图22及图23是显示晶片缺陷状态的说明图。如该图所示，晶片 25有可能产生破损(chipping)6或裂纹(crack)16等缺陷。这些 缺陷会因为对晶片25进行某种处理的半导体等的制造装置出现问题， 或操作晶片25的操作者的操作错误而产生。
在此缺陷轻微状况下，即照常继续进行制造处理，而如图23所示， 晶片25的缺陷程度非常严重状况下，即去掉晶片。即，如判定图22 所示的晶片25的缺陷程度轻微，而继续进行制造处理时，依状况而定， 可能因为对破损前端部6a、破损周边部6b以及裂纹16的机构冲击、 热冲击，而以破损6、裂纹16为起点产生如图23所示的大裂纹16b， 如果缺陷程度严重到会使晶片25破损开来，就废弃不用。
此外，大口径化(例如，Si为5至12英寸)、薄膜化(100至700 μm程度)的晶片，或晶片边缘(wafer edge)形状难以控制的外延晶 片(epitaxial wafer)，都很容易产生破损6及裂纹16等缺陷。而 外延晶片非常昂贵，所以将其废弃时的成本损失极大。
如上所述，以往，在制造过程中只要晶片出现缺陷，在制造处理 中扩大为重度缺陷，不得不将晶片废弃时，就会造成产品有效利用率 降低的问题。
而且，晶片出现重度缺陷导致晶片破损时，为了对晶片破损时所 产生的异物进行清理作业等，又得耗费额外费用且浪费时间，致使费 用及时间两方面损失成本增大，进而导致工期恶化等问题。

本发明目的在于解决上述的问题，提供一种基片缺陷修补装置， 以有效控制晶片等基片所产生的缺陷恶化。
根据本发明的半导体装置的第1实施形式，具备有装载处理对象 基片的基片装载机构；检测前述处理对象基片有无缺陷，若检测出缺 陷则获得包含缺陷位置的缺陷检测用信息的缺陷检测机构；以及依据 前述缺陷检测用信息，将前述处理对象基片的缺陷部分及其附近区域 熔融，以修补缺陷的缺陷修补机构。
根据本发明的半导体装置的第2实施形式中，前述缺陷修补机构， 包含局部性熔融前述处理对象基片的局部熔融机构，以及根据前述缺 陷检测用信息进行定位，使前述局部熔融机构可将前述缺陷部分以及 其附近区域都熔融的熔融位置定位机构。
根据本发明的半导体装置的第3实施形式中，前述局部熔融机构， 包含以局部照射激光于前述处理对象基片使之熔融的激光振荡器。
根据本发明的半导体装置的第4实施形式中，前述局部熔融机构， 包含对前述处理对象基片进行局部加热的局部加热机构。
根据本发明的半导体装置的第5实施形式中，前述局部加热机构， 包含可各自独立设定开启与关闭的多个部分加热部。
根据本发明的半导体装置的第6实施形式中，前述局部熔融机构， 包含固定于既定位置的固定局部熔融机构；前述基片装载机构，包含 可做使前述处理对象基片移动的移动动作，使可被前述局部熔融机构 熔融的部位变化的可动基片装载机构；前述熔融位置定位机构，包含 根据前述缺陷检测的信息，控制前述基片装载机构所做的前述移动动 作的控制机构。
根据本发明的半导体装置的第7实施形式，前述处理对象基片， 包含平面形状为圆形的基片；前述可动基片装载机构所做的移动动 作，包含以前述处理对象基片的大致中心位置为中心，使前述处理对 象基片回转的回转动作。
根据本发明的半导体装置的第8实施形式中，前述可动基片装载 机构所做的移动动作，包含以使可被前述局部熔融机构熔融的部位在 前述处理对象基片上既定的移动区域内变化的方式使前述处理对象基 片移动的动作。
根据本发明的半导体装置的第9实施形式中，前述局部熔融机构， 包含可进行自身移动的移动动作，使可被前述局部熔融机构熔融的部 位在前述处理对象基片上既定的移动范围内变化的可动局部熔融机 构；前述熔融位置定位机构，包含根据前述缺陷检测用信息，控制由 前述可动局部熔融机构所做的前述移动动作的控制机构。
