)层15是以不连续点或岛 的形式形成的，如图3A至图3C所示。
在本实施例中，在图1B中和图1B之后，未示出半导体衬底11部分。
然后，在电极焊盘13的表面上沉积锌(Zn)，从而形成锌(Zn)层16 (见图1C)。
锌(Zn)层16是通过利用含锌(Zn)镀液的二次浸锌法，将半导体衬 底11浸入化学镀液来形成的。
此时，锌(Zn)层16沉积/形成于电极焊盘13的暴露于钝化层14的开 口14a中的表面(其上具有铜(Cu)层15)上。
锌(Zn)层16在后面描述的镍(Ni)的化学镀中用作催化剂。
在上述锌(Zn)的化学镀处理中，构成铜(Cu)层15的铜(Cu)与铝 (Al)和锌(Zn)相比，具有较小的离子化趋势，因此保留在电极焊盘13 的表面上，而不被离子化。
铜(Cu)层15以不连续点或岛的形式存在于电极焊盘13的表面上，如 上所述。
因此，如图3B所示，沉积的锌(Zn)沉淀在电极焊盘13的位于不存在 铜(Cu)层15的区域中的表面上(图3B以放大形式示出图1C所示的电极 焊盘13部分)。
正如上述，在本实施例中，铜(Cu)层15以不连续点或岛的形式存在 于电极焊盘13的表面上，因此锌(Zn)层16以分散状态形成于电极焊盘13 的表面上。
即，在电极焊盘13的表面上，将铜(Cu)设置为具有不连续点或岛形 式的覆盖层15，在介于铜(Cu)层15与其周围的电极焊盘13表面之间的 边界部分上以高密度沉淀锌(Zn)，并且还在电极焊盘13的介于铜(Cu) 层15的各点或岛状部分之间的暴露表面上进一步沉淀锌(Zn)，不过是以 低密度进行沉淀的。
因此，由分散布置的锌(Zn)层16制成的催化剂层被设置在电极焊盘 13的表面上。
然后，利用锌(Zn)层16作为催化剂，通过化学镀方法在电极焊盘13 上形成镍(Ni)层17(见图1D)。
利用含上述镍(Ni)且含磷(P)和硼(B)的化学镀液，将半导体衬底 11浸入镀液中，来执行镀镍(Ni)处理。
在此化学镀处理中，锌(Zn)层16用作催化剂，而镍(Ni)沉淀在电 极焊盘13的暴露于钝化层14的开口14a中的表面上，从而形成镍(Ni)层 17。
即，镍(Ni)置换了作为催化剂的锌(Zn)并沉淀，从而形成镍(Ni) 层17。
此时，镍(Ni)是在置换了沉积在暴露于铜(Cu)层15(其以点或岛 的形式沉积)的间隙中的电极焊盘部分上的锌(Zn)之后沉淀的，但是镍(Ni) 不沉淀在不存在锌(Zn)层16的铜(Cu)层15上。
然后，随着镍(Ni)层17的生长，电极焊盘13表面上的铜(Cu)层 15被镍(Ni)层17覆盖。
从而，将镍(Ni)层17设置在电极焊盘13的暴露于钝化层14的开口 14a中的表面上，并且在镍(Ni)层17与电极焊盘13之间设置以不连续点 或岛的形式沉积的铜(Cu)层15。
根据上述构造，由于铜(Cu)层15的存在，镍(Ni)层17设置为对电 极焊盘13的表面具有高附着力。
镍(Ni)层17构成基层，其作为针对凸点电极的焊料成分的阻挡金属， 并且作为其厚度，可选择与能够防止焊料成分扩散到电极焊盘13中的厚度 相比相等或更大的厚度，例如3μm至10μm的厚度。
顺带说明，在此示出了在形成镍(Ni)层17的情况下，锌(Zn)层16 从电极焊盘13的顶部消失，但是锌(Zn)层16可保留在电极焊盘13上， 其虽然显著变薄但不消失。
然后，除去铜(Cu)层15的多余部分。
即，通过湿式蚀刻法除去钝化层14上在镍(Ni)层17周围余留的铜(Cu) 层15(见图1E)。
