1.包括振动阻尼材料的用于排屑应用的器具，其中所述振动阻尼材料为包含通过纳米尺寸的簇形式排列的CNx的陶瓷材料。
2.根据权利要求1的器具，其中所述器具是能移动的或者不能移动的。
3.根据权利要求1的器具，其中所述陶瓷材料作为在所述器具表面上的层存在，其中所述层为1μm～1cm。
4.根据权利要求2的器具，其中所述陶瓷材料作为在所述器具表面上的层存在，其中所述层为1μm～1cm。
5.根据权利要求3的器具，其中所述层为1μm～1000μm。
6.根据权利要求4的器具，其中所述层为1μm～1000μm。
7.根据权利要求5的器具，其中所述层为50～500μm。
8.根据权利要求6的器具，其中所述层为50～500μm。
9.根据权利要求1的器具，其中所述陶瓷材料的所述纳米尺寸的簇具有0.5～100nm的尺寸。
10.根据权利要求2的器具，其中所述陶瓷材料的所述纳米尺寸的簇具有0.5～100nm的尺寸。
11.根据权利要求3的器具，其中所述陶瓷材料的所述纳米尺寸的簇具有0.5～100nm的尺寸。
12.根据权利要求4的器具，其中所述陶瓷材料的所述纳米尺寸的簇具有0.5～100nm的尺寸。
13.根据权利要求5的器具，其中所述陶瓷材料的所述纳米尺寸的簇具有0.5～100nm的尺寸。
14.根据权利要求6的器具，其中所述陶瓷材料的所述纳米尺寸的簇具有0.5～100nm的尺寸。
15.根据权利要求7的器具，其中所述陶瓷材料的所述纳米尺寸的簇具有0.5～100nm的尺寸。
16.根据权利要求8的器具，其中所述陶瓷材料的所述纳米尺寸的簇具有0.5～100nm的尺寸。
17.根据权利要求1的器具，其中所施加的阻尼材料为通过由粘弹性层和氮化碳层组成的双层结构排列而成的复合材料。
18.根据权利要求17的器具，其中所述氮化碳层为抑制层。
19.根据权利要求1的器具，其中振动阻尼层的厚度的均匀度为0.1～10％。
20.根据权利要求2的器具，其中振动阻尼层的厚度的均匀度为0.1～10％。
21.根据权利要求3的器具，其中振动阻尼层的厚度的均匀度为0.1～10％。
22.根据权利要求4的器具，其中振动阻尼层的厚度的均匀度为0.1～10％。
23.根据权利要求5的器具，其中振动阻尼层的厚度的均匀度为0.1～10％。
24.根据权利要求6的器具，其中振动阻尼层的厚度的均匀度为0.1～10％。
25.根据权利要求7的器具，其中振动阻尼层的厚度的均匀度为0.1～10％。
26.根据权利要求8的器具，其中振动阻尼层的厚度的均匀度为0.1～10％。
27.根据权利要求9的器具，其中振动阻尼层的厚度的均匀度为0.1～10％。
28.根据权利要求10的器具，其中振动阻尼层的厚度的均匀度为0.1～10％。
29.根据权利要求11的器具，其中振动阻尼层的厚度的均匀度为0.1～10％。
30.根据权利要求12的器具，其中振动阻尼层的厚度的均匀度为0.1～10％。
31.根据权利要求13的器具，其中振动阻尼层的厚度的均匀度为0.1～10％。
32.根据权利要求14的器具，其中振动阻尼层的厚度的均匀度为0.1～10％。
33.根据权利要求15的器具，其中振动阻尼层的厚度的均匀度为0.1～10％。
34.根据权利要求16的器具，其中振动阻尼层的厚度的均匀度为0.1～10％。
35.根据权利要求17的器具，其中振动阻尼层的厚度的均匀度为0.1～10％。
36.根据权利要求18的器具，其中振动阻尼层的厚度的均匀度为0.1～10％。
37.根据权利要求1的器具，其中所述纳米尺寸的簇形式的振动阻尼层所具有的在超晶格中的亚层数目为10～10000个。
38.根据权利要求37的器具，其中所述纳米尺寸的簇形式的振动阻尼层所具有的在超晶格中的亚层数目为100～1000个。
39.根据权利要求1～38中任一项的器具，其中所述器具为切削刀片、钻、旋转锉、铰刀或安装装置。
40.根据权利要求39的器具，其中所述安装装置为刀夹或夹头。
41.根据权利要求1～38中任一项的器具，其中所述器具为刀夹(1)，刀夹(1)包括：
打算布置在制造用机械中或制造用机械的工具夹中的轴(2)；
打算将刀具布置在其上的头(3)；和
振动阻尼材料(4)，其布置成使得所述刀具仅经由所述振动阻尼材料(4)与所述制造用机械接触。
