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镀膜设备

阅读：168发布：2020-05-11

专利汇可以提供镀膜设备专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明提供了一镀膜设备，其中所述镀膜设备包括一反应腔体、一气体供给部、一真空抽气装置、一脉冲电源以及一射频电源，其中所述反应腔体具有一反应腔，其中所述气体供给部用于向所述反应腔供给气体，其中所述真空抽气装置被可连通于所述反应腔地连接于所述反应腔体，其中所述脉冲电源用于向所述反应腔体提供脉冲电场，其中所述射频电源用于向所述反应腔体提供射频电场，其中多个该镀膜工件被保持于所述反应腔，当所述脉冲电源和所述射频电源被接通，所述反应腔体内的气体在射频电场和脉冲电场的作用下电离产生等离子体并且等离子体朝向该待镀膜工件的表面沉积。，下面是镀膜设备专利的具体信息内容。

权利要求

1.一镀膜设备，供至少一待镀膜工件镀膜，其特征在于，包括：
一反应腔体，其中所述反应腔体具有一反应腔；
一气体供给部，其中所述气体供给部用于向所述反应腔供给气体；
一抽气装置，其中所述抽气装置被可连通于所述反应腔地连接于所述反应腔体，所述抽气装置用于抽取所述反应腔内的气体以控制真空度；以及
一脉冲电源，其中所述脉冲电源用于向所述反应腔体提供脉冲电场，其中多个该待镀膜工件被保持于所述反应腔，当所述脉冲电源被连通，所述反应腔体内的气体在脉冲电场的作用下电离产生等离子体并且等离子体朝向该镀膜工件的表面沉积。
2.根据权利要求1所述的镀膜设备，进一步包括一射频电源，其中所述射频电源用于向所述反应腔体提供射频电场，当所述射频电源被接通，等离子体在脉冲电场和射频电场的作用下朝向该待镀膜工件的表面沉积。
3.根据权利要求1或2所述的镀膜设备，进一步包括至少一电极，其中至少一所述电极作为所述脉冲电源的阴极被设置在该镀膜工件的一侧以使等离子体中的正离子加速朝向该镀膜工件运动。
4.根据权利要求3所述的镀膜设备，其中至少一所述电极作为所述脉冲电源的阴极被设置在该镀膜工件的另一侧以形成所述脉冲电场。
5.根据权利要求3所述的镀膜设备，其中至少一所述电极作为所述脉冲电源的阳极被设置在所述反应腔体。
6.根据权利要求2所述的镀膜设备，进一步包括一多层支架，其中所述多层支架包括多个支撑件，所述支撑件被保持预设间隔地保持于所述反应腔，其中多个该待镀膜工件被分别支撑于所述支撑件，其中作为所述脉冲电源的阴极的所述电极被设置于至少一所述支撑件。
7.根据权利要求2所述的镀膜设备，进一步包括一多层支架，其中所述多层支架包括多个支撑件，其中多个该待镀膜工件被分别支撑于所述支撑件，其中至少一个所述支撑件作为所述脉冲电源的阴极。
8.根据权利要求6或7所述的镀膜设备，其中至少一个所述支撑件作为所述射频电源的电极。
9.根据权利要求6或7所述的镀膜设备，其中至少一个所述支撑件作为所述脉冲电源的阳极。
10.根据权利要求8所述的镀膜设备，其中作为所述射频电源的电极位于该待镀膜工件的上方并且该待镀膜工件被支撑于作为所述脉冲电源的阴极的所述支撑件。
11.根据权利要求9所述的镀膜设备，其中作为所述脉冲电源的阳极的所述支撑件位于该待镀膜工件的上方并且该待镀膜工件被支撑于作为所述脉冲电源的阴极的所述支撑件。
12.根据权利要求9所述的镀膜设备，其中作为所述脉冲电源的阴极的所述支撑件和作为所述脉冲电源的阳极的所述支撑件被交替布置。
13.根据权利要求7所述的镀膜设备，其中所述多层支架的至少一层被作为所述气体供给部，并且作为所述气体供给部的所述支撑件位于该待镀膜工件的上方。
14.根据权利要求13所述的镀膜设备，其中作为所述气体供给部所述支撑件包括一顶板和一底板，其中所述顶板和所述底板之间预留空间供气体暂存，所述底板形成至少一出气口，以使得气体自该待镀膜工件的上方位置逸出。
15.根据权利要求14所述的镀膜设备，其中作为所述气体供给部的所述支撑件和作为所述脉冲电源的阴极的所述支撑件被交替布置。
16.根据权利要求14所述的镀膜设备，其中所述出气口被均匀地布置在该镀膜工件的上方。
17.根据权利要求14所述的镀膜设备，其中作为所述气体供给部的所述支撑件被可导通地连接于所述射频电源。
18.根据权利要求13至17任一所述的镀膜设备，其中所述支架被可整个取出地放置于所述反应腔体，所述支架进一步包括至少二根立柱，其中每一所述支撑件被保持预设间隔地设置于所述立柱。
19.根据权利要求18所述的镀膜设备，其中所述支架进一步包括至少一绝缘件，其中所述绝缘件被设置于所述立柱的底端以隔绝所述支架和所述反应腔体。
20.根据权利要求13至17任一所述的镀膜设备，其中所述支架被可拆卸地支撑于所述反应腔体。
21.根据权利要求20所述的镀膜设备，其中每一所述支撑件被相互平行地被架设于所述反应腔体。
22.根据权利要求1至4任一所述的镀膜设备，其中所述脉冲电源的镀膜电压被控制为-
300V～-3500V，所述脉冲电源的频率为20KHz～360KHz。
23.根据权利要求1至4任一所述的镀膜设备，其中所述脉冲电源的占空比被设置为5％～100％。
24.根据权利要求1至4任一所述的镀膜设备，其中所述镀膜设备在镀膜前的真空度被控制为不大于2×10-3Pa。
25.根据权利要求1至4任一所述的镀膜设备，其中所述镀膜设备在镀膜过程中的真空度被设置为0.1～20Pa。

说明书全文

镀膜设备

技术领域

[0001] 本发明涉及到镀膜领域，尤其涉及到镀膜设备。

背景技术

[0002] 镀膜技术是一种能够提升材料表面性能的有效手段，其通过采用在待镀膜工件表面形成膜层的方式来增强待镀膜工件表面的强度、防刮、耐磨性、散热性、防水性、耐腐蚀性
或者是低摩擦性等性能。

[0003] 从目前市场需求来看，镀膜技术在电子产品防护领域的应用受到越来越高的关注。待镀膜的电子产品各式各样，如PCB电路板、电子器件、手机、键盘、电脑等。其中每年手
机的全球出货量达到15亿台以上，镀膜技术在手机PCB主板、PCB副板、充电口、TF卡口、耳机
孔、屏幕等组件防护获得了广泛的应用。一般来说，手机不仅要求镀于其上的膜层具有增强
手机表面的耐磨度和强度的功能，还对膜层的透光性有较高的要求。膜层的功能特性很大
程度上是由镀膜设备、工艺技术等因素决定的。

[0004] 目前镀膜技术主要采用的是真空气相沉积方法，其又可分为物理气相沉积法(PVD)和化学气相沉积法(CVD)。物理气相沉积法主要可分为真空蒸发镀膜、溅射镀膜、离子
镀膜；化学气相沉积法可根据原料激活的方式分为热CVD、等离子体CVD、激光CVD、紫外线
CVD等。