上述湿式蚀刻通过将半导体衬底11浸入蚀刻溶液中来执行，该蚀刻溶 液例如含有过氧化氢溶液作为主要成分。
从而，如图3C所示，得到这样一种构造：其中经由铜(Cu)覆盖层15 设置镍(Ni)层17，铜(Cu)覆盖层15形成于电极焊盘13的暴露于开口 14a中的表面上(图3C以放大形式示出了图1E中所示的电极焊盘13部分)。
然后，形成金(Au)层18以覆盖镍(Ni)层17(见图1F)。
为了防止镍(Ni)层17的表面氧化和提高在后续步骤中形成的凸点电 极的焊料润湿性(solder wettability)，设置金(Au)层18，且金(Au)层 18的厚度为能够满足焊料润湿性的厚度，例如大约30nm至70nm的厚度。
通过利用含金(Au)镀液的置换化学镀方法，将半导体衬底11浸入镀 液中形成金(Au)层18。
从而，金(Au)沉淀在镍(Ni)层17的表面上，以覆盖镍(Ni)层17 的表面，从而形成金(Au)层18。
然后，在半导体衬底上方形成厚度大约为30μm的光致抗蚀剂层19，以 覆盖为金层18等覆盖的镍(Ni)层17(见图2A)。
随后，利用光学工艺来制作光致抗蚀剂层19，从而形成抗蚀掩模层20 (见图2B)。
即，在表面上形成具有开口20a的抗蚀掩模层20，从开口20a中暴露出 为金(Au)层18覆盖的镍(Ni)层17及其周围部分。
然后，将焊膏21填入抗蚀掩模层20的开口20a中(见图2C)。
当填充焊膏21时，希望焊膏不留在抗蚀掩模层20的上表面上。
因此，利用刮板(squeegee)(图中未示)，不仅将焊膏填入开口20a 中，而且将施加到抗蚀掩模层20上的焊膏刮去。
为了可靠地将预定量的焊膏21填入开口20a中，简言之，这样的挤压 (squeezing)要执行多次。
作为焊膏21，可使用通过将焊料粉添加到由松香、溶剂、活化剂等制成 的焊剂成分中，或将焊料粉与焊剂成分混合而得到的焊膏。
作为构成焊料粉的材料，可使用多种金属的合金，上述金属选自锡(Sn)、 铅(Pb)、铜(Cu)、银(Ag)、铟(In)、锌(Zn)、铋(Bi)、锑(Sb)、 金(Au)、等等。
然后，对焊膏21进行回流。
此处，执行回流是为了使焊膏21附着到镍(Ni)层17上或与镍(Ni) 层17结合。这次回流是在氮气气氛中，在等于或高于焊料熔点的预定温度 下执行的。
顺带说明，如果在后处理中再次执行回流，不一定需要进行加热来获得 预定的凸点电极形状和表面状态。
作为上述回流的结果，焊膏21变成近似球形体21a，并且构成金(Au) 层18的金扩散到焊膏21a内(见图2D)。
然后，除去抗蚀掩模层20(见图2E)。
根据构成抗蚀掩模层20的抗蚀材料的种类，适当地选择为除去抗蚀掩 模层20所需的溶剂和去除条件。
随后，对焊膏21再次进行回流(见图2F)。
这次回流也是在氮气气氛中，在等于或高于焊料熔点的温度下执行的。 如上所述，近似球形的焊膏21a通过再次融化而被调整为具有所需的凸 点形状和平滑的表面状态，并牢固地附着到镍(Ni)层17上且与之结合， 从而形成凸点电极22。
作为以上步骤的结果，形成了半导体器件，其中通过在暴露于开口14a 中的电极焊盘13上设置镍(Ni)层17，并且在电极焊盘13与镍层17之间 设置铜(Cu)层15)，然后在镍(Ni)层17上设置凸点电极22来构造该 半导体器件。
