技术领域
[0001] 本
发明涉及
半导体技术领域，具体涉及一种基于Cu衬底基GaN整流器及其制备方法。
背景技术
[0002] 作为第三代半导体材料的代表，GaN具有许多优良的特性，如二维
电子气浓度高、禁带宽度大、击穿
电压高、电子迁移率高及饱和电子漂移速度快等，因此GaN基器件具有通态
电阻小、耐高压及耐高温等特点，在功率器件领域优势明显，尤其是在整流器方面。然而，目前GaN基整流器发展严重受限，主要原因是器件尺寸不断缩小，对
散热要求也不断提升，常规的
硅衬底导热系数小(150W/m·K)，已无法满足整流器发展的需求，如果散热不及时，会
加速材料
缺陷的延展以及器件的老化失效，使器件寿命缩短。而导热系数大(401W/m·K)的
铜衬底十分合适，可是铜的热
稳定性差，且会令漏
电流增大不利于制备整流器。为了解决此问题，国内外研究人员提出多种散热方式来改善器件高温稳定性。然而，一半以上电子产品损耗问题仍然与
温度密切相关。因此，器件的
热稳定性问题亟待解决。
发明内容
[0003] 为了克服
现有技术存在的缺点与不足，本发明提供一种基于Cu衬底基GaN整流器及其制备方法，本发明在低温范围(600℃～700℃)下，实现了高
质量氮化物
异质外延，各功能层之间界面清晰，达到标准器件对材料的性能要求。
[0004] 本发明采用如下技术方案：
[0005] 一种基于Cu衬底基GaN整流器的制备方法，包括如下步骤：
[0006] S1在GaN靶材上选区沉积
石墨层，得到沉积石墨层的GaN靶材区域与纯净GaN靶材区域；
[0007] S2通过
脉冲激光沉积方法，采用脉冲激光轰击上述沉积石墨层的GaN靶材，在Cu衬底上生长
碳掺杂的GaN高阻层；
[0008] S3通过脉冲激光沉积方法，采用脉冲激光轰击纯净GaN靶材区域，在GaN高阻层生长GaN
缓冲层，采用脉冲激光轰击AlGaN靶材在GaN缓冲层上沉积AlGaN势垒层；
[0009] S4在AlGaN势垒层上沉积欧姆
电极及肖特基电极；
[0010] S5在AlGaN势垒层上沉积得到SiO2表面
钝化层，经材料清洗工艺后得到Cu衬底的GaN基整流器。
[0011] 所述S1中石墨层的厚度＞4μm。
[0012] 所述沉积石墨层的GaN靶材区域与纯净GaN靶材区域的面积之比为2。
[0013] 所述步骤S2及S3中，采用脉冲激光沉积方法的条件相同，具体为：
激光器能量维持在350～400mJ，
频率维持在20Hz～30Hz，生长温度维持在600℃～680℃，靶材与衬底距离维持在4mm～5mm，腔体压
力维持在4～5mTorr。
[0014] 所述GaN高阻层、GaN缓冲层、AlGaN势垒层厚度分别为2μm、2～3μm和15～20nm。
[0015] 所述欧姆电极为N极，其结构为20nmTi/40nm Al/40nm Ni/100nm Au。
[0016] 所述S4及S5采用电极蒸
镀方法，所述电极蒸镀方法包括电子束蒸镀或者
磁控溅射方法。
[0017] 所述GaN高阻层的电阻值高达107Ω。
[0018] 所述肖特基电极的结构为50nm Ni/150nm Au。
[0019] 一种基于Cu衬底基GaN整流器，从下至上包括Cu衬底、高掺杂GaN高阻层、GaN缓冲层、AlGaN势垒层及SiO2表面
钝化层，还包括肖特基
接触电极及N型
欧姆接触电极，所述肖特基接触电极及N型欧姆接触电极设置在AlGaN势垒层的上表面，其中，两种电极间在外加电压条件下形成横向
电场，使二维电子气沿界面输运形成电流。
[0020] 本发明的有益效果：
[0021] (1)本发明在引入金属衬底的同时，插入高掺杂GaN绝缘层，大幅减少了
漏电流增大程度，能够在不影响器件常规性能的条件下，解决整流器在大功率工作条件下的热稳定性问题。
[0022] (2)本发明采用脉冲激光沉积法(Pulsed Laser Deposition，PLD)，创造性的在高热导率的Cu衬底(401W/m·K)上制得氮化物
薄膜。与现有的氮化物生长技术相比，通过调整脉冲激光能量、频率以及腔室压力，在Cu(111)衬底
翘曲的极限温度范围(600℃～700℃，低于氮化物一般生长温度600℃)内，获得了晶体质量优良、异质界面清晰的氮化物薄膜。
[0023] (3)引入GaN高阻层减少了Cu衬底对漏电流的影响，使器件达到标准。因此，基于高质量的氮化物薄膜和合理的器件结构设计，成功制备了散热良好、性能稳定的Cu衬底GaN基整流器。
[0024] (4)本技术方案与传统的CMOS工艺相兼容，在制备过程中无复杂操作和其他有害副产物产生，为未来大功率电子器件热稳定性问题提供解决方案。
附图说明
[0025] 图1是本发明整流器的结构示意图；
[0026] 图2是本发明
实施例1制得高质量GaN与Cu衬底间的TEM图。
具体实施方式
[0027] 下面结合实施例及附图，对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
[0028] 实施例1
[0029] 一种基于Cu衬底基GaN整流器的制备方法，包括如下步骤：
[0030] S1在室温下，将单晶Cu(111)衬底清洗、吹干后，放入快速
退火炉中，通入30sccm氩气，在400℃下退火，得到干净单晶Cu衬底，并送入脉冲激光沉积(PLD)腔室中；