[0005] 等离子增强化学气相沉积(PECVD)镀膜技术具有沉积温度低、沉积速率较高等诸多特点，是制备镀膜的另一常用技术手段。等离子增强化学气相沉积镀膜技术利用等离子
体中的高能电子激活气体分子，促进自由基化和离子化，产生化学活性较强的高能粒子、原
子或者分子态离子和电子等大量活性粒子，活性粒子化学反应生成反应产物。由于高能电
子为源物质粒子提供了能量，因此不需要提供较多的外界热能就可以发生化学气相沉积，
从而降低反应温度，这使得本来难以发生或者是反应速度很慢的化学反应成为可能。

[0006] 在专利CN203411606U中揭露了一种镀膜设备，利用了等离子增强化学气相沉积镀膜技术进行镀膜，其被设置有多个腔体，至少一个腔体用于镀膜前缓冲，至少一个腔体用于
镀膜，至少一个腔体用于镀膜后冷却缓冲。显然，这样的镀膜设备结构较为复杂，比如说独
立的腔体之间需要被设置有控制阀门，还需要额外设置在多个腔体之间传送待镀膜工件的
装置。在生产过程中一旦产生故障，维修的难度和成本也可能由于多个腔体的存在而增加。

[0007] 因此，如何提供一种结构简单、适于大批量制备膜层的镀膜设备，是目前急需解决的问题。

发明内容

[0008] 本发明的一个目的在于提供一镀膜设备，其中所述镀膜设备适于工业化应用。

[0009] 本发明的另一目的在于提供一镀膜设备，其中所述镀膜设备能够对于较多数量的待镀膜工件同时进行镀膜。

[0010] 本发明的另一目的在于提供一镀膜设备，其中所述镀膜设备能够对于待镀膜工件表面进行刻蚀和活化，以有利于在待镀膜工件表面制备膜层。

[0011] 本发明的另一目的在于提供一镀膜设备，其中所述镀膜设备能够给待镀膜工件镀上有机膜。

[0012] 本发明的另一目的在于提供一镀膜设备，其中所述镀膜设备能够给待镀膜工件镀上无机膜。

[0013] 本发明的另一目的在于提供一镀膜设备，其中所述镀膜设备能够对于不同类型的待镀膜工件进行镀膜。

[0014] 本发明的另一目的在于提供一镀膜设备，其中所述镀膜设备能够在低温环境下给待镀膜工件进行镀膜以避免对于待镀膜工件的损伤。

[0015] 根据本发明的一方面，本发明提供了一镀膜设备，供至少一待镀膜工件镀膜，其中所述镀膜设备包括：

[0016] 一反应腔体，其中所述反应腔体具有一反应腔；

[0017] 一气体供给部，其中所述气体供给部用于向所述反应腔供给气体；

[0018] 一抽气装置，其中所述抽气装置被可连通于所述反应腔地连接于所述反应腔体；以及

[0019] 一脉冲电源，其中所述脉冲电源用于向所述反应腔体提供脉冲电场，其中多个该待镀膜工件被保持于所述反应腔，当所述脉冲电源被连通，所述反应腔体内的气体在脉冲
电场的作用下电离产生等离子体并且等离子体朝向该镀膜工件的表面沉积。

[0020] 根据本发明的至少一实施例，所述镀膜设备进一步包括一射频电源，其中所述射频电源用于向所述反应腔体提供射频电场，当所述射频电源被接通，等离子体在脉冲电场
和射频电场的作用下朝向该待镀膜工件的表面沉积。

[0021] 根据本发明的至少一实施例，至少一所述电极作为所述脉冲电源的阴极被设置在该镀膜工件的另一侧以形成所述脉冲电场。

[0022] 根据本发明的至少一实施例，至少一所述电极作为所述脉冲电源的阳极被设置在所述反应腔体。

[0023] 根据本发明的至少一实施例，所述镀膜设备进一步包括一多层支架，其中所述多层支架包括多个支撑件，所述支撑件被保持预设间隔地保持于所述反应腔，其中多个该待
镀膜工件被分别支撑于所述支撑件，其中作为所述脉冲电源的阴极的所述电极被设置于至
少一所述支撑件。

[0024] 根据本发明的至少一实施例，所述镀膜设备进一步包括一多层支架，其中所述多层支架包括多个支撑件，其中多个该待镀膜工件被分别支撑于所述支撑件，其中至少一个
所述支撑件作为所述脉冲电源的阴极。

[0025] 根据本发明的至少一实施例，至少一个所述电极作为所述射频电源的电极被设置于所述支撑件。

[0026] 根据本发明的至少一实施例，至少一个所述电极作为所述脉冲电源的阳极被设置于所述支撑件。

[0027] 根据本发明的至少一实施例，作为所述射频电源的电极位于该待镀膜工件的上方并且该待镀膜工件被支撑于作为所述脉冲电源的阴极的所述支撑件。

[0028] 根据本发明的至少一实施例根据本发明的至少一实施例，作为所述脉冲电源的阴极的所述支撑件和作为所述脉冲电源的阳极的所述支撑件被交替布置。

[0029] 根据本发明的至少一实施例，所述射频电场被电离的等离子体中的正离子自上而下朝向该镀膜工件的运动并且沉积在该镀膜工件的表面。

[0030] 根据本发明的至少一实施例，所述多层支架的至少一层被作为所述气体供给部，并且作为所述气体供给部的所述支撑件位于该待镀膜工件的上方。

[0031] 根据本发明的至少一实施例，作为所述气体供给部所述支撑件包括一顶板和一底板，其中所述顶板和所述底板之间预留空间供气体暂存，所述底板形成至少一出气口，以使
得气体自该待镀膜工件的上方位置逸出。

[0032] 根据本发明的至少一实施例，作为所述气体供给部的所述支撑件和作为所述脉冲电源的阴极的所述支撑件被交替布置。

[0033] 根据本发明的至少一实施例，所述出气口被均匀地布置在该镀膜工件的上方。

[0034] 根据本发明的至少一实施例，作为所述气体供给部的所述支撑件被可导通地连接于所述射频电源。

[0035] 根据本发明的至少一实施例，所述支架被可整个取出地放置于所述反应腔体，所述支架进一步包括至少二根立柱，其中每一所述支撑件被保持预设间隔地设置于所述立
柱。