42.根据权利要求41的器具，其特征在于所述材料作为薄层存在于所述刀夹的表面上。
43.根据权利要求42的器具，其中所述薄层仅主要存在于将要与切削刃/刀片接触的表面上和/或存在于将要与夹持所述刀夹的所述制造用机械接触的表面上。
44.根据权利要求43的器具，其中所述薄层仅主要存在于将要与夹持所述刀夹的制造用机械的工具夹接触的表面上。
45.根据权利要求41的器具，其特征在于所述轴(2)设置有空穴。
46.根据权利要求45的器具，其特征在于所述空穴为钻出的圆柱体。
47.根据权利要求41的器具，其特征在于所述轴(2)的表面(5)的至少那些打算与所述制造用机械或者与夹持所述刀夹的制造用机械的工具夹接触的部分设置有所述振动阻尼材料。
48.根据权利要求42的器具，其特征在于所述轴(2)的表面(5)的至少那些打算与所述制造用机械或者与夹持所述刀夹的制造用机械的工具夹接触的部分设置有所述振动阻尼材料。
49.根据权利要求43的器具，其特征在于所述轴(2)的表面(5)的至少那些打算与所述制造用机械或者与夹持所述刀夹的制造用机械的工具夹接触的部分设置有所述振动阻尼材料。
50.根据权利要求44的器具，其特征在于所述轴(2)的表面(5)的至少那些打算与所述制造用机械或者与夹持所述刀夹的制造用机械的工具夹接触的部分设置有所述振动阻尼材料。
51.根据权利要求45的器具，其特征在于所述轴(2)的表面(5)的至少那些打算与所述制造用机械或者与夹持所述刀夹的制造用机械的工具夹接触的部分设置有所述振动阻尼材料。
52.根据权利要求46的器具，其特征在于所述轴(2)的表面(5)的至少那些打算与所述制造用机械或者与夹持所述刀夹的制造用机械的工具夹接触的部分设置有所述振动阻尼材料。
53.根据权利要求41的器具，其特征在于所述刀夹的全部表面都设置有所述振动阻尼材料。
54.根据权利要求42的器具，其特征在于所述刀夹的全部表面都设置有所述振动阻尼材料。
55.根据权利要求45的器具，其特征在于所述刀夹的全部表面都设置有所述振动阻尼材料。
56.根据权利要求47的器具，其特征在于所述刀夹的全部表面都设置有所述振动阻尼材料。
57.根据权利要求48的器具，其特征在于所述刀夹的全部表面都设置有所述振动阻尼材料。
58.根据权利要求49的器具，其特征在于所述刀夹的全部表面都设置有所述振动阻尼材料。
59.根据权利要求50的器具，其特征在于所述刀夹的全部表面都设置有所述振动阻尼材料。
60.根据权利要求51的器具，其特征在于所述刀夹的全部表面都设置有所述振动阻尼材料。
61.根据权利要求52的器具，其特征在于所述刀夹的全部表面都设置有所述振动阻尼材料。
62.根据权利要求41的器具，其特征在于所述振动阻尼材料(4)围绕着所述轴(2)的表面(5)。
63.根据权利要求42的器具，其特征在于所述振动阻尼材料(4)围绕着所述轴(2)的表面(5)。
64.根据权利要求43的器具，其特征在于所述振动阻尼材料(4)围绕着所述轴(2)的表面(5)。
65.根据权利要求44的器具，其特征在于所述振动阻尼材料(4)围绕着所述轴(2)的表面(5)。
66.根据权利要求45的器具，其特征在于所述振动阻尼材料(4)围绕着所述轴(2)的表面(5)。
67.根据权利要求47的器具，其特征在于所述振动阻尼材料(4)围绕着所述轴(2)的表面(5)。
68.根据权利要求48的器具，其特征在于所述振动阻尼材料(4)围绕着所述轴(2)的表面(5)。
69.根据权利要求49的器具，其特征在于所述振动阻尼材料(4)围绕着所述轴(2)的表面(5)。
70.根据权利要求50的器具，其特征在于所述振动阻尼材料(4)围绕着所述轴(2)的表面(5)。
71.根据权利要求51的器具，其特征在于所述振动阻尼材料(4)围绕着所述轴(2)的表面(5)。
72.根据权利要求52的器具，其特征在于所述振动阻尼材料(4)围绕着所述轴(2)的表面(5)。
73.根据权利要求41的器具，其特征在于所述轴(2)和所述头(3)为通过所述振动阻尼材料(4)结合的两个独立的部件。
74.根据权利要求42的器具，其特征在于所述轴(2)和所述头(3)为通过所述振动阻尼材料(4)结合的两个独立的部件。