根据本发明的半导体装置的第10实施形式中，前述处理对象基 片，具有第1及第2主面；前述基片装载机构，包含以从前述第1主 面侧及前述第2主面各侧都可进行熔融的方式装载前述处理对象基片 的2个方向熔融用基片装载机构；前述局部熔融机构，包含可从前述 第1主面侧熔融前述处理对象基片的第1局部熔融机构，以及可从前 述第2主面侧熔融前述处理对象基片的第2局部熔融机构。
根据本发明的半导体装置的第11实施形式中，前述第1及第2局 部熔融机构，包含可从前述处理对象基片的第1及第2主面侧局部照 射激光而使基片熔融的第1及第2激光振荡器。
根据本发明的半导体装置的第12实施形式中，前述第1及第2局 部熔融机构，包含从第1及第2主面侧局部加热前述处理对象基片的 第1及第2局部加热机构。
根据本发明的半导体装置的第13实施形式中，前述第1局部熔融 机构，包含从前述处理对象基片的前述第1主面侧，局部照射激光而 使基片熔融的激光振荡器；前述第2局部熔融机构，包含从前述第2 主面侧局部加热前述处理对象基片的局部加热机构。
根据本发明的半导体装置的第14实施形式，进一步具备有收纳多 个基片的基片收纳部；以及可进行将收纳于前述基片收纳部的多个基 片中的一个基片取出作为前述处理对象基片，然后传送并装载在前述 基片装载机构中的第1传送处理，及将装载于前述基片装载机构中的 前述处理对象基片卸下，搬送至前述基片收纳部并使之收纳于前述基 片收纳部的第2传送处理的传送机构。
根据本发明的半导体装置的第15实施形式，还具备控制传送机构 的前述第1及第2个传送处理的控制机构。
根据本发明的半导体装置的第16实施形式中，前述处理对象基 片，包含Si晶片、GaAs基片、或是液晶用玻璃基片。
根据本发明的半导体装置的第17实施形式中，前述缺陷检测机 构，具有记录至少包含表示前述处理对象基片上前述缺陷位置的信息 的分析信息的记录功能。
根据本发明的半导体装置的第18实施形式中，前述缺陷包含破损 或裂纹。
根据本发明的基片缺陷修补装置的第1实施形式，由缺陷修补机 构将缺陷部位及其附近区域熔融，以进行缺陷修补，可有效抑制处理 对象基片的缺陷恶化。
根据本发明的基片缺陷修补装置的第2实施形式，通过熔融位置 定位机构进行定位，使局部熔融机构可将缺陷部位及其附近区域都熔 融，可获得高的缺陷修补精度。
根据本发明的基片缺陷修补装置的第3实施形式，通过以激光振 荡器进行的激光照射，能够位置精度良好地熔融处理对象基片的缺陷 部位及其附近区域。
根据本发明的基片缺陷修补装置的第4实施形式，通过以局部加 热机构进行局部加热，可在比较广的范围内熔融处理对象基片的缺陷 部位及其附近区域。
根据本发明的基片缺陷修补装置的第5实施形式，通过选择性地 使数个部分加热部开启的方式，可对适合于处理对象基片的缺陷形状 的区域进行加热。
根据本发明的基片缺陷修补装置的第6实施形式，通过在控制机 构的控制下，使可动基片装载机构进行可使处理对象基片移动的移动 动作，可以扩大可修补处理对象基片的缺陷的区域。
根据本发明的基片缺陷修补装置的第7实施形式，通过使处理对 象基片回转，可使上述可熔融部位在处理对象基片的回转方向上改 变。因此，例如，可以对沿着处理对象基片外围所产生的破损等缺陷， 毫无遗漏地进行修补。
根据本发明的基片缺陷修补装置的第8实施形式，通过可动基片 装载机构所做的移动动作，可以修补在处理对象基片上既定移动区域 内的缺陷。例如，如将既定的移动区域设定成与处理对象基片的全体 区域相同，则可修补处理对象基片全区域的缺陷。
根据本发明的基片缺陷修补装置的第9实施形式，可动局部熔融 机构自身的移动动作，可以修补在处理对象基片上既定的移动区域内 的缺陷。例如，如将既定的移动区域设定成与处理对象基片的全体区 域相同，则可修补处理对象基片全区域的缺陷。
根据本发明的基片缺陷修补装置的第10实施形式，通过第1及第 2局部熔融机构，由于可从处理对象基片的第1主面及第2主面侧两侧 进行熔融，因此对于在处理对象基片的第1主面到第2主面之间所形 成的缺陷，亦可适当予以修补。