[0036] 根据本发明的至少一实施例，所述支架进一步包括至少一绝缘件，其中所述绝缘件被设置于所述立柱的底端以隔绝所述支架和所述反应腔体。

[0037] 根据本发明的至少一实施例，所述支架被可拆卸地支撑于所述反应腔体。

[0038] 根据本发明的至少一实施例，每一所述支撑件被相互平行地被架设于所述反应腔体。

[0039] 根据本发明的至少一实施例，所述脉冲电源的镀膜电压被控制为-300V～-3500V，所述脉冲电源的频率为20KHz～360KHz。

[0040] 根据本发明的至少一实施例，所述脉冲电源的占空比被设置为5％～100％。

[0041] 根据本发明的至少一实施例，所述镀膜设备在镀膜前的真空度被控制为不大于2×10-3Pa。

[0042] 根据本发明的至少一实施例，所述镀膜设备在镀膜过程中的真空度被设置为0.1～20Pa。
附图说明

[0043] 图1是根据本发明的一个较佳实施例的一镀膜设备的示意图。

[0044] 图2是根据本发明的上述较佳实施例的所述镀膜设备的另一视角的示意图。

[0045] 图3是根据本发明的上述较佳实施例的所述镀膜设备的一反应腔体和一支撑装置的示意图。

[0046] 图4是根据本发明的上述较佳实施例的所述镀膜设备的所述反应腔体和所述支撑装置的另一较佳实施方式的示意图。

[0047] 图5是根据本发明的上述较佳实施例的所述镀膜设备的所述反应腔体和所述支撑装置的另一较佳实施方式的示意图。

[0048] 图6是根据本发明的上述较佳实施例的所述镀膜设备的所述反应腔体和所述支撑装置的另一较佳实施方式的示意图。

[0049] 图7是根据本发明的上述较佳实施例的所述镀膜设备的所述反应腔体和所述支撑装置的另一较佳实施方式的示意图。

[0050] 图8是根据本发明的上述较佳实施例的所述镀膜设备的所述反应腔体和所述支撑装置的另一较佳实施方式的示意图。

具体实施方式

[0051] 以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定
的本发明的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背
离本发明的精神和范围的其他技术方案。

[0052] 本领域技术人员应理解的是，在本发明的揭露中，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系，其仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是
指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此上述
术语不能理解为对本发明的限制。

[0053] 可以理解的是，术语“一”应理解为“至少一”或“一个或多个”，即在一个实施例中，一个元件的数量可以为一个，而在另外的实施例中，该元件的数量可以为多个，术语“一”不能理解为对数量的限制。

[0054] 本发明提供了一镀膜设备，其中所述镀膜设备可以用于制备各种类型的膜层，比如DLC膜(类金刚石薄膜)，有机膜。所述镀膜设备通过利用等离子体增强化学沉积(PECVD)
技术在一待镀膜工件表面化学沉积形成膜层。具体地说，所述待镀膜工件被放置在所述镀
膜设备的一反应腔体中进行等离子增强化学气相沉积从而在所述待镀膜工件的表面形成
所述膜层。

[0055] 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺相对于现有的其他沉积工艺具有很多优点：(1)干式沉积不需要使用有机溶剂；(2)等离子体对基体表面的刻蚀作用，使所沉积上的
薄膜与基体粘结性好；(3)可以对不规则基体表面均匀沉积镀膜，气相渗透性极强；(4)涂层
可设计性好，相比于液相法微米级控制精度，化学气相法可在纳米级尺度进行涂层厚度的
控制；(5)涂层结构设计容易，化学气相法使用等离子体激活，对不同材料的复合涂层不需
要设计特定的引发剂进行引发，通过输入能量的调控即可将多种原材料复合在一起；(6)致
密性好，化学气相沉积法在等离子体引发过程中往往会对多个活性位点进行激活，类似于
溶液反应中一个分子上有多个官能团，分子链之间通过多个官能团形成交联结构；(7)作为
一种镀膜处理技术手段，其普适性极好，镀膜的对象、镀膜使用的原材料选择的范围都很
广。

[0056] 本发明提供了一所述镀膜设备，其中所述镀膜设备能够批量获得镀有均匀膜层的镀膜工件。一脉冲电源可以在放电过程中产生强电场，处于高能状态的活性粒子受到强电
场作用加速沉积于所述待镀膜工件的表面，以有利于形成牢固的膜层。

[0057] 参考附图1至附图3所示，是根据本发明的一较佳实施例的一镀膜设备1被阐明。所述镀膜设备1能够应用于工业化生产，能够批量地对于多个所述待镀膜工件进行镀膜，并且
能够获得较高的产品良率。

[0058] 所述镀膜设备1包括所述反应腔体10、一气体供给部20、一抽气装置30以及一支撑装置40。

[0059] 所述反应腔体10具有一反应腔100，其中所述反应腔100能够保持相对密闭，以使得所述反应腔100能够被保持在期望的真空度。

[0060] 所述气体供给部20用于朝向所述反应腔体10的所述反应腔100提供气体。

[0061] 基于膜层要求的不同，可以选择不同的反应气体，当所述工件表面需要镀DLC膜时，所述反应气体可以是CxHy，其中x为1-10的整数，y为1-20的整数。反应气体可以是单一气
体，也可以是混合气体。可选地，反应气体可以是常压下为气态的甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、乙
烯、乙炔、丙烯或者是丙炔，也可以是经过减压或者是加热蒸发形成的蒸气。也就是说，常温
下为液态的原料也可以通过所述气体供给部20以气态的方式向所述反应腔100提供。

[0062] 气体可以是等离子体源气体，可以是但并不限制于惰性气体、氮气、氟碳气体，其中惰性气体举例但是并不限制于氦气或者是氩气，氟碳气体可以是但是并不限制于四氟化
碳。等离子体源气体可以是单一气体，也可以是两种或者是两种以上的气体的混合物。

[0063] 气体可以是辅助气体，辅助气体可以和反应气体配合形成膜层，以赋予膜层一些预期的特性，比如说膜层的强度，膜层的柔韧性等。辅助气体可以是非碳氢气体，比如说氮
气、氢气、氟碳气体等。辅助气体可以和反应气体同时向所述反应腔体10被供给，也可以根
据需求按照先后的次序被通入。辅助气体的加入能够调节膜层中各元素的比例，碳氢键、碳
氮键和氮氢键的比例，从而改变膜层的性质。

[0064] 所述抽气装置30被可连通于所述反应腔100地连接于所述反应腔体10。所述抽气装置30能够控制所述反应腔100内的压力。所述反应腔100内的压力将影响到整个镀膜过程
的效率和最后的结果。在镀膜过程中，随着原料气体的通入和等离子体的生成，整个所述反
应腔100的压力在一个阶段中不断地发生变化，通过所述抽气装置30的抽气功率和所述气
体供给部20的供气功率的调整，可以使得所述反应腔100的压力保持在一个预期的稳定状
态。

[0065] 也就是说，不仅可以通过所述抽气装置30，以抽气的方式降低所述反应腔100内的压力，也可以通过所述气体供给部20，以供气的方式在某些过程中增加所述反应腔100内的
压力。比如说在镀膜过程结束后，通过所述气体供给部20可以供给空气或者是其他气体，以
使得所述反应腔100内的气压和所述反应腔体10外的气压持平，从而使得所述反应腔100内
的所述待镀膜工件可以被取出。根据本发明的至少一实施例，所述气体供给部20的供气范
围供给反应气体的流速控制为10sccm-200sccm。根据本发明的至少一实施例，所述气体供
给部20的离子源气体的流速控制为50sccm～500sccm。

[0066] 所述支撑装置40位于所述反应腔体10的所述反应腔100。所述支撑装置40能够支撑所述镀膜工件以保持所述待镀膜工件于所述反应腔体10的所述反应腔100。多个所述待
镀膜工件可以被支撑于所述支撑装置40。

[0067] 进一步地，所述镀膜设备1包括一放电装置50，其中所述放电装置50能够提供射频电场和/或脉冲电场，在射频电场下，等离子气体源可以被电离以生成等离子体。在脉冲电
场下，等离子体能够朝向所述待镀膜工件移动以沉积在所述待镀膜工件的表面。

