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一种提高Mn掺杂量子点稳定性的方法

阅读:154发布:2023-02-23

专利汇可以提供一种提高Mn掺杂量子点稳定性的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种提高Mn掺杂 量子点 的热 稳定性 的方法,即通过调控Mn掺杂量子点的基体 合金 量子点的组份,增大基体材料的禁带宽度,从而提高量子点的 热稳定性 。利用该方法得到的Mn掺杂量子点,其发光强度可以从80-500K一直不衰减,远远高于非掺杂量子点及基体禁带宽度较小的Mn掺杂量子点,具有明显的应用价值。本方法在理论上具有普适性,即通过增大Mn掺杂量子点的基体材料的禁带宽度,可大幅度提高掺杂量子点的热稳定性。,下面是一种提高Mn掺杂量子点稳定性的方法专利的具体信息内容。

1.一种提高Mn掺杂量子点稳定性的方法,其特征在于包括以下步骤:
1)基体阴离子S族前驱体溶液的配备:a)S前驱体溶液:称取S粉,在惰性气体氛围下加热,使之完全溶解在十八烯中,形成透明油相溶液;b)Se前驱体溶液:称取Se粉,与氢化钠混合,在惰性气体的氛围下溶解在油胺中;
2)基体阳离子前驱体溶液的配备:将Zn前驱体溶液与十八烯、有机胺配体和脂肪酸混合后加入到玻璃瓶中,在惰性气体氛围下磁搅拌并升温到110℃,得到透明溶液;
3)MnSe晶核的制备:将Mn前驱体溶液和十八烯加入到三颈瓶中,在惰性气体氛围下升温到110℃保持20分钟,再升温到260℃,得到透明溶液,然后将上述步骤1)中Se前驱体溶液用热枪迅速注入该溶液中,得到MnSe晶核;
4)Mn:ZnSe量子点的制备:将步骤3)中的溶液温度设定在220℃~240℃,将步骤2)中的Zn前驱体溶液分3次加入其中,并在第一次加入Zn前驱体后升温到280℃保持10-20分钟,再降温到220℃分两次加入剩余的Zn前驱体并分别保持10-20分钟,得到Mn离子掺杂的ZnSe量子点;
5)将步骤4)得到的溶液用甲醇/正己烷萃取法纯化量子点,然后在萃取完的上层溶液中加入丙直到出现絮状,然后离心和沉淀,将沉淀物溶解到氯仿中,重复离心沉淀多次,获得纯净的Mn离子掺杂的ZnSe量子点;
6)ZnS壳层包覆:将步骤5)中得到的量子点溶解到十八烯和油胺的混合液中,将温度升高到100℃,在溶液中加入S前驱体溶液,隔5min后再加入Zn前驱体溶液,然后将温度升高到180℃,保持20分钟,让ZnS包覆到Mn:ZnSe量子点上。重复按上述过程加入Zn和S的前驱体,可进一步包覆ZnS壳层,直到达到需要的层数;
7)将步骤6)中的溶液升温到240℃-280℃,保持30分钟,让ZnSe层和ZnS层充分扩散,形成Mn掺杂的ZnSxSe1-x合金量子点;
8)在步骤7)得到的溶液用甲醇/正己烷萃取法纯化量子点,然后在萃取完的上层溶液中加入丙酮直到出现絮状,然后离心和沉淀;
9)将步骤8)得到的沉淀物溶解到氯仿中,再加丙酮重复离心沉淀2-3次,获得单分散的Mn掺杂的ZnSxSe1-x合金量子点。
2.根据权利要求1所述的提高Mn掺杂量子点热稳定性的方法,其特征在于:所述步骤
1)~9)中,通过调控ZnSxSe1-x合金量子点的组份,以通过增大合金量 子点基体材料的禁带宽度提高Mn掺杂量子点的热稳定性。
3.根据权利要求2所述通过调控ZnSxSe1-x合金量子点的组份,以通过增大合金量子点基体材料的禁带宽度提高Mn掺杂量子点的热稳定性。其ZnSxSe1-x合金量子点的组份可以通过调控S和Se的前驱体量的比例,也可以通过热处理的温度及时间控制ZnSe层和ZnS层的扩散程度来调控。
4.根据权利要求1所述的提高Mn掺杂量子点热稳定性的方法,这种方式是先制备Mn掺杂的ZnSe量子点,再包覆ZnS,通过热处理实现ZnSe层和ZnS层的扩散,得到Mn:
ZnSxSe1-x量子点,这种合成方式也可以替换为在步骤3)中,将原来用于注射的Se前驱体,直接替换为Se和S的混合前驱体,先制备MnSxSe1-x核,然后再加入Zn前驱体,得到Mn:ZnSxSe1-x量子点,通过控制前驱体中S和Se的比例和活性来调控ZnSxSe1-x的组份。
5.根据权利要求1所述的提高Mn掺杂量子点热稳定性的方法,其特征在于:所述步骤
4),在第一次加入锌前驱体后升温到280℃并保持10-20分钟,以促进Mn离子的扩散,从而提高目标量子点的光学性质从而保证在500K的高温下还能保持50%的发光效率
6.根据权利要求1所述的提高Mn掺杂量子点热稳定性的方法,其特征在于:所述步骤
7)中,将步骤溶液6)中的溶液通过升温热处理的方式,让ZnSe层和ZnS层充分扩散,形成Mn掺杂的ZnSxSe1-x合金量子点而不是Mn:ZnSe/ZnS核壳量子点。