根据本发明的基片缺陷修补装置的第11实施形式，通过以第1及 第2激光振荡器进行的激光照射，可从第1及第2主面侧的两侧，位 置精度良好地将处理对象基片的缺陷部位及其附近区域熔融。
根据本发明的基片缺陷修补装置的第12实施形式，通过局部加热 机构进行局部加热，可从第1及第2主面侧的两侧，在比较广的范围 内将处理对象基片的缺陷部位及其附近区域熔融。
根据本发明的基片缺陷修补装置的第13实施形式，通过以激光振 荡器进行的激光照射，可从第1主面侧，位置精度良好地将处理对象 基片的缺陷部位及其附近区域熔融；通过局部加热机构的局部加热， 可从第2主面侧，在比较广的范围内将处理对象基片的缺陷部位及其 附近区域熔融。
根据本发明的基片缺陷修补装置的第14实施形式，通过使传送机 构执行第1及第2传送处理，以收纳于基片收纳部的多个基片分别作 为处理对象基片进行修补缺陷，以及通过第2传送处理使缺陷修补完 成的处理对象基片收纳于基片收纳部的基片装载以及卸载等，均可自 动进行。
根据本发明的基片缺陷修补装置的第15实施形式，通过在控制机 构的控制下进行第1及第2传送处理，在预先识别出具有缺陷的基片 的情况下，可选择性地只以多个基片中具有缺陷的基片作为处理对象 基片，予以缺陷修补，而在未识别出具有缺陷的基片的情况下，则将 所有的基片作为处理对象基片，在装载于基片装载机构之后，将缺陷 检测机构未检测出缺陷的基片迅速送回基片收纳部，因此可有效率地 对多个基片进行缺陷修补。
根据本发明的基片缺陷修补装置的第16实施形式，可对Si晶片、 GaAs基片、或是液晶用玻璃基片进行缺陷修补。
根据本发明的基片缺陷修补装置的第17实施形式，通过记录至少 包含表示处理对象基片上的缺陷位置的信息的分析信息，可根据以多 数基片为标本的既定制造工序后的上述分析信息获得在多个基片上的 缺陷分布，并可利用该缺陷分布进行详细的缺陷分析。
根据本发明的基片缺陷修补装置的第18实施形式，可修补在基片 上产生的破损或裂纹。
此发明的目的、特征、实施形式、以及优点，通过下列详细说明 以及所附附图，可以更加清晰。
附图的简单说明
图1是表示第1实施形式的晶片破损防止装置的构成的说明图。
图2是表示图1的晶片传送机构臂的详细构成的说明图。
图3是表示图1的晶片传送机构臂的详细构成的说明图。
图4是表示修补前Si晶片破损状态的说明图。
图5是表示修补后Si晶片破损状态的说明图。
图6是表示第2实施形式的晶片破损防止装置的构成说明图。
图7是表示第3实施形式的晶片破损防止装置的局部加热器说明 图。
图8是表示局部加热器的详细构成平面图。
图9是表示由部分局部加热器产生的加热状态的说明图。
图10是表示第4实施形式晶片破损防止装置中监视器画面的情况 的说明图。
图11是表示从第4实施形式的晶片装载台选择Si晶片的功能的 说明图。
图12是以模式方式表示利用第5实施形式的晶片破损防止装置的 缺陷分析例的说明图。
图13是表示第6实施形式的晶片破损防止装置中可动激光振荡器 及其周边的说明图。
图14是表示第7实施形式的晶片破损防止装置中可动局部加热器 及其周边的说明图。
图15是表示第8实施形式的晶片破损防止装置中可动晶片定位台 及其周边的说明图。
图16是表示第8实施形式的晶片破损防止装置中可动晶片定位台 及其周边的说明图。
图17是表示第9实施形式的晶片破损防止装置中可动晶片定位台 及其周边的说明图。
图18是表示第9实施形式的晶片破损防止装置中可动晶片定位台 及其周边的说明图。
图19是表示第10实施形式的晶片破损防止装置的构成的一部分 的说明图。
图20是表示第11实施形式的晶片破损防止装置的构成的一部分 的说明图。
图21是表示第12实施形式的晶片破损防止装置的构成的一部分 的说明图。
图22是表示在Si晶片中产生较轻的破损及裂纹的例子的说明 图。
图23是表示在Si晶片中产生较重的破损及裂纹的例子的说明 图。
实施发明的最佳形式
1、实施形式1