[0068] 所述放电装置50能够提供交替的射频电场和脉冲电场，也可以同时提供射频电场和脉冲电场。

[0069] 具体地说，所述放电装置50包括一射频电源51、一脉冲电源52以及至少一电极53，其中所述射频电源51在被通电后可以产生所述射频电场，所述射频电源51可以被设置在所
述反应腔体10外，所述射频电源51被可导通地连接于一个所述电极53，所述电极53位于所
述反应腔100。可以理解的是，所述射频电源51也可以以无电极53的方式产生所述交变磁场
以电离等离子气体源。

[0070] 所述脉冲电源52可以被设置于所述反应腔体10外，所述脉冲电源52被可导通地连接于一个所述电极53，所述电极53位于所述反应腔100。所述电极53作为所述脉冲电源52的
阴极被设置在所述待镀膜工件的一侧以使得等离子体中的正离子加速朝向该镀膜工件运
动。所述电极53可以被设置在所述待镀膜工件的正面一侧或者是背面一侧。所述电极53还
可以作为所述脉冲电源52的阳极被设置在所述反应腔体10。作为所述脉冲电源52的阳极和
阴极的两个所述电极53可以被相对设置，比如说两个所述电极53分别位于所述待镀膜工件
的正面一侧和背面一侧，或者两个所述电极53分别位于所述待镀膜工件的两个相对的侧
面。

[0071] 位于所述支撑装置40的所述待镀膜工件能够在所述射频电场和/或所述脉冲电场的作用下被镀膜，以所述射频电场和所述脉冲电场能够共同作用进行说明。

[0072] 详细地说，所述射频电源51对于所述气体供给部20提供的气体进行放电以使得整个所述反应腔100处于等离子环境，反应气体处于高能量状态。所述脉冲电源52在放电过程
中产生强电场，强电场位于所述待镀膜工件附近，以使得处于等离子环境中的活性离子受
到强电场的作用加速沉积在基体表面。

[0073] 当所述工件表面需要镀DLC膜时，反应气体在强电场作用下沉积在所述待镀膜工件表面以形成非晶态碳网络结构。当所述脉冲电源52不放电时，利用沉积于所述待镀膜工
件的膜层进行非晶态碳网络结构自由驰豫，在热力学作用下碳结构向稳定相---弯曲石墨
烯片层结构转变，并埋置于非晶碳网络中，形成透明类石墨烯结构。

[0074] 更详细地说，在本实施例中，所述支撑装置40包括一多层支架41，其中所述多层支架41包括多个支撑件411，其中所述支撑件411被相互间隔并且层叠地保持于所述反应腔
100。所述待镀膜工件被放置于所述多层支架41的一层或者多层。

[0075] 所述待镀膜工件被放置于连接所述脉冲电源52作为阴极的所述电极53。当在所述脉冲电场作用下电离生成所述等离子体后，在所述脉冲电场作用下所述等离子体中的正离
子在所述脉冲电场的作用下朝向所述待镀膜工件运动以沉积在所述待镀膜工件的表面。所
述等离子体包括自有电子和正离子两者的导电的气态介质。

[0076] 值得一提的是，由于作为阴极的所述电极53被设置在所述待镀膜工件的周围，使得所述等离子体中的正离子能够被加速朝向所述待镀膜工件的表面沉积，一方面提高了所
述待镀膜工件的镀膜速度，另一方面在这个过程中正离子轰击所述待镀膜工件的表面，从
而有利于所述待镀膜工件表面的膜层的强度。

[0077] 更加具体地说，在本实施例中，所述多层支架41包括多个所述支撑件411和至少二连接件412，其中所述支撑件411被支撑于所述连接件412，以被保持于所述反应腔100。在本
实施例中，所述连接件412被实施为一立柱，其中所述立柱可以是中空的，也可以是实心的。

[0078] 整个所述支架41可以作为阴极并且被可导通地连接于所述脉冲电源52。也就是说，整个所述支架41可以是由导电材料支撑的，可以但是并不限制于导电金属。可以理解的
是，所述支架41可以作为所述电极53使用，所述电极53也可以是被设置于所述支架41。也就
是说，在本发明的一些实施例，所述电极53和所述支架41可以相互独立，比如说但是不限制
于所述电极53被保持在所述支架41的所述支撑件411的下方或者是上方或者是侧边。

[0079] 所述支架41位于所述反应腔体10并且被保持于所述反应腔100。在本示例中，所述支架41被支撑于所述反应腔体10，并且当所述支架41被施加来自于所述脉冲电源52的高压
以作为阴极时，所述反应腔体10可以作为阳极并接地。

[0080] 所述镀膜设备1的所述支撑装置40进一步包括一绝缘件42，其中所述绝缘件42可以被设置于所述连接件412的底端以隔绝所述多层支架41和所述反应腔体10。所述绝缘件
42的制作材料可以但是并不限制于四氟乙烯。

[0081] 值得注意的是，所述支撑件411和所述反应腔体10的内壁需要保持在预设的距离以避免对于镀膜效果造成影响，因此所述绝缘件42的高度和所述连接件412的高度需要经
过预先的设计。

[0082] 值得注意的是，所述支撑件411支撑所述待镀膜工件，所述等离子体中的正离子在所述脉冲电场的作用下自上而下加速朝向所述待镀膜工件运动以沉积在所述待镀膜工件
的表面。在本实施例中，所述待镀膜工件以“躺”的方式被放置于所述支撑件411。

[0083] 所述待镀膜工件的表面可以但是并不限制于玻璃、塑料、无机材料、有机材料制成的待镀膜的表面。所述待镀膜工件可以为电子产品、电器部件、电子组装半成品，PCB板、金
属板、聚四氟乙烯板材或者电子元器件，并且被镀膜后的待镀膜工件可以暴露于水环境，霉
菌环境，酸、碱性溶剂环境，酸、碱性盐雾环境，酸性大气环境，有机溶剂浸泡环境，化妆品环
境，汗液环境，冷热循环冲击环境或湿热交变环境中使用。

[0084] 当所述待镀膜工件是电子设备时，举例但是并不限制于手机、平板电脑、电子阅读器、可穿戴设备、显示器等。所述待镀膜工件在表面形成一层镀膜后，可以通过所述镀膜设
备1镀上另一层相同或者是不同的膜层。也就是说，利用所述镀膜设备1可以进行双层或者
是多层镀膜。通过改变相关的参数。比如说所述气体供给部20供给的气体种类，所述反应腔
100的真空度、电压大小等，就可以实现在同一所述镀膜设备1内对于同一所述待镀膜工件
制备不同的膜层。

[0085] 所述反应腔体10可以是导电材料制成的，可以但是并不限制于导电金属，比如说不锈钢材料。整个所述反应腔体10可以是由导电材料制成的，也可以是所述反应腔体10需
要用于作为阳极的部分由导电材料制成，其他部分可由不导电材料制成。所述反应腔体10
由不锈钢制成，并且可选地，所述反应腔体10的内表面的粗糙度小于0.10微米。

[0086] 进一步地，所述多层支架41的所述支撑件411可以全部由导电材料制成，所述连接件412也由导电材料制成，每一所述支撑件411通过所述连接件412相互导通，所述多层支架
41和所述脉冲电源52之间的导通仅仅需要一个导通位置即可实现。所述多层支架41的所述
支撑件411可以全部由导电材料制成，所述连接件412可以是由绝缘材料制成，每一所述支
撑件411相互绝缘，所述多层支架41和所述脉冲电源52之间的导通需要多个导通位置才可
以实现。所述多层支架41也可以是上述两种方式的混合方式，比如说所述多层支架41中的
至少两层相互导通，至少一层独立导通于所述脉冲电源52。

