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全宽电压接触控制器

阅读:689发布:2020-12-05

专利汇可以提供全宽电压接触控制器专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种全宽 电压 接触 器 控制器 ,其包括 整流桥 ,PWM(脉冲宽度调制)强 电流 激磁 开关 管,PWM续流与分断开关管,电压 采样 电路 , 二极管 1,二极管2, 单片机 , 开关电源 ,单片机经电压采样电路检测到 电源电压 后,单片机根据电源电压的大小与不同工作状态,无须PWM控制电路和续流控制电路环节,通过二极管直接对开关管进行不同的PWM的 频率 与占空比的强激磁控制与续流、分断控制,吸持所需 能量 直接由电源提供,开关电源仅提供单片机所需微小能量,实现交直流接触器完全宽电压运行,并具有开关电源的容量很小,控制方便,成本低,节能,工作可靠稳定,应用性更强等特点。,下面是全宽电压接触控制器专利的具体信息内容。

权利要求1】1.一种全宽电压接触控制器,它包括整流桥(B),PWM强电流 激磁开关管(C),PWM续流与分断开关管(F),电压采样电路(G),二极管1(D1),二 极管2(D2),单片机(I),开关电源(J),接触器线圈(E);其特征在于:电源(A) 的二端分别接整流桥(B)的交流侧,整流桥(B)的正端分别接PWM强电流激磁开关管(C) 的集电极或漏极、电压采样电路(G)的输入端1与开关电源(J)的输入端1,PWM强电流激 磁开关管(C)的发射极或源极分别与接触器线圈(E)的一端、PWM续流与分断开关管(F) 的发射极或源极相接,整流桥(B)的负端分别和开关电源(J)的另一输入端2、电压采样 电路(G)的另一输入端2、接触器线圈(E)的另一端、PWM续流与分断开关管(F)的集电 极或漏极相接,电压采样电路(G)的二个输出端3和4分别接到单片机(I)的二个输入端1 和2,开关电源(J)的二个输出端3和4分别与单片机(I)的电源端6和7相接,单片机(I) 的一个输出口3与二极管1(D1)的阳极相接,二极管1(D1)的阴极与PWM强电流激磁开关管 (C)的控制极相接,单片机(I)的另一个输出口5与二极管2(D2)的阳极相接,二极管2 (D2)的阴极与PWM续流与分断开关管(F)的控制极相接,单片机(I)的第三个输出口4与 PWM强电流激磁开关管(C)的发射极或源极相接。
【权利要求2】2、根据权利要求1所述的全宽电压接触器控制器,其特征在于: 所述的PWM强电流激磁开关管为PWM强电流激磁IGBT开关管,所述的PWM续流与分断开关管为 PWM续流与分断IGBT开关管。
【权利要求3】3、根据权利要求1所述的全宽电压接触器控制器,其特征在于: 所述的PWM强电流激磁开关管为PWM强电流激磁晶体三极管开关管,所述的PWM续流与分断开 关管为PWM续流与分断晶体三极管开关管。
【权利要求4】4.根据权利要求1所述的全宽电压接触器控制器,其特征在于: 所述的PWM强电流激磁开关管为PWM强电流激磁MOSFET开关管,所述的PWM续流与分断开关管 为PWM续流与分断MOSFET开关管。
【权利要求5】5.根据权利要求1、2、3或4所述的全宽电压接触器控制器,其特 征在于:所述的PWM强电流激磁开关管与PWM续流与分断开关管是IGBT或晶体三极管或 MOSFET中的任意一种。