图1，是表示本发明第1实施形式的晶片破损防止装置(基片缺陷 修补装置)的整体构成的说明图。此外，在第1实施形式中，并显示 以修补破损为主的晶片破损防止装置。如图1所示，作为处理对象基 片的收纳于作为基片收纳部的晶片盒(wafer cassette)2内的圆形 Si晶片1，可通过晶片传送机械臂3将其装载于晶片定位台4上。
图2，是表示作为传送机构的晶片传送机械臂3的详细说明图。如 图所示，晶片传送机械臂3，由支持部3a、上下伸缩部3b、第1，第2 回转轴3c、3d、以及第1，第2机械臂部3e、3f所构成。
上下伸缩部3b可上下伸缩地设于支持部3a，通过上下伸缩部3b 的伸缩，可将第2机械臂部3f的高度H1，设定成为在晶片盒2中Si晶片1的收纳高度以及晶片定位台4(未图示)的高度。
图3是表示晶片传送机构臂3的回转机构的说明图。如图3所示， 第一回转轴3c设置于上下伸缩部3b上，第1机械臂部3e设置成可以 以第1回转轴3c为中心回转R1，第2回转轴3d设置于第1机械臂部 3e的前端部，第2机械臂部3f设置成可以以第2回转轴3d为中心 转R2。
如上述构成的晶片传送机械臂3，利用上下伸缩部3b的伸缩机 构、第1机械臂部3e、3f的回转机构，可执行将收纳于晶片盒2内的 多个Si晶片1自晶片盒2取出并传送后将其高精度地装载(loading) 在晶片定位台4上进行第1传送处理。进一步，晶片传送机械臂3，可 执行将装载于晶片定位台4的Si晶片1卸下并传递后将之送回晶片盒 2内的第2传送处理。
即，晶片传送机械臂3，通过第1及第2传送处理，可自动进行将 Si晶片1装载到晶片定位台、自晶片定位台4卸载的操作。
回到图1，作为基片装载机构的晶片定位台4，是可在计算机9的 控制下，以所装载的Si晶片1的中心部为中心做回转方向R3的回转。 亦即，晶片定位台4的回转在计算机9的控制下进行。
位置检测传感器5，获得Si晶片1整体摄像后的影像信号，提供 给计算机9，以作为缺陷检测用信息。计算机9根据影像信号所规定的 影像浓淡及形状，识别破损及裂纹的Si晶片1上缺陷的座标(缺陷部 位)，记忆在未图示的记忆部。此外，计算机9可根据影像讯号将Si晶片1的影像，显示于监视器10的监视器屏幕10a。
对于晶片作为局部熔融机构的激光振荡器7，是以使激光8照射于 Si晶片上周边部的既定可熔融部位的方式固定接地，并于计算机9的 控制下照射激光8。
在如上述的构成中，将Si晶片1装载于晶片定位台4之后，根据 位置检测传感器5所摄得的影像信号，计算机9识别破损的位置。此 时，未检测出破损等缺陷的情况下，则结束处理。
在检测出Si晶片1上的缺陷的情况下，则继续进行处理，计算机 9使装载于晶片定位台4的Si晶片1，以回转方向R3进行回转，并在 从激光振荡器7发射出的激光8可照射破损6的位置停止回转而结束 定位。
之后，从激光振荡器7发射出激光8照射于破损6。其结果是，使 破损6及其附近区域熔融而予以修补，此外，激光8，通过以变换器 (inverter)等对激光振荡器7的电源进行开或关，并微调整表观 (apparent)电流量，而设定成为适合破损6等的缺陷程度的特性的 激光8，激光8对于较小的破损6、裂纹等的修补特别有效。
图4，是表示以晶片破损防止装置进行修补前的破损的说明图，如 该图所示，破损6是在Si晶片1的周边部产生的从破损前端部6a到 破损周边部6b形成的Si晶片1的缺损部。
图5是表示以晶片破损防止装置进行修补后的破损的说明图。如 该图所示，破损6的破损前端部6a及破损周边部6b，通过激光8的照 射熔融后，变形为平滑形状，由此可以获得经过修补的破损11。
具有经过修补的破损11的Si晶片1，通过上述晶片传递机械臂3 进行的第2传送处理，被收纳于晶片盒2。
如此，第1实施形式的晶片破损防止装置，通过激光振荡器进行 的激光8的照射使破损的形状平滑化，可以防止从破损前端部6a及破 损周边部6b产生裂纹，或是破损形状扩大，甚至即使继续进行对于晶 片的制造处理，亦可可靠防止缺陷恶化，晶片破损等严重缺陷的产生。