[0087] 在本实施例中，整个所述多层支架41是导电的并且能够充当阴极。在本发明的另一些实施例中，整个所述多层支架41中的一层或者是多层作为连接于所述脉冲电源52的所
述阴极。

[0088] 进一步地，当所述射频电源51是通过无电极方式放电的，所述射频电场可以分布在所述反应腔100。比如说分布在所述待镀膜工件的上方。所述气体供给部20供给的气体在
所述待镀膜工件的上方被电离后就可以在作为阴极的所述支撑件411的作用下自上而下朝
向所述待镀膜工件运动以沉积在所述待镀膜工件的表面。

[0089] 所述射频电场也可以分布在所述待镀膜工件的周围。所述气体供给部20供给的气体在所述待镀膜工件的周围被电离后就可以在作为阴极的所述支撑件411的作用下朝向所
述待镀膜工件运动以沉积在所述待镀膜工件的表面。

[0090] 所述射频电源51也可以通过有电极53方式放电，被连通于所述射频电源51的所述电极53可以被设置于所述待镀膜工件的上方，也可以被设置在所述待镀膜工件的下方。所
述气体供给部20供给的气体的至少部分在导通于所述射频电源51的所述电极53附近被电
离以产生所述等离子体，所述等离子体中的正离子在所述脉冲电场的作用下朝向所述待镀
膜工件运动。

[0091] 值得注意的是，所述气体供给部20可以配合所述射频电场被设置，以使得气体能够在所述射频电场被均匀电离。

[0092] 举例说明，当所述射频电源51是在所述待镀膜工件的上方放电时，所述气体供给部20的一出气口201位于所述待镀膜工件的上方，以使得来自于所述进料装置的气体可以
离开所述出气口201后在所述待镀膜工件的上方在所述射频电场内被电离，然后在所述脉
冲电场的作用下朝向自上而下朝向所述待镀膜工件运动。优选地，所述射频电场被均匀地
布置在每一层的所述待镀膜工件的上方，所述出气口201被均匀地布置在每一层的所述待
镀膜工件的上方。

[0093] 当所述射频电源51是在所述待镀膜工件的周围放电时，所述气体供给部20也可以被设置于所述待镀膜工件的周围，以使得来自所述进料装置的气体可以离开所述出气口
201后在所述待镀膜工件的周围在所述射频电场内被电离，然后在所述脉冲电场的作用下
朝向周围的所述待镀膜工件运动。优选地，所述射频电场被均匀地布置在所述待镀膜工件
的周围，所述出气口201被均匀地布置在每一层的所述待镀膜工件的周围。

[0094] 进一步地，所述镀膜设备1包括一进料装置60，其中所述进料装置60被可导通于所述反应腔100地连接于所述反应腔体10。所述进料装置60位于所述反应腔体10外，用于进
料。原料可以以气体或者是液体的方式进入到所述进料装置60，然后通过所述进料装置60
被传输至位于所述反应腔体10内的所述反应腔100的所述气体供给部20，通过所述气体供
给部20在预设的位置释放至所述反应腔100。通过控制所述进料装置60可以控制气体的流
量和流速，从而控制反应的速率。

[0095] 所述反应腔体10包括一顶板11、一底板12、一前板13、一后板14以及二侧板15，其中所述顶板11和所述底板12被相对设置，所述前板13和所述后板14被相对设置，两个所述
侧板15被相对设置，并且每一所述侧板15分别连接于所述顶板11和所述底板12，每一所述
侧板15分别连接于所述前板13和所述后板14。

[0096] 所述顶板11、所述底板12、所述前板13、所述后板14以及所述侧板15被紧密地连接，以使得所述反应腔100可以形成一个相对密闭的空间，从而能够对于所述反应腔100的
真空度进行精确地控制。

[0097] 所述反应腔体10进一步包括一控制门16和一反应腔室17，其中所述控制门16被可打开或者是可闭合地连接于所述反应腔室17。当所述控制门16被打开，所述反应腔100被暴
露，当所述控制门16被闭合，所述反应腔100被封闭。

[0098] 所述控制门16可以是所述前板13。也就是说，所述反应腔体10可以从前侧被打开。所述控制门16也可以是所述顶板11。也就是说，所述反应腔体10也可以从顶侧被打开。本领
域技术人员应当理解的是，此处打开所述反应腔体10的形式仅为举例说明，本发明的所述
镀膜设备1的所述反应腔体10的打开方式并不限制于此。

[0099] 在本实施例中，所述反应腔体10被设置为一矩形结构，所述反应腔体10的所述前板13就是使用者在操作或者是观察所述反应腔体10内部情况时所朝向的所述反应腔体10
的部分。在本发明的另一些实施例中，所述反应腔体10可以是一圆柱结构或者是圆状结构。
本领域技术人员可以理解的是，此处仅为举例说明，所述反应腔体10的形状并不限制于上
述的举例。

[0100] 可选地，所述反应腔体10包括一观察窗，其中所述观察窗被设置于所述前板13，以方便用户进行观察。

[0101] 在本实施例中，所述反应腔体10具有一进料口101，其中所述进料口101可以位于所述反应腔体10的所述后板14。所述进料装置60被可连通地连接于所述进料口101。所述气
体供给部20被可连通地连接于所述进料口101。

[0102] 进一步地，所述抽气装置30包括一初级抽气单元31和一高级抽气单元32，其中所述初级抽气单元31和所述高级抽气单元32被分别可连通地连接于所述反应腔体10。

[0103] 所述初级抽气单元31用于对于所述反应腔体10的初级抽气，所述高级抽气单元32用于对于所述反应腔体10的次级抽气，比如说所述初级抽气单元31可以对于所述反应腔体
10的气体进行粗抽，例如将气压降低一个或者是多个数量级。所述高级抽气单元32可以对
于所述反应腔体10的气体进行细抽，例如在同一个数量级内降低气压至较为精确的范围。

[0104] 所述反应腔体10具有至少一抽气口102，所述抽气装置30通过所述抽气口102从所述反应腔体10内抽气。可以理解的是，所述抽气装置30的所述初级抽气单元31和所述高级
抽气单元32可以共用一个所述抽气口102。所述抽气装置30的所述初级抽气单元31和所述
高级抽气单元32可以分别连通于一个所述抽气口102。

[0105] 在本实施例中，一个所述抽气口102位于所述反应腔体10的所述顶板11，另一个所述抽气口102位于所述反应腔体10的所述后板14。位于所述反应腔体10的所述顶板11的所
述抽气口102被连通于所述初级抽气单元31。位于所述反应腔体10的所述后板14的所述抽
气口102被连通于所述高级抽气单元32。

[0106] 所述镀膜设备1进一步包括一安装框架70，其中所述反应腔体10被支撑于所述安装框架70以保持在一定高度。所述抽气装置30的所述初级抽气单元31被所述安装框架70支
撑并且被保持在所述反应腔体10的一侧。所述抽气装置30的所述高级抽气单元32被所述安
装框架70支撑并且被保持在所述反应腔体10的背侧。

[0107] 在本实施例中，所述初级抽气单元31包括一罗兹泵311和一干泵312，其中所述罗兹泵311和所述干泵312被分别可连通地连接于所述反应腔体10。所述罗兹泵311和所述干
泵312可以联用。所述干泵312位于所述罗兹泵311上方或者所述罗兹泵311位于所述干泵
312上方，以使得所述干泵312和所述罗兹泵311被叠置，从而有利于缩小整个所述镀膜设备
1的面积尺寸。