说明书全文

一种提高Mn掺杂量子点稳定性的方法

技术领域

[0001] 本发明属于半导体纳米材料(量子点)制备技术领域,具体是涉及一种提高Mn掺杂量子点热稳定性的方法。技术背景
[0002] 当材料尺寸减少到纳米量级时,由于其纳米效应,材料将产生许多新颖而独特的优于传统材料的各种功能特性,在微电子生物工程、化工、医学等领域具有广泛的应用价值。
[0003] 近几年,以过渡金属为激活离子的纳米发光材料,由于其优异的光学特性,开始受到国内外许多学者的关注。已有研究表明,Mn掺杂的量子点不但能够保持一般非掺杂量子点光谱可调谐、发光效率高等优势,而且还可有效地抑制发光的自吸收效应,拥有更好的光化学稳定性等优异性质,在量子点发光器件、太阳能电池、生物荧光标记等方面已显示出诱人的应用前景。
[0004] 然而当量子点应用于发光器件比如量子点发光二极管时,由于器件的光电转化效率不可能为100%(目前的量子点发光二极管的最高效率不超过30%),因此在工作过程中不可避免的产生热量,导致工作温度远远超过室温。另一方面,量子点的发光机制决定了其发光强度(正比于发光效率)存在明显的温度相关性。一般情况下,温度越高发光效率越低,即存在热淬灭效应。据文献报道,一般非掺杂量子点在温度由室温升高到100℃时其发光强度将下降50%以上,这种严重的热淬灭效应直接影响了其在发光器件中的应用,因此提高量子点的热稳定性是解决其发光效率基础上的又一个关键科学问题。