在本实施例中，在电极焊盘13的暴露于钝化层14的开口14a中的表面 上沉积锌(Zn)层16，在锌(Zn)层16与电极焊盘13之间设置以不连续 点或岛的形式沉积的铜(Cu)层，并且利用锌(Zn)层16作为催化剂进一 步设置镍(Ni)层17。
根据上述构造，在处于选择性地设置有铜(Cu)层15状态下的电极焊 盘13表面上，沉淀/形成锌(Zn)层16，设置置换锌(Zn)层16并具有近 似均匀厚度的镍(Ni)层17，并在此镍(Ni)层17上形成凸点电极22。
正如上述，凸点电极22设置在电极焊盘13上方，并且在凸点电极22 与电极焊盘13之间形成具有近似均匀厚度的镍(Ni)层17，镍(Ni)层17 可靠地防止构成凸点电极22的焊料成分扩散到电极焊盘13内。
而且，由于存在以不连续点或岛的形式沉积的铜(Cu)层15，因此镍 (Ni)层17对电极焊盘13的附着力显著提高。从而，凸点电极22形成为 对电极焊盘13具有强附着力，并确保了高可靠性。
如上所述，根据本实施例，当利用由铝-硅(Al-Si)等制成的电极焊盘 在其上设置凸点电极时，在电极焊盘上设置以不连续点或岛的形式沉积的铜 (Cu)层，这样就能确保凸点电极的足够附着力并获得与电极焊盘稳定连接 的凸点电极，从而能够实现高度可靠的半导体器件。
(第二实施例)
以下将描述本发明的第二实施例。
类似于上述第一实施例，本实施例揭示一种半导体器件及其制造方法， 该半导体器件是通过经镍(Ni)层连接电极焊盘和凸点电极而构造的，但与 上述第一实施例的不同之处在于增加了铜(Cu)热扩散步骤。
第二实施例中的半导体器件的制造方法在图4A至图4G、图5A至图5F 以及图6A至图6C中示出。
顺带说明，将用相同的数字和符号来表示与上述第一实施例中的部件对 应的部件，而且省略对相同步骤的详细描述。
首先，在图4A和图4B所示的步骤中，执行与上述第一实施例中图1A 和图1B所示相同的步骤。
顺带说明，在本实施例中，图4B中及在图4B之后，省略半导体衬底 11的图形表示。
在以上步骤中，在电极焊盘13的暴露于钝化层14的开口14a中的表面 上，以不连续点或岛的形式形成有薄铜(Cu)层15的状态下，对半导体衬 底11进行热处理(见图4C)。
上述热处理是在以下条件下执行：例如，在真空环境中，温度为300℃， 时间为3分钟。
作为上述热处理的结果，如图6A所示，构成铜(Cu)层15的铜(Cu) 热扩散到电极焊盘13的表面层部分内，并且在电极焊盘13中形成铜(Cu) 扩散区15a，其具有这样的浓度成分：从电极焊盘13的表面起，随着深度变 深，浓度变低(图6A以放大形式示出图4C中所示的电极焊盘13部分)。
铜(Cu)扩散区15a是在分散状态下，以如上所述不连续点或岛的形式 形成在电极焊盘13的表面部分中。
而且，铜(Cu)扩散区15a具有这样的浓度分布：从电极焊盘13的表 面起，在电极焊盘13的厚度方向上浓度逐渐降低。
顺带说明，除了图4C之外，在图4D至图4G和图5A至图5G中，铜 (Cu)扩散区15a也被示为一个具有均匀深度的区域，但是铜(Cu)扩散区 15a对应于薄铜(Cu)层15的沉积状态，并且如图6A至图6C所示，铜(Cu) 扩散区15a以岛的形式形成为孤立的或连续的，并具有在深度方向上变化的 浓度。
然后，在电极焊盘13的表面上沉淀锌(Zn)，从而形成锌(Zn)层16 (见图4D)。
如上所述，通过使用含锌(Zn)镀液的二次浸锌法，将半导体衬底11 浸入化学镀液中，在电极焊盘13的暴露于钝化层14的开口14a中的表面上 沉积/形成锌(Zn)层16，在电极焊盘13的表面处具有铜(Cu)扩散区15a。