[0108] 所述支撑装置40的所述多层支架41的尺寸小于所述反应腔体10的所述反应腔100，以使得所述多层支架41能够被容纳于所述反应腔100。

[0109] 所述反应腔体10具有一开口，其中所述开口连通于所述反应腔100，当所述控制门16被打开，所述多层支架41能够通过所述开口被放置于所述反应腔100。当镀膜结束后，打
开所述控制门16，可以直接将所述安装框架70从所述反应腔100取出。被放置于所述多层支
架41的待镀膜工件也可以跟随所述多层支架41被一同取出。

[0110] 所述多层支架41可以被放置多个待镀膜工件，所述反应腔体10被设计为预定的尺寸以容纳所述多层支架41和多个待镀膜工件，从而可以单次完成对于多个待镀膜工件的镀
膜。

[0111] 进一步地，在本实施例中，当所述抽气装置30将所述反应腔体10内的真空度控制在一定范围后，所述进料装置60朝向所述反应腔体10内进料，并且所述放电装置50能够被
通电以在所述反应腔100时产生电场电离至少部分气体。

[0112] 举例说明，所述进料装置60能够以50～500sccm的流量朝向所述反应腔体10输入Ar/N2/H2/CH4，以10～200sccm的流量朝向所述反应腔体10输入C2H2/O2，并且所述抽气装置
30能够控制镀膜前的所述反应腔体10的真空度小于2×10-3Pa。在镀膜开始后，所述反应腔
体10的镀膜真空度能够被保持在0.1～20Pa。

[0113] 在镀膜过程中所述放电装置50产生的电压可以被保持在-300～-3500V，占空比：5～100％，频率：20～360KHz。镀膜时间大约在0.1个小时和5个小时之间。最后获得镀膜厚度
不超过50nm。当然，随着镀膜时间的延长，镀膜的厚度可以变得更厚。

[0114] 值得一提的是，通过所述镀膜设备1，可以获得透明的镀膜。

[0115] 更详细地说，在本发明的一些实施例中，利用所述镀膜设备1，可以获得无机膜层，比如说类金刚石膜层。举例说明，CxHy流量为50-1000sccm、惰性气体流量10～200sccm、H2的
气体流量0～100sccm、真空反应腔100压力为0.01Pa～100Pa、射频功率10～800W，偏压电源
电压-100V～-5000V、占空比10％～80％、镀膜时间5-300min。

[0116] 不同气体之间的流量比决定了获得DLC膜层的原子比，影响了膜层质量，所述放电装置50的所述电源的大小决定了电离过程的温升、离化率和沉积速率等相关参数，镀膜时
间过短将使得膜层较薄，硬度表现较差，镀膜时间过长将使得膜层较厚，影响到透明性。

[0117] 在本发明的另一些实施例，利用所述镀膜设备1，可以获得有机膜层，比如说进行以下步骤Ⅰ或步骤Ⅱ至少一次，在基材表面制备调制结构的有机硅纳米涂层：步骤I：通入单
体A 蒸汽到反应腔体10内，至真空度为30～300毫托，开启等离子体放电，进行化学气相沉
积，停止通入单体A蒸汽，通入单体B蒸汽，继续等离子体放电，进行化学气相沉积，停止通入
单体B蒸汽；步骤Ⅱ：通入单体B蒸汽到反应腔体10内，至真空度为30～300毫托，开启等离子
体放电，进行化学气相沉积，停止通入单体B蒸汽，通入单体A蒸汽，继续等离子体放电，进行
化学气相沉积，停止通入单体A蒸汽。

[0118] 所述步骤(1)中反应腔体10可以是旋转体形腔室或者立方体形腔室，其容积为50～1000L，反应腔体10的温度控制在30～60℃，所述惰性气体通入流量为5～300sccm。所述
步骤(2)中：等离子体放电，进行化学气相沉积，沉积过程中等离子体放电过程包括小功率
连续放电、脉冲放电或周期交替放电。所述沉积过程中等离子体放电过程为小功率连续放
电，具体包括以下沉积过程至少一次：沉积过程包括预处理阶段和镀膜阶段，预处理阶段等
离子体放电功率为150～600W，持续放电时间60～450s，然后进入镀膜阶段，调整等离子体
放电功率为10～150W，持续放电时间600～3600s。所述沉积过程中等离子体放电过程为脉
冲放电，具体包括以下沉积过程至少一次：沉积过程包括预处理阶段和镀膜阶段，预处理阶
段等离子体放电功率为150～7600W，持续放电时间60～450s，然后进入镀膜阶段，镀膜阶段
为脉冲放电，功率10～300W，时间600s～3600s，脉冲放电的频率为1～1000Hz，脉冲的占空
比为5％～90％。

[0119] 所述沉积过程中等离子体放电过程为周期交替放电，具体包括以下沉积过程至少一次：沉积过程包括预处理阶段和镀膜阶段，预处理阶段等离子体放电功率为150～600W，
持续放电时间60～450s，然后进入镀膜阶段，镀膜阶段等离子体为周期交替变化放电输出，
功率10～300W，时间600s～3600s，交变频率为1-1000Hz，等离子体周期交替变化放电输出
波形为锯齿波形、正弦波形、方波波形、全波整流波形或半波整流波形。

[0120] 进一步地，所述放电装置50的电源可以是所述脉冲电源52和/或所述射频电源51。所述脉冲电源52可以单独使用，所述射频电源51也可以单独使用，或者是所述脉冲电源52
和其他装置配合使用，比如说微波或者是射频，或者是所述射频电源51和其他装置配合使
用，比如说微波或者是脉冲。

[0121] 在本实施例中，所述放电装置50中的所述射频电源51和所述脉冲电源52被共同配合使用，比如说先以所述射频电源51作为电感耦合离子源的电源供应，然后通过线圈的电
感耦合作用，产生交变磁场，从而实现气体电力。所述射频电源51的功率可以为12MHz～
14MHz，比如说13.56MHz。

[0122] 所述脉冲电源52可以被加载在作为阴极的所述电极53，通过辉光放电效应电离气体，同时对于电离产生后的正离子具有定向牵引加速作用。在膜层沉积过程中有轰击作用，
从而可以获得致密的高硬度镀膜。

[0123] 所述射频电源51和所述脉冲电源52的同时应用，使得在反应过程中可以获得高离化率的等离子体基础上，增加了等离子体达到基体表面时的能量，从而有利于获得致密透
明的膜层。

[0124] 举例说明，根据本发明的至少一实施例，利用所述镀膜设备1，可以获得DLC膜层，首先对于待镀膜工件表面清洁预处理。将玻璃、金属、塑料等材质制作的待镀膜工件用酒精
或者丙酮等溶剂进行表面清洗，再用无尘布擦拭或者先经过超声浸泡后擦干；将待镀膜工
件放置于真空反应腔中，抽真空至10Pa以下，更佳地应该抽真空至0.1Pa以下，通入高纯氦
气或者氩气作为等离子体气源，打开高压脉冲电源52，辉光放电产生等离子体，对样品表面
进行刻蚀与活化；然后沉积DLC薄膜。利用射频与高压脉冲共辅助等离子体化学气相沉积的
方法制备掺杂类金刚石碳膜：通入DLC薄膜反应气体源、掺杂元素的反应原料、氢气，打开所
述射频电源51和高压脉冲电源52进行等离子体化学气相沉积，经过一段时间后，沉积薄膜
过程结束，通入空气或者惰性气体使真空腔回复至常压，取出样品。

