专利汇可以提供全宽电压接触器控制器专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种全宽 电压 接触 器 控制器 ,其包括 整流桥 ,PWM(脉冲宽度调制)强 电流 激磁 开关 管,PWM续流与分断开关管,电压 采样 电路 , 二极管 1,二极管2, 单片机 , 开关电源 ,单片机经电压采样电路检测到 电源电压 后,单片机根据电源电压的大小与不同工作状态,无须PWM控制电路和续流控制电路环节,通过二极管直接对开关管进行不同的PWM的 频率 与占空比的强激磁控制与续流、分断控制,吸持所需 能量 直接由电源提供,开关电源仅提供单片机所需微小能量,实现交直流接触器完全宽电压运行,并具有开关电源的容量很小,控制方便,成本低,节能,工作可靠稳定,应用性更强等特点。,下面是全宽电压接触器控制器专利的具体信息内容。
【权利要求1】1.一种全宽电压接触器控制器,它包括整流桥(B),PWM强电流 激磁开关管(C),PWM续流与分断开关管(F),电压采样电路(G),二极管1(D1),二 极管2(D2),单片机(I),开关电源(J),接触器线圈(E);其特征在于:电源(A) 的二端分别接整流桥(B)的交流侧,整流桥(B)的正端分别接PWM强电流激磁开关管(C) 的集电极或漏极、电压采样电路(G)的输入端1与开关电源(J)的输入端1,PWM强电流激 磁开关管(C)的发射极或源极分别与接触器线圈(E)的一端、PWM续流与分断开关管(F) 的发射极或源极相接,整流桥(B)的负端分别和开关电源(J)的另一输入端2、电压采样 电路(G)的另一输入端2、接触器线圈(E)的另一端、PWM续流与分断开关管(F)的集电 极或漏极相接,电压采样电路(G)的二个输出端3和4分别接到单片机(I)的二个输入端1 和2,开关电源(J)的二个输出端3和4分别与单片机(I)的电源端6和7相接,单片机(I) 的一个输出口3与二极管1(D1)的阳极相接,二极管1(D1)的阴极与PWM强电流激磁开关管 (C)的控制极相接,单片机(I)的另一个输出口5与二极管2(D2)的阳极相接,二极管2 (D2)的阴极与PWM续流与分断开关管(F)的控制极相接,单片机(I)的第三个输出口4与 PWM强电流激磁开关管(C)的发射极或源极相接。
【权利要求2】2、根据权利要求1所述的全宽电压接触器控制器,其特征在于: 所述的PWM强电流激磁开关管为PWM强电流激磁IGBT开关管,所述的PWM续流与分断开关管为 PWM续流与分断IGBT开关管。
【权利要求3】3、根据权利要求1所述的全宽电压接触器控制器,其特征在于: 所述的PWM强电流激磁开关管为PWM强电流激磁晶体三极管开关管,所述的PWM续流与分断开 关管为PWM续流与分断晶体三极管开关管。
【权利要求4】4.根据权利要求1所述的全宽电压接触器控制器,其特征在于: 所述的PWM强电流激磁开关管为PWM强电流激磁MOSFET开关管,所述的PWM续流与分断开关管 为PWM续流与分断MOSFET开关管。
【权利要求5】5.根据权利要求1、2、3或4所述的全宽电压接触器控制器,其特 征在于:所述的PWM强电流激磁开关管与PWM续流与分断开关管是IGBT或晶体三极管或 MOSFET中的任意一种。
本发明涉及一种基于单片机与脉冲宽度调制(简称PWM)控制的全宽电压接触器控 制器,属于接触器领域。
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