锌(Zn)层16在下文描述的镍(Ni)化学镀中用作催化剂。
在本实施例中，铜(Cu)扩散区15a形成于电极焊盘13的表面层中， 而不存在单独的铜(Cu)层。
因此，在电极焊盘13的暴露于开14a中的表面上，锌(Zn)以高密 度沉淀在铜(Cu)扩散区15a上；并且在铜扩散区15a的各点或岛状部分之 间，形成锌(Zn)层16，不过是以低密度进行沉淀(图6B以放大形式示出 图4D中所示的电极焊盘13部分)。
然后，利用锌(Zn)层16作为催化剂，通过化学镀方法，在电极焊盘 13上形成镍(Ni)层17(见图4E)。
利用含上述镍(Ni)且含磷(P)和硼(B)的化学镀液，将半导体衬底 11浸入镀液中，来执行镀镍(Ni)处理。
在此化学镀处理中，锌(Zn)层16用作催化剂，而镍(Ni)沉淀在电 极焊盘13的暴露于钝化层14的开14a中的表面上，从而形成镍(Ni)层 17。
即，镍(Ni)置换了作为催化剂的锌(Zn)并沉淀，从而形成镍(Ni) 层17。
从而，如图6C所示，在电极焊盘13的暴露于开14a中的表面上，形 成镍(Ni)层17(图6C以放大形式示出图4E中所示的电极焊盘13部分)。
在本实施例中，在没有铜(Cu)单独存在于电极焊盘13表面上的情况 下，在电极焊盘13上沉积足够量的锌(Zn)，因此置换了锌(Zn)并沉积 到电极焊盘13上的镍(Ni)层17的附着力足够高。
镍(Ni)层17构成基层，其作为针对下文描述的凸点电极22的焊料成 分的阻挡金属，并且其厚度为与能够防止焊料成分扩散到电极焊盘13中的 厚度相比相等或更大的厚度，例如3μm至10μm的厚度。
顺带说明，同样在此示出了在形成镍(Ni)层17的情况下，锌(Zn) 层16从电极焊盘13的顶部消失，但是锌(Zn)层16可保留在电极焊盘13 上，其虽然显著变薄但不消失。
然后，如图4F和图4G以及图5A至图5F所示，按顺序执行在上述第 一实施例中图1E和图1F以及图2A至图2F所示相同的步骤，并且通过在 电极焊盘13的暴露于开口14a中的表面层内形成铜(Cu)扩散区15a的状 态下在电极焊盘13上设置镍(Ni)层17，然后在镍(Ni)层17上设置凸点 电极22，形成半导体器件。
在本实施例中，在电极焊盘13的暴露于开口14a中的表面层部分内， 以不连续点或岛的形式形成铜(Cu)扩散15a之后，在电极焊盘13上沉 积锌(Zn)层，并以该锌(Zn)层作为催化剂来形成镍(Ni)层17。
根据上述构造，在电极焊盘13的表面部分上，对应薄铜(Cu)层15的 扩散状态沉淀锌(Zn)，从而形成锌(Zn)层16。然后，以该锌(Zn)层 16作为催化剂在电极焊盘13的表面上形成镍(Ni)层17。
从而，在电极焊盘13的表面上方设置凸点电极22，并且在凸点电极22 与电极焊盘13之间设置具有均匀厚度的镍(Ni)层17，这将可靠地防止构 成凸点电极22的焊料成分扩散到电极焊盘13中。
此外，由于存在以不连续点或岛的形式沉积的铜(Cu)扩散区15a，因 此镍(Ni)层17对电极焊盘13的附着力显著提高。从而，凸点电极22形 成为对电极焊盘13具有强附着力，并确保了高可靠性。
如上所述，根据本实施例，当利用由铝-硅(Al-Si)等制成的电极焊盘 在其上设置凸点电极时，在电极焊盘的表面层部分中设置以不连续点或岛的 形式形成的铜(Cu)扩散区，这样就能确保凸点电极的足够附着力并获得与 电极焊盘稳定连接的凸点电极，从而能够实现高度可靠的半导体器件。