[0125] 值得注意的是，所述脉冲电源52的负偏压值的大小可以关系到气体离化情况和达到产品表面时的迁移能力。高电压意味着更高的能量，可以获得高硬度涂层。但是过高的离
子能量，会对于待镀膜工件产生很强的轰击效应，在微观尺度上会在待镀膜工件的表面产
生轰击坑，同时高能量轰击会加快温度提升，可能导致所述待镀膜工件的升高。

[0126] 进一步地，在本实施例中，所述脉冲电源52的脉冲频率可以是20～300KHz，可以减少绝缘的待镀膜工件表面的电荷持续积累，从而抑制大电弧现象和增加涂层沉积厚度极
限。

[0127] 值得注意的是，利用所述镀膜设备1镀膜时，通过对于各种参数的控制，可以使得整个镀膜过程保持在低温状态，25℃到100℃，比如说40℃到50℃。参考附图4所示，同时参
考附图1至附图3，是本发明的上述较佳实施例的所述镀膜设备1的另一种实施方式被阐明。

[0128] 本实施例和上述实施例的不同之处主要在电极布置和所述支撑装置40。在上述实施例中，所述支撑装置40独立于所述反应腔体10并且所述多层支架41能够作为导通于所述
脉冲电源52的电极使用。

[0129] 在本实施例中，所述多层支架41不仅可以作为电极使用，还可以作为所述气体供给部20的至少部分使用。

[0130] 具体地说，在本实施例中，部分所述支撑件411被作为导通于所述脉冲电源52的所述电极53，部分所述支撑件411可以作为所述气体供给部20。

[0131] 举例说明，假如所述多层支架41的所述支撑件411的数目是6层，其中自上而下分别为第一层至第六层，第一层、第三层以及第五层分别能够供给气体，第二层、第四层以及
第六层分别被导通于所述脉冲电源52以作为阴极使用。

[0132] 处于所述第一层、第三层以及第五层的所述支撑件411具有至少一个所述出气口201，所述出气口201被朝向下一层的所述支撑件411布置。所述第二层、所述第四层以及所
述第六层的所述支撑件411用于放置所述待镀膜工件。

[0133] 优选地，每一个所述支撑件411的所述出气口201的数目是多个，并且所述出气口201均匀地分布在所述待镀膜工件的上方，以有利于向所述待镀膜工件均匀地提供气体。

[0134] 用于提供气体的所述支撑件411被设置为中空的，来自所述进料装置60的气体能够进入到所述支撑件411内并且通过所述出气口201朝向位于下层的所述支撑件411扩散。

[0135] 值得一提的是，用于提供气体的所述支撑件411被设置为可导电的并且被可导通地连接于所述射频电源51，当所述射频电源51被通电，位于第一层、第三层以及第五层的所
述支撑件411内的气体的至少部分能够在所述射频电场被电离以形成等离子体，然后通过
所述出气口201离开所述支撑件411以在所述脉冲电场的作用下朝向所述待镀膜工件运动，
并且能够被加速沉积在所述待镀膜工件的表面。可选地，作为所述气体供给部20的至少部
分的所述支撑件411的面积尺寸范围为500mm*500mm～700mm*700mm。

[0136] 所述支撑装置40包括多个反应空间410，其中所述反应空间410形成于相邻的所述支撑件411之间。可选地，根据本发明的至少一实施例，相邻的所述支撑件411之间的距离为
10mm～200mm。所述出气口201的直径范围为3mm～5mm。

[0137] 对于位于同一所述反应空间410的所述待镀膜工件而言，比如说位于第二层的所述待镀膜工件，在所述待镀膜工件的上方，第一层的所述支撑件411位置处可以均匀地提供
正离子，并且正离子能够统一地朝向位于第二层的所述待镀膜工件运动。对于位于第四层
或者是第六层的所述待镀膜工件来说是相似的。

[0138] 从另一角度说，所述射频电场和所述脉冲电场被交替地设置，从而有利于保证各层的所述待镀膜工件的电场的均一性。

[0139] 优选地，作为所述气体供给部20的至少部分的各个所述支撑件411是相同的，导通于所述脉冲电源52的各个所述支撑件411是相同的。

[0140] 可选地，作为所述气体供给部20的所述支撑件411和下一层作为所述脉冲电源52的电极的所述支撑件411之间的距离是相同的。也就是说，每一所述反应空间410的大小可
以是相同的。可选地，每一所述支撑件411相互平行。可选地，所述反应腔体10是一对称结
构，比如说矩形结构，或者是圆柱形结构。所述支撑装置40位于所述反应腔体10的中心轴
线。

[0141] 进一步地，作为所述气体供给部20的所述支撑件411的面积和下一层作为所述脉冲电源52的电极的所述支撑件411的面积可以是相同的。

[0142] 可以理解的是，由于相邻的所述支撑件411分别连接于所述射频电源51和所述脉冲电源52。相邻的所述支撑件411之间是绝缘的，比如说第一层、第三层以及第五层的所述
支撑件411被分别绝缘地安装于所述连接件412，第一层、第三层以及第五层被分别可导通
地连接于所述射频电源51。第二层、第四层以及第六层的所述支撑件411被分别绝缘地安装
于所述连接件412。第二层、第四层以及第六层的所述支撑件411被分别可导通地连接于所
述脉冲电源52。可选地，也可以是所述第一层、所述第三层以及所述第五层被分别可导通地
连接于所述连接件412以被可同一导通地连接于所述射频电源51。所述第二层、所述第四层
以及所述第六层被分别可导通地连接于所述脉冲电源52并且和所述连接件412绝缘。

[0143] 本领域技术人员应当理解的是，上述的所述支架41的各层和所述脉冲电源52或者所述射频电源51之间的连接方式仅为举例说明。

[0144] 进一步地，可以理解的是，被可导通于所述脉冲电源52的电极53可以被单独设置于所述支架41，并且说位于放置所述待镀膜工件的所述支撑件411的下方。

[0145] 参考附图5所示，同时参考附图1至附图3，是本发明的上述较佳实施例的所述镀膜设备1的另一种实施方式被阐明。本实施例和上述实施例的不同之处主要在于所述支撑装
置40和所述放电装置50。

[0146] 在本实施例中，所述支撑装置40的所述支架41的部分可以被当作所述气体供给部20。

[0147] 具体地说，所述支架41的所述支撑件411包括一第一支撑部4111和第二支撑部4112，其中所述第一支撑部4111被设置于所述第二支撑部4112并且所述第一支撑部4111被
支撑于所述第二支撑部4112。

[0148] 每一所述第一支撑部4111和对应的所述第二支撑部4112作为一层，所述第一支撑部4111被可导通地连接于所述脉冲电源52以作为阴极使用，所述第二支撑部4112被作为所
述气体供给部20使用。

[0149] 举例说明，当所述支架41的所述支撑件411的数目为至少二层时，对于被放置在第二层所述支撑件411的所述待镀膜工件而言，所述待镀膜工件的上方为第一层所述支撑件
411的所述第二支撑部4112，所述待镀膜工件被支撑于第二层所述支撑件411的所述第一支
撑部4111。