2、第2实施形式
取代第1实施形式的Si晶片1，以GaAs基片13或是液晶用玻璃 基片14为对象者，是第2实施形式的晶片破损防止装置。以GaAs基 片13的情况而言，除了将Si晶片1置换成GaAs基片13这一点之外， 其构成及动作均与图1所示的第1实施形式的晶片破损防止装置相 同。
图6是表示本发明第2实施形式的晶片破损防止装置的整体构成 的说明图。与图1所示的第1实施形式的整体构成相比，两者在以矩 形液晶用玻璃基片14取代圆形的Si晶片1为对象这一点上，以及在 第2实施形式中设有可使所装载的液晶用玻璃基片14向X方向DX及Y 方向DY移动的晶片定位台12取代成晶片定位台4这一点上有所不同。 亦即，晶片定位台12，能以使激光振荡器7所产生的激光8的照射位 置在液晶用玻璃基片14上的全区域内变化的方式，使液晶用玻璃基片 14在X方向DX及Y方向DY移动。此外，其他的构成因与图1所示的 构成相同，故省略其说明。
在这样的构成中，将液晶用玻璃基片14装载于晶片定位台12后， 计算机9根据位置检测传感器5所摄得的影像信号识别破损的位置。 此时，若未检测出破损等缺陷则结束处理。
此外，液晶用玻璃基片14装载于晶片定位台12，与第1实施形式 中Si晶片1装载于晶片定位台4相同，是以操作晶片传送机构臂3的 方向进行。
检测出Si晶片1上的缺陷时继续进行处理，计算机9使装载于晶 片定位台12的液晶用玻璃基片14，向X方向DX及Y方向DY，亦即二 维移动，然后在激光振荡器7所发出的激光8可照射破损6的位置， 使上述二维移动停止，而结束定位。
之后，以激光振汤器7发出的激光8照射破损6。其结果，破损6 将被修补。
如此，图6所示的第2实施形式为了适应矩形液晶用玻璃基片14， 使激光8可照射于其周边部所产生的破损6，而采用可使所装载的液晶 用玻璃基片14在X方向DX及Y方向DY移动的晶片定位台12，因此可 得到与第1实施形式相同结果。
3、第3实施形式
图7是表示本发明第3实施形式的晶片破损防止装置的局部加热 器模块的说明图。如该图所示，采用局部加热部15取代激光振荡器7 作为晶片熔融机构。此外，其它的构成与图1所示的第1实施形式的 整体构成相同。
图8是表示局部加热器的详细构成的平面图。如该图所示，局部 加热器15设有多个排成矩阵状的部分局部加热器15a，此多个部分局 部加热器15a，可各自设定成开启、关闭状态。在图8的示例中是表示 破损部分开启的部分局部加热器15a，例如配合裂纹的形状，可选择性 地使部分局部加热器15a开启，局部加热器15对于较长的破损6或是 裂纹16的修补尤其有效。
图9是表示部分局部加热器15a及Si晶片1的位置关系的说明 图。如该图所示，将部分局部加热器15a靠近Si晶片1的裂纹16，采 用变换器等以打开。关闭供给部分局部加热器15a电源的方式，控制 部分局部加热器15a的温度，将Si晶片1的裂纹16及其附近区域熔 融，以接合因裂纹16而分离的部分，由此即可修补裂纹16。
在如上所述的构成中，与第1实施形式相同，将Si晶片1装载于 晶片定位台4之后，计算机9即根据位置检测传感器5所摄得的影像 信号识别破损的位置。此时，若未检测出破损等缺陷则结束处理。
检测出Si晶片1上的缺陷则继续进行处理，计算机9使装载于晶 片定位台4的Si晶片1，以回转方向R3进行回转，并可以在可利用局 部加热器15加热·熔融裂纹16的位置使回转停止而结束定位。
之后，以局部加热器15将Si晶片1的缺陷部分加热并熔融。其 结果，裂纹16等的缺陷将被修补。
如此，第3实施形式的晶片破损防止装置，通过以局部加热器15 进行加热与熔融处理，使破损的形状平滑化，或将裂纹融化接合，可 以防止从破损前端部6a及破损周边部6b发生裂纹，或是破损形状扩 大，并防止裂纹更扩大，甚至即使继续进行对于晶片的制造处理，亦 可可靠防止缺陷恶化，晶片破损等严重缺陷的发生。