发明内容

[0005] 本发明所要解决的技术问题是通过调控Mn掺杂量子点的基体材料的组份,提高量子点的热稳定性。本发明采用成核掺杂方式制备Mn掺杂量子点,通过改变基质材料的组份来调控其禁带宽度,通过变温光谱测试及理论分析证明,可以通过增大基体材料的禁带宽度来提高掺杂量子点的热稳定性。主要创新点如下:设计在Mn掺杂的ZnSe(Mn:ZnSe)量子点表面包覆ZnS壳层,经过高温处理形成Mn:ZnS1-xSex量子点,通过控制Se前驱体和S前驱体的比例,获得不同组份ZnS1-xSex的基体材料,并通过增加S组份比例,提高量子点的热稳定性。所得到的量子点发光强度在80-500K(-193℃-227℃)之间没有明显变化,同时其发光效率在500K的高温下还能达到50%以上,具有显著的应用价值。
[0006] 本发明解决上述技术问题所采用的技术方案,其主要包括以下步骤:
[0007] 1)基体阴离子硫族前驱体溶液的配备:a)S前驱体溶液:称取S粉,在惰性气体氛围下加热,使之完全溶解在十八烯中,形成透明油相溶液;b)Se前驱体溶液:称取Se粉,与氢化钠混合后,在惰性气体的氛围下溶解在油胺中;
[0008] 2)基体阳离子前驱体溶液的配备:将Zn前驱体溶液与十八稀、有机胺配体和脂肪酸混合加入到玻璃瓶中,在惰性气体氛围下磁搅拌并升温到110℃,得到透明溶液;
[0009] 3)MnSe晶核的制备:将Mn前驱体溶液与十八烯混合后加入到三颈瓶中,在惰性气体氛围下升温到110℃保持20分钟,以除去瓶中的和空气,再升温到260℃,得到透明溶液。然后将上述步骤1)中Se前驱体溶液迅速注入该溶液中,得到MnSe晶核。
[0010] 4)Mn:ZnSe量子点的制备:将步骤3)中的溶液温度设定在240℃,将步骤2)中的锌前驱体溶液分三次加入其中后并分别保持15分钟,利于锰离子充分扩散到ZnSe层,形成Mn:ZnSe量子点;
[0011] 5)将步骤4)得到的溶液用甲醇/正己烷萃取法纯化量子点,然后在萃取完的上层溶液中加入丙直到出现絮状,然后离心和沉淀,将沉淀物溶解到氯仿中,重复离心沉淀多次,以除去未反应完的前驱体溶液,获得纯净的Mn:ZnSe量子点;值得强调的是Mn:ZnSe量子点必须经过离心清洗以除去多余的前驱体以及反应边产物,否则在下面的步骤中由于前面反应过程中Se前驱体大量剩余在溶液中而在后续的反应过程中不能有效包覆ZnS,从而不能有效改变ZnSxSe1-x合金量子点的组份。
[0012] 6)ZnS壳层包覆:将步骤5)中得到的量子点溶解到十八烯和油胺的混合液中,将温度升高到100℃,在溶液中加入S前驱体溶液,隔5分钟后再加入Zn前驱体溶液,然后将温度升高到180℃,保持20分钟,让ZnS包覆到Mn:ZnSe量子点上。重复按上述过程加入S和Zn前驱体溶液,可进一步包覆ZnS壳层,直到所需要的层数;
[0013] 7)将步骤6)中的溶液升温到240℃,保持30分钟,让ZnSe层和ZnS层充分扩散,形成Mn掺杂的ZnSxSe1-x合金量子点;
[0014] 8)在步骤7)得到的溶液用甲醇/正己烷萃取法纯化量子点,然后在萃取完的上层溶液中加入丙酮直到出现絮状,然后离心和沉淀;
[0015] 9)将步骤8)得到的沉淀物溶解到氯仿中,再加丙酮重复离心沉淀2-3次,即可获得单分散的Mn掺杂的ZnSxSe1-x合金量子点,这些量子点可溶于极性有机溶剂
[0016] 所述步骤1)、2)、3)、4)中,为了防止纳米粒子表面化,所采用的惰性气体为氩气,也可以采用氮气或氦气。
[0017] 所述步骤2)中,所用的基体阳离子是Zn,其前驱体溶液可以为硬脂酸锌,也可采用油酸锌或乙酸锌。
[0018] 所述步骤3)中,所用Mn前驱体溶液为硬脂酸锰,也可是油酸锰或乙酸锰;
[0019] 所述步骤4)中,热处理的温度为240℃,也可以是240℃到280℃中的任意温度,温度越高,所需扩散时间越短。
[0020] 所述步骤6)中,所述的S前驱体溶液和Zn前驱体溶液在100℃下加入再升温到180℃生长,其也可以是直接在180℃交替加入生长ZnS壳层。
[0021] 所述步骤3)、4)、5)、6)、7)中,这种合成方式也可以替换为在步骤3)中,将原来用于注射的Se前驱体,直接替换为Se和S的混合前驱体,先制备MnSxSe1-x核,然后再加入Zn前驱体,得到Mn:ZnSxSe1-x量子点。
[0022] 所述步骤3)、4)、5)、6)、7)中,适合于制备0
[0023] 与现有技术相比,本发明的优点在于:
[0024] 1.本发明所获得Mn:ZnSxSe1-x量子点,当其x值为1时,其发光强度在80-500K之间没有明显变化,具有非常好的热稳定性,远远超过目前已有文献报道。
[0025] 2.本发明所获得Mn:ZnSxSe1-x量子点,当其x值为1时,即使在温度升到500K时,其发光效率还能达到50%以上,远远高于文献报道值。
[0026] 3.本发明可以通过调控Mn:ZnSxSe1-x量子点中Se和S的比例,实现调控量子点热稳定性的目的,并得到当x值越大,即基体材料的禁带宽度越大,量子点的热稳定性越好;
[0027] 4.本发明在理论上具有普适性,即通过增大Mn掺杂量子点的基体材料的禁带宽度,可大幅度提高掺杂量子点的热稳定性。附图说明
[0028] 图1为本发明实施例一、二、三、四所制得的样品A、B、C、D的吸收(左)和发光(右)光谱;
[0029] 图2为本发明实施例一、二、三、四所制得的样品A、B、C、D的变温光谱;
[0030] 图3为本发明实施例一、二、三、四所制得的样品A、B、C、D及对比的非掺杂CdSe/CdS/ZnS样品的发光强度随温度的变化关系。