(第三实施例)
以下将描述本发明的第三实施例。
类似于上述实施例，本实施例揭示一种半导体器件及其制造方法，该半 导体器件是通过经镍(Ni)层连接电极焊盘和凸点电极而构造的，但与上述 实施例的不同之处在于，铜(Cu)膜的形成状态和铜的扩散方式。
第三实施例中的半导体器件的制造方法在图7A至图7G、图8A至图8F 以及图9A至图9C中示出。
顺带说明，将用相同的数字和符号来表示与上述第一实施例和第二实施 例中的部件对应的部件，而且省略对相同步骤的详细描述。
首先，如图7A所示，执行与上述第一实施例中图1A所示相同的步骤。
然后，在电极焊盘13的表面上形成铜(Cu)层25(见图7B)。
即，通过溅射法或气相沉积法，在整个表面上，包括电极焊盘13的暴 露于钝化层14的开口14a中的表面上沉积铜(Cu)，从而形成铜(Cu)层 25。
此时，铜(Cu)层25的厚度大约为50nm，厚于第二实施例中铜(Cu) 层15的厚度。
顺带说明，在本实施例中，在图7B中和在图7B之后，将省略对半导体 衬底11的图形表示。
然后，在电极焊盘13的暴露于钝化层14的开口14a中的表面上形成有 铜(Cu)层25的状态下，对半导体衬底11进行热处理(见图7C)。
上述热处理是在以下条件下执行的：在真空环境中，温度为300℃，时 间为3分钟。
作为上述热处理的结果，如图9A所示，铜(Cu)层25的铜(Cu)热 扩散到电极焊盘13的表面层内，从而形成铜(Cu)扩散区25a，铜(Cu) 扩散区25a具有这样的浓度成分：在电极焊盘13中从其表面起，随着深度 变深，浓度变低(图9A以放大形式示出图7C中所示的电极焊盘13部分)。
此处，铜(Cu)扩散区25a是以均匀厚度连续形成的，因此与上述第二 实施例中的铜(Cu)扩散区15a相比，铜(Cu)扩散区25a形成为在电极焊 盘13的表面层部分的平面处具有更均匀的浓度分布，并具有这样的浓度梯 度：在电极焊盘13的厚度方向上，从表面起随着深度变深，浓度变低。
然后，除去铜(Cu)层25(见图7D)。
即，通过湿式蚀刻法，除去余留在电极焊盘13的暴露于开口14a中的 表面上的部分，亦即经上述热处理未扩散到电极焊盘13中的未反应铜(Cu)， 以及位于开口14a周围的钝化层14上的铜(Cu)。
上述湿式蚀刻通过将半导体衬底11浸入蚀刻溶液来执行，该蚀刻溶液 例如含有过氧化氢溶液作为主要成分。
从而，铜(Cu)层25未余留在电极焊盘13的表面上，而且电极焊盘 13的表面层部分转变成含有扩散铜(Cu)的铝-硅(Al-Si)合金状态。
然后，在电极焊盘13的表面上沉淀锌(Zn)，从而形成锌(Zn)层16 (见图7E)。
如上所述，通过使用含锌(Zn)镀液的二次浸锌法，将半导体衬底11 浸入化学镀液中，在电极焊盘13的暴露于钝化层14的开口14a中的表面上 沉积/形成锌(Zn)层16，在电极焊盘13的表面层部分处具有铜(Cu)扩散 区25a。
锌(Zn)层16在下文描述的镍(Ni)化学镀中用作催化剂。
此处，电极焊盘13的表面转变成如上所述含铜(Cu)的铝-硅(Al-Si) 合金状态。
因此，如图9B所示，锌(Zn)以近似均匀分布的状态，沉积/形成于电 极焊盘13的暴露表面的整个区域上方(图9B以放大形式示出图7E中所示 的电极焊盘13部分)。
然后，通过化学镀方法，利用锌(Zn)层16作为催化剂，在电极焊盘 13上形成镍(Ni)层17(见图7F)。