4、第4实施形式
收纳于晶片盒2的多个Si晶片1中，具有破损6、裂纹16等缺陷 的Si晶片1在预先判明情况下，仅需修补具有缺陷的Si晶片1的缺 陷即可。
第4实施形式的晶片破损防止装置，其特征在于具有收纳于晶片 盒2内的多个Si晶片1的选择功能。此外，整体构成与图1所示第1 实施形式相同，其动作也除了下述的附加晶片选择处理这一点外，与 第1实施形式相同。
图10是表示晶片选择画面的说明图，图11是表示晶片盒2内Si晶片1的收纳状态的说明图。如图11所示，数个Si晶片1以WN1、WN2、 WN3顺序依次收纳，与在图10所示屏幕画面10a所示的No.1、No.2、 No.3的晶片相对应。
因此，收纳于晶片盒2内的Si晶片1，可以晶片标号方式进行选 择，例如，如预先判明No.2的晶片1(WN2)具有缺陷时，从图10所 示屏幕画面10a选择No.2的晶片，则可在计算机9的控制下，驱动晶 片传送机械臂3，使Si晶片1(WN2)装载于晶片定位台4上。
如此，第4实施形式的晶片破损防止装置，因为可以将收纳于晶 片盒2内的多个Si晶片1选择性地装载于晶片定位台4上，因此在判 明收纳于晶片盒2的多个Si晶片1中具有缺陷的晶片的情况下，可以 有效地仅对具有缺陷的Si晶片1进行修补。
此外，在未预先判明收纳于晶片盒2的多个Si晶片1中具有缺陷 的晶片的情况下，则将所有收纳于晶片盒2的多个Si晶片1，依次装 载于晶片定位台4上，通过位置检测传感器5以及计算机9可检测出 是否具有缺陷。
然后，对于检测出缺陷的Si晶片上，进行与第1实施形式同样的 Si晶片1的缺陷修补处理，而未检测出缺陷的Si晶片1，将迅速被送 回到晶片盒2。
5、第5实施形式
图12，是以模式的方式表示第5实施形式的晶片破损防止装置的 记录功能的说明图。如该图所示，具有记录包含表示对于多个晶片C1、 C2、C3......分别执行工序A、B、C后的Si晶片1上的缺陷分布的缺陷 分布晶片2 3A的分析信息的记录功能。此外，上述记录功能以外的构 成与第1实施形式的晶片破损防止装置相同。
此记录功能，在上述缺陷分布晶片以外，还有收纳了多个晶片的 群组(lot)编号、群组内晶片位置、工序名称、施行工序的处理装置 名称、装置的夹持(clamp)位置(装置抓住晶片的位置，成为破损、 裂纹发生的主要原因)等测定前信息。此外，缺陷分布晶片，可根据 使用第5实施形式的晶片破损防止装置而获得的执行各工序后的各个 晶片的破损位置、破损尺寸、裂纹位置、裂纹尺寸等测量信息而获得。
通过分析利用第5实施形式的晶片破损防止装置的记录功能而获 得的测量前信息以及测量信息，可以进行各种缺陷分析。例如，将某 装置的夹持位置与缺陷部分晶片上的缺陷位置相互对照，当对照结果 一致(关联性强)时，可以分析出该装置为造成缺陷的主要原因。此 外，所处理的晶片的种类随群组编号而不同的情况下，亦可就每个批 号编号比较缺陷分布晶片，分析晶片种类特性。再者，在以位置检测 传感器5以及计算机9，检测出破损6以及裂纹16以外的表面裂伤、 异物等其他的缺陷时，亦可根据含有此缺陷的缺陷分布晶片进行缺陷 分析。
在图12的例子中，是表示从A工序后的晶片缺陷分布23A，可以 分析出破损6的发生位置，与在A工序中X1装置的夹持痕迹(夹持位 置)一致，X1装置为缺陷发生原因，并可根据B工序后的晶片缺陷分 布23B的表面损伤26的发生程度，分析出表面损伤是因X2装置而发 生，以及可根据晶片缺陷分布23C的异物27的发生程度，分析出异物 是因X3装置而产生。
此外，亦可具有在分析时考虑偏离定位平面(orientationflat) 或槽口(notch)的情况，而在测量前与测量后的晶片对照时，在晶片 回转方向及XY方向加以补正的功能。
6、第6实施形式
图13是以模式方式表示本发明第6实施形式的晶片破损防止装置 的可动激光振荡器的说明图。如该图所示，采用可动激光振荡器17取 代激光振荡器7。此外，其他构成与第1图所示的第1实施形式的整体 构成相同。