具体实施方式

[0031] 以下结合附图实施例对本发明作进一步的详细描述。
[0032] 实施例一:
[0033] 参见图1(a)、图2(a)和图(3)所示,称取0.03g(0.05mmol)硬脂酸锰(MnSt2)和量取12mL ODE加入到100mL的三颈瓶中。通过重复抽真空再通氩气的方式保证瓶内高纯氩气氛围。从室温升温到110℃保持20min以除去瓶内瓦斯。然后再升温至260℃,在260℃下将Se前驱体溶液(包含1.5mmol Se粉、60mg NaBH4和5mL OLA)快速注入三颈瓶后保持5min,生成MnSe晶核。将上述溶液温度设定在240℃,把Zn前驱体(包含1mmol硬脂酸锌,0.25mmol硬脂酸,和6mL ODE)的其中1/3加入到上述溶液中后保持10min,然后升温到280℃保持10min,促进Mn离子的扩散,提高目标量子点的发光效率。然后将温度下降到
220℃,间隔10min加入第二个和第三个1/3的Zn前驱体,加完后保持10min。最后将溶液冷却至室温,用甲醇/正己烷萃取法纯化量子点。并用丙酮和氯仿离心清洗多次,得到纯净的x=0的Mn:ZnSxSe1-x量子点。该条件下制备的Mn:ZnSe的吸收及发射光谱如图1(a)所示。其变温光谱以及发光强度随温度的变化关系分别如图2(a)和图(3)所示。
[0034] 实施例二:
[0035] 参见图1(b)、图2(b)和图(3)所示,称取0.03g(0.05mmol)硬脂酸锰(MnSt2)和量取12mL ODE加入到100mL的三颈瓶中。通过重复抽真空再通氩气的方式保证瓶内高纯氩气氛围。从室温升温到110℃保持20min以除去瓶内瓦斯。然后再升温至260℃,在260℃下将Se前驱体溶液(包含1.5mmol Se粉、60mg NaBH4和5mL OLA)快速注入三颈瓶后保持5min,生成MnSe晶核。将上述溶液温度设定在240℃,把Zn前驱体(包含1mmol硬脂酸锌,0.25mmol硬脂酸,和6mL ODE)的其中1/3加入到上述溶液中后保持10min,然后升温到280℃保持10min,促进Mn离子的扩散,提高目标量子点的发光效率。然后将温度下降到220℃,间隔10min加入第二个和第三个1/3的Zn前驱体,加完后保持10min。最后将溶液冷却至室温,用甲醇/正己烷萃取法纯化量子点。并用丙酮和氯仿离心清洗多次,得到纯净的Mn:ZnSe量子点。再将上述Mn:ZnSe量子点样品溶解到ODE(5ml)和OLA(0.2g)的混合溶液中,在惰性气体氛围下加热到100℃,将Zn前驱体(包含1.5mmol硬脂酸锌,15ml ODE)的其中1/2加入到上述溶液中,保持5min后,再将硫前驱体(包含0.15mmol硫粉,15ml ODE)的其中1/2加入到上述溶液中,然后温度迅速升高到180℃,保持20min,让ZnS包覆到Mn:ZnSe量子点上。最后将溶液温度升高到240℃并保持20min,让ZnSe/ZnS层充分扩散,形成Mn:ZnSxSe1-x量子点,标记为样品B。该条件下制备的Mn:ZnSxSe1-x的吸收及发射光谱如图1(b)所示。通过EDX检测,样品的x=0.27,其变温光谱以及发光强度随温度的变化关系分别如图2(b)和图(3)所示。
[0036] 实施例三:
[0037] 参加1(c)、2(c)和图(3)所示,称取0.03g(0.05mmol)硬脂酸锰(MnSt2)和量取12mL ODE加入到100mL的三颈瓶中。通过重复抽真空再通氩气的方式保证瓶内高纯氩气氛围。从室温升温到110℃保持20min以除去瓶内瓦斯。然后再升温至260℃,在260℃下将Se前驱体溶液(包含1.5mmol Se粉、60mg NaBH4和5mL OLA)快速注入三颈瓶后保持5min,生成MnSe晶核。将上述溶液温度设定在240℃,把Zn前驱体(包含1mmol硬脂酸锌,0.25mmol硬脂酸,和6mL ODE)的其中1/3加入到上述溶液中后保持10min,然后升温到280℃保持
10min,促进Mn离子的扩散,提高目标量子点的发光效率。然后将温度下降到220℃,间隔