利用含镍(Ni)且含磷(P)和硼(B)的化学镀液，将半导体衬底11 浸入镀液中，来执行镀镍(Ni)处理。
在此化学镀处理中，锌(Zn)层16用作催化剂，而镍(Ni)沉淀在电 极焊盘13的暴露于钝化层14的开口14a中的表面上，从而形成镍(Ni)层 17。
即，镍(Ni)置换了作为催化剂的锌(Zn)并且沉淀，从而形成镍(Ni) 层17。
从而，如图9C所示，在电极焊盘13的暴露于开口14a中的表面上，形 成镍(Ni)层17(图9C以放大形式示出图7F中所示的电极焊盘13部分)。
在上文描述的本实施例中，由于铜(Cu)扩散区25a(其形成在电极焊 盘13的暴露表面的整个区域中)的表面处的平面均匀性，镍(Ni)层17对 电极焊盘13的附着力显著提高。
镍(Ni)层17作为针对凸点电极(在下文中描述)的焊料成分的阻挡 金属，并且其厚度为与能够防止焊料成分扩散到电极焊盘13中的厚度相比 相等或更大的厚度，例如3μm至10μm的厚度。
顺带说明，同样在此示出了在形成镍(Ni)层17的情况下，锌(Zn) 层16从电极焊盘13的顶部消失，但是锌(Zn)层16可保留在电极焊盘13 上，其虽然显著变薄但不消失。
然后，如图7G和图8A至图8F所示，按顺序执行与上述第一实施例中 图1F和图2A至图2F所示相同的步骤，并且通过在电极焊盘13的暴露于开 口14a中的表面层内形成铜(Cu)扩散区25a的状态下在电极焊盘13的表 面上形成镍(Ni)层17，然后在镍(Ni)层17上设置凸点电极22，形成半 导体器件。
在本实施例中，在电极焊盘13的暴露于开口14a中的表面层的几乎整 个区域中形成铜(Cu)扩散区25a的状态下，在电极焊盘13的表面上形成 镍(Ni)层17。
通过上述构造，在电极焊盘13的表面上形成以近似均匀分布沉淀的锌 (Zn)层16。然后，以上述锌(Zn)层16作为催化剂，在电极焊盘13的 表面上以均匀厚度形成镍(Ni)层17。
从而，可靠地防止了构成凸点电极22的焊料成分扩散到电极焊盘13内， 其中凸点电极22设置在电极焊盘13的表面上方，并且在凸点电极22与电 极焊盘13之间设置镍(Ni)层17。
此外，由于在电极焊盘13中存在铜(Cu)扩散区25a，因此镍(Ni)层 17对电极焊盘13的附着力显著提高。从而，在更稳定的状态下将凸点电极 22设置为对电极焊盘13具有高附着力，并确保了高可靠性。
如上所述，根据本实施例，当利用由铝-硅(Al-Si)等制成的电极焊盘 在其上设置凸点电极时，在电极焊盘的表面层部分的几乎整个区域中设置铜 (Cu)扩散区，这样就能确保凸点电极的足够附着力并获得与电极焊盘稳定 连接的凸点电极，从而能够实现高度可靠的半导体器件。
根据本发明，通过一种结构并通过上述凸点电极的形成步骤，能够实现 高度可靠的半导体器件，所述结构为：当在不含铜(Cu)的电极焊盘，例如 由铝-硅(Al-Si)制成的电极焊盘上方设置凸点电极并且在电极焊盘与凸点 电极之间设置由镍(Ni)制成的基层时，在电极焊盘与凸点电极之间设置有 基层的情况下将凸点电极设置为对电极焊盘具有高附着力。
在任何方面所述实施例均应被视为说明性而非限定性的，因此落在权利 要求等效方案的含义和范围内的所有改动均涵盖在本发明内。在不偏离本发 明的精神或本质特征的情况下，本发明可以其它特定形式来实施。
相关申请的交叉引用
本申请基于2006年7月14日申请的在先日本专利申请No.2006-194852 并要求享有该专利申请的优先权，在此结合引用该专利申请的全部内容。