如该图所示，可动激光振荡器17可于Si晶片1上自由移动。即， 活动式激光振荡器17，能够以可动激光振荡器17所产生的激光8的照 射部位(可熔融部位)在Si晶片1的全区域内变化的方式，进行自身 移动的移动动作。
因此，在计算机9的控制下，通过使可动激光振荡器17沿著裂纹 16移动而进行多次激光8的照射下，对于无法以1次激光8的照射修 补的较大形状的裂纹16，亦可通过毫无遗漏地照射激光8，精度良好 地使裂纹16的整体及其附近区域熔融。结果，可接合裂纹16而精度 良好地修补裂纹16。
此外，在第6实施形式中，由于可动激光振荡器17可在Si晶片1 上自由移动，因此晶片定位台4无须具有回转功能。另外，本实施形 式虽表示裂纹16的修补例子，但毋庸置疑亦同样可修补破损6。
7、第7实施形式
图14是以模式方式显示本发明第7实施形式的晶片破损防止装置 的可动局部加热器的说明书。如该图所示，使用可动局部加热器18取 代激光振荡器7。此外，其它的构成与图1所示的第1实施形式的整体 构成相同。
如该图所示，可动局部加热器18可在Si晶片1上自由移动。即， 可动局部加热器18，能够以可动局部加热器所做的局部加热(可熔融 部位)在Si晶片1的全区域内变化的方式，进行自身移动的移动动作。
因此，在计算机9的控制下，通过使可动局部加热器18沿著裂纹 16上移动而进行多次的加热·熔融，对于无法以1次加热·熔融修补 的较大形状的裂纹16，亦可精度良好地将裂纹16整体及其附近区域熔 融。结果，可通过接合裂纹16而进行精度良好的修补。
此外，在第7实施形式中，可动局部加热器18可在Si晶片1上 自由移动，因此晶片定位台4无须具有回转功能。此外，本实施形式 虽表示裂纹16的修补例子，但毋庸置疑亦同样可修补破损6。
8、第8实施形式
图15及图16，是以模式方式表示本发明第8实施形式的晶片破损 防止装置的可动晶片定位台的说明图。如该图所示，采用可动晶片定 侠台19取代晶片定位台4。此外，其他的构成与图1所示的第1实施 形式的整体构成相同。
如图所示，可动晶片定位台19，能够以所装载的Si晶片1的激光 振荡器7所发射的激光8的区域可设定在Si晶片1的全区域的方式自 由移动。因此，在计算机9的控制下，通过以使激光8沿著裂纹16移 动的方式使可动晶片定位台19移动而进行多次激光8的照射，对于无 法以1次激光8照射修补的较大形状的裂纹16，亦与第6实施形式相 同，可精度良好地修补裂纹16。
此外，在本实施形式中虽表示裂纹16的修补例子，但毋庸置疑的 亦同样可修补裂纹6。
9、第9实施形式
图17及图18，是以模式方式表示本发明第9实施形式的晶片破损 防止装置的可动晶片定位台的说明图。如图所示，采用局部加热器15 作为晶片熔融机构，以取代激光振荡器7，采用可动晶片定位台19取 代晶片定位台4，此外，其他构成与图1所示的第1实施形式的整体构 成相同。
如图所示，可动晶片定位台19，能够以所装载的Si晶片1的由局 部加热器15加热的区域可在Si晶片1的全区域进行设定的方式自由 移动。因此，在计算机9的控制下，以使局部加热器15沿着裂纹16 移动的方式，使活动式晶片定位台19移动而通过局部加热器15进行 多次加热·熔融，对于无法以1次加热·熔融修补的较大形状的裂纹 16，亦可与第7实施形式一样，精度良好地修补裂纹16。
此外，本实施形式中虽显示裂纹16的修补例，但毋庸置疑的亦可 同样修补裂纹6。
10、第10实施形式
图19是表示本发明第10实施形式的晶片破损防止装置的激光照 射部周边的说明图。如该图所示，以激光振荡器7A、7B取代激光振荡 器7，并在取代晶片定位台4的上下激光照射用晶片定位台20上载装 Si晶片1。在上下激光照射用晶片定位台20的中心部，因具有比Si晶片1小一圈形状的开口部20a，所以除了从Si晶片1的上方(表面)， 亦可从下方(背面)照射激光。