说明书全文

技术领域

发明涉及一种基于单片机与脉冲宽度调制(简称PWM)控制的全宽电压接触器控 制器,属于接触器领域。

背景技术

目前文献中对接触器控制器已有许多论述,张培铭等在《电工电能新技术》2002年第4 期发表的论文“智能交流接触器零电流分断控制技术”,
张培铭等为发明人的发明专利“一种智能交流接触器”(专利号为ZL00214192.2)介 绍了经整流后采用微处理器控制主控元件使接触器起动,接触器起动结束后,关断主控元件 ,在要求开断接触器时,微处理器关断续流元件,陈丽辉2005年的硕士学位论文“可通信智 能直流接触器的设计与研究”介绍了对于智能直流接触器采用单片机进行高电压强电流激磁 起动控制,起动完成后进行接触器小电流激磁保持,在要求开断时经单片机控制关断小电流 激磁,无论是交流接触器或直流接触器控制都采用直流控制方式,但是只能应用于某个电压 等级,也就是只能实现在某个电压等级如220V或380V等的等级下宽电压波动的应用,不能实 现交直流接触器真正完全宽电压控制,也就是不能应用于几个电压等级,如既可应用于220V 等级宽电压波动,又可应用于380V等级宽电压波动,又可应用于110V等级宽电压波动等等, 其主要的原因在于同一个电路无法实现不同电压等级下的起动控制,另外,由于接触器保持 时所需能量由控制器内控制电源提供,造成控制电源的容量太大,提高了成本,不符合当前 节能降耗的精神。

发明内容

本发明目的在于提供一种基于单片机与PWM控制的能够实现交直流接触器完全宽电压运 行的全宽电压接触器控制器
本发明的目的是这样实现的,它包括整流桥,PWM强电流激磁开关管,PWM续流与分断开 关管,电压采样电路,二极管1,二极管2,单片机,开关电源,接触器线圈E;其特征在于 ;
电源的二端分别接整流桥的交流侧,整流桥的正端分别接PWM强电流激磁开关管的集电 极或漏极、电压采样电路的输入端1与开关电源的输入端1,PWM强电流激磁开关管的发射极 或源极分别与接触器线圈的一端、PWM续流与分断开关管的发射极或源极相接,整流桥的负 端分别和开关电源的另一输入端2、电压采样电路的另一输入端2、接触器线圈的另一端、 PWM续流与分断开关管的集电极或漏极相接,电压采样电路的二个输出端3和4分别接到单片 机的二个输入端1和2,开关电源的二个输出端3和4分别与单片机的电源端6和7相接,单片机 的一个输出口3与二极管1的阳极相接,二极管1的阴极与PWM强电流激磁开关管的控制极(基 极或栅极)相接,单片机的另一个输出口5与二极管2的阳极相接,二极管2的阴极与PWM续流 与分断开关管的控制极(基极或栅极)相接,单片机的第三个输出口4与PWM强电流激磁开关 管的发射极或源极相接。
本发明与现有技术相比实现交直流接触器完全宽电压运行,并具有开关电源的容量很小 ,控制方便,成本低,节能,工作可靠稳定,应用性更强等特点。本发明控制器的单片机根 据电源电压的大小,无须PWM控制电路和续流控制电路环节,通过二极管直接对开关管进行 PWM强激磁控制与续流、分断控制,实现交直流接触器跨几个电压等级的真正宽电压控制, 如交流接触器从24V到380V,直流接触器从24V到440V的真正完全宽电压控制,接触器吸持时 改变PWM控制参数,实现节能运行,吸持所需能量不是由开关电源提供,而是由电源提供, 而且开关电源仅提供单片机所需微小能量,大幅度减小了开关电源的容量,由于该控制器又 没有PWM控制电路和续流控制电路环节,成本也大幅度降低。
附图说明
图1为本发明的电路示意框图
图2为本发明实施一的电路示意框图。
图3为本发明实施二的电路示意框图。
图4为本发明实施三的电路示意框图。
图5为本发明实施例四的电路示意框图。
图6为本发明实施例五的电路示意框图。
图7为本发明实施例六的电路示意框图。
图8为本发明实施例七的电路示意框图。
图9为本发明实施例八的电路示意框图。
图10为本发明实施例九的电路示意框图。
其中:B为整流桥,C为PWM强电流激磁MOSFET开关管,F为PWM续流与分断MOSFET开关 管,G为电压采样电路,D1为二极管1,D2为二极管2,D为二极管3,I为单片机,J为开关 电源,A为电源,E为接触器线圈。