75.根据权利要求43的器具，其特征在于所述轴(2)和所述头(3)为通过所述振动阻尼材料(4)结合的两个独立的部件。
76.根据权利要求44的器具，其特征在于所述轴(2)和所述头(3)为通过所述振动阻尼材料(4)结合的两个独立的部件。
77.根据权利要求45的器具，其特征在于所述轴(2)和所述头(3)为通过所述振动阻尼材料(4)结合的两个独立的部件。
78.根据权利要求47的器具，其特征在于所述轴(2)和所述头(3)为通过所述振动阻尼材料(4)结合的两个独立的部件。
79.根据权利要求48的器具，其特征在于所述轴(2)和所述头(3)为通过所述振动阻尼材料(4)结合的两个独立的部件。
80.根据权利要求49的器具，其特征在于所述轴(2)和所述头(3)为通过所述振动阻尼材料(4)结合的两个独立的部件。
81.根据权利要求50的器具，其特征在于所述轴(2)和所述头(3)为通过所述振动阻尼材料(4)结合的两个独立的部件。
82.根据权利要求51的器具，其特征在于所述轴(2)和所述头(3)为通过所述振动阻尼材料(4)结合的两个独立的部件。
83.根据权利要求52的器具，其特征在于所述轴(2)和所述头(3)为通过所述振动阻尼材料(4)结合的两个独立的部件。
84.权利要求1～38中任一项的器具，其用在旋转切削工具中。
85.根据权利要求84的器具，其中所述旋转切削工具为铣刀。
86.根据权利要求85的器具，其中所述旋转切削工具为键槽铣刀或立铣刀。
87.根据权利要求41的器具，其与陶瓷刀片、金刚石刀片、立方氮化硼刀片、HSS刀片或碳化物刀片一起使用。
88.根据权利要求1～38中任一项的器具，其中所述器具为包括设置有振动阻尼材料的轴的钻或旋转锉。
89.制造根据权利要求1～88中任一项的用于排屑应用的器具的方法，包括下列步骤：
a)为制造用于排屑应用的器具的方法提供器具；和
b)将包括纳米尺寸的簇形式的CNx的陶瓷材料沉淀在所述器具上，由此在所述器具中产生振动阻尼效果。
90.根据权利要求89的方法，其中所述器具是能移动的或者不能移动的。
91.根据权利要求89的方法，其中所述陶瓷材料作为薄层沉淀在所述器具表面上。
92.根据权利要求89的方法，其中所述陶瓷材料作为薄层沉淀在所述器具表面上，所述层为1μm～1cm。
93.根据权利要求92的方法，其中所述层为1μm～1000μm。
94.根据权利要求93的方法，其中所述层为50～500μm。
95.根据权利要求89的方法，其中所述陶瓷材料的所述纳米尺寸的簇具有0.5～
100nm的尺寸。
96.根据权利要求90的方法，其中所述陶瓷材料的所述纳米尺寸的簇具有0.5～
100nm的尺寸。
97.根据权利要求91的方法，其中所述陶瓷材料的所述纳米尺寸的簇具有0.5～
100nm的尺寸。
98.根据权利要求92的方法，其中所述陶瓷材料的所述纳米尺寸的簇具有0.5～
100nm的尺寸。
99.根据权利要求93的方法，其中所述陶瓷材料的所述纳米尺寸的簇具有0.5～
100nm的尺寸。
100.根据权利要求94的方法，其中所述陶瓷材料的所述纳米尺寸的簇具有0.5～
100nm的尺寸。
101.根据权利要求89～100中任一项的方法，其中通过使用如下技术进行步骤b)的沉淀：磁控溅射沉积技术；或电弧技术；或化学气相沉积(CVD)技术；或物理气相沉积(PVD)技术；或等离子体喷涂技术；或所述技术的组合。
102.根据权利要求101的方法，其中所述磁控溅射沉积技术为直流、射频、脉冲、反应性涂覆磁控溅射沉积技术。
103.根据权利要求102的方法，其中所述脉冲磁控溅射沉积技术为高功率脉冲磁控溅射沉积技术。
104.根据权利要求101的方法，其中所述电弧技术为受控电弧和非受控电弧。
105.根据权利要求101的方法，其中所述化学气相沉积技术为射频、直流、低压、高压、等离子体辅助化学气相沉积技术。
106.根据权利要求101的方法，其中使用PVD和CVD。
107.根据权利要求89的方法，其中使用CH4、C2H2、CO、CO2气体的一种或多种以及Ar气体和N气体进行步骤b)的沉淀。
108.根据权利要求89的方法，其中在50～1500℃的所述器具的温度下进行步骤b)的沉淀。