因此，可从Si晶片1的上方通过激光振荡器7A将激光8A照射于 Si晶片1，而且可从Si晶片1的下方通过激光振荡器7B，透过开口部 20a，将激光8B照射于Si晶片1上。此外，其他的构成与图1所示第 1实施形式的整体构成相同。
如上述构成的第10实施形式的晶片破损防止装置，可照射来自Si晶片1的表面及背面双方的激光而熔融Si晶片1，因此如图19所示， 即使在有从Si晶片1的表面到达背面的裂纹16存在的情况下，亦可 精度良好地进行适当的修补。
此外，将激光振荡器7A、7B形成为第6实施形式的可动激光振荡 器17一样的可动结构，或是将上下激光照射用晶片定位台20形成如 第8实施形式一样的可动结构，则与第6实施形式及第8实施形式一 样，毋庸置疑可以修补形状较大的裂纹16。
11、第11实施形式
图20是表示本发明第11实施形式的晶片破损防止装置的激光照 射部周边的说明图。如该图所示，采用局部加热器15A、15B取代激光 振荡器7，将Si晶片1装载于取代晶片定位台4的上下加热器加热用 晶片定位台21上。在上下加热器加热用晶片定位台21的中心部，因 具有比Si晶片1小一圈的较小形状的开口部21a，因此，除了从Si晶片1的上方(表面)，亦可从下方(背面)通过局部加热器进行加 热。
因此，可从Si晶片1的上方，通过局部加热器15A对Si晶片1 进行加热·熔融，亦可从Si晶片1的下方，透过开口部21a，通过局 部加热器15B进行加热·熔融。此外，其他的构成与图1所示的第1 实施形式的整体构成相同。
如上述构成的第11实施形式的晶片破损防止装置，因可通过Si晶片1的表面及背面双方的局部加热器进行加热而熔融Si晶片1，因 此如图20所示，即使在有从Si晶片1的表面到达背面的裂纹16存在 的情况下，亦可精度良好地加以修补。
此外，将局部加热器15A、15B形成为第7实施形式的可动局部加 热器18一样的可动结构，或是将上下加热器加热用晶片定位台21形 成如第9实施形式一样的可动结构，则与第7实施形式及第9实施形 式一样，毋庸置疑可以修补形状较大的裂纹16。
12、第12实施形式
图21是表示本发明第12实施形式的晶片破损防止装置的激光照 射部周边的说明图。如该图所示，添加局部加热器15，并将Si晶片1 装载于取代晶片定位台4的下方加热器加热用定位台22上。在下方加 热器加热用晶片定位台22的中心部，因具有比Si晶片1小一圈的较 小的形状的开口部22a，因此可从Si晶片1的下方(背面)通过局部 加热器进行加热。
因此，可从Si晶片1的上方，通过激光振荡器7，将激光8照射 于Si晶片1，亦可从Si晶片1的下方，透过开口部22a，通过局部加 热器15进行加热·熔融。此外，其他的构成与图1所示第1实施形式 的整体构成相同。
如上述构成的第12实施形式的晶片破损防止装置，因可从Si晶 片1的上方，通过激光振荡器7，将激光8照射于Si晶片1，亦可从 Si晶片1的下方，通过局部加热器15进行加热而将Si晶片1熔融， 因此如图21所示，即使在有从Si晶片1的表面到达背面的裂纹16存 在的情况下亦可精度良好地加以修补。
此外，如果将激光振荡器7构成为如第6实施形式的可动激光振 荡器17，或是将局部加热器15构成为如第7实施形式的可动局部加热 器18一样的可动结构，或是将下方加热器加热用晶片定位台22构成 为如第9实施形式的可动晶片定位台19一样的可动结构，则与第6实 施形式至第9实施形式一样，毋庸置疑可修补形状较大的裂纹16。
第12实施形式，因具有激光振荡器7及局部加热器15作为局部 熔融机构，因此兼具对于较短的破损6及裂纹16特别有效的激光振荡 器7的特性，以及对于较长的破损6及裂纹16特别有效的局部加热器 15的特性。
本发明虽已详细说明，但上述说明，所有的实施形式均为例示， 本发明不受其限制。应理解为，可在未超出本发明范围的情况下构思 出未例示的无数变形例。