[0031] S2通过
电子束蒸发的一般工艺方法，在2英寸GaN靶材上选区沉积5μm的石墨层，
覆盖石墨层的靶材区域与未覆盖石墨层的靶材区域成轴对称分布，面积之比为2。
[0032] S3通过脉冲激光沉积(PLD)的方法，设置PLD激光器能量为380mJ，频率维持在20Hz，生长温度维持在600℃，靶材与衬底距离维持在4mm，腔体压力维持在4mTorr，在Cu(111)衬底上依次生长2μm碳掺杂的GaN高阻层、2μm GaN缓冲层、18nm AlGaN势垒层，如图2所示。
[0033] S4依次通过
光刻、
电子束蒸发、Lift-off以及快速退火的方法，在AlGaN势垒层上制备N型欧姆电极(20nmTi/40nm Al/40nm Ni/100nm Au)，在500℃下35s退火形成理想的欧姆接触；
[0034] S5通过光刻、电子束蒸发及Lift-off的方法，在AlGaN势垒层上制备肖特基电极；
[0035] S6通过PECVD、湿法
刻蚀的一般工艺方法，进行表面钝化处理，在AlGaN势垒层上沉积得到SiO2表面钝化层，经材料清洗一般工艺后得到所述Cu衬底的GaN基整流器。
[0036] 采用本实施例制备得到的整流器，如图1所示，包括Cu衬底1、高掺杂GaN高阻层2、GaN缓冲层3、AlGaN势垒层4、SiO2表面钝化层6、肖特基接触电极7、N型欧姆接触电极5；所述高掺杂GaN高阻层在Cu衬底上；所述GaN缓冲层在高掺杂GaN高阻层上；所述AlGaN势垒层在GaN缓冲层上；所述SiO2表面钝化层在AlGaN势垒层上；所述肖特基接触电极、N型欧姆接触电极均与AlGaN势垒层接触，其中，两种电极间在外加电压条件下形成横向电场，使二维电子气沿界面输运形成电流。
[0037] 实施例2
[0038] 一种基于Cu衬底基GaN整流器的制备方法，包括如下步骤：
[0039] S1在室温下，将单晶Cu(111)衬底清洗、吹干后，放入快速
退火炉中，通入30sccm氩气，在400℃下退火，得到干净单晶Cu衬底，并送入脉冲激光沉积(PLD)腔室中；
[0040] S2通过电子束蒸发的一般工艺方法，在2英寸GaN靶材上选区沉积6μm的石墨层，覆盖石墨层的靶材区域与未覆盖石墨层的靶材区域成轴对称分布，面积之比为2。
[0041] S3通过脉冲激光沉积(PLD)的一般工艺方法，设置PLD激光器能量为400mJ，频率维持在25Hz，生长温度维持在640℃，靶材与衬底距离维持在4.5mm，腔体压力维持在4.5mTorr，在Cu(111)衬底上依次生长2μm碳掺杂的GaN高阻层、2.5μm GaN缓冲层、18nm AlGaN势垒层。
[0042] S4依次通过光刻、电子束蒸发、Lift-off以及快速退火的方法，在AlGaN势垒层上制备N型欧姆电极(20nmTi/40nm Al/40nm Ni/100nm Au)，在525℃下30s退火形成理想的欧姆接触；
[0043] S5通过光刻、电子束蒸发及Lift-off的方法，在AlGaN势垒层上制备肖特基电极；
[0044] S6通过PECVD、湿法刻蚀的一般工艺方法，进行表面钝化处理，在AlGaN势垒层上沉积得到SiO2表面钝化层，经材料清洗一般工艺后得到所述Cu衬底的GaN基整流器。
[0045] 本实施例制备得到的整流器与实施例1结构相同。
[0046] 实施例3
[0047] 一种基于Cu衬底基GaN整流器的制备方法，包括如下步骤：
[0048] S1在室温下，将单晶Cu(111)衬底清洗、吹干后，放入快速退火炉中，通入30sccm氩气，在400℃下退火，得到干净单晶Cu衬底，并送入脉冲激光沉积(PLD)腔室中；
[0049] S2通过电子束蒸发的一般工艺方法，在2英寸GaN靶材上选区沉积4.5μm的石墨层，覆盖石墨层的靶材区域与未覆盖石墨层的靶材区域成轴对称分布，面积之比为2。
[0050] S3通过脉冲激光沉积(PLD)的一般工艺方法，设置PLD激光器能量为350mJ，频率维持在30Hz，生长温度维持在680℃，靶材与衬底距离维持在5mm，腔体压力维持在5mTorr，在Cu(111)衬底上依次生长2μm碳掺杂的GaN高阻层、3μm GaN缓冲层、18nm AlGaN势垒层。
[0051] S4通过光刻、电子束蒸发、Lift-off以及快速退火的一般工艺方法，在AlGaN势垒层上制备N型欧姆电极(20nmTi/40nm Al/40nm Ni/100nm Au)，在550℃下退火25s形成理想的欧姆接触；
[0052] S5、通过光刻、电子束蒸发、Lift-off的一般工艺方法，在AlGaN势垒层上制备肖特基电极(50nm Ni/150nm Au)；
[0053] S6、通过PECVD、湿法刻蚀的一般工艺方法，进行表面钝化处理，在AlGaN势垒层上沉积得到SiO2表面钝化层，经材料清洗一般工艺后得到所述Cu衬底的GaN基整流器。
[0054] 本实施例制备得到的整流器与实施例1结构相同。
[0055] 上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受所述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。