10min加入第二个和第三个1/3的Zn前驱体,加完后保持10min。最后将溶液冷却至室温,用甲醇/正己烷萃取法纯化量子点。并用丙酮和氯仿离心清洗多次,得到纯净的Mn:ZnSe量子点。再将上述Mn:ZnSe量子点样品溶解到ODE(5ml)和OLA(0.2g)的混合溶液中,在惰性气体氛围下加热到100℃,将Zn前驱体(包含1.5mmol硬脂酸锌,15ml ODE)的其中1/2加入到上述溶液中,保持5min后,再将硫前驱体(包含0.15mmol硫粉,15ml ODE)的其中1/2加入到上述溶液中,然后温度迅速升高到180℃,保持20min,让ZnS包覆到Mn:ZnSe量子点上,再将温度降低到100℃,间隔5min分别加入剩余的1/2Zn前驱体和S前驱体,加完后将溶液温度升高到180℃,进一步形成ZnS壳层。该条件下制备的Mn:ZnSxSe1-x量子点的吸收及发射光谱如图1(c)所示。EDX测试结果表明其x=0.72,其变温光谱以及发光强度随温度的变化关系分别如图2(c)和图(3)所示。
[0038] 实施例四:
[0039] 参见图1(d)、2(d)和图(3)所示,称取0.03g(0.05mmol)MnSt2和量取12mL ODE加入到100mL的三颈瓶中。通过重复抽真空再通氩气的方式保证瓶内高纯氩气氛围。从室温升温到110℃保持20min以除去瓶内瓦斯,然后再升温至260℃。在260℃下将S前驱体溶液(包含1.5mmol S、3mL ODE和1.5g十八硫醇(ODT))快速注入三颈瓶,生成MnS晶核。注S后将温度迅速降至150℃停止MnS晶核继续生长,然后将温度迅速升高到260℃。将Zn前驱体(包含1mmol硬脂酸锌和10ml ODE)的其中1/3加入到上述溶液中,将温度设为
240℃保持10min,再升温到280℃保持10min,促进Mn离子的扩散,提高目标量子点的发光效率。然后将温度下降到220℃,再加入第二个1/3的Zn前驱体,并保持10min后再加入第三个1/3的Zn前驱体,保持10min后,将溶液冷却至室温,用甲醇/正己烷萃取法纯化量子点。并用丙酮和氯仿离心清洗多次,得到纯净的x=1的Mn:ZnSxSe1-x量子点,记为样品D。
该条件下制备的Mn:ZnSxSe1-x的吸收及发射光谱如图1(d)所示,其变温光谱以及发光强度随温度的变化关系分别如图2(d)和图(3)所示。
[0040] 从图1中的吸收光谱可以看出,随着Mn:ZnSxSe1-x量子点的x值的不断增大,其吸收边蓝移,表明量子点的禁带宽度不断变大,与理论计算吻合。从图1的发光谱中可以看4 6
出,其峰位分布于580-605nm之间,可以确定来自于典型的Mn离子的 T1-A1发射。
[0041] 从图2和图3,A、B、C、D四个样品的变温光谱及发光强度随温度变化的关系可以看出,随着Mn:ZnSxSe1-x量子点的x值的不断增大,发光强度随温度升高而降低的趋势越来越弱,即热淬灭效应得到明显抑制。我们注意到,当x=1时的样品D,即使在整个80到500K的变温区域内,样品的发光强度基本保持不变,体现出非常优异的热稳性。另外图3也提供了发光效率为70%的目前应用得最广泛的CdSe/CdS/ZnS高质量量子点的变温光谱作为比较,我们发现当温度从300K升高到400K时CdSe/CdS/ZnS量子点的发光强度降低了50%以上,这也说明了我们所得到的Mn:ZnSxSe1-x量子点具有非常优异的热稳定性。
[0042] 结合图1和图2,以及图3的结果,我们可以得到,随着Mn:ZnSxSe1-x量子点的x值的不断增大,其基体材料的禁带宽度不断增大,样品的热稳定性不断增强。
[0043] 应该强调的是,本公开内容的上述实施方式仅仅是实施的部分实施方式,并且仅为了清楚地理解本公开内容的原理而被阐述,在基本上不偏离本公开内容的精神和原理的情况下,可以对本公开内容的上述实施方式进行很多变化和修改,在这里所有这些修改和变化意图包括在本公开内容的范围内。
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