[0150] 当第一层的所述支撑件411的所述第二支撑部4112供应气体，并且气体在所述射频电场的作用下电离成为等离子体，在第二层所述支撑件411的所述第一支撑部4111产生
的所述脉冲电场的作用下，位于所述待镀膜工件上方的等离子体自上而下朝向位于第二层
的所述支撑件411的所述待镀膜工件运动，以加速沉积在所述待镀膜工件的表面。

[0151] 进一步地，第一层的所述支撑件411的所述第二支撑部4112可以被可导通地连接于所述射频电源51，以使得气体在第一层的所述支撑件411的所述第二支撑部4112附近就
可以直接在所述射频电场的作用下被电离。

[0152] 值得注意的是，由于每一所述支撑件411包括所述第一支撑部4111和所述第二支撑部4112，因此所述支架41的大多数所述支撑件411被可以被放置有所述待镀膜工件。换句
话说，所述支架41的每一层的所述支撑件411都可以被放置有所述待镀膜工件，并且除了第
一层所述支撑件411，位于其他各层的所述待镀膜工件的上方可以有用于供气的所述第二
支撑部4112，下方被当作阴极的所述第一支撑部4111支撑。

[0153] 进一步地，所述第二支撑部4112可以是中空的并且具有多个所述出气口201，其中所述出气口201被均匀地布置在所述待镀膜工件的上方以有利于对于所述待镀膜工件均匀
地出气。

[0154] 所述第二支撑部4112的出气位置的纵剖面可以是矩形的，也可以是梯形的。

[0155] 用于作为电极53的所述第一支撑部4111可以是板状结构的，用于作为所述气体供给部20的所述第二支撑部4112可以是板状结构的，也可以是网状结构或者是镂空结构的。

[0156] 更加具体地说，所述第二支撑部4112可以包括一支撑顶板41121和一支撑底板41122，所述第二支撑部4112的所述支撑顶板41121和所述支撑底板41122之间预留空间以
供气体暂时存留。所述第二支撑部4112的所述支撑顶板41121和所述支撑底板41122之间相
互可以是绝缘的，所述支撑顶板41121和所述支撑底板41122可以作为所述射频电源51的放
电电极53使用。

[0157] 所述第一支撑部4111被绝缘地设置于所述第二支撑部4112的所述支撑顶板41121，所述第一支撑部4111被当作所述脉冲电源52的放电电极53使用。参考附图6所示，同
时参考附图1至附图3，是本发明的上述较佳实施例的所述镀膜设备1的另一种实施方式被
阐明。

[0158] 本实施例和上述实施例的不同之处主要在于所述支撑装置40和所述放电装置50。

[0159] 所述支架41的所述支撑件411被分别可导通地连接于所述脉冲电源52，并且相邻的所述支撑件411分别被当作所述脉冲电源52的所述阳极和所述阴极使用。也就是说，所述
反应腔体10在本实施例中不需要被当作所述阳极使用。

[0160] 举例说明，所述支架41至少有六层，其中第一层、第三层以及第五层分别被当作所述脉冲电源52的所述阳极，第二层、第四层以及第六层分别被当作所述脉冲电源52的所述
阴极。

[0161] 所述待镀膜工件被放置在第二层、第四层以及第六层，在所述射频电场中被电离生成的等离子体中正离子可以朝向所述待镀膜工件所在位置移动。

[0162] 值得注意的是，相邻的所述支撑件411相互绝缘，比如说所述绝缘件42可以被设置在第一层的所述支撑件411和第二层的所述支撑件411之间，以使得相邻的所述支撑件411
无法相互导通。

[0163] 根据本发明的另一些实施例，当所述支架41的所述支撑件411的至少部分被可导通地连接于所述脉冲电源52以作为所述脉冲电源52的阴极时，所述支架41的所述支撑件
411的至少部分可以被设置为接地，并且作为所述脉冲电源52的阴极的所述支撑件411和接
地的所述支撑件411可以被交替地设置。

[0164] 根据本发明的另一些实施例，当所述支架41的所述支撑件411的至少部分被可导通地连接于所述脉冲电源52以作为所述脉冲电源52的阴极时，所述支架41的所述支撑件
411的至少部分被可导通地连接于所述射频电源51以作为所述射频电源51的阳极，并且作
为所述脉冲电源52的阴极的所述支撑件411和作为所述射频电源51的阳极的所述支撑件
411可以被交替地设置。参考附图7示，同时参考附图1至附图3，是本发明的上述较佳实施例
的所述镀膜设备1的另一种实施方式被阐明。

[0165] 本实施例和上述实施例的不同之处主要在于所述支架41的所述支撑件411。

[0166] 所述支架41的所述支撑件411被支撑于所述反应腔体10的内壁。所述反应腔体10的内壁可以被设置为内凹的，每一所述支撑件411能够被支撑于所述反应腔体10。

[0167] 所述支撑件411可以当作所述脉冲电源52的电极53，整个所述支架41可以当作所述脉冲电源52的阴极，也可以是部分所述支撑件411当作所述脉冲电源52的阴极，部分所述
支撑件411当作所述脉冲单元的阳极。也可以是部分所述支撑件411当作所述射频电源51的
电极53。所述气体供给部20可以被布置在所述支撑件411。

[0168] 可以理解的是，上述的电极53布置方式为举例说明，本发明的所述镀膜设备1的电极53布置方式并不限制于此。

[0169] 进一步地，所述支撑件411被可拆卸地连接于所述反应腔体10，当需要放置或者是取出所述待镀膜工件时，所述支撑件411可以和所述反应腔体10分离。

[0170] 根据本发明的另一些实施例，所述支撑装置40被可转动地安装于所述反应腔体10。也就是说，所述支撑装置40和所述反应腔体10可以发生相互运动，以有利于所述射频电
场或者是所述脉冲电场和气体或者是等离子体的充分接触。

[0171] 值得注意的是，在上述实施例中，所述支撑件411支撑所述待镀膜工件以使得所述待镀膜工件躺在所述反应腔100，以使得所述待镀膜工件的朝上的正面或者是朝下的背面
能够被镀膜。利用所述镀膜设备1，可以实现双面镀膜。

[0172] 在本发明的另一些实施例中，所述待镀膜工件以立的方式被保持于所述反应腔100，并且所述支撑件411被立于所述反应腔100。

[0173] 参考附图8示，所述支架41包括多个所述支撑件411和至少一连接件412，其中所述支撑件411被相互间隔预设距离地保持于所述反应腔100，所述连接件412连接每一所述支
撑件411以保持所述支撑件411于预设的位置。所述连接件412的数目可以是二或者是更多。

[0174] 在本实施例中，所述支撑件411被实施为一矩形板，所述连接件412的数目可以是四，分别位于所述支撑件411的四个顶角。

[0175] 所述支架41被绝缘于所述反应腔体10地保持于所述反应腔100，其中整个所述支架41可以被当作所述脉冲电源52的阴极使用。

[0176] 值得注意的是，所述支撑件411形成有多个所述出气口201，其中原料气体或者是电离后的等离子体可以穿过所述支撑件411以在整个所述支架41扩散。

[0177] 本领域的技术人员应理解，上述描述及附图中所示的本发明的实施例只作为举例而并不限制本发明。本发明的目的已经完整并有效地实现。本发明的功能及结构原理已在
实施例中展示和说明，在没有背离所述原理下，本发明的实施方式可以有任何变形或修改。

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