109.根据权利要求108的方法，其中在50～400℃的温度下进行步骤b)的沉淀。
110.根据权利要求89的方法，其中所施加的振动阻尼材料为通过由粘弹性层和氮化碳层组成的双层结构排列而成的复合材料。
111.根据权利要求110的方法，其中所述氮化碳层为抑制层。
112.根据权利要求89～100中任一项的方法，其中振动阻尼层的厚度的均匀度为
0.1～10％。
113.根据权利要求89的方法，其中所述纳米尺寸的簇形式的振动阻尼层所具有的在超晶格中的亚层数目为10～10000个。
114.根据权利要求113的方法，其中所述纳米尺寸的簇形式的振动阻尼层所具有的在超晶格中的亚层数目为100～1000个。
115.根据权利要求89的方法，其中在反应器中通过如下进行步骤b)的沉淀，在所述反应器中任选地设置有在磁控阴极上的靶，所述反应器包括通过磁场分开的阴极和阳极：
(a)进行设置使得所述阴极在反应器中提供类磁控管磁场；
(b)将器具放置在腔室中；
(c)将一种或多种含碳工艺气体和反应性气体引入到所述腔室中；
(d)给予所述工艺气体和反应性气体能量以形成等离子体从而使所述工艺气体分解为自由基并进一步使碳材料沉积到所述器具上、以及使所述反应性气体离子化以提高氮化学吸附到所述碳上的速率；和
(e)在分解和化学吸附之后将各气体从所述腔室排出。
116.根据权利要求115的方法，其中所述器具以约0.25rpm的速率旋转。
117.根据权利要求115的方法，其中所述工艺气体为乙炔和/或甲烷和/或一氧化碳、和/或二氧化碳，和反应性气体为氮气。
118.根据权利要求117的方法，其中工艺气体与反应性气体之比为约1/10～10/1。
119.根据权利要求117的方法，其中乙炔和/或甲烷与氮气的比率为约50/50。
-4
120.根据权利要求115的方法，其中所述反应器中的压力为10 托～1000托。
-3
121.根据权利要求120的方法，其中所述反应器中的压力为10 托～10托。
122.根据权利要求115的方法，其中电流振幅为1～1000A，脉冲长度为10μs～10s，和频率为0.1～10000Hz。
123.根据权利要求122的方法，其中电流振幅为5～6A。
124.根据权利要求115的方法，其中脉冲功率为100W～1MW。
125.根据权利要求124的方法，其中脉冲功率为1kW～3kW。
126.根据权利要求115的方法，其将CVD裂化过程与PVD裂化硬件结合，所述PVD裂化硬件为具有经平衡的或未经平衡的类磁控管磁场的阴极。
127.根据权利要求115的方法，其中阳极-阴极高电流脉冲放电是正常放电、或反常放电、或者从反常放电变化到电弧辉光放电的转变放电。
128.根据权利要求115的方法，其中在沉积期间磁场的强度为0.01～0.3特斯拉。
129.根据权利要求128的方法，其中在沉积期间磁场的强度不高于300高斯。
130.通过根据权利要求89～129中任一项的方法获得的用于排屑应用的器具。
131.根据权利要求130的器具，其中所述器具为切削刀片、钻、旋转锉或安装装置。
132.根据权利要求131的器具，其中所述安装装置为刀夹或夹头。
133.由在包括磁控阴极的反应器中将氮化碳材料沉积在工件或制品上的方法所获得的工件或制品在用于排屑应用的器具中的用途，所述方法包括：
(a)进行设置使得所述阴极在所述反应器中具有磁场；
(b)将工件或制品放置在所述反应器中；
(c)将一种或多种含碳工艺气体和反应性气体引入到所述反应器中；
(d)给予所述工艺气体和反应性气体能量以形成等离子体从而使所述工艺气体分解为自由基并进一步使碳材料沉积到所述工件或制品基材上、以及使所述反应性气体离子化以提高氮化学吸附到所述碳上的速率；和
(e)在分解和化学吸附之后从所述腔室排出各气体。
134.根据权利要求133的用途，用在切削工具中。
135.根据权利要求133的用途，用在车削、镗孔、钻孔、铰孔、车螺纹、铣削、刨削、去毛刺、穿孔和/或拉削工具中。
136.根据权利要求133的用途，其中所述氮化碳材料在施加时由纳米和/或次纳米尺寸的簇/聚集体组成。
137.根据权利要求133的用途，其中所述磁场为类磁控管磁场。