具体实施方式

由图1可知,电源A的二端分别接整流桥B的交流侧,整流桥B的正端分别接PWM强电流激 磁开关管C的集电极或漏极、电压采样电路G的输入端1与开关电源J的输入端1,PWM强电流激 磁开关管C的发射极或源极分别与接触器线圈E的一端、PWM续流与分断开关管F的发射极或源 极相接,整流桥B的负端分别和开关电源J的另一输入端2、电压采样电路G的另一输入端2、 接触器线圈E的另一端、PWM续流与分断开关管F的集电极或漏极相接,电压采样电路G的二个 输出端3和4分别接到单片机I的二个输入端1和2,开关电源J的二个输出端3和4分别与单片机 I的电源端6和7相接,单片机I的一个输出口3与二极管1D1的阳极相接,二极管1D1的阴极 与PWM强电流激磁开关管C的控制极(基极或栅极)相接,单片机I的另一个输出口5与二极管 2D2的阳极相接,二极管2D2的阴极与PWM续流与分断开关管F的控制极(基极或栅极)相接 ,单片机I的第三个输出口4与PWM强电流激磁开关管C的发射极或源极相接。
当单片机经电压采样电路检测到电源电压后,根据电源电压的大小,单片机无须PWM控 制电路和续流控制电路环节,以不同的PWM的频率与占空比通过二极管直接控制PWM强电流激 磁开关管工作,在PWM强电流激磁开关管关断时间接触器线圈电流通过PWM续流与分断开关管 续流,实现全宽电源电压下的强激磁启动,在接触器启动完成后,由于所需保持能量很小, 由单片机改变PWM的频率与占空比通过二极管直接控制PWM强电流激磁开关管工作,PWM续流 与分断开关管仍然处于续流状态,使接触器线圈处于小功率状态,实现节能运行,吸持所需 能量不是由开关电源提供,而是由电源提供,而且开关电源仅提供单片机所需微小能量,当 单片机检测到接触器开断信号后,立即通过二极管直接关断PWM强电流激磁开关管与PWM续流 与分断开关管,实现了快速分断,由于调节PWM的频率与占空比,实现交直流接触器完全宽 电压运行,并具有开关电源的容量很小,控制方便,成本低,节能,工作可靠稳定,应用性 更强等特点。
实施例一:
从图2可知,将所述的PWM强电流激磁开关管采用PWM强电流激磁IGBT开关管,将所述的 PWM续流与分断开关管采用PWM续流与分断IGBT开关管(绝缘栅双极晶体管)。其他部分结构 与实施例一相同。
实施例二:
从图3可知,将所述的PWM强电流激磁开关管采用PWM强电流激磁晶体三极管开关管,将 所述的PWM续流与分断开关管采用PWM续流与分断晶体三极管开关管。其他部分结构与实施例 一相同。
实施例三:
从图4可知,将所述的PWM强电流激磁开关管采用PWM强电流激磁MOSFET开关管,将所述 的PWM续流与分断开关管采用PWM续流与分断MOSFET开关管(场效应管)。其他部分结构与实 施例一相同。
值得一提的是,本发明的PWM强电流激磁开关管与PWM续流与分断开关管并不限定于上述 实施例,其PWM强电流激磁开关管与PWM续流与分断开关管可以是IGBT或晶体三极管或MOSFET 中的任意一种。例如图5、图6、图7、图8、图9、图10中的PWM强电流激磁开关管与PWM续流 与分断开关管就是分别采用上述三种IGBT或晶体三极管或MOSFET的结构。
因此,本发明所述的PWM强电流激磁开关管与PWM续流与分断开关管可以是上述三种器件 的任意一种。
以上所述仅为本发明的较佳实施例。本发明并不仅局限于上述三